【課題】基板上に第１の金属元素および第２の金属元素を含む第３の金属酸化膜を形成する際に、第３の金属酸化膜の膜厚方向における組成の均一性を向上させる。
【解決手段】基板を収容した処理室内２０２で、基板２００に対し、第１の金属元素を含む第１の金属酸化膜を形成する工程と、第２の金属元素を含む第２の金属酸化膜を形成する工程と、を交互に複数回繰り返すことで、基板上に前記第１の金属元素および前記第２の金属元素を含む所定組成の第３の金属酸化膜を形成する工程を有し、第３の金属酸化膜を構成する第１の金属元素および第２の金属元素のうち組成比の大きい方の金属元素を含む金属酸化膜をＣＶＤモードもしくはＡＬＤ飽和モードにて形成し、組成比の小さい方の金属元素を含む金属酸化膜をＡＬＤ非飽和モードにて形成する。 （もっと読む）

チタン含有薄膜形成のための組成物と方法が提供される。この組成物は（メチルシクロペンタジエニル）Ｔｉ（ＮＭｅ_２）_３、（エチルシクロペンタジエニル）Ｔｉ（ＮＭｅ_２）_３、（イソプロピルシクロペンタジエニル）Ｔｉ（ＮＭｅ_２）_３、（メチルシクロペンタジエニル）Ｔｉ（ＮＥｔ_２）_３、（メチルシクロペンタジエニル）Ｔｉ（ＮＭｅＥｔ）_３、（エチルシクロペンタジエニル）Ｔｉ（ＮＭｅＥｔ）_３、および（メチルシクロペンタジエニル）Ｔｉ（ＯＭｅ）_３からなる群から選択される少なくとも１種の前駆体と、前記少なくとも１種の前駆体以外の少なくとも１種の液化補因子とを含み、前記液化補因子は少なくとも１種の前駆体と協働するのに十分な量存在し、少なくとも１種の前駆体と組み合わされて液体組成物を形成する。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率絶縁膜を形成する際の下地である金属膜の酸化を抑制する。
【解決手段】 基板を収容した処理室内にアルミニウム原料を供給し排気する工程と、処理室内に酸化源または窒化源を供給し排気する工程と、を交互に行うことで、基板表面に形成された電極膜上にアルミニウムを含む絶縁膜を形成する工程と、処理室内に原料を供給し排気する工程と、処理室内に酸化源を供給し排気する工程と、を交互に行うことで、アルミニウムを含む絶縁膜上に、アルミニウムを含む絶縁膜とは異なる高誘電率絶縁膜を形成する工程と、高誘電率絶縁膜が形成された基板に対して熱処理を行う工程と、を有する。 （もっと読む）

ＩＶ族金属含有前駆体と、ＩＶ族金属含有膜｛窒化物、酸化物および金属）の高い処理温度での堆積におけるその使用とを開示している。金属中心に結合したシクロペンタジエニル配位子およびイミド配位子の使用は熱安定性を確保し、広範な堆積温度ウィンドウおよび不純物の低い混入を可能にする。ＩＶ族金属（チタン、ジルコニウム、ハフニウム）含有膜の堆積は、熱および／またはプラズマ強化ＣＶＤ、ＡＬＤおよびパルスＣＶＤによって行うことができる。 （もっと読む）

原子層堆積、化学気相堆積および有機金属化学気相堆積のような成膜プロセスにおいて出発原料として用いるための溶液型の先駆物質。この溶液型の先駆物質は、蒸発する間に分解と凝固を起こす傾向があるために気相堆積法のためには不適切であった固体先駆物質の使用を可能にする。 （もっと読む）

【課題】より安定的なプロセス制御を実現しながら、スループットを向上させることが求められている。
【解決手段】原料ガスと反応ガスとを交互に供給して半導体基板１１上に薄膜を形成する半導体製造装置１０であって、半導体基板１１を収容し、排気されるようになっている反応室１２と、反応室１２に原料ガスを供給する原料ガス供給配管３５と、反応室１２からの排気量を調節する開度調節可能なバルブ２３と、原料ガス供給配管３５に設けられ、原料ガスの供給圧力を検出する圧力計Ｐ２と、反応室１２に原料ガスが供給されている時に、圧力計Ｐ２で検出される圧力に基づいてバルブ２３の開度を制御する制御部４１と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 原料供給サイクルに同期させたプラズマを用いる時分割的な原料供給ＣＶＤ法により半導体またはフラット表示素子の基板上に優れた特性を有する金属酸化物、金属窒化物及び金属の薄膜を形成する方法を提供すること。
【解決手段】 プラズマを用いる原子層蒸着装置の反応器内において基板上に金属酸化物膜を形成する方法であって、反応器内に金属原料化合物を供給する段階と、反応器内に酸素ガスを供給する段階と、反応器内に所定時間中に酸素プラズマを生じさせる段階と、を含む金属酸化物膜の形成方法。 （もっと読む）

いくつかの実施形態はキャパシタを成形する方法を含む。金属酸化物混合体は第１のキャパシタ電極を覆って形成されてよい。その金属酸化物混合体は第１の成分に相対する第２の成分の連続的な濃度勾配を成してよい。その連続的な濃度勾配は第１のキャパシタ電極からの距離が増加すると第２の成分の濃度が減少することに対応してよい。第１の成分は酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、およびそれらの混合物からなるグループから選択されてよい。そして、第２の成分は酸化ニオブ、酸化チタン、酸化ストロンチウム、およびそれらの混合物からなるグループから選択されてよい。第２のキャパシタ電極は第１のキャパシタ電極を覆って形成される。いくつかの実施形態は上述の第１の成分に相対する上述の第２の成分の連続的な濃度勾配を有する少なくとも一つの金属酸化物混合体を包含するキャパシタを含む。
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【課題】 高誘電率絶縁膜の下地となる金属膜の酸化を抑制し、成膜処理の生産性を向上させる。
【解決手段】 基板を収容した処理室内に原料を供給し排気する工程と、処理室内に第１酸化源を供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に第１の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、処理室内に原料を供給し排気する工程と、処理室内に第１酸化源とは異なる第２酸化源を供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、第１の高誘電率絶縁膜上に第２の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】現行のバリア誘電体膜に匹敵するかそれよりも低い誘電率を有する誘電体膜を得る方法を提供する。
【解決手段】集積回路基板の誘電体膜と金属相互接続との間に、炭窒化ケイ素バリア誘電体膜を形成する方法であって、誘電体膜を有する集積回路基板を提供すること、この基板をＲ_ｘＲ’_ｙ（ＮＲ”Ｒ”’）_ｚＳｉを含むバリア誘電体膜の前駆物質と接触させること（Ｒ、Ｒ’、Ｒ”及びＲ”’はそれぞれ個々に、水素、直鎖若しくは分岐の飽和若しくは不飽和アルキル、又は芳香族から選択され；ｘ＋ｙ＋ｚ＝４；ｚ＝１〜３であるが、Ｒ及びＲ’の両方が同時に水素にはならない）；及び集積回路基板上でＣ／Ｓｉ比０．８超かつＮ／Ｓｉ比０．２超の炭窒化ケイ素バリア誘電体膜を形成することを含む方法。 （もっと読む）

【課題】高い蒸気圧を持ち、ケイ素含有薄膜を製造する際の優れた材料となる新しいケイ素化合物を提供し、またそれを危険性の無い安価な原材料を使用して収率良く製造する方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表されるジアザシラシクロペンテン誘導体を、ジイミン、すなわち１，４−ジアザ−１，３−ブタジエン誘導体にアルカリ金属及びオルトケイ酸テトラアルキルを反応させることにより製造し、それを用いてケイ素含有薄膜を製造する。
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一般式：（Ｒ_１Ｒ_２Ｒ_３Ｒ_４Ｒ_５Ｃｐ）_３＊Ｍ（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、及びＲ_５は、Ｈ、又は炭化水素Ｃ_ｎＨ_ｍ（ｎ＝１〜１０；ｍ＝１〜２ｎ＋１）であり；Ｃｐはシクロペンタジエニルであり；Ｍはランタニド系列又は第ＩＩＩ族材料からの元素である）を有する酸素を含まないシクロペンタジエニルの溶媒ベースの前駆体配合物。 （もっと読む）

自己制御型の等角法でＺｒＯ_２又は他のＺｒ化合物の膜を成長させるためのＡＬＤプロセスにおいて用いるための酸素を含まない溶液ベースのジルコニウム前駆体を開示する。（ｔ−ＢｕＣｐ）_２ＺｒＭｅ_２の酸素を含まない溶液ベースのＡＬＤ前駆体が、ＺｒＯ_２又は他のＺｒ化合物の膜を堆積させるために特に有用である。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリセルの電荷保持特性の劣化の抑制を図れる半導体装置を提供する。
【解決手段】不揮発性メモリセルは、トンネル絶縁膜2と、電荷蓄積層3と、絶縁層４（４₁，４₂）と、制御電極５と、ソース／ドレイン領域６とを含み、素子分離絶縁膜７とを備し、チャネル幅方向において、絶縁層４は、電荷蓄積層３の上面に接した第１の絶縁層４₁と、電荷蓄積層３の端部に接した第２の絶縁層４₂とを含み、かつ、第２の絶縁層４₂の外側にある素子分離絶縁膜７の上面は、トンネル絶縁膜２と電荷蓄積層３との界面よりも上にある。 （もっと読む）

【課題】 ジルコニウム含有膜の原子層堆積に有用なジルコニウム前駆体を提供する。
【解決手段】 式


で示されるジルコニウム前駆体。そのような前駆体は、室温で液体であり、ジルコニウム含有膜、たとえば高κ誘電体膜をマイクロ電子デバイス基板上に形成するためのＡＬＤなどの気相堆積プロセスで利用されうる。ジルコニウム前駆体は、熱安定化用アミン添加剤によりそのような気相堆積プロセスにおいて安定化されうる。 （もっと読む）

【課題】基板面内の膜組成分布を向上せしめると共に、基板面内の結晶粒の発生の微視的なバラツキを抑制し、さらに表面ラフネスの向上を達成することができるＰＺＴ薄膜の形成方法及びこの薄膜を含んでなる半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉ用のそれぞれの有機金属化合物原料として、Ｐｂ（ｔｈｄ）_２及びＰｂ（ｄｍｈｄ）_２から選ばれた１種類のＰｂ用有機金属化合物原料と、Ｚｒ（ｄｍｈｄ）_４、Ｚｒ（ｔｈｄ）_２（ｄｍｈｄ）_２、Ｚｒ（ｔｈｄ）_３（ｄｍｈｄ）、Ｚｒ（ｉ−ＰｒＯ）_２（ｔｈｄ）_２、及びＺｒ（ｉ−ＰｒＯ）（ｔｈｄ）_３から選ばれた１種類のＺｒ用有機金属化合物原料と、Ｔｉ（ｉ−ＰｒＯ）_２（ｄｍｈｄ）_２のＴｉ用有機金属化合物原料とを用いる。この強誘電体薄膜を含む半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳトランジスタを作成する。
【解決手段】ＭＯＳトランジスタであって、ゲート電極と、ゲート電極下地の頂部表面を有するチャンネル領域と、ゲート電極とチャンネル領域の頂部表面の間に挿入された誘電体スタックとを含み、前記誘電体スタックが、少なくとも高―ｋ材料を含む高―ｋ誘電体層と、少なくともケイ素および窒素を含む誘電体層と、前記高―ｋ誘電体層と前記誘電体層の間に配設された中間層とを含み、該中間層が、少なくとも前記高―ｋ材料、ケイ素および窒素を含み、前記ゲート電極がポリシリコンまたはポリシリコンゲルマニウムから作製される。 （もっと読む）

【課題】３００〜５００℃といった低温での成膜が可能であり、さらに、反応性が良好なプロセスを与える有機シリコン含有化合物を含有してなる化学気相成長用原料を提供すること。
【解決手段】ＨＳｉＣｌ（ＮＲ¹Ｒ²）（ＮＲ³Ｒ⁴）（Ｒ¹、Ｒ³は炭素数１〜４のアルキル基または水素を表し、Ｒ²、Ｒ⁴は炭素数１〜４のアルキル基を表す）で表される有機シリコン含有化合物を含有してなる化学気相成長用原料。該化学気相成長用原料は、基体上に化学気相成長法により窒化シリコン薄膜を形成する原料として特に好適である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、しきい値電圧のばらつきを低減し、電気特性を安定させることを課題の一とする。また、オフ電流を低減することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層の上に絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層を積層し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とが絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層を介して接触するように薄膜トランジスタを形成することによって、薄膜トランジスタのしきい値電圧のばらつきを低減し、電気特性を安定させることができる。また、オフ電流を低減することもできる。 （もっと読む）

【課題】処理対象層に、半導体デバイスの小型化要求を満たす小さい寸法の開口部を形成することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理対象基板であるウエハＷのマスク層としてのフォトレジスト膜５３上に補強膜を形成すると共に、開口パターンを形成する線状部分の線幅ａをトリミングする成膜トリミングステップは、フォトレジスト膜５３の表面に１価のアミノシランを吸着させる吸着ステップと、吸着したアミノシランを、酸素をプラズマ励起した酸素ラジカルを用いて酸化し、これによってアミノシランをＳｉ酸化膜に改質すると共にフォトレジスト膜５３の線状部分の線幅ａをトリミングする酸化ステップを有する。 （もっと読む）