【課題】十分な蒸気圧を有し、配管輸送上のトラブルが生じ難い、基板上に金属酸化膜を形成するための成膜原料を用いて基板上にＨｆＯ_２膜またはＺｒＯ_２膜を成膜する成膜方法を提供すること。
【解決手段】真空保持可能な処理容器内に被処理体を挿入し、ＨｆまたはＺｒを含むアミン系の有機金属化合物からなる成膜原料と、酸化剤とを処理容器内に供給してこれらを反応させることにより基板上にＨｆＯ_２膜またはＺｒＯ_２膜を形成する成膜方法において、有機金属化合物は、常温で固体でありかつ高蒸気圧である第１有機金属化合物に、常温で液体の第２有機金属化合物を混合してなり、常温で液体である。 （もっと読む）

【課題】トラッピングを少なくするためにＡｌＧａＮ層を薄くし、またゲート漏洩を減少させるために層を追加して最大駆動電流を増加させるようにする。
【解決手段】高比抵抗半導体層２０と、この高比抵抗半導体層２０上に設けられたバリア半導体層１８と、このバリア半導体層１８に接触するするとともに、バリア半導体層１８の表面部を被覆していないソースおよびドレインコンタクト１３,１４と、バリア半導体層１８の被覆されていない表面上に設けられた絶縁層２４と、この絶縁層２４上に設けられ、ゲート漏洩のバリアを形成するゲートコンタクト１６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 真空ポンプを備えた真空排気系内で故障の原因となる不要な膜が生成されることを防止することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置において、被処理体を収容する処理容器２２と、処理容器内へ原料ガスを供給する原料ガス供給系５０と、処理容器内へ反応性ガスを供給する反応性ガス供給系５２と、真空ポンプ４４、４６を有する真空排気系３６と、処理容器を迂回させるために原料ガス供給系と真空排気系とを連通す原料ガスバイパス系６２と、処理容器を迂回させるために反応性ガス供給系と真空排気系とを連通する反応性ガスバイパス系６６と、原料ガスバイパス系内に介設されて原料ガスの流出を防止する原料ガス流出防止開閉弁Ｘ１と、反応性ガスバイパス系内に介設されて反応性ガスの流出を防止する反応性ガス流出防止開閉弁Ｙ１とを備え、真空排気系内に原料ガスと反応性ガスとが同時に流れ込まないようにする。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも小型化が可能で安定した動作が可能であり、下地との密着性に優れた強誘電体膜、強誘電体膜を用いた半導体装置、その製造方法および強誘電体膜を用いた強誘電体デバイスを提供する。
【解決手段】 半導体装置７１は基板５５、絶縁体５６、酸化タンタル膜６６、強誘電体膜（ＳＴＮ膜）５７、上部電極膜６２を有している。
酸化タンタル膜６６は強誘電体膜（ＳＴＮ膜）５７を結晶化する際に下地となる。
酸化タンタル膜６６は酸素を含み、格子情報が強誘電体膜（ＳＴＮ膜）５７の結晶と近似している。
そのため、酸化タンタル膜６６上にＳＴＮを結晶化すると、酸素欠損がなく、結晶粒径が１００ｎｍ以下の強誘電体膜（ＳＴＮ膜）５７が得られる。 （もっと読む）

【課題】低温で二酸化ケイ素の薄膜を形成するための原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスが提供される。
【解決手段】一部の実施形態において、基板は、約２００℃未満の温度で、トリメチルアルミニウムなどの金属前駆体、およびＴＰＳなどのシラノールと交互におよび連続して接触される。この方法は、種々の状況において二酸化ケイ素の薄膜を形成するために使用され得る。一部の実施形態において、この方法は、反応物のチャンバ内に金属前駆体を含む気相反応物パルスを与えて、基板上に金属前駆体のほぼ単一分子層のみを形成する工程と、必要な場合、反応物のチャンバから過剰な反応物を除去する工程と、反応物のチャンバにＴＰＳを含む気相反応物パルスを与える工程と、反応物のチャンバから過剰なＴＰＳおよび任意の反応副産物を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】圧電性能に優れた強誘電性酸化物を提供する。
【解決手段】ＡＣＯ_３で表される強誘電性酸化物の最も安定な結晶構造Ｘと、ＢＤＯ_３で表される強誘電性酸化物の最も安定な結晶構造Ｙとが互いに異なる対称性及び分極方向を有し、式（１）を充足する条件で、式（ａ）で表される強誘電性酸化物の組成を決定し、その組成の強誘電性酸化物を製造する。
（Ａ_ｘ，Ｂ_1-ｘ）（Ｃ_ｙ，Ｄ_1-ｙ）Ｏ_３・・・（ａ）
（式（ａ）中、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１。Ａ，Ｂ：Ａサイト元素、Ｃ，Ｄ：Ｂサイト元素、Ｏ：酸素原子、Ａ〜Ｄは各々１種又は複数種の金属元素。）、
｜Ｅ（Ｘ）−Ｅ（Ｙ）｜≦Ｅ・ＰＶ・・・（１）
（式（１）中、Ｅ（Ｘ）及びＥ（Ｙ）はそれぞれ、上記一般式（ａ）で表される強誘電性酸化物の結晶構造Ｘ及びＹの時のエネルギー、Ｐは電場をかける前の自発分極密度ベクトル、Ｅは駆動電場ベクトル、Ｖは基本格子の体積である。Ｅ・ＰはＥとＰの内積である。） （もっと読む）

【課題】良好な強誘電体膜を備えた強誘電体メモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、下地絶縁膜２３の上方に、アモルファス状の表層３３４を含んだ下地層イリジウム膜３３１を形成する工程と、アモルファス状の表層３３４を酸化して、酸化イリジウム層３３５とする酸化工程と、酸化イリジウム層３３５上にＭＯＣＶＤ法で強誘電体膜を形成する工程と、強誘電体膜上に電極を形成する工程と、を有する。アモルファス状の表層３３４を形成しており、表層３３４に多結晶構造がないので、これを均一に熱酸化することができる。したがって、酸化による体積膨張が均一となり、表層３３４の上面を平坦にすることができる。また、表層３３４の厚さを１０ｎｍ以上にしており酸素が表層３３４をほとんど透過しないので、下地層３３１はほとんど酸化されない。これにより、結晶性の下地層３３１が不均一に酸化されて凹凸を生じることが防止される。 （もっと読む）

【課題】良好な強誘電体膜を形成する。
【解決手段】本発明の強誘電体メモリ素子の製造方法は、基板の上方に第１電極３３ａを形成する工程と、第１電極３３ａ上に、チタン膜３４１を形成する工程と、第１有機金属ガス及び第１酸素ガスを反応させることにより生成された生成物をチタン膜３４１上に成膜するとともに、この生成物とチタン膜３４１とを固溶させて、第１電極３３ａ上に第１強誘電体膜３４ａを形成する工程と、第１強誘電体膜３４ａの上方に第２電極３５ａを形成する工程と、を含む （もっと読む）

【課題】良好な強誘電体メモリ素子を製造する。
【解決手段】本発明の強誘電体メモリ素子の製造方法は、白金からなる表層３３２ａを含んだ第１電極３３ａを形成する工程と、第１電極３３ａの上方において、鉛を含有する第１有機金属ガスと、これを化学反応させるのに必要な量よりも少ない酸素ガスと、を供給しかつ化学反応させて、第１有機金属ガスの有機基の少なくとも一部を残した鉛化合物を生成するとともに、これを第１電極３３ａ上に成膜して不活性鉛層３４１ａを形成する工程と、不活性鉛層３４１ａ上において、強誘電体膜の金属成分を含有する第２有機金属ガスと、これを化学反応させるのに必要な量よりも多い酸素ガスと、を供給しかつ化学反応させてその生成物を第１電極３３ａの上方に成膜するとともに、この膜と不活性鉛層３４１ａとを固溶させて強誘電体膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの反り量を低減することにより生産性を向上させた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、ウェハ上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に第１の配線９を形成する工程と、前記第１の配線及び前記絶縁膜の上に第１のＴＥＯＳ膜１０を成膜する工程と、前記第１のＴＥＯＳ膜上にＳＯＧ膜１１を塗布し、４３５〜４６５℃の温度で熱処理することにより、前記第１のＴＥＯＳ膜上に厚さ４５０〜５５０ｎｍのＳＯＧ膜を形成する工程と、前記ＳＯＧ膜の上に第２のＴＥＯＳ膜１２を成膜する工程と、前記第２のＴＥＯＳ膜上に第２の配線１５を形成する工程と、前記第２の配線及び前記第２のＴＥＯＳ膜の上に窒化シリコンからなる保護膜１６を成膜する工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

超高純度ハフニウム含有有機金属化合物を使用して高Ｋ（誘電率）膜を作るためのプロセスが、開示される。高純度ハフニウム含有有機金属化合物で作られた高Ｋ膜を組み込むデバイスもまた、述べられる。
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本明細書には希土類金属含有層を堆積するための方法および組成が記載されている。一般的に、開示した方法は化学気相堆積または原子層堆積のような堆積法を用いて希土類含有化合物を含む前駆体化合物を堆積する。開示した前駆体化合物は、置換基として少なくとも１種の脂肪族基を有するシクロペンタジエニルリガンドおよびアミジンリガンドを含む。 （もっと読む）

本発明は、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化ケイ素、炭素ドープ窒化ケイ素、炭素ドープ酸化ケイ素、炭素ドープ酸窒化フィルムを低い堆積温度で形成する方法を開示する。この堆積に用いられるケイ素含有前駆体は、モノクロロシラン（ＭＣＳ）及びモノクロロアルキルシランである。この方法は、好ましくは、プラズマ原子層堆積、プラズマ化学気相成長、及びプラズマサイクリック化学気相成長を用いることによって実行される。 （もっと読む）

【課題】大きな誘電率とリーク電流の抑制の両立が可能なキャパシタ用絶縁膜を提供する。
【解決手段】電極１、２の間に絶縁膜３が挟まれた構造からなるキャパシタ素子において、キャパシタ用絶縁膜３は酸化アルミニウム膜と二酸化チタン膜が交互に積層された積層構造を有し、前記二酸化チタン膜は、ルチル結晶構造を有し、前記酸化アルミニウム膜は、そのトータルの膜厚の比率が、前記積層構造の総膜厚に対して３〜８％である、キャパシタ用絶縁膜。 （もっと読む）

【課題】高誘電率ゲート誘電膜を用いるｐチャネルFETをゲート先作りプロセスにより形成すると閾値が大きくなる。
【解決手段】High-Kゲート誘電膜104の側面と接触するようにHigh-K誘電膜102を形成した後、酸素雰囲気中でアニールする。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させることができるシリコン炭窒化膜の形成方法および形成装置を提供する。
【解決手段】まず、半導体ウエハＷを反応管２内にロードし、反応管２内を７００℃に設定する。また、反応管２内のガスを排出し、反応管２を４０Ｐａに減圧する。次に、処理ガス導入管１７からジクロロシランを供給するとともに、イソプロピルアミンとを供給する。反応管２内にジクロロシランおよびイソプロピルアミンが導入されると、これらが反応管２内で加熱される。これにより、半導体ウエハＷの表面にシリコン炭窒化膜が形成される。 （もっと読む）

本発明は、前駆体蒸気（１０１）が少なくとも１つの供給管路（１４１、１４２）に沿って堆積反応炉の反応室（１１０）に導かれ、反応室内に前駆体蒸気の鉛直流を作り出してこれを鉛直に配置された１回分の基板（１７０）間に鉛直方向に入り込ませることによって、鉛直に配置された基板（１７０）の表面に材料が堆積される方法および装置に関する。 （もっと読む）

金属源前駆体と式Ｉ：
Ｔｉ（Ｌ）_ｘ （式１）
（式中、Ｌはβ−ジケトナートであり、ｘは３または４である）
によるチタン系β−ジケトナート前駆体を使用して気相成長過程によって高κ誘電性膜を形成し安定化させる方法が提供される。さらに、式Ｉによるチタン前駆体を使用して半導体装置の高κゲート特性を改善する方法が提供される。式Ｉによるチタン前駆体を含んでなる高κ誘電性膜形成格子もまた提供される。 （もっと読む）

金属源前駆体および式Ｉ：
Ｃｅ（Ｌ）_ｘ （式Ｉ）
［式中、Ｌはβ−ジケトナートであり、ｘは３または４である］に従うセリウムのβ−ジケトナート前駆体を用いる化学相成長法により、高κ誘電性膜の形成と安定化の方法を提供する。さらに、式Ｉに従うセリウム前駆体を用い、半導体装置の高κゲート特性を改善する方法を提供する。また、酸化ハフニウム、酸化チタン、またはそれらの混合物を含み、さらに、誘電率を維持または増加させる量のセリウム原子を含有する高κ誘電性膜を提供する。 （もっと読む）

【課題】多値化を実現するのに十分なメモリーウインドウと電荷保持特性を両立できる半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０１と、半導体基板１０１上に設けられたトンネル絶縁膜１０３と、トンネル絶縁膜１０３上に設けられ、第１および第２の電荷蓄積層１０４，１０５を含む電荷蓄積層と、電荷蓄積層上に設けられたブロック絶縁膜１０６と、ブロック絶縁膜１０６上に設けられた制御ゲート電極１０７とを備え、電荷蓄積層において、第２の電荷蓄積層１０５はブロック絶縁膜１０６側に最も近い側に設けられ、第１の電荷蓄積層１０４はトンネル絶縁膜１０３と第２の電荷蓄積層１０５の間に設けられ、第２の電荷蓄積層１０５は第１の電荷蓄積層１０４よりもトラップ密度が高く、第２の電荷蓄積層１０５は第１の電荷蓄積層１０４よりもバンドギャップが小さく、第２の電荷蓄積層１０５は第１の電荷蓄積層１０４、シリコン窒化膜よりも誘電率が高い。 （もっと読む）