【課題】炭化珪素半導体装置のチャネル移動度の向上を図る。
【解決手段】ゲート酸化膜形成工程の降温時に、ウェット雰囲気を維持したまま、終端・脱離温度（８００〜９００℃）以下まで降温させる。これにより、ゲート酸化膜とチャネル領域を構成するｐ型ベース層の界面のダングリングボンドをＨもしくはＯＨの元素で終端させることが可能となる。このため、高いチャネル移動度の反転型ラテラルＭＯＳＦＥＴとすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板上やチャンバ内壁面にＳｉＣの形成を可能とする。
【解決手段】チャンバ１０内の基板２２ａへ珪素を供給すると共に、チャンバ１０内へハロゲン含有ガスを供給し、ハロゲン含有ガスを解離して炭素含有部材２０ｂから基板２２ａへ炭素を供給することによって基板２２ａにＳｉＣを形成する。 （もっと読む）

【課題】吸湿性が低く、低比誘電率であり、かつ機械的強度に優れた絶縁膜形成用組成物ならびにシリカ系膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）成分；下記一般式（１）で表される化合物１００〜１０モル％及び（Ｂ）成分；下記一般式（２）で表される化合物０〜９０モル％を加水分解縮合して得られたポリマーと、有機溶媒と、を含有する。Ｒ^１_ａＸ_３−ａＳｉ−（Ｒ^３）_ｃ−ＳｉＸ’_３−ｂＲ^２_ｂ ・・・・・（１） （式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基を表し、Ｘ、Ｘ’はハロゲン原子を表し、Ｒ^３は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ_２）_ｍ−で表される基（ｍは１〜６の整数）を表し、ａ、ｂは０〜３の整数を示し、ｃは０または１を示す。）Ｒ^４_ｄＳｉＸ”_４−ｄ ・・・・・（２） （式中、Ｒ^４は前記Ｒ^１、Ｒ^２と同じ基を表し、Ｘ”はハロゲン原子またはアルコキシル基を表し、ｄは０〜３の整数を示す。） （もっと読む）

【課題】高集積化および多層化が望まれている半導体素子などにおいて好適に用いることができ、貯蔵安定性に優れ、かつ、低比誘電率であり、機械的強度に優れた絶縁膜の形成に用いることができる絶縁膜形成用組成物、シリカ系膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、（Ａ）成分；下記一般式（１）で表される化合物および下記一般式（２）で表される化合物の群から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物５０〜１００モル％と、（Ｂ）成分；他の加水分解性シラン化合物０〜５０モル％とを加水分解縮合して得られた加水分解縮合物と、有機溶媒と、を含み、ｐＨが３．０〜５．０の範囲にあり、かつ、含有水分量が２質量％以下である。
Ｓｉ（ＯＲ^１）_４ ・・・・・（１）
（式中、Ｒ^１は１価の有機基を示す。）
Ｒ^２_ａ（Ｒ^３Ｏ）_３−ａＳｉ−（Ｒ^６）_ｃ−Ｓｉ（ＯＲ^４）_３−ｂＲ^５_ｂ ・・・（２）
（式中、Ｒ^２〜Ｒ^５は同一または異なり、それぞれ１価の有機基を示し、ａおよびｂは同一または異なり、０〜１の数を示し、Ｒ^６は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ_２）_ｍ−で表される基（ここで、ｍは１〜６の整数である。）を表し、ｃは０または１を示す。） （もっと読む）

【課題】素子分離膜形成材料としてＰＳＺ物質を用い、ＰＳＺ物質に多量で含有された不純物を容易に除去しながらボイドやシームのない素子分離膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】酸素ガスが供給されるチャンバの内部にＰＳＺ膜が形成されたウェハをローディングさせる段階と、前記チャンバの内部の温度を工程温度まで上昇させる段階と、水蒸気をチャンバの内部に供給し、前記酸素ガスの量と前記水蒸気の量の割合が１：１〜５０：１の条件を維持する状態で前記ＰＳＺ膜を硬化させる段階と、前記チャンバの内部をパージさせる段階と、アンローディング温度まで下降させる段階と、前記ウェハを前記チャンバの外部にアンローディングさせる段階を含んでＰＳＺ膜を熱処理し、半導体素子の素子分離膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】良好な処理特性を維持しつつ従来よりも高スループットでシリル化処理を行うことができる処理方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板を処理室に搬入後、ＳｉとＣＨ_３との結合を有するガスを処理室内に導入し、被処理基板に対してシリル化処理を施す処理方法であって、処理室内にＳｉとＣＨ_３との結合を有するガスを供給して処理室内の圧力を上昇させ、所定圧力に到達してから処理室内の圧力を搬出圧力まで低下させるまでの間、ＳｉとＣＨ_３との結合を有するガスの供給による前記処理室内の圧力と供給時間を、所定のシリル化処理を施すことが可能な範囲とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイス製造時に使用される低誘電率膜の比誘電率を低下させるための改質剤、およびその改質剤を用いて改質された低誘電率膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】 半導体デバイスに使用される低誘電率膜の比誘電率を低下させるための改質剤であって、一般式（１）
Ｒ_３−ｘＨ_ｘＳｉＮ_３ （１）
（ＲはＣ１〜Ｃ４のアルキル基、ｎは０〜３の整数）で表されるケイ素化合物を有効成分として少なくとも一種類以上含有する低誘電率膜の改質剤。 （もっと読む）

【課題】高圧湿式熱処理を通じてブロッキング絶縁膜内のトラップサイトを除去することで電荷のブロッキング効率を向上させることができるフラッシュメモリの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体基板上にトンネリング絶縁膜を形成する段階と、トンネリング絶縁膜上に電荷貯蔵膜を形成する段階と、電荷貯蔵膜上にブロッキング絶縁膜を形成する段階と、ブロッキング絶縁膜が形成された半導体基板に対して高温熱処理を遂行する段階と、高温熱処理が遂行された半導体基板に対して低温湿式熱処理を遂行する段階とを有し、低温湿式熱処理は、２〜１００気圧の雰囲気で遂行し、前記ブロッキング絶縁膜の酸素欠陥を修復し、界面欠陥を修復するために水蒸気を用いるフラッシュメモリの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 電流駆動力が大きく、誘電率の大きなシリコン酸化膜とシリコン窒化膜の積層膜を作る。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、シリコン酸化膜の上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、前記アモルファスシリコン膜をアニールして単結晶シリコン膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】液相プロセスを用いて、安定かつ所望な膜厚の膜を形成することができる高次シラン組成物、かかる高次シラン組成物により製造される膜付基板の製造方法、膜付基板を備える電気光学装置および電子デバイスを提供すること。
に関するものである。
【解決手段】高次シラン組成物は、高次シラン化合物と、置換または無置換の炭化水素系溶媒を含む溶媒とを含有し、前記溶媒として、前記高次シラン化合物が溶解し得るように、屈折率が１．５３以上のものを選択する。また、炭化水素系溶媒は、比誘電率が１０以下であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】薄膜化した場合においても、ＳＢＤが生じ難いゲート絶縁膜、かかるゲート絶縁膜の評価方法を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜３は、下記一般式（１）で表される構造を有しており、下記一般式（１）で表される構造中のｎが３または４であるものの総数をＡとし、ｎが５以上であるものの総数をＢとしたとき、｛Ａ／（Ａ＋Ｂ）｝×１００が１．２％以下なる関係を満足することにより、ソフトブレークダウンが生じるまでに流れる総電荷量が、４０Ｃ／ｃｍ^２以上となるよう構成されている。


［式中、ｎは２以上の整数を表す。また、Ｘは水素原子または水酸基を表す。］ （もっと読む）

【課題】本願発明の課題は、可塑性を有するプラスチック基板等に対して、基板の耐熱温度以下における低温印刷プロセスにより、現在電子デバイスとして使用されているものと同等の高い絶縁性能を有する酸化シリコン薄膜を用いる半導体薄膜素子及びその形成方法を提供することである。
【解決手段】可塑性を有するプラスチック基板上にシラザン構造又はシロキサン構造を含むケイ素化合物の塗布膜を形成し、該塗布膜を酸化シリコン薄膜に転化し、該薄膜を絶縁層又は封止層の一部とすることにより半導体薄膜素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】塗布膜を焼成する際に発生するパーティクルの抑制効果のより高い熱処理方法、熱処理装置及び前記方法を記憶した記憶媒体を提供する。
【解決手段】基板を反応容器３内に搬入して、基板に塗布されたポリシラザン膜等の塗布膜に熱処理を施して絶縁膜へと焼成するにあたって、反応容器３内の圧力を６．７ｋＰａ（５０ｔｏｒｒ）以上２６．７ｋＰａ（２００ｔｏｒｒ）以下に減圧した状態で、この反応容器３内の温度を予熱温度から焼成を行う処理温度まで昇温する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の大容量化に適したリーク電流が少なく、かつ高い誘電率を有する誘電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
第１の電極層上に酸化ストロンチュウムの非晶質膜を１原子層から数原子層の厚さ形成し、酸化ストロンチュウムの非晶質膜上に酸化チタンの非晶質膜を１原子層から数原子層形成し、酸化ストロンチュウム非晶質膜と酸化チタン非晶質膜との積層膜を結晶化開始温度に近い温度で熱処理を行い、積層膜を内部に複数の結晶粒を含む単層のチタン酸ストロンチュウム非晶質膜に変換することによって誘電体膜を形成する。積層膜は、交互に形成された酸化ストロンチュウム非晶質膜と前記酸化チタン非晶質膜を複数有してもよい。半導体装置は、内部に複数の結晶粒を含む単層のチタン酸ストロンチュウム非晶質膜を誘電体膜とするキャパシタを含む。 （もっと読む）

シリコンおよび酸素を備えるゲート誘電体を形成するための方法が提供される。該ゲート誘電体はまた、窒素または別の高ｋ材料を含んでもよい。一態様では、該ゲート誘電体を形成するステップは、酸化シリコン層を形成するために酸化雰囲気において基板をアニーリングする工程と、気相堆積法によって該酸化シリコン層上に窒化シリコン層や高ｋ層を堆積する工程と、該窒化シリコン層や高ｋ層の上部表面を酸化する工程と、該基板をアニーリングする工程とを含む。該ゲート誘電体は、集積処理システム内に形成されてもよい。 （もっと読む）

【課題】積層構造の容量絶縁膜を有するキャパシタの形成に際して、酸化金属膜と下部電極を構成する多結晶シリコン膜との間に介在させる酸窒化シリコン膜の厚みの制御性を高める。
【解決手段】下地１１上に下部電極１２を構成する多結晶シリコン膜を形成する工程と、下部電極１２上に、酸窒化シリコン膜１５を形成する工程と、酸窒化シリコン膜１５上に、酸化タンタル膜１６を形成する工程と、酸化タンタル膜１６を熱処理する工程と、酸化タンタル膜１６上に、上部電極１４を構成するＴｉＮ膜を形成する工程とを有する。酸化タンタル膜１６を熱処理する工程は、酸窒化シリコン膜１５を形成する工程で使用する最も高い基板温度よりも低い基板温度で行う。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が３．０以下と小さく、しかもヤング弾性率が３．０ GPa以上の被膜強度を有する低誘電率非晶質シリカ系被膜を基板上に安定的に形成する方法に関する。
【解決手段】 （ａ）テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド（TAAOH）の存在下で加水分解して得られる有機ケイ素化合物の加水分解物を含む液状組成物を基板上に塗布する工程、（ｂ）必要に応じて、前記基板を装置内に収納し、該基板上に形成された被膜を２５〜３４０℃の温度条件下で乾燥する工程、（ｃ）前記装置内に過熱水蒸気を導入し、前記被膜を１０５〜４５０℃の温度条件下で加熱して加熱処理する工程、および（ｄ）必要に応じて、前記装置内に窒素ガスを導入して、前記被膜を３５０〜４５０℃の温度条件下で焼成する工程を含む各工程で少なくとも処理することを特徴とする低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が３．０以下と小さく、しかもヤング弾性率が３．０ GPa以上の被膜強度を有する低誘電率非晶質シリカ系被膜を基板上に安定的に形成する方法に関する。
【解決手段】 （ａ）テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド（TAAOH）の存在下で加水分解して得られる有機ケイ素化合物の加水分解物を含む液状組成物を基板上に塗布する工程、（ｂ）前記基板を装置内に収納し、該基板上に形成された被膜を２５〜３４０℃の温度条件下で乾燥する工程、（ｃ）前記装置内に水蒸気を導入し、前記被膜を１０５〜４５０℃の温度条件下で加熱して加熱処理する工程、および（ｄ）前記装置内に窒素ガスを導入して、前記被膜を３５０〜４５０℃の温度条件下で焼成する工程を含む各工程で少なくとも処理することを特徴とする低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】ダングリングボンドを水素ではなく重水素で終端することができ、かつ９００℃に達するような高温処理を必要とすることなく、十分な重水素を導入することができる半導体装置の製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面に酸化膜を形成する酸化膜形成工程Ｓ１１と、次いで、半導体基板を大気圧よりも高い圧力の高圧重水蒸気２に晒す高圧重水蒸気処理工程Ｓ１２とを有し、これにより、あらかじめ形成した酸化膜中に重水素を導入する。 （もっと読む）

【課題】 金属酸化物又は金属酸窒化物からなる高誘電率膜を半導体材料と直接接合させても10¹¹ cm^-2eV^-1台の界面準位密度を維持できるMIS型半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】 金属酸化物又は金属酸窒化物と半導体材料の接合界面において、半導体原子と異種原子との結合が一分子層以下であることを特徴としたMIS型半導体装置によって解決される。 （もっと読む）