【課題】 低温下であっても、高い成膜レートを維持しつつ、低コストで膜厚均一性の良好な絶縁膜を形成する。
【解決手段】 基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内に所定元素を含む第１の原料ガスと所定元素を含む第２の原料ガスとを供給し排気することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に第１の原料ガスおよび第２の原料ガスとは異なる反応ガスを供給し排気することで、所定元素含有層を酸化層、窒化層または酸窒化層に改質する工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に所定膜厚の酸化膜、窒化膜または酸窒化膜を形成する処理を行う工程と、処理済基板を処理容器内から搬出する工程と、を有し、第１の原料ガスは第２の原料ガスよりも反応性が高く、所定元素含有層を形成する工程では第１の原料ガスの供給量を第２の原料ガスの供給量よりも少なくする。 （もっと読む）

【課題】低い蒸気圧を有する、高粘度の又は固体の有機金属前駆体のＤＬＩのための、改良された組成物の開発に関して、継続した必要性が未だ存在している。
【解決手段】次の（ａ）及び（ｂ）を含有する配合物：（ａ）一以上の配位子が、β−ジケトナート、β−ケトイミナート、β−ジケトエステラート、β−ジイミナート、アルキル、カルボニル、アルキルカルボニル、シクロペンタジエニル、ピロリル、アルコキシド、アミジナート、イミダゾリル、及びこれらの混合物からなる群より選択される金属−配位子錯体であって、その金属が元素周期表の２族〜１６族の元素から選択される、少なくとも一つの金属−配位子錯体；及び（ｂ）Ｒ^１Ｒ^２ＮＲ^３ＯＲ^４ＮＲ^５Ｒ^６、Ｒ^１ＯＲ^４ＮＲ^５Ｒ^６、Ｏ（ＣＨ_２ＣＨ_２）_２ＮＲ^１、Ｒ^１Ｒ^２ＮＲ^３Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_２）_２Ｏ、Ｒ^１Ｒ^２ＮＲ^３ＯＲ^４Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_２）_２Ｏ、Ｏ（ＣＨ_２ＣＨ_２）_２ＮＲ^１ＯＲ^２Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_２）_２Ｏ及びこれらの混合からなる構造から選択されるアミノエーテルであって、Ｒ^１〜６は、Ｃ_１〜１０直鎖アルキル、Ｃ_１〜１０分岐鎖アルキル、Ｃ_１〜１０環状アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１０芳香族、Ｃ_１〜１０アルキルアミン、Ｃ_１〜１０アルキルアミノアルキル、Ｃ_１〜１０エーテル、Ｃ_４〜Ｃ_１０環状エーテル、Ｃ_４〜Ｃ_１０環状アミノエーテル及びこれらの混合物からなる群より個々に選択されるアミノエーテル。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを酸化する際に生成された炭素が不純物として酸化膜（ＳｉＯ_２）中に残留してしまうことを抑制し、チャネル移動度を向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、炭化シリコンを含む基板１１上に酸化シリコン膜１２を形成する工程と、酸化シリコン膜１２上に金属酸化膜１３を形成する工程と、酸素を含む雰囲気中で熱処理を行い、酸素を金属酸化膜１３に透過させて酸化シリコン膜１２に拡散させることにより、酸化シリコン膜１２に残留する炭素を酸化させる残留炭素酸化工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】式(I)：(Zr_1-a M²_a)O_bN_c（ここで、0≦a＜1、0＜b≦3、好ましくは1.5≦b≦2.5、0≦c≦1、M²は金属原子を示す）の化合物を含む金属含有誘電体フィルムを基板上に堆積する方法の提供。
【解決手段】基板を反応チャンバーの中に提供する工程a)と、Zr(MeCp)(NMe₂)₃、Zr(EtCp)(NMe₂)₃、ZrCp(NMe₂)₃、Zr(MeCp)(NEtMe)₃、Zr(EtCp)(NEtMe)₃、ZrCp(NEtMe)₃、Zr(MeCp)(NEt₂)₃等から選択される少なくとも一つのZr金属含有前駆体を気化させる工程b)と、前記第1の気相金属源と前記任意の第2の気相金属源とを前記反応チャンバーに導入し、それらと前記基板との接触を生じさせ、前記基板上に先に定義された式(I)の化合物を含有する金属含有誘電体フィルムの堆積を生じさせる工程c)とを含む方法。 （もっと読む）

【課題】導電膜もしくは絶縁膜を効率的に除去する半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内に基板を搬入する第１の工程と、処理室内に複数の原料ガスを供給して基板上に導電膜もしくは絶縁膜を形成する第２の工程と、処理室内から処理後の基板を搬出する第３の工程と、処理室内に改質ガスを供給して、処理室内に付着した導電膜もしくは絶縁膜を改質する第４の工程と、を１サイクルとして複数サイクル繰り返した後、処理室内にクリーニングガスを供給して、改質された導電膜もしくは絶縁膜を含む処理室内に付着した堆積物を除去する第５の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】処理室内からの原料ガスや酸化剤の排出時間を短縮し、生産性を向上させる。
【解決手段】基板を収容した処理室内の排気コンダクタンスを第１の排気コンダクタンスとした状態で、処理室内に原料ガスを供給しつつ処理室内を排気する工程と、処理室内の排気コンダクタンスを第１の排気コンダクタンスよりも大きな第２の排気コンダクタンスとした状態で、処理室内にパージガスを供給しつつ処理室内を排気することで処理室内をパージする工程と、処理室内の排気コンダクタンスを第１の排気コンダクタンスとした状態で、処理室内に酸化剤を供給しつつ処理室内を排気する工程と、処理室内の排気コンダクタンスを第２の排気コンダクタンスとした状態で、処理室内にパージガスを供給しつつ処理室内を排気することで処理室内をパージする工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】金属酸化膜と下部電極との間に発生する剥がれを防止して、キャパシタのリーク電流を低減する。電気特性に優れ、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】順に設けられた、下部電極と、密着層と、容量絶縁膜と、上部電極とを有するキャパシタを備えた半導体装置。容量絶縁膜は、第１の金属酸化膜が密着層に接するように、第１の金属酸化膜と第２の金属酸化膜を交互に積層した構造を備える。密着層は、膜厚が０．３ｎｍ以上で下部電極の構成元素の少なくとも一部を含有する酸化膜である。 （もっと読む）

【課題】ゲート構造としてメタル電極／Ｈｉｇｈ−ｋ膜構造を用いた半導体装置において、仕事関数の制御とＥＯＴの薄膜化とを両立させる。
【解決手段】半導体基板１０１におけるｎチャネルＭＩＳトランジスタ形成領域の上に、ゲート絶縁膜として、第１の高誘電率絶縁層２０２、アルミニウム含有層２０３、ランタン含有層２０４及び第２の高誘電率絶縁層２０５を順次形成する。その後、ゲート電極形成を行う。 （もっと読む）

【課題】液体流量制御装置の初期調整の際に不具合が発覚した場合の作業を軽減すると共に、液体原料が残留したことによる汚染を防止できる基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び液体流量制御装置の動作確認方法を提供する。
【解決手段】基板を収容する処理室と、該処理室に常温常圧で液体である液体原料を供給する液体原料供給系５９と、前記処理室に液体原料よりも蒸気圧が高い溶媒を供給する溶媒供給系６１と、前記液体原料及び前記溶媒の流量を制御する液体流量制御装置３５と、前記液体原料供給系、前記溶媒供給系及び前記液体流量制御装置を制御する制御部５７とを具備し、該制御部は前記液体原料供給系が前記液体流量制御装置を介して前記処理室に液体原料を供給する前に、前記溶媒供給系より溶媒を前記液体流量制御装置に供給することで該液体流量制御装置の動作確認を行う様前記液体原料供給系、前記溶媒供給系及び前記液体流量制御装置を制御する。 （もっと読む）

基板上に金属−シリコン−含有膜をパルス化学蒸着により形成するための方法が提供される。本方法は、前記基板をプロセスチャンバ内に準備し、前記基板を金属−シリコン−含有膜を、金属含有ガス及びシリコン含有ガスの前記基板上での熱分解による化学蒸着に適する温度に維持し、前記基板を前記金属含有ガスの連続フローに暴露し、及び前記連続フローの間に前記基板を前記シリコン含有ガスの順次的パルスに暴露する、方法である。
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【課題】基板の凹部に対して良好な埋め込みを行うこと。
【解決手段】真空容器１内の回転テーブル２に、凹部２３０が形成されたウェハＷを載置し、当該回転テーブル２上のウェハＷを、第１の反応ガス（ＢＴＢＡＳガス）が吸着されて凝縮される温度に温度調整し、次いで前記回転テーブル２上のウェハＷに反応ガスノズル３１からＢＴＢＡＳガスを供給し、当該ＢＴＢＡＳガスの凝縮物をウェハＷに付着させる。次いで回転テーブル２を回転させてウェハＷを分離ガスノズル４２の下方領域に位置させ、ウェハＷに対して加熱されたＮ_２ガスを供給して、前記ＢＴＢＡＳガスの凝縮物の一部を気化させる。次いで回転テーブル２を回転させてウェハＷを第２の反応ガス供給領域に位置させ、プラズマインジェクター２５０から第２の反応ガスであるＯ_２ガスを活性化してウェハＷに供給することにより、前記凝縮物と反応させて反応生成物を生成する。 （もっと読む）

【課題】高誘電率及び高温状態で安定したキャパシタ絶縁膜の形成を実現した半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板上にアモルファスであって第１の元素を含む第１の絶縁膜を形成する第１の工程と、第１の元素とは異なる第２の元素を第１の絶縁膜に添加してアモルファスである第２の絶縁膜を前記基板上に形成する第２の工程と、第２の絶縁膜を所定のアニール温度でアニーリングして第３の絶縁膜へと相転移させる第３の工程と、を有し、アニール温度に応じて前記第２の元素の添加濃度を制御する。 （もっと読む）

【課題】
高い誘電率のチタン酸化膜を低温で形成する。
【解決手段】
ウエハ１４上に下電極１５５を形成するステップ（Ｓ１００）と、下電極１５５界面にＡｌＯｘ膜１６０を形成するステップ（Ｓ２００）と、ＡｌＯｘ膜１６０上にＨｆＡｌＯｘ膜１６５を形成するステップ（Ｓ３００）と、ＨｆＡｌＯｘ膜１６５が形成されたウエハ１４をアニーリング（熱処理）するステップ（Ｓ４００）と、アニーリングされたＨｆＡｌＯｘ膜１６５上にＴｉＯ_２膜１７０を形成するステップ（Ｓ５００）と、ＴｉＯ_２膜１７０が形成されたウエハ１４をアニーリングするステップ（Ｓ６００）と、を行いキャパシタ絶縁膜を形成し、このキャパシタ絶縁膜の上に上電極１７５を形成する（Ｓ７００）。 （もっと読む）

【課題】ｐ型ＭＩＳトランジスタのゲート絶縁膜の酸化膜換算膜厚の厚膜化を抑制しつつ、ｐ型ＭＩＳトランジスタの実効仕事関数を増加させて、低閾値電圧を有するｎ型，ｐ型ＭＩＳトランジスタを実現する。
【解決手段】半導体装置は、第１，第２のＭＩＳトランジスタｎＴｒ，ｐＴｒを備えている。第１のＭＩＳトランジスタｎＴｒは、第１の活性領域１０ａ上に形成され、第１の高誘電率膜１４Ｘａを有する第１のゲート絶縁膜１４Ａと、第１のゲート電極１８Ａとを備えている。第２のＭＩＳトランジスタｐＴｒは、第２の活性領域１０ｂ上に形成され、第２の高誘電率膜１４ｘを有する第２のゲート絶縁膜１４Ｂと、第２のゲート電極１８Ｂとを備えている。第２の高誘電率膜１４ｘは、第１の調整用金属を含む。第１の高誘電率膜１４Ｘａは、第２の高誘電率膜１４ｘよりも窒素濃度が高く、且つ、第１の調整用金属を含まない。 （もっと読む）

【課題】炭窒化ケイ素膜形成用前駆体の化学気相成長により基材上に炭窒化ケイ素膜を形成するための方法を提供する。
【解決手段】以下の式によって表されるアミノシラン及びそれらの混合物からなる群より選択される前駆体を用いることを含む、炭窒化ケイ素膜を形成するための方法とする：
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【課題】処理容器内の雰囲気に晒されている部材の表面に付着する堆積物を抑制することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器４内で、有機金属原料ガスを用いて被処理体Ｗの表面に薄膜を形成するようにした成膜装置において、処理容器内の雰囲気に晒されている部材の表面に疎水層を設けるように構成する。これにより、処理容器内の雰囲気に晒されている部材の表面に付着する堆積物を抑制する。 （もっと読む）

コバルト含有薄膜を蒸着工程により形成する方法が提供される。該方法は、構造が式（Ｉ）に対応する少なくとも１種の前駆体を使用することを含み；式中、Ｒ^１及びＲ^２は独立にＣ_２〜Ｃ_８アルキルであり；ｘはゼロ、１又は２であり；並びにｙはゼロ又は１であり；ｘ及びｙの両方が同時にゼロであることはできない。

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【課題】 セルフリミットを発生させるような金属酸化物であっても、その膜厚を制御することが可能となる金属酸化物膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 下地の温度が金属酸化物膜の成膜温度に達する前に、金属原料ガスを下地の表面に供給する工程（１）と、下地の温度を成膜温度以上とし、下地の表面に供給された金属原料ガスと下地の表面の残留水分とを反応させて、下地上に金属酸化物膜を形成する工程（２）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ励起原子層の成膜（ＰＥＡＬＤ）によって半導体基板上にＳｉ−Ｎ結合を有するストレス調節された誘電体膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】本方法は、窒素及び水素を含有する反応ガス及び添加ガスを、半導体基板が中に配置された反応空間に導入する工程と、高周波ＲＦパワー入力源と低周波ＲＦパワー入力源を使用してＲＦパワーを反応空間に印加する工程と、プラズマが励起している反応空間に水素を含有するシリコン前駆体をパルスの状態で導入し、このことにより基板上にＳｉ−Ｎ結合を有するストレス調節された誘電体膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

チタン含有薄膜形成のための組成物と方法が提供される。この組成物は（メチルシクロペンタジエニル）Ｔｉ（ＮＭｅ_２）_３、（エチルシクロペンタジエニル）Ｔｉ（ＮＭｅ_２）_３、（イソプロピルシクロペンタジエニル）Ｔｉ（ＮＭｅ_２）_３、（メチルシクロペンタジエニル）Ｔｉ（ＮＥｔ_２）_３、（メチルシクロペンタジエニル）Ｔｉ（ＮＭｅＥｔ）_３、（エチルシクロペンタジエニル）Ｔｉ（ＮＭｅＥｔ）_３、および（メチルシクロペンタジエニル）Ｔｉ（ＯＭｅ）_３からなる群から選択される少なくとも１種の前駆体と、前記少なくとも１種の前駆体以外の少なくとも１種の液化補因子とを含み、前記液化補因子は少なくとも１種の前駆体と協働するのに十分な量存在し、少なくとも１種の前駆体と組み合わされて液体組成物を形成する。 （もっと読む）