【課題】縦型アニール炉を使ったバッチ処理方式によってアニールを行った場合にも基板表面に異物が発生することがない、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０１の表面にシリコン窒化膜１０２を形成する工程と、ＳｉＮ膜１０２上に、５ｎｍ以上、１４０ｎｍ以下の厚さのＳｉＯ2膜１０３を形成する工程と、シリコン窒化膜１０２及び酸化膜１０３が表面に形成されたキャップ付き基板１を、表面を上にして複数枚互いに離間して上下方向に配置させた状態でアニールする工程と、アニール後のキャップ付き基板１から、ＳｉＮ膜１０２及びＳｉＯ2膜１０３を除去する工程と、を含む半導体製造方法によって化合物基板をアニールする。 （もっと読む）

【課題】界面準位密度のゲート酸化膜／半導体界面が形成された半導体装置、および作製方法の提供。
【解決手段】半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x10¹⁹cm^-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体（MIS）構造を有する半導体装置とする。シリコンカーバイド領域を含む半導体基板上に形成された金属-絶縁膜（あるいは酸化膜）-半導体（MISあるいはMOS）構造を有する半導体装置（電界効果型トランジスタ(MISあるいはMOSFET)）に対して、高温に加熱された熱触媒体表面での重水素を含んだガスの熱触媒作用によって生成された活性化した重水素を用いることにより、６００°Ｃ以下の低温においてゲート絶縁膜／シリコンカーバイド半導体界面近傍に存在するダングリングボンドの重水素終端を図る。 （もっと読む）

【課題】大気に曝した半導体層の表面上にトンネル絶縁膜を形成した場合であっても、半導体層にスピン偏極率の大きなキャリアを注入できるトンネル接合素子を提供すること。
【解決手段】半導体層１０の表面を大気に曝す工程と、前記半導体層１０の前記表面を還元性ガスに曝す工程と、前記表面を還元性ガスに曝す工程の後前記半導体層１０の前記表面を大気に曝すことなく、前記半導体層１０の前記表面上にトンネル絶縁膜１２を形成する工程と、前記トンネル絶縁膜１２上に強磁性体層１４を形成する工程と、を含むトンネル接合素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】リーク電流が低く比誘電率の高い絶縁膜を印刷プロセスで提供する。
【解決手段】酸化物絶縁膜を形成するための絶縁膜形成用インクにおいて、１または２以上のアルカリ土類金属元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びランタノイド（Ｃｅを除く）のうち１または２以上の金属元素と、が溶液に含まれることを特徴とする絶縁膜形成用インクとこれを使用した製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

本発明は、混合金属酸化物、ＳｒＭ_１−ｘＴｉ_ｘＯ_３に関し、ｘは０<ｘ<１でありＭはＨｆ又はＺｒであり、例えばストロンチウム−ハフニウム−チタニウム酸化物、ストロンチウムジルコニウム−チタニウム酸化物である。また本発明は、前記混合金属酸化物を含む機能装置に関する。 （もっと読む）

【課題】Ｈｉｇｈ−ｋ金属ゲート・トランジスタに対するスレショルド電圧制御および駆動電流改良のための方法および構造体を提供する。
【解決手段】デバイスを形成する方法は、基板を用意するステップと、基板上に界面層を形成するステップと、界面層上にＨｉｇｈ−ｋ誘電体層を堆積するステップと、Ｈｉｇｈ−ｋ誘電体層上に酸素除去層を堆積するステップと、アニールを実施するステップとを含む。Ｈｉｇｈ−ｋ金属ゲート・トランジスタは、基板と、基板上の界面層と、界面層上のＨｉｇｈ−ｋ誘電体層と、Ｈｉｇｈ−ｋ誘電体層上の酸素除去層とを含む。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体と絶縁性材料との界面に形成される界面準位が低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】閃亜鉛鉱型の結晶構造を有する３−５族化合物半導体と、３−５族化合物半導体の（１１１）面、（１１１）面と等価な面、または、（１１１）面もしくは（１１１）面と等価な面から傾いたオフ角を有する面に接する絶縁性材料と、絶縁性材料に接し、金属伝導性材料を含むＭＩＳ型電極とを備える半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】酸化膜の厚みを精度よく制御でき、かつエピタキシャル層を形成したときに表面荒れを抑制するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板およびエピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の製造方法は、以下の工程が実施される。まず、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる基板が準備される（Ｓ１１）。そして、この基板が酸性溶液で洗浄される（Ｓ１２）。そして、洗浄する工程後に、湿式法により基板上に酸化膜が形成される（Ｓ１３）。 （もっと読む）

【課題】半導体−絶縁体界面の界面準位が低減した半導体基板とその製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】砒素を含む３−５族化合物の半導体層と、酸化物、窒化物または酸窒化物の絶縁層と、を備え、前記半導体層と前記絶縁層との間に砒素の酸化物が検出されない半導体基板が提供される。当該第１の形態において半導体基板は、前記半導体層と前記絶縁層との間に存在する元素を対象としたＸ線光電子分光法による光電子強度の分光観察において、砒素に起因する元素ピークの高結合エネルギー側に、酸化された砒素に起因する酸化物ピークが検出されないものであってよい。 （もっと読む）

【課題】（１１１）、（００１）もしくは（１１０）のいずれかに配向したペロブスカイト型酸化物薄膜を容易に得る方法を提供する。さらに、このペロブスカイト型酸化物薄膜を下部電極として、その上に強誘電体薄膜等を積層することにより、優れた特性の強誘電体層等を得、これを有する半導体装置を提供しうる。
【解決手段】基板の（００１）面に蛍石型構造のバッファー層、ついで結晶方位制御バッファー層を形成した後に、ペロブスカイト型酸化物薄膜を該結晶方位制御バッファー層上に積層して（１１１）、（００１）もしくは（１１０）のいずれかに配向したペロブスカイト型酸化物薄膜を得る。 （もっと読む）

【課題】誘電体マスクの除去において残渣を低減可能な、化合物半導体光デバイスを作製する方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体光デバイスを作製する方法は、（ａ）有機シラン系原料および酸素原料を含む成膜ガスを供給して誘導結合プラズマ−化学的気相成長法で、ヒータを用いて基板１１を加熱しながら、シリコン化合物からなる誘電体マスク膜１７を化合物半導体領域１０上に堆積する工程と、（ｂ）誘電体マスク膜１７にパターンを形成して誘電体マスク１７ａを形成する工程と、（ｃ）誘電体マスク１７ａを用いて、化合物半導体領域１０のドライエッチングを行ってメサ形状の化合物半導体領域１０ｃを形成する工程とを備える。誘電体マスク膜１７の堆積は摂氏２００度以上の基板温度において行われる。誘電体マスク膜１７の堆積は摂氏３００度以下の温度において行われる。 （もっと読む）

【課題】作成される薄膜中への不純物の混入を防止する発熱体を用いた化学蒸着方法の提供。
【解決手段】処理容器１内にガス供給系２によって供給された原料ガスが、エネルギー供給機構３０により１５００〜１９００℃程度の高温に維持された発熱体３の表面で分解及び又は活性化して基板９の表面に薄膜が作成される。発熱体３はタングステン等の高融点金属のワイヤーであり、薄膜作成時の温度以上の２０００〜３０００℃程度の温度に１×１０^−６〜１Ｐａ程度の真空中で５分以上維持する高温処理が施された後、処理容器１内に取り付けられている。発熱体３の成形時等に混入した重金属が高温処理により予め放出され、薄膜中への混入は１×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｃを下回る。 （もっと読む）

【課題】耐湿性を向上させることができる半導体装置を得る。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１１（半導体基板）上に第１，第２層目のパッシベーション膜１５，１６（第１パッシベーション膜）が形成されている。そして、パッシベーション膜１５，１６上に、触媒化学気相成長法を用いて、最上層のパッシベーション膜としてＳｉＮ膜１９（第２パッシベーション膜）が形成されている。このように触媒化学気相成長で形成したＳｉＮ膜は、従来のようにプラズマ化学気相成長で形成したＳｉＮ膜に比べて吸湿性が低い。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、集積回路向けの高品質な高Ｋ誘電体を得ることである。
【解決手段】方法は、基板の上に材料を形成するステップと、この材料にパターンを形成して、材料の部分を除去し、その下の基板の部分を露出させるステップとを含む。この方法はさらに、酸化プロセスを実行して、基板の露出した部分の上および材料と基板の間の界面に酸化層を形成するステップを含む。回路は、非クリティカル・デバイスと、この非クリティカル・デバイスの部分として形成された酸化物とを含む。この回路内のクリティカル・デバイスの部分として、基板の上に高Ｋ誘電材料が形成される。この高Ｋ誘電材料とその下の基板の間に酸化物ベースの界面が提供される。第２の方法は、最初の材料として窒化物または酸窒化物を形成する。 （もっと読む）

【課題】低電圧で駆動する強誘電体キャパシタの製造方法を提供する。
【解決手段】強誘電体素子１００の製造方法は、基体１０の上方にＴｉＡｌＮ膜１２、第１のイリジウム膜２２、酸化イリジウム膜２４、および白金膜２６を順に形成する工程と、ＰＺＴやＰＺＴＮやＳＢＴなどの強誘電体膜３０を成膜する工程と、オゾン、またはｐＫａ＞７であり金属元素を含まないアルコール類やアミン類等である有機液体を用いて、強誘電体膜３０の表面を洗浄する工程と、強誘電体膜３０を結晶化するための熱処理する工程と、強誘電体膜３０の上方に酸化イリジウム膜４４、及びイリジウム膜４６による金属層４０を成膜する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ用に低温処理可能なまたは溶液処理または印刷可能なゲート絶縁体として使用でき、また、薄膜トランジスタまたは他のエレクトロニクスデバイス用のステンレス鋼箔の平坦化にも使用できる配合物を提供すること。
【解決手段】１３５℃から２５０℃で硬化し、そのうえ、処理温度の低下にもかかわらず良好なリーク電流密度値（９×１０^-9Ａ／ｃｍ²から１×１０^-10Ａ／ｃｍ²）を与えるゾルゲルシリケート前駆体の特定の組み合わせを含んでなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】触媒化学蒸着装置において、基板への熱輻射を低減することでさらなるプロセスの低温化を可能にする蒸着装置を提供する。
【解決手段】ガス供給系によって処理容器内に蒸着用ガスを供給し、加熱機構により所定温度に加熱された熱触媒体３の表面付近を蒸着用ガスが通過するようする。基板ホルダーに保持された基板９に蒸着用ガスが到達し、熱触媒体３が関与した蒸着用ガスの反応を利用して基板９に所定の薄膜が作成される。熱触媒体３はコイル状であり、コイルの軸方向が基板９の表面に対して平行である。熱触媒体３は、コイルが成す仮想円筒面の直径をＲ、隣り合う線の幅をｐとしたとき、ｐ／Ｒが５以下である、 （もっと読む）

【課題】高キャパシタンスの高周波薄膜キャパシタを提供することにある。
【解決手段】窒化シリコンバリア層１２をガリウム砒素基板１１上に堆積させて、後の加熱工程における基板の蒸発を防止する。二酸化シリコン応力緩和層１４を上記バリア層上に堆積させる。密着層１８と第２層２０とを含む第１電極１６を応力緩和層上に形成する。実質的に無水のアルコキシカルボキシレート液状先駆体を準備し、使用直前に溶媒交換工程を行った後に、先駆体を第1電極上にスピンオンし、４００℃で乾燥し、６００℃〜８５０℃でアニールしてＢＳＴキャパシタ強誘電体２２を形成する。第２電極２４を強誘電体上に堆積させ、アニールする。 （もっと読む）

【課題】最新のＬｏｗ−ｋ材料のための紫外線硬化法の提供。
【解決手段】改善された弾性率及び材料硬度を有する低誘電率材料。このような材料の製造方法は、誘電材料を準備すること、及び、該材料を紫外線（ＵＶ）硬化させて、ＵＶ硬化誘電材料を製造することを含む。ＵＶ硬化は、改善された弾性率及び材料硬度を有する材料をもたらす。改善は、それぞれ、典型的には、５０％より大きいか、又は約５０％である。ＵＶ硬化誘電材料は、所望により、ＵＶ後処理され得る。ＵＶ後処理は、ＬＩＶ硬化誘電材料と比べて、材料の誘電率を低下させ、更に、改善された弾性率及び材料硬度を維持する。ＵＶ硬化誘電体は、更に、炉での硬化法よりも、硬化において、より低い総熱量を示し得る。 （もっと読む）

【課題】 高耐圧で信頼性の高い半導体装置およびその製造方法、容量素子およびその製造方法、並びにＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 プラズマＣＶＤ装置を用い、モノシランガス、水素ガスおよび窒素ガスからなる混合ガスを用い、前記水素ガスの全流量に対する流量比が０．２％から５％の条件で形成された窒化珪素膜をキャパシタ膜、パッシベーション膜、ゲート絶縁膜またはマスク膜に用いた半導体装置およびその製造方法、容量素子およびその製造方法、並びにＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法。 （もっと読む）