【課題】ゲートラグおよびセトリング時間が短い半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板にＩｎＧａＰ層を形成し、ＩｎＧａＰ層の上面にＴｉ層とＡｕ層とを有するゲート電極を蒸着により形成し、ＩｎＧａＰ層の上面においてゲート電極が形成される領域とは異なる領域にＧａＡｓ層を更に形成し、ＧａＡｓ層の上面にソース電極及びドレイン電極を更に形成する半導体装置の製造方法を提供する。さらに、Ｔｉ層とＡｕ層とを有するゲート電極をＩｎＧａＰ層の上面に形成する場合において、１８０℃以下の基板温度でＴｉ層およびＡｕ層を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 単一横モード発振をさせるために多層膜反射鏡の横方向から酸化処理を行う必要がなく、歩留まりよく製造可能な面発光レーザ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 反射鏡を有する面発光レーザ装置において、一方の反射鏡は、高屈折率層と、低屈折率層とが交互に積層されている多層膜反射鏡１５０である。また、低屈折率層のうち少なくとも一層は、酸化アルミニウムを含む第１の領域１７５と、第１の領域を取り囲む第２の領域１７０を有する。また、第１の領域１７５と第２の領域１７０との境界は、レーザ光が出射する範囲１９０に存在する。そして、多層膜反射鏡１５０において、第１の領域を含む部分の反射率は、第２の領域を含む部分の反射率よりも高い。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板上に、通常のシリコン酸化膜形成技術によってゲート絶縁膜を形成した場合、良好な電気的な特性を持つゲート酸化膜が得られない。
【解決手段】ＳｉＣ基板上におけるゲート絶縁膜中の炭素含有量を減少させることによって、ヒステリシスが小さく、高耐圧の膜を得ることができた。このため、プラズマ処理装置を用いて、ＳｉＣ基板上にシリコン酸化膜を形成した後、窒素原子を含むラジカルに、形成されたシリコン酸化膜を曝して改質を行うことにより、電気的特性の優れたゲート絶縁膜を得ることができた。 （もっと読む）

【課題】低電圧で駆動する強誘電体キャパシタの製造方法を提供する。
【解決手段】強誘電体素子１００の製造方法は、基体１０の上方にＴｉＡｌＮ膜１２、第１のイリジウム膜２２、酸化イリジウム膜２４、および白金膜２６を順に形成する工程と、ＰＺＴやＰＺＴＮやＳＢＴなどの強誘電体膜３０を成膜する工程と、オゾン、またはｐＫａ＞７であり金属元素を含まないアルコール類やアミン類等である有機液体を用いて、強誘電体膜３０の表面を洗浄する工程と、強誘電体膜３０を結晶化するための熱処理する工程と、強誘電体膜３０の上方に酸化イリジウム膜４４、及びイリジウム膜４６による金属層４０を成膜する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】熱放散を効率よく行うことができ、熱応力を緩和して高い信頼性を得ることができる半導体発光素子およびその製造方法、並びに発光装置を提供する。
【解決手段】突条部６１の両側に、塑性変形可能な応力緩和層８１を設ける。半導体レーザアレイ２０とベースとの接合時に発生する熱応力を応力緩和層８１により吸収、緩和して信頼性を高めると共に、熱放散を効率良く行う。応力緩和層８１は、ＳｉＯ₂ ，ＡｌＯ₂ またはＳｉ₃ Ｎ₄ などの絶縁材料を、電子線蒸着することにより形成したものである。応力緩和層を、インジウム（Ｉｎ）あるいはＩｎ−Ａｇ合金などの塑性変形可能な金属材料により構成し、その上側および下側を、インジウム（Ｉｎ）と合金を全く形成しない金属、例えばアルミニウム（Ａｌ）よりなる合金化防止層で挟んでもよい。応力緩和層８１の間の間隔Ｄ１は、突条部６１の幅Ｗよりも広く、好ましくは幅Ｗの３倍以上とする。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質を有するゲート絶縁膜を化合物半導体層上に形成することができる半導体素子製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板１上にバッファ層２を介して積層されたＧａＮ活性層３とゲート電極８との間にゲート絶縁膜であるＳｉＯ₂膜５が形成された半導体素子を製造する半導体素子製造方法において、ゲート絶縁膜は、ＥＣＲスパッタリング法を用いて形成されることを特徴とする。この結果、良好な膜質を有するゲート絶縁膜をＧａＮ活性層３上に形成することができる半導体素子製造方法を提供することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】大気中でも化学的および熱的に安定な表面と界面を有する成膜体を提供する。
【解決手段】本発明の成膜体は、ＳｉＣ基板上にＳｉＮ膜１が形成され、ＳｉＮ膜１上にＳｉＯ膜２が形成されている成膜体であり、ＳｉＮ膜１とＳｉＯ膜２はいずれもエピタキシャル成長により形成された単結晶である。この成膜体は、ＳｉＣ基板に対して水素ガスを用いてエッチングを行った後に、水素を窒素に置換して窒素雰囲気中で加熱することにより、製造することができる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素単結晶基板上に高品質で欠陥の少ない炭化珪素単結晶薄膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板上にエピタキシャル欠陥の発生を抑えるための炭化珪素単結晶薄膜を有することを特徴とするエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、及び、その製造方法で、上記炭化珪素単結晶薄膜の表面粗さのRa値が0.5nm以上1.0nm以下であり、その炭化珪素単結晶薄膜をエピタキシャル成長する際の材料ガス中に含まれる、炭素と珪素の原子数比(C/Si比)が1.0以下である。 （もっと読む）

【課題】酸化物を低温で確実に形成する。
【解決手段】高温高圧水に半導体材料を接触させて、当該半導体材料の酸化物を形成する。 （もっと読む）

ＳｉＣ基板（１２）に基づいて半導体デバイスを製造する方法であって、５×１０^１１ｃｍ^−２未満の界面近傍トラップ密度を達成するのに十分に高い酸化速度でＳｉＣ基板（１２）のＳｉ終端面上に酸化物層（１４）を形成するステップ（２０１）と、酸化物形成のステップで形成された深いトラップを不活性化し、それによって、改善された反転層移動度と低減された閾値電圧とを有するＳｉＣベースＭＯＳＦＥＴ（１０）の製造を可能にするために、酸化されたＳｉＣ基板を水素含有環境でアニールするステップ（２０２）とを備える方法。ＳｉＣ基板のＳｉ面が迅速な酸化を受けると、ＤＴの密度は増加するが、ＮＩＴの密度は減少することが本発明者等によって見いだされた。本発明によれば、迅速な酸化中に形成された深いトラップは水素アニーリングによって不活性化され、それにより、酸化物上に形成された半導体デバイスの閾値電圧は著しく低減され得る。
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【課題】安定した温度場下で水蒸気酸化処理等をすることができる加熱処理方法および加熱処理装置を提供すること。
【解決手段】加熱された雰囲気下でウェハ６などの被処理物を処理する加熱処理装置であって、ウェハ６がセットされるトレイ５およびトレイ５にセットされたウェハを加熱するヒータ７を有した処理部２と、処理部２に送られるガスを予熱する予熱部３と、を有した加熱炉１を備える。 （もっと読む）

【課題】対向ターゲット式スパッタ法を用いて、プラズマ粒子が存在する領域の外に化合物半導体の付いた基板を置いて、化合物半導体にプラズマ粒子による衝撃を与えないで絶縁性薄膜を形成するとともに、良質の化学量論的に純粋な絶縁性薄膜を形成して、半導体上に耐久性の高い薄膜を付与した素子の製造方法と製造装置を提供する。
【解決手段】対向ターゲットのスパッタリングにより基板上に薄膜を成膜するスパッタリング薄膜成膜方法において、前記対向ターゲット外淵と前記基板との中程に対向した反応性ガス導入口を設け、該反応性ガス導入口の向かっている方向が前記基板面中心部の垂線と概ね直角であって、各反応性ガス導入口の先端から前記垂線までの距離を５０から３００mmに設定し、基板付近での反応性ガス分圧を高めることで化学量論的に純粋な良質の絶縁性薄膜を得る。 （もっと読む）

【課題】電流ヒステリシス特性が良好で順方向ゲートリークを低減させることができるガリウムナイトライド系電界効果トランジスタを提供すること。
【解決手段】ゲート絶縁膜１０８を有するガリウムナイトライド系電界効果トランジスタ１００において、ゲート絶縁膜１０８を構成する材料の一部もしくは全部が、比誘電率９以上２２以下の誘電体であり、ゲート絶縁膜１０８に接する半導体結晶層Ａ１０４と、半導体結晶層Ａ１０４に近接して、半導体結晶Ａ１０４よりも大きな電子親和力を有する半導体結晶層Ｂ１０３から構成されるヘテロ接合を有している。ゲート絶縁膜１０８を構成する材料の少なくとも一部に、ＨｆＯ₂ 、ＨｆＡｌＯ、ＨｆＡｌＯＮ、又はＨｆＳｉＯ等の酸化ハフニウムを含むようにするのが好ましい。 （もっと読む）

1つの態様において、本発明は、より良い環境安定性のための太陽電池または光起電力モジュールを製造する方法に関する。他の側面において、本発明は環境的に安定な太陽電池または光起電力モジュールに関する。これらの方法および装置は、回路上、好ましくは太陽電池の照光表面、または複数の太陽電池からなる回路の、太陽電池の照光表面を含む面全体の上に耐湿表面を形成するための水分バリアフィルムを用いる。或る態様においては、耐湿フィルムは相似的に適用され、他の態様においては、耐湿フィルムは実質的に透明である。
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【課題】エージング後のＣＯＤレベルを向上することができる、窒化物半導体発光素子と、窒化物半導体レーザ素子の製造方法と、を提供する。
【解決手段】光出射部にコート膜が形成されている窒化物半導体発光素子であって、光出射部は窒化物半導体からなり、光出射部に接するコート膜が酸窒化物からなる窒化物半導体発光素子である。また、共振器端面にコート膜が形成されている窒化物半導体レーザ素子を製造する方法であって、劈開により共振器端面を形成する工程と、共振器端面に酸窒化物からなるコート膜を形成する工程と、を含む、窒化物半導体レーザ素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上することができる、窒化物半導体発光素子と、窒化物半導体レーザ素子の製造方法と、を提供する。
【解決手段】光出射部にコート膜が形成されている窒化物半導体発光素子であって、光出射部は窒化物半導体からなり、光出射部に接するコート膜が光出射部側の酸窒化物膜と酸窒化物膜上の酸化物膜とからなる窒化物半導体発光素子である。また、共振器端面にコート膜が形成されている窒化物半導体レーザ素子を製造する方法であって、劈開により共振器端面を形成する工程と、共振器端面に共振器端面側の酸窒化物膜と酸窒化物膜上の酸化物膜とからなるコート膜を形成する工程と、を含む、窒化物半導体レーザ素子の製造方法である。 （もっと読む）

半導体装置（100）の表面に多層の不動態皮膜（120）を形成する方法（500）は、化学気相蒸着反応装置（202）内に半導体装置（100）を配置し（500）、反応装置（202）内に窒素源（206）を導入し（504）、反応装置（202）内に炭素源（208）を導入し（508）、半導体装置（100）の表面に炭素窒素の層（402）を堆積し（512）、炭素源（208）の後に反応装置（202）内にシリコン源（210）を導入し（514）、炭素窒素の層（402）上にシリコン炭素窒素の層（404）を堆積する（516）ことからなる。多層の不動態皮膜（120）を組み込む半導体装置（100）もまた開示する。 （もっと読む）

炭化シリコン層上に酸化物層を形成する方法であって、金属不純物を実質的に含まない酸化炉管などの室の中に炭化シリコン層を置くこと、室の雰囲気を、約５００℃ないし約１３００℃に加熱すること、室の中に原子状酸素を導入すること、および炭化シリコン層の表面に原子状酸素を流し、それによって炭化シリコン層上に酸化物層を形成することを含む方法が開示される。いくつかの実施形態では、原子状酸素を導入することが、室の中に源酸化物を提供すること、および源酸化物の上に、窒素ガスと酸素ガスの混合物を流すことを含む。源酸化物は、酸化アルミニウムを含み、または酸化マンガンなどの他の酸化物を含むことができる。いくつかの方法は、炭化シリコン層上に酸化物層を形成すること、および原子状酸素を含む雰囲気で酸化物層をアニールすることを含む。
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【課題】 酸化亜鉛（ZnO）を主成分とする酸化物を半導体薄膜層(活性層)として有する薄膜トランジスタにおいて、製造工程を大幅に低温化するとともに、半導体薄膜層と、該半導体薄膜層上に形成した界面制御型ゲート絶縁膜との界面の清浄化を達成することによって、プラスティック基板上に形成した液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス素子（OLED）への応用を可能とした高性能薄膜トランジスタの製法の提供。
【解決手段】 酸化亜鉛ZnOを主成分とする酸化物からなる半導体薄膜と、シリコン系絶縁膜からなり該半導体薄膜に接するゲート絶縁膜を有する薄膜トランジスタの製法において、前記半導体薄膜の形成と前記ゲート絶縁膜の形成が真空中にて連続した工程で行われ、前記ゲート絶縁膜が、誘導結合方式プラズマ化学気相成長（ICP−CVD）法又は電子サイクロトロン共鳴化学気相成長（ECR−CVD）法により形成され、全製造工程が200℃以下の温度条件下にて行われることを特徴とする薄膜トランジスタの製法。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素などの化学的に安定な半導体を用いながら、その半導体層の表面に金属不純物濃度の低い酸化物層を形成する。
【解決手段】本発明による半導体素子の製造方法は、ハロゲン族元素を含むガスを用いてワイドバンドギャップ半導体からなる半導体層１２の表面を清浄化する工程（Ａ）と、半導体層１２の表面に酸化物層１４を形成する工程（Ｂ）とを含む。 （もっと読む）