【課題】従来よりも低温で、または加熱により迅速に緻密なシリカ質膜を形成させることができポリシラザン化合物含有組成物の提供。
【解決手段】ポリシラザン化合物と特定のアミン化合物と溶媒とを含んでなるポリシラザン化合物含有組成物と、それを基板上に塗布し、シリカ質物質に転化させるシリカ質物質の形成方法。特定のアミン化合物は、ふたつのアミン基の間隔が、Ｃ−Ｃ結合５つに相当する距離以上であることが好ましく、アミン基は炭化水素基により置換されていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】有機基を含まず且つ、比較的低温の硬化においても比誘電率４以下を達成できるシリカ系被膜を形成することができるシリカ系被膜形成用組成物、それより得られるシリカ系被膜、及び、その形成方法、並びに、そのシリカ系被膜を備える電子部品を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物を加水分解する際に用いる触媒が（ａ）カルボン酸であり、且つ（ｂ）オニウム塩を含有する塗布型シリカ系被膜形成用組成物であって、４５０℃以上で被膜を硬化した際の比誘電率が４以下である、塗布型シリカ系被膜形成用組成物。
ＳｉＸ_４ ・・・（１）
（各Ｘは加水分解性基を示し、同一でも異なっていてもよい） （もっと読む）

【課題】低温での熱処理を行ってもその後短期間でウエット処理の処理レートの変動を小さくすることができるポリシラザン膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】ポリシラザン膜の形成方法であって、ポリシラザンを含有する塗布膜が表面に形成された基板を１５０〜６００℃で熱処理して塗布膜を改質し、ポリシラザン膜とする工程と（工程１）、得られたポリシラザン膜に水を接触させる工程（工程２）とを有する。 （もっと読む）

【課題】紫外線キュアの効率を向上させ、キュア済みの低誘電率膜の膜特性を改善する。
【解決手段】低誘電率材料を半導体処理中に処理チャンバ内でキュアする方法が与えられる。該低誘電率材料は紫外線が照射されてキュアされる。処理チャンバ内の雰囲気は、紫外線の照射中、２５から１００００ppmの酸素濃度を有する。酸素は、低誘電率材料中の-Si-H基及び-Si-OH基の形成を制限し、それにより、低誘電率材料中の吸湿及び酸化が減少する。 （もっと読む）

【課題】 構成元素として窒素とシリコンとを含む絶縁膜の形成時に、窒素原子の過度の拡散を抑制し、かつその絶縁膜の窒素濃度を高めることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）半導体基板上に、窒素とシリコンとを含む第１の絶縁膜を形成する。（ｂ）第１の絶縁膜を還元性雰囲気に晒す。（ｃ）工程ｂの後、第１の絶縁膜を窒化性雰囲気に晒す。 （もっと読む）

【課題】 金属薄膜上に金属酸化膜を形成する際に、金属薄膜の酸化を抑制させる。
【解決手段】 表面に金属薄膜が形成された基板上に、ハフニウム、イットリウム、ランタン、アルミニウム、ジルコニウム、ストロンチウム、チタン、バリウム、タンタル、ニオブからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含む金属酸化膜を、金属薄膜の酸化が起こらない温度であって、かつ、金属酸化膜がアモルファス状態となる第１温度で形成する第１ステップと、第１ステップで形成した金属酸化膜上に、ハフニウム、イットリウム、ランタン、アルミニウム、ジルコニウム、ストロンチウム、チタン、バリウム、タンタル、ニオブからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含む金属酸化膜を、第１温度を超える第２温度で、目標の膜厚まで形成する第２ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板とゲート絶縁膜との界面近傍における窒素濃度を必要以上に高くすることなく、ゲート絶縁膜中の窒素濃度を高める。
【解決手段】電界効果トランジスタのゲート絶縁膜は、半導体基板に近い第１領域と、第１領域よりもゲート電極に近い第２領域とで窒素濃度のピークが異なっており、第１領域における窒素濃度のピークは、２．５atomic％〜１０atomic％であり、第２領域における窒素濃度のピークは、第１領域における窒素濃度のピークよりも高い。 （もっと読む）

【課題】（１１１）、（００１）もしくは（１１０）のいずれかに配向したペロブスカイト型酸化物薄膜を容易に得る方法を提供する。さらに、このペロブスカイト型酸化物薄膜を下部電極として、その上に強誘電体薄膜等を積層することにより、優れた特性の強誘電体層等を得、これを有する半導体装置を提供しうる。
【解決手段】基板の（００１）面に蛍石型構造のバッファー層、ついで結晶方位制御バッファー層を形成した後に、ペロブスカイト型酸化物薄膜を該結晶方位制御バッファー層上に積層して（１１１）、（００１）もしくは（１１０）のいずれかに配向したペロブスカイト型酸化物薄膜を得る。 （もっと読む）

【課題】炭化けい素半導体基板の熱酸化時にＭＯＳ界面に生じ、例えば炭化けい素ＭＯＳＦＥＴの移動度を低下させるカーボンクラスタを除去し、良好な特性のＳｉＣ半導体素子を作成する方法を提供する。
【解決手段】熱酸化による１５ｎｍ以下の薄い酸化膜８の形成と、その後のＮ２、Ｈ２、ＮＨ３、Ａｒなどのガス中でのアニールとをおこなった後、堆積法にて前記薄い酸化膜８よりも厚い酸化膜９を更に形成し、所定の酸化膜厚とする。 （もっと読む）

【課題】６０ｎｍ以降、特に４５ｎｍレベルのＤＲＡＭキャパシタの量産に対応可能で、誘電率が高く、かつリーク電流の少ない誘電体膜とその形成方法を提供する。
【解決手段】上部電極５０１及び下部電極５０４間に誘電体膜を介在させてなる半導体装置のキャパシタにおいて、該キャパシタの誘電体膜は、酸化ハフニウム５０２と酸化チタン５０３を交互に原子層レベルで積層した膜を含むことを特徴とし、特にＨｆ／（Ｈｆ＋Ｔｉ）＝１０〜４５ａｔｏｍｉｃ％となる組成比で積層し、４００〜６００℃で高速熱処理した膜である。 （もっと読む）

【課題】基板上にシリコンを含む低誘電率膜を塗布法により形成するにあたり、簡便な方法により低誘電率膜中に気孔を形成すること。
【解決手段】低誘電率膜の前駆体であるシリコンを含む化合物の塗布液中に、負電荷を持ち、かつ浮力がほぼゼロの極めて小さな気泡であるナノバブルを導入し、この塗布液を基板上に塗布した後に、基板を加熱して低誘電率膜を形成する。このナノバブルが負電荷を持っているので、凝集しにくく、溶液中に均一に分散し、また基板の加熱後にも気泡として低誘電率膜中に取り込まれるため、均一で小さな気孔を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】低誘電率で信頼性の高い積層絶縁膜構造体および多層配線を得ることができる。また、この多層配線により、特に半導体装置等の応答速度の高速化に寄与することができる。
【解決手段】基板上に多孔質絶縁膜前駆体の層を形成し、特定のシリコン化合物の層を形成し、必要に応じてそのシリコン化合物の層をプリキュアし、シリコン化合物の層またはプリキュア層を介して多孔質絶縁膜前駆体に紫外線を照射する。 （もっと読む）

【課題】ハフニウムを含む絶縁膜の結晶化及びシリサイド化の両方を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン層１１の上方にハフニウムを含む絶縁膜１３が形成され、絶縁膜１３の上にポリシリコン層１４が形成された積層膜を形成し、積層膜を酸素と窒素が混合され、全圧が前記窒素の分圧にほぼ等しい雰囲気中で熱処理する。 （もっと読む）

【課題】裏面に厚い酸化膜を有するＳＯＩウェーハを使用し、ＳＯＩ層側である表面にデバイス形成用のシリコン酸化膜を熱酸化により形成しても、熱酸化処理後にＳＯＩウェーハが反ることを抑制し、ＳＯＩウェーハの反りによる露光不良や吸着不良を低減してデバイス製造の歩留を向上できるＳＯＩウェーハのシリコン酸化膜形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、裏面に酸化膜を有するＳＯＩウェーハに熱酸化処理を施して（工程（Ａ））、熱酸化処理後に、さらに熱酸化処理の温度よりも高温の非酸化性雰囲気で熱処理を施し（工程（Ｂ））、ＳＯＩ層の表面にシリコン酸化膜を形成するＳＯＩウェーハのシリコン酸化膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極からのボロン漏れを抑制することができ、ゲート絶縁膜を薄膜化した場合でも、界面順位密度の増加及び膜中のプラスチャージの生成を抑制することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供。
【解決手段】ゲート絶縁膜１１の上面及び下面をフッ素原子によって終端した後、ゲート絶縁膜１１の上面をエッチングすることにより、ゲート絶縁膜１１の上面に新たなダングリングボンドを形成し、その新たなダングリングボンドを窒素原子によって終端させる。これにより、シリコン基板１０と、シリコン基板１０上に形成されたゲート絶縁膜１１を有し、ゲート絶縁膜１１は、上面のダングリングボンドがほぼ全体的に窒素原子で終端されており、シリコン基板１０と接する下面のダングリングボンドがほぼ全体的にフッ素原子で終端された半導体装置を得る。 （もっと読む）

【課題】十分に低い比誘電率及び良好な機械強度を有するシリカ系被膜を形成できるとともに、凹凸面を覆うシリカ系被膜を形成したときの凹凸緩和性に優れるシリカ系被膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】（ａ）成分：テトラアルコキシシラン及びオルガノトリアルコキシシランを含むアルコキシシランを、マレイン酸及び／又はマロン酸の存在下に加水分解重縮合して得られる、５００〜１５００の重量平均分子量を有するシロキサン樹脂と、（ｂ）成分：アンモニウム塩とを含有する塗布型のシリカ系被膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】界面準位密度の低いシリコン酸窒化膜／シリコン窒化膜の２層ゲート絶縁膜を製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１表面に、シリコン酸化膜１１又はシリコン酸窒化膜からなる第１ゲート絶縁膜１０を形成した後、第１ゲート絶縁膜１０をプラズマ窒化処理する。次いで、第１ゲート絶縁膜１０を、窒素酸化物ガス又は窒素酸化物を含むガス中で熱処理する（第１熱処理工程）。次いで、第１ゲート絶縁膜１０を、不活性ガス又は真空中で、第１熱処理温度よりも高温で熱処理する第２熱処理工程を行なう。その後、第１ゲート絶縁膜１０上に、気相堆積法を用いてシリコン窒化膜からなる第２ゲート絶縁膜１２を堆積する。第２熱処理工程により第１ゲート絶縁膜が緻密化され、第２ゲート絶縁膜１２の堆積の際に生成する活性種の拡散が阻止され、界面順位を増加させない。 （もっと読む）

【課題】有機成分を含まない高純度の二酸化ケイ素膜を形成するために有用な二酸化ケイ素前駆体および二酸化ケイ素前駆体組成物を提供する。
【解決手段】上記二酸化ケイ素前駆体は、下記示性式（１）（Ｈ_２ＳｉＯ）_ｎ（ＨＳｉＯ_１．５）_ｍ（ＳｉＯ_２）_ｋ （１）（式（１）中、ｎ、ｍおよびｋはそれぞれ数であり、ｎ＋ｍ＋ｋ＝１としたとき、ｎは０．０５以上であり、ｍは０を超えて０．９５以下であり、ｋは０〜０．２である。）で表され、１２０℃において固体状であるシリコーン樹脂である。 上記二酸化ケイ素前駆体組成物は、上記シリコーン樹脂および有機溶媒を含有する。 （もっと読む）

【課題】水蒸気熱酸化を利用して酸窒化膜へ高濃度の窒素を加え、基板上へ酸窒化物薄膜を成長させる方法を提供する。
【解決手段】基板上に酸窒化膜を成長する方法は、処理チャンバ内に基板を設ける工程１００、処理チャンバを加熱する工程１０２、並びに、水蒸気を含む湿式処理ガス及び亜酸化窒素(NO)を含む窒化ガスを処理チャンバへ流し込む工程１０４を有する。湿式処理ガス及び窒化ガスは、基板上に酸窒化膜が成長するように、基板と反応する処理雰囲気を形成する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、ドライゲルコンバージョン法によって、膜中のゼオライト成分を増加させた、表面物性が制御可能で、かつ平滑性の高い膜が得られるゼオライト含有膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
非晶状態の酸化ケイ素部分を有する材料とゼオライト様繰り返し部分を有する材料とから、非晶状態の酸化ケイ素部分とゼオライト様繰り返し部分とを含有する前駆体膜を形成させる工程と、ゼオライト様繰り返し部分を成長させるために、該前駆体膜を水蒸気存在下に加熱処理して、ドライゲルコンバージョン法を適用する工程とを含んでなるゼオライト含有膜の製造方法であって、該非晶状態の酸化ケイ素部分を有する材料、及び／又は該ゼオライト様繰り返し部分を有する材料が、少なくとも一つの炭素原子を含有する有機基の炭素原子と結合したケイ素原子を含んでなるゼオライト含有膜の製造方法を提供する。 （もっと読む）