【課題】（１１１）、（００１）もしくは（１１０）のいずれかに配向したペロブスカイト型酸化物薄膜を容易に得る方法を提供する。さらに、このペロブスカイト型酸化物薄膜を下部電極として、その上に強誘電体薄膜等を積層することにより、優れた特性の強誘電体層等を得、これを有する半導体装置を提供しうる。
【解決手段】基板の（００１）面に蛍石型構造のバッファー層、ついで結晶方位制御バッファー層を形成した後に、ペロブスカイト型酸化物薄膜を該結晶方位制御バッファー層上に積層して（１１１）、（００１）もしくは（１１０）のいずれかに配向したペロブスカイト型酸化物薄膜を得る。 （もっと読む）

【課題】 製造コストの低減と、酸化膜の膜質の改善、炭化珪素半導体基板と酸化膜の界面特性の改善、並びに酸化膜間の界面特性の改善による品質の向上に寄与する炭化珪素半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】 炭化珪素半導体基板へのイオン注入後の熱処理工程と、炭化珪素半導体基板の一方面上に、酸素を含むガスを用いてゲート絶縁膜６となる薄膜の第１の酸化膜を形成する工程と、酸素を含むガスと珪素を含むガスを用いて第１の酸化膜上にゲート絶縁膜６となる厚膜の第２の酸化膜を形成する工程を、一つの熱処理炉内で順次実施可能にしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ステップバンチング防止のために炭化珪素ウエハ上に形成されるカーボン保護膜に対して、不純物の混入が極めて少なく、かつ炭化珪素ウエハに対する不均衡な熱応力による結晶欠陥の増大を防止するカーボン保護膜の形成方法を提供し、品質の安定と歩留まりの向上を実現する炭化珪素半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】 炭化珪素ウエハ（１，２）の表面内に不純物をイオン注入する工程と、不純物のイオン注入後に、炭化水素ガスを熱分解させて成膜する化学気相成長法により炭化珪素ウエハの全表面に所定の厚さのカーボン保護膜（６）を形成する工程と、カーボン保護膜（６）が形成された炭化珪素ウエハ（１，２）をアニールする工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜としての使用に耐え得るような高品位の酸化膜を窒化物半導体の上に作成する。
【解決手段】本発明による酸化膜形成方法は、ＳｉＯｘ粉末を原料として用いる真空蒸発により、窒化物半導体部材の上にＳｉＯｘ膜を堆積する工程と、堆積された前記ＳｉＯｘ膜を、酸化雰囲気で紫外線を照射しながら加熱することによって酸化する工程と備えている。原料のＳｉＯｘ粉末は、下記特性を有している：（１）フーリエ変換赤外分光分析（ＦＴＩＲ：Fourier Transform Infrared Spectroscopy）によって得られた赤外吸収スペクトルにおいて、８８０ｃｍ^−１にピークが現れる。（２）ラマン分光分析によって得られたラマンスペクトルにおいて、４５０〜５５０ｃｍ^−１にピークが現れない。（３）Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ：X-ray photoelectron spectroscopy）によって得られたＸＰＳスペクトルにおいて、ＳｉＯ_２のＳｉ−Ｏ結合に対応するピーク（約１０３ｅＶ）とＳｉの２ｐ軌道のＳｉ−Ｓｉ結合のピーク（約９９ｅＶ）とが現れ、且つ、Ｓｉ−Ｓｉ結合のピークの高さが、Ｓｉ−Ｏ結合のピークの高さの０．６倍以上である。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体との密着性、電気的特性又は光学的特性に優れる絶縁膜を形成できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、ＳｉＣからなる基板１１上に成長したＧａＮ系半導体からなる活性領域１２Ａと、該活性領域１２Ａの周囲にＧａＮ系半導体が酸化されてなる絶縁酸化膜１２Ｂとを有している。活性領域１２Ａの上には、該活性領域１２Ａとショットキ接触すると共に、絶縁酸化膜１２Ｂの上に延びるように形成され該絶縁酸化膜１２Ｂ上に引き出し部１３ａを有するゲート電極１３と、該ゲート電極１３のゲート長方向側の両側部と間隔をおき、それぞれがソース電極及びドレイン電極となるオーミック電極１４とが形成されている。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体の積層構造体の表面準位をより低減する。
【解決手段】半導体装置１０は、ゲート電極９２、ソース電極及びドレイン電極９４から露出している積層構造体１００の表面を覆っており、５０重量％の濃度のフッ化水素酸と４０重量％の濃度のフッ化アンモニウム水溶液とを１：９の混合比で混合したエッチャントに対するエッチングレートが１ｎｍ／分から２ｎｍ／分の範囲内である特性を有するシリコン窒化膜６０を具えている。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の近傍での耐圧が高められた化合物半導体装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】SiC基板２０と、SiC基板２０の上に形成された電子走行層２１と、電子走行層２１の上に形成された電子供給層２３と、電子供給層２３の上に互いに間隔をおいて形成されたソース電極２７ａ及びドレイン電極２７ｂと、ソース電極２７ａとドレイン電極２７ｂの間の電子供給層２３上に形成され、SiC基板２０に向かって狭径となる開口２９ｂを備えた保護絶縁膜３０と、開口２９ｂ内の電子供給層２３上に形成されたゲート電極３２とを有する化合物半導体装置による。 （もっと読む）

【課題】 他の部分にダメージを与えることなく優れた絶縁性が得られる絶縁膜及びその製造方法、並びに絶縁膜を備えた電子デバイスを提供する。
【解決手段】 基板１上に、蒸着法により、Ａｌ、Ｈｆ、Ｚｒ及びＳｉからなる群から選択された少なくとも１種の元素を含む酸化物又は窒化物からなる蒸着絶縁膜２を形成する。そして、この蒸着絶縁膜２に対して、基板１の温度を３００乃至５００℃にして、水素プラズマ処理及び酸素プラズマ処理からなる群から選択された少なくとも１種の処理を施す。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物半導体の結晶成長後のプロセスにおける窒素抜け（欠陥形成）を防止し、窒化物系化合物半導体の結晶表面にダメージを与えることなく当該保護膜を除去する手法を提供すること。
【解決手段】窒化物系化合物半導体の結晶成長に続いて、同一の結晶成長装置内で、ｐ型コンタクト層７の表面に保護層８を形成する。このときの成膜温度Ｔ_ｇは、６５０℃≦Ｔ_ｇ≦１０５０℃の範囲とする。この保護層は２以上の層を積層させたものであり、下層８ａと上層８ｂの２層で構成されている。保護層８は、Ｓｉ、Ａｌ、およびＮを含有する膜であり、例えば、下層８ａが厚さ１ｎｍ〜１００ｎｍ程度のＳｉＮ_ｘ層（ｘ＞０）であり、上層８ｂが厚さ１ｎｍ〜２０ｎｍ程度のＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層（０．５≦ｙ≦１）とされる。保護層８の適正な総厚Ｌは保護層の組成に依存するが、２ｎｍ≦Ｌ≦１２０ｎｍの範囲で選択される。 （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ系の強誘電体膜において、焼結助剤やアクセプタイオンを添加することなく、Ｂサイトに１０モル％以上のドナイオンを添加することを可能とする。
【解決手段】本発明の強誘電体膜は、多数の柱状結晶からなる柱状結晶膜構造を有し、下記式（Ｐ）で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とするものである。
Ａ_１＋δ［（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）_１−ｙＭ_ｙ］Ｏ_ｚ・・・（Ｐ）
（式中、ＡはＡサイト元素であり、Ｐｂを主成分とする少なくとも１種の元素である。Ｚｒ，Ｔｉ，及びＭはＢサイト元素である。ＭはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，及びＳｂからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０＜ｘ≦０．７、０．１≦ｙ≦０．４。δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）

【課題】ＰＺＴ系の強誘電体膜において、焼結助剤やアクセプタイオンを添加することなく、Ｂサイトに１０モル％以上のドナイオンを添加することを可能とする。
【解決手段】本発明の強誘電体膜は、多数の柱状結晶からなる柱状結晶膜構造を有し、下記式（Ｐ）で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とするものである。
Ａ_１＋δ［（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）_１−ｙＭ_ｙ］Ｏ_ｚ・・・（Ｐ）
（式中、ＡはＡサイト元素であり、Ｐｂを主成分とする少なくとも１種の元素である。Ｚｒ，Ｔｉ，及びＭはＢサイト元素である。ＭはＶ，Ｎｂ，Ｔａ，及びＳｂからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０＜ｘ≦０．７、０．１≦ｙ≦０．４。δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） （もっと読む）

【目的】 本発明は上記の状況に鑑みてなされたもので、窒化ホウ素膜を用いて
表面保護および表面不活性化を実現できる半導体表面処理、成膜方法およびその
表面保護技術や表面下活性化技術を用いて作製した高性能半導体装置並びに半導
体装置を含む通信システムの電子装置を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくともホウ素及び窒素原子を含むことを特徴とする膜を有する
ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素半導体装置のチャネル移動度の向上を図る。
【解決手段】ゲート酸化膜形成工程の降温時に、ウェット雰囲気を維持したまま、終端・脱離温度（６５０〜８５０℃）以下まで降温させる。これにより、ゲート酸化膜とチャネル領域を構成するｐ型ベース層の界面のダングリングボンドをＨもしくはＯＨの元素で終端させることが可能となる。このため、高いチャネル移動度の反転型ラテラルＭＯＳＦＥＴとすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】SiC基板上にSiO₂膜を有する半導体装置の製造に際して、そのSiO₂／SiC界面近傍の界面準位密度が低減するとともに、SiO₂膜の密度を高めてそのSiO₂膜の厚みを２０〜１００nm程度とすることが容易である半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明における半導体装置の製造方法は、（a）SiC基板上に珪素および酸素の原料ガスを供給してSiO₂膜を堆積する堆積工程と、（b）前記SiO₂膜を堆積した前記SiC基板を２００℃以上かつ７００℃未満の温度に設定し、酸素ラジカルを発生してラジカル酸化する酸化工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】電流コラプスが低く、かつゲートリーク電流が低い高出力窒化物半導体トランジスタを提供。
【解決手段】基板1上に、緩衝層２、ＧａＮチャネル層３、ＡｌＧａＮ電子供給層４が形成され、ＡｌＧａＮ電子供給層４の表面にソース電極５、ドレイン電極６およびゲート電極７が形成されたトランジスタにおいて、露出しているＡｌＧａＮ電子供給層４の表面は、フッ素を含むフッ素含有絶縁膜８、例えば、フッ素含有ＳｉＮ膜により被われる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は上記の状況に鑑みてなされたもので、低誘電率ホウ素炭素窒
素薄膜を成膜することができる成膜方法を提供することを日的とすること。
【解決手段】前記課題を解決するための本発明の成膜方法は、成膜室内にプラズ
マを生成し、成膜室内で窒素原子をホウ素および炭素と反応させ、基板にホウ素
炭素窒素膜を成膜した後、光照射を行う工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 炭化珪素半導体層と酸化珪素層の界面に形成される界面準位の密度を小さくする。
【解決手段】 炭化珪素半導体層１８，６，８の表面を、少なくとも酸素元素を含むガスと、不活性ガスと、アンモニアガスを含む混合ガス雰囲気中で加熱して酸化珪素層４を形成する。炭化珪素半導体層１８，６，８に存在する珪素と結合していない炭素を除去したり、炭化珪素半導体層１８，６，８の結晶欠陥を補修しつつ、炭化珪素半導体層１８，６，８の表面を酸化して酸化珪素層４を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、集積回路向けの高品質な高Ｋ誘電体を得ることである。
【解決手段】方法は、基板の上に材料を形成するステップと、この材料にパターンを形成して、材料の部分を除去し、その下の基板の部分を露出させるステップとを含む。この方法はさらに、酸化プロセスを実行して、基板の露出した部分の上および材料と基板の間の界面に酸化層を形成するステップを含む。回路は、非クリティカル・デバイスと、この非クリティカル・デバイスの部分として形成された酸化物とを含む。この回路内のクリティカル・デバイスの部分として、基板の上に高Ｋ誘電材料が形成される。この高Ｋ誘電材料とその下の基板の間に酸化物ベースの界面が提供される。第２の方法は、最初の材料として窒化物または酸窒化物を形成する。 （もっと読む）

【課題】ゲートラグおよびセトリング時間が短い半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板にＩｎＧａＰ層を形成し、ＩｎＧａＰ層の上面にＴｉ層とＡｕ層とを有するゲート電極を蒸着により形成し、ＩｎＧａＰ層の上面においてゲート電極が形成される領域とは異なる領域にＧａＡｓ層を更に形成し、ＧａＡｓ層の上面にソース電極及びドレイン電極を更に形成する半導体装置の製造方法を提供する。さらに、Ｔｉ層とＡｕ層とを有するゲート電極をＩｎＧａＰ層の上面に形成する場合において、１８０℃以下の基板温度でＴｉ層およびＡｕ層を成膜する。 （もっと読む）

【課題】特性を向上することのできる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ３０は、基板１と、基板１の上面１ａ上に形成されたＡｌＧａＮ層２と、ＡｌＧａＮ層２上に形成されたＩｎＧａＮよりなる量子井戸発光層４とを備えている。ＡｌＧａＮ層２は第１ＡｌＧａＮ層２ａと、第１ＡｌＧａＮ層２ａ上に形成された第２ＡｌＧａＮ層２ｂとを有しており、第１ＡｌＧａＮ層２ａのＡｌ濃度は第２ＡｌＧａＮ層２ｂのＡｌ濃度よりも高い。 （もっと読む）