【課題】 液相法によって所要機能を有するペロブスカイト酸化物薄膜を製造する方法、及びペロブスカイト酸化物薄膜を提供する。
【解決手段】 成膜対象のペロブスカイト酸化物を主成分とし、平均直径が略５ｎｍ以上略１５ｎｍ以下の適宜直径のナノ結晶粒子を所定溶媒中に分散させた分散液を調製し（ステップＳ１）、この分散液中に、対象電極としての所定材料の基板と対向電極とを浸漬させ、両電極間に所定の電圧を印加することによって前記基板の表面に前記ナノ結晶粒子を、乾燥時の厚さが数十ｎｍ〜数百ｎｍとなるように堆積させる（ステップＳ２）。そして、この基板を略４００℃以上略８００℃以下の適宜温度で焼成する（ステップＳ３）。 （もっと読む）

【課題】ステップ構造を維持し、原子レベルで平坦なシリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】平坦面（テラス）が結晶面である段差（ステップ）構造を有するシリコンウェーハの製造方法であって、少なくとも、準備したシリコンウェーハに表面平坦化のための熱処理を行い、ステップ構造を形成する工程と、前記平坦化熱処理されステップ構造が形成されたシリコンウェーハの表面上に１〜２ｎｍの熱酸化膜を形成する工程とを有し、前記平坦化熱処理の工程後に連続して前記熱酸化膜を形成する工程が行われることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法において、絶縁膜の誘電率を低く維持すると共に、半導体装置の信頼性を高めること。
【解決手段】シリコン基板１の上方に層間絶縁膜２９を形成する工程と、層間絶縁膜２９に配線溝２９ａを形成する工程と、層間絶縁膜２９の上面と配線溝２９ａの中とに導電膜２７を形成する工程と、導電膜２７を研磨することにより、層間絶縁膜２９の上面から導電膜２７を除去すると共に、配線溝２９ａの中に導電膜２７を残す工程と、導電膜２７の表面を還元性プラズマに曝す工程と、導電膜２７の表面にシリサイド層３４を形成する工程と、シリサイド層３４の表面に窒化層３６を形成する工程と、炭素を含むガス又は液に層間絶縁膜２９の上面を曝す工程と、層間絶縁膜２９の上面に紫外線を照射する工程と、導電膜２７の上にバリア絶縁膜４０を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】界面準位密度が低い金属酸化物薄膜を成膜することができる金属酸化物薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に有機金属化合物を付着させ、重水を含む水よりなる酸化剤によって有機金属化合物を酸化させて金属酸化物薄膜を生成させる金属酸化物薄膜の成膜方法において、該水の金属不純物濃度が１ｗｔｐｐｂ以下であることを特徴とする金属酸化物薄膜の成膜方法。この水は、浄化装置１５において、ＵＶ及び混床イオン交換樹脂によって浄化処理される。 （もっと読む）

【課題】残渣の少ないＣＶＤ用シリコン組成物の提供
【解決手段】環状アルケン、直鎖／分岐／環状アルキル基を有するシリコン含有化合物と安定剤化合物を含有し、安定剤化合物が２００ｐｐｍより多く２００００ｐｐｍ以下の量である組成物。前記安定剤化合物が２６５℃未満の沸点を有する安定化された環状アルケン化合物（例えば、４−メトキシフェノール）であり、安定化された環状アルケン組成物およびシリコン含有化合物よりなる組成物を用いる、炭素をドープした酸化ケイ素層を基材上に形成する方法。 （もっと読む）

基板を処理するための方法が提供され、ここで第１の有機シリコン前駆体、第２の有機シリコン前駆体、ポロゲン、および酸素源が、処理チャンバーに提供される。第１の有機シリコン前駆体は、一般に低い炭素含有量を有する化合物を含む。第２の有機シリコン前駆体は、より高い炭素含有量を有する化合物を含む。ポロゲンは、炭化水素化合物を含む。ＲＦ電力は、基板上に膜を堆積させるために印加され、さまざまな反応物の流れの流量は、膜の部分が堆積されるにつれて炭素含有量を変化させるために調節される。一実施形態では、堆積膜の最初の部分は、低い炭素含有量を有し、従って酸化物のようであり、一方次に続く部分は、より高い炭素含有量を有し、オキシ炭化物のようになる。他の実施形態は、酸化物のような最初の部分を特徴としない。膜を後処理するステップは、より高い炭素含有量を有する膜の部分に細孔を発生させる。
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【課題】従来技術の問題の少なくとも一つを解決する、ゲート酸化膜上に窒化珪素膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置におけるゲート構造の形成の一部として、ゲート酸化膜上に窒化珪素膜を形成する方法であって、窒化処理プロセスにより、半導体基板のゲート酸化膜の上部に、窒化珪素の層を形成するステップと、熱処理チャンバ内で、前記半導体基板を加熱するステップと、前記熱処理チャンバ内で、前記半導体基板をN₂に暴露するステップと、前記熱処理チャンバ内で、前記半導体基板をN₂およびN₂Oの混合物に暴露するステップと、を有する方法。 （もっと読む）

【課題】従来よりも小型化が可能で安定した動作が可能であり、下地との密着性に優れた強誘電体膜、強誘電体膜を用いた半導体装置、その製造方法および強誘電体膜を用いた強誘電体デバイスを提供する。
【解決手段】半導体装置７１は基板５５、絶縁体５６、酸化イットリウム膜６６、強誘電体膜（ＳＴＮ膜）５７、上部電極６２を有している。酸化イットリウム膜６６は強誘電体膜（ＳＴＮ膜）５７を結晶化する際に下地となる。酸化イットリウム膜６６は酸素を含み、格子情報が強誘電体膜（ＳＴＮ膜）５７の結晶と近似している。そのため、酸化イットリウム膜６６上にＳＴＮを結晶化すると、酸素欠損がなく、かつ抗電界が２００ｋＶ／ｃｍ以上の強誘電体膜（ＳＴＮ膜）５７が得られる。 （もっと読む）

【課題】高品質な単結晶シリコン粒子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶シリコン粒子１０１の表層部に窒化珪素膜を形成する第１の工程と、酸素ガスから成る雰囲気ガスまたは酸素ガス及び不活性ガスから成る雰囲気ガス中で、結晶シリコン粒子１０１を加熱することによって、窒化珪素膜を酸窒化珪素膜とするとともに、結晶シリコン粒子１０１のシリコン部に接する酸窒化珪素膜の内表面に窒素の高濃度層を形成しながら結晶シリコン粒子１０１の形状を保持した状態でシリコン部を溶融させ、ついで降温し凝固させて単結晶化する第２の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、ポリマーＡと、ポリマーＢと、溶媒Ａ及び大気圧における沸点が溶媒Ａよりも低い溶媒Ｂと、を含み、かつ、以下の式（ｉ）及び（ｉｉ）を満たす。
前記ポリマーＡの溶媒Ａへの溶解度＞前記ポリマーＡの前記溶媒Ｂへの溶解度
・・・（ｉ）
前記ポリマーＢの溶媒Ａへの溶解度＜前記ポリマーＢの前記溶媒Ｂへの溶解度
・・・（ｉｉ） （もっと読む）

【課題】（０００１）面や（１１−２０）面よりも優れた（０００−１）面の炭化珪素基板を用いた半導体装置において、ゲート酸化後の熱処理方法を最適化することにより、高耐圧で高チャネル移動度を有するＳｉＣ半導体装置を提供する。
【解決手段】（０００−１）面の炭化珪素からなる半導体領域にゲート絶縁膜と、そのゲート絶縁膜上にゲート電極と、上記半導体領域に電極を有する半導体装置において、ゲート絶縁膜中に１Ｅ１９／cm³から１Ｅ２０／cm³の範囲の水素あるいは水酸基（ＯＨ）を含む。或いは、ゲート絶縁膜と半導体領域の界面に１Ｅ２０／cm³から１Ｅ２２／cm³の範囲の水素あるいは水酸基（ＯＨ）が存在する。 （もっと読む）

【課題】低温領域で成膜しても、その膜ストレスを向上させることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に所定の特性を有するシリコン窒化膜を形成する成膜方法において、シラン系ガスと窒化ガスとを用いて第１の温度で前記被処理体の表面にシリコン窒化膜を形成するシリコン窒化膜形成工程Ｓ１と、前記被処理体を前記第１の温度よりも高い第２の温度で窒化ガスの雰囲気下にてアニールして前記シリコン窒化膜を改質する改質工程Ｓ３とを行う。これにより、低温領域で成膜しても、その膜ストレスを向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路に用いる絶縁膜として、膜厚が薄くとも信頼性を確保することができる絶縁膜の作製方法を提供することを課題とする。特に、ガラス等の大面積化が可能な絶縁表面を有する基板上に低い基板温度で高品質の絶縁膜を提供することを課題とする。
【解決手段】チャンバーにモノシランガス（ＳｉＨ_４）と亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）と希ガスを導入し、１０Ｐａ〜３０Ｐａの圧力下で高密度プラズマを発生させてガラス等の絶縁表面を有する基板上に絶縁膜を形成する。その後、モノシランガスの供給を停止し、大気に曝すことなく亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）と希ガスとを導入して絶縁膜表面にプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】膜中窒素濃度が低いシリカ質膜の形成方法の提供。
【解決手段】凹凸を有する基板表面にポリシラザン組成物を塗布して塗膜を形成させ、
前記塗膜のうち、基板表面に隣接した部分のみを硬化させて、前記凹凸を有する基板の形状に沿った被覆薄膜を形成させ、
前記塗膜のうち、前記被覆薄膜形成工程において未硬化のまま残ったポリシラザン組成物を除去する
ことを含んでなるシリカ質膜の形成方法。この方法により形成されたシリカ質膜は、複数堆積することもできる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、絶縁膜、さらに詳しくは、半導体素子デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有する膜が形成可能な、しかも誘電率、ヤング率などの膜特性に優れた絶縁膜を提供することを目的とする。
【解決手段】シロキサン構造を有する化合物を含む膜に周波数５．８ＧＨｚのマイクロウエーブを照射して形成される絶縁膜。 （もっと読む）

【課題】 熱処理を行う際に、半導体基板の裏面側からの半導体構成原子の昇華を防止し得る半導体装置の製造方法及び半導体製造工程の管理方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１０にゲート絶縁膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、ゲート絶縁膜を形成する工程の前に、半導体基板の表面側及び裏面側を覆うように絶縁膜１２を形成する工程と、半導体基板の表面側の絶縁膜をエッチング除去する工程と、半導体基板の裏面側に絶縁膜が存在している状態で、半導体基板を熱処理する工程とを有している。 （もっと読む）

本発明の一実施形態によれば、紫外線を用いてハードマスク薄膜をパターニングする方法及びシステムが開示される。本発明の実施形態は、ハードマスクパターンを作るためのフォトレジストの被着及びエッチングの加工上の問題を軽減する。最初に、酸化ケイ素などのハードマスク層を被着チャンバ内で基板上に被着させる。場合により、被着に続いてハードマスク層をベーク又はアニールする。その後、ハードマスク層の一部を紫外線で露光する。紫外線はハードマスク材料の露光部分及び未露光部分のパターンを作る。露光に続いて、ハードマスクの未露光部分を除去するウェットエッチングなどのエッチングプロセスが行われてもよい。エッチングに続いて、ハードマスクをアニールするか、ベークするか、又はプラズマ処理してもよい。
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【課題】３０ｎｍ以下の微細化に適応できるフラッシュメモリ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０１に接続された上部にスペーサ絶縁膜１１６を有するフィン構造のビットラインから形成されたメモリセル部の最小加工寸法をＦとするとき、独立に書き込み／消去可能なビットライン２本が対になって４Ｆ周期に配置されてメモリセル部が形成され、一対のフィンの上部を覆うように記憶絶縁膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】誘電体中にボイドやシームを生ずることなく充填するシリコン酸化物層を基板上に形成する方法を提供する。
【解決手段】基板の少なくとも一部を覆う第１の酸化物層を形成するステップであって、該第１の酸化物層が、残留する水、水酸基及び炭素種を含むステップとを含む。該方法はさらに、該第１のシリコン酸化物層と部分的に混合されている複数の非晶質シリコン成分を形成するために、該第１の酸化物層を複数のシリコン含有種に曝すステップを含む。また、該方法は、該複数の非晶質シリコン成分と部分的に混合されている該第１のシリコン酸化物層を、酸化環境中でアニーリングして、第２のシリコン酸化物層を該基板上に形成するステップを含む。非晶質シリコン成分の少なくとも一部は、酸化されて、該第２のシリコン酸化物層の一部になり、該第２のシリコン酸化物層内の未反応の残留する水酸基及び炭素種は、実質的に除去される。 （もっと読む）

【課題】
活性窒素導入による特性改善効果を更に向上する。
【解決手段】
半導体基板の活性領域上に酸化膜を形成し、酸化膜の表面側から活性窒素を導入して酸化膜を窒化処理して窒化酸化膜にし、その後、半導体基板をＮ_２Ｏガスを含む雰囲気中で熱処理し、次に、半導体基板をＮＯガスを含む雰囲気中で熱処理し、その後窒化酸化膜上に、ゲート電極用のシリコン膜を堆積する。 （もっと読む）