【課題】カバレッジ性能、及び、表面ラフネスの良好なアモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置を提供する。
【解決手段】制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して、複数枚の半導体ウエハＷが収容された反応管２内を所定の温度に加熱する。次に、制御部１００は、ＭＦＣ制御部を制御して、加熱された反応管２内にアミノ系シランガスを供給する。そして、制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して、反応管２内を所定の温度に加熱し、ＭＦＣ制御部を制御して、加熱された反応管２内に処理ガス導入管１７からエチレンを供給することにより、半導体ウエハＷにアモルファスカーボン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】固体成膜原料を、従来からのＣＶＤ法やＡＬＤ法による成膜方法に使用できる形態で安定的に供給する。
【解決手段】固体成膜原料２１を気化させて供給する気化供給装置１であって、超臨界流体を生成して供給する超臨界流体供給部１０と、超臨界流体供給部１０から供給される超臨界流体を固体成膜原料２１に接触させて、超臨界流体に固体成膜原料２１を溶解させる超臨界流体調整部２０と、固体成膜原料２１が溶解した超臨界流体を気体に相転移させて、気体中に固体成膜原料２１を析出させるとともに、析出した固体成膜原料２１を気化させる気化部３０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】反応ガス同士をより確実に分離することが可能な原子層（分子層）成膜装置を提供する。
【解決手段】反応容器１０内に回転可能に設けられ、基板が載置される回転テーブル２；第１の反応ガスが供給される第１の領域４８１と第２の反応ガスが供給される第２の領域４８２とを分離するために、該第１および第２の領域の天井面よりも低い天井面と、分離ガスを供給する分離ガス供給部４１，４２とを有する分離領域；該分離領域において、回転テーブル２と反応容器１０の内側面との間に配置される上ブロック部材４６Ａ，４６Ｂ；を有する成膜装置とする。上ブロック部材４６Ａ，４６Ｂは、前記分離領域における回転テーブル２の回転方向上流側に、前記分離ガスが流通可能な空間Ｓが形成されるように配置される。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの誘電体膜において、リーク特性改善のためのＡｌドープ層を設けても、誘電体膜がＡｌドープ層で分断されず、サイズ効果の影響を抑え、結晶性の良好な誘電体膜を提供する。
【解決手段】誘電体膜中に少なくとも１層のＡｌドープ層を有し、Ａｌドープ層の１層におけるＡｌ原子の面密度を１．４Ｅ＋１４［ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２］未満とする。また、その面密度を達成するため、通常のＡＬＤによる誘電体膜成膜と、Ａｌソースの吸着サイトを制限するブロッカー分子の吸着を行った後、Ａｌソースを吸着させ、反応ガスを導入して反応させる吸着サイト・ブロッキングＡＬＤ法によるＡｌ添加の組み合わせを採用する。 （もっと読む）

【課題】基板上に、下部電極層、ピンド層、トンネルバリア層、フリー層、上部電極層を順次成膜してなるトンネル磁気抵抗効果素子において、極力小さい膜厚で良好な被覆性を確保できるトンネルバリア層を実現する。
【解決手段】基板１０上に、下部電極層２０、ピンド層３０、トンネルバリア層４０、フリー層５０、上部電極層６０が順次積層されてなるトンネル磁気抵抗効果素子１において、トンネルバリア層４０は、原子層成長法により成膜されたアルミナなどからなり、膜厚を薄いものとしても、下地のピンド層３０の表面に存在する凹凸の被覆性を高め、トンネルバリア層４０の膜厚ばらつきを小さくできる。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率絶縁膜の吸湿を抑制し、信頼性を向上させる。
【解決手段】 処理容器内に基板を搬入する工程と、処理容器内で基板上に高誘電率絶縁膜を形成する工程と、処理容器内で高誘電率絶縁膜上に高誘電率絶縁膜よりも吸湿性の低い低吸湿性絶縁膜を形成する工程と、処理容器内より低吸湿性絶縁膜形成後の基板を搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 低コストで必要な仕事関数及び耐酸化性を有する金属膜を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 表面に金属膜が形成された基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内に原料ガスと酸化源とを供給し排気することで、基板の表面に形成された金属膜上に所定膜厚の金属酸化膜を形成する処理を行う工程と、処理済基板を処理容器内から搬出する工程と、を有し、処理を行う工程では、酸化源としてオゾンガス、酸素ガスまたはプラズマにより活性化された酸素ガスを用い、所定膜厚の金属酸化膜を形成する過程において形成される金属酸化膜越しに、酸化源に含まれる酸素原子を、金属膜の表面に導入することで、金属膜の表面を酸化して導電性の金属酸化層に改質する。 （もっと読む）

【課題】第１の金属元素および第２の金属元素を含む第３の金属酸化膜を形成する際に、第３の金属酸化膜中の第１の金属元素及び第２の金属元素の組成比の制御性を向上させる。
【解決手段】第１の金属元素を含む第１原料を供給し排気する工程と、酸化剤を供給し排気する工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを少なくとも１回行うことで第１の金属酸化膜を形成する工程と、第２の金属元素を含む第２原料を供給し排気する工程と、酸化剤を供給し排気する工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを少なくとも１回行うことで第２の金属酸化膜を形成する工程と、を交互に所定回数行うことで第３の金属酸化膜を形成する工程を有し、第１原料および第２原料として、第２の金属酸化膜を形成する工程における１サイクルあたりに形成する膜厚が、第１の金属酸化膜を形成する工程における１サイクルあたりに形成する膜厚よりも小さくなるような原料を用いる。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、シリコン基板１０１と、同一のシリコン基板１０１上に設けられたＮ型トランジスタ２００およびＰ型トランジスタ２０２と、を備え、Ｎ型トランジスタ２００およびＰ型トランジスタ２０２は、Ｈｆを含む高誘電率ゲート絶縁膜１０８と、高誘電率ゲート絶縁膜１０８上に設けられたＴｉＮ膜１１０と、を有しており、Ｎ型トランジスタ２００は、シリコン基板１０１と高誘電率ゲート絶縁膜１０８との間に、Ｌａ添加ＳｉＯ２膜１０９ａを有しており、Ｐ型トランジスタ２０２は、高誘電率ゲート絶縁膜１０８とＴｉＮ膜１１０の間に、Ｎ型トランジスタ２００と同じ仕事関数調整用元素を含有するＬａ添加ＳｉＯ_２膜１０９ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】液体原料中の溶存ガスに起因して出現し得る気泡が気化器における気化量制御に悪影響を及ぼすのを回避する。
【解決手段】液体原料を不活性ガスにより圧送する液体原料供給源と、液体原料供給源が圧送する液体原料の流路となる液体原料供給管と、液体原料供給源から液体原料供給管を通じて供給された液体原料を気化して気化ガスを生成する気化器と、気化器が生成した気化ガスが供給される処理室とを有する基板処理装置において、液体原料供給管の経路途中に液体原料供給管内を流れる液体原料を貯留する液体原料溜め部を設け、液体原料供給管内での圧力低下によって液体原料中に現れる気泡を液体原料溜め部内にて除去する。 （もっと読む）

【課題】大気に曝した半導体層の表面上にトンネル絶縁膜を形成した場合であっても、半導体層にスピン偏極率の大きなキャリアを注入できるトンネル接合素子を提供すること。
【解決手段】半導体層１０の表面を大気に曝す工程と、前記半導体層１０の前記表面を還元性ガスに曝す工程と、前記表面を還元性ガスに曝す工程の後前記半導体層１０の前記表面を大気に曝すことなく、前記半導体層１０の前記表面上にトンネル絶縁膜１２を形成する工程と、前記トンネル絶縁膜１２上に強磁性体層１４を形成する工程と、を含むトンネル接合素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】希土類金属を含有するHigh-ｋ膜のエッチング残渣を抑制するための半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に絶縁膜４を形成する工程と、絶縁膜４の上に希土類元素含有酸化膜７、１２を形成する工程と、フッ酸、塩酸、硫酸を含む薬液により希土類元素含有酸化膜７、１２をエッチングする工程とを有し、これにより希土類元素含有酸化膜７、１２のエッチングを良好に行う。 （もっと読む）

【課題】 強誘電体膜の上に、ＳｒＲｕＯ_３膜を形成し、その上に酸化イリジウム等の電極を従来の方法で形成した強誘電体キャパシタでは、目標とする大きさのＱｓｗを得ることが困難である。
【解決手段】 基板の上に、下部電極膜を形成する。下部電極膜の上に、強誘電体膜を形成する。強誘電体膜の上に、ペロブスカイト構造を持つ導電性酸化物からなるアモルファスの中間膜を形成する。中間膜の上に、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓからなる群より選択された少なくとも１つの金属の酸化物からなる第１の上部電極膜を形成する。第１の上部電極膜を形成した後、酸化性ガスを含む中で第１の熱処理を行うことにより、中間膜を結晶化させる。第１の熱処理の後、第１の上部電極膜の上に、第１の上部電極膜を形成するときの成長温度よりも低温で、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓからなる群より選択された少なくとも１つの金属の酸化物からなる第２の上部電極膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】金属酸化膜または金属シリケート膜を含む薄膜ゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法において、Ｖ_ＦＢを十分に制御し、Ｖ_ｔｈを十分に制御すること。
【解決手段】基板１上に、第１の金属の酸化膜、または、第１の金属のシリケート膜からなる第１高誘電率ゲート絶縁膜５を形成する第１工程と、第１高誘電率ゲート絶縁膜５上に、第２の金属の酸化膜からなる第２高誘電率ゲート絶縁膜６を形成する第２工程と、第２高誘電率ゲート絶縁膜６上に、ゲート電極膜７を形成する第３工程と、を有し、前記第２工程では、第２の金属元素および炭化水素基からなる主原料と、溶媒材料と、を混合した混合材料を用いて、原子層蒸着法により第２高誘電率ゲート絶縁膜６を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】酸化ケイ素又は窒化ケイ素をＣＶＤやＡＬＤなどのプロセスにより、低温で堆積できる前駆体を提供する。
【解決手段】誘電体膜を形成するための前駆体及び方法である。１つの態様では、次の式Ｉを有するケイ素前駆体が与えられる。
（もっと読む）

【課題】比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができる成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内に、シラン系ガスと窒化ガスと炭化水素ガスとを供給して前記被処理体の表面にＳｉＣＮ膜よりなる薄膜を形成する成膜方法において、前記シラン系ガスと前記窒化ガスと前記炭化水素ガスとをそれぞれ一定の供給期間でパルス状に供給する供給工程と供給を停止する停止工程とよりなる１サイクルを複数回繰り返し実行してプラズマを用いることなく前記薄膜を形成する。これにより、比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】High-kゲート絶縁膜を用いたＭＯＳＦＥＴにおいて、信頼性劣化、チャネル移動度低下及びＥＯＴの増加を抑制する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１０１上に、シリコン酸化物を含む第１絶縁層１０４を形成する工程（ａ）と、第１絶縁層１０４上に第１金属層１０５を形成する工程（ｂ）と、第１金属層１０５上にゲート電極１０８を形成する工程（ｃ）とを備える。第１絶縁層１０４及び第１金属層１０５からゲート絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】配線間の実効的な容量の増加を抑制する。
【解決手段】半導体装置１００は、６員環構造の環状シロキサンを原料とする絶縁膜１１と、絶縁膜１１に形成された配線溝１２と、配線溝１２に金属膜（配線メタル）１５が埋め込まれて構成される配線１０と、を有する。半導体装置１００では、配線溝１２の底面において、絶縁膜１１の内部よりも単位体積あたりの炭素原子数、又は／及び、窒素原子数が多い改質層１３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】凹凸形状部位にもリーク電流が小さく高誘電率のジルコニア系膜を確実に成膜することができる成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】真空保持可能な処理容器内に被処理体を挿入し、処理容器内を真空に保持した状態とし、処理容器内にジルコニウム原料と酸化剤とをこの順に供給して被処理体上にＺｒＯ膜を形成する第１工程と、前記処理容器内にジルコニウム原料とシリコン原料と酸化剤とをこの順で供給して被処理体上にＳｉがドープされたＺｒＯ膜を形成する第２工程とを、それぞれの回数を調整して実施することにより、膜中のＳｉ濃度を制御しつつ所定膜厚のジルコニア系膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】高いしきい値電圧と低いリーク電流のノーマリーオフの半導体素子を提供する。
【解決手段】基板２の上に少なくともＡｌを含むIII族窒化物からなる下地層(バッファー層)３を設けた上で、III族窒化物、好ましくはＧａＮからなる第１の半導体層(チャネル層)４と、少なくともＡｌを含むIII族窒化物、好ましくはＡｌｘＧａ１−ｘＮであってｘ≧０．２である第２の半導体層（電子供給層）６が積層されてなる半導体層群からなるＨＥＭＴ構造の半導体素子の上に、Ａｌ２Ｏ３−Ｇａ２Ｏ３の混晶からなる絶縁膜７を形成し、その上にゲート電極９を形成した。 （もっと読む）