本発明は、ａ）有機シロキサン重合体；ｂ）Ｒｂイオン、Ｃｓイオン、及びこれらの混合物からなる群から選択された第１金属イオン；及びｃ）有機溶媒を含み、前記第１金属イオンの含有量は、組成物全重量に対して１乃至２００ｐｐｍである絶縁膜用コーティング組成物、これより製造される絶縁膜、及びこれを含む電気または電子素子に関するものである。本発明の絶縁膜用コーティング組成物を利用して膜を製造すれば、低い誘電率と共に、優れた機械的強度と電気的特性を有する絶縁膜を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 低い誘電率かつ高い機械的強度を有する絶縁膜を形成可能な絶縁材料形成用組成物を提供する。
【解決手段】 一般式（１）で表される化合物、その加水分解およびその縮合物から選ばれる少なくとも１種以上のシラン化合物を、置換または無置換のアンモニウム塩存在下で加水分解、縮合して得られる化合物を含有する絶縁材料形成用組成物の製造方法。
【化１】


一般式（１）中、Ｘ¹は、加水分解性基を表し、Ｒ¹は、アルキル基、アリール基又はヘテロ環基を表し、ｎ₁は１〜３の整数を表し、ｍ₁は２以上の整数を表す。Ｌ¹は単結合または２価の連結基を表し、Ａは、かご型構造を含有する基を表す。 （もっと読む）

【課題】 低い誘電率を有する絶縁膜を形成可能な絶縁材料形成用組成物および当該組成物より得られる絶縁膜。
【解決手段】 一般式（１）で表される化合物、その加水分解およびその縮合物から選ばれる少なくとも１種以上のシラン化合物に、一般式（２）で表される化合物を添加して、加水分解、縮合して得られる化合物を含有することを特徴とする絶縁材料形成用組成物。
【化１】


一般式（１）中、Ｘ¹は、加水分解性基を表し、Ｒ¹は、アルキル基、アリール基又はヘテロ環基を表し、ｎ₁は１〜３の整数を表し、ｍ₁は２以上の整数を表す。Ｌ¹は、単結合または２価の連結基を表し、Ａは、かご型構造を含有する基を表す。
【化２】


一般式（２）中、Ｘ₂は、加水分解性基を表わし、Ｒ₂〜Ｒ₄は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基又はビニレン基を表わす。 （もっと読む）

誘電体膜を処理する方法およびシステムであって、アルキルシラン、アルコキシシラン、アルキルシロキサン、アルコキシシロキサン、アリールシラン、アシルシラン、シクロシロキサン、ポリシルセスキオキサン（ＰＳＳ）、アリールシロキサン、アシルシロキサン、ハロシロキサン、またはこれらのいずれかの組み合わせに、前記誘電体膜の少なくとも一つの表面を露出させるステップを有する、方法およびシステムである。誘電体膜は、ポアを有するまたは有さない、ドライエッチング処理により形成されたエッチング特徴部を備える低誘電率膜を有する。エッチング処理またはアッシュ処理の結果、誘電体膜に形成された特徴部に露出された表面は、損傷を受け、あるいは活性化され、これは、不純物の付着、水分の吸収、誘電率の上昇等につながる。このような損傷表面は、これらの表面の修復、例えば、誘電率の回復（すなわち、誘電率の低下）、およびこれらの表面の清浄化による不純物、水分または残留物の除去のうちの少なくとも一つを実施することにより処理される。また、バリア層の調製および膜の特徴部の金属化処理は、特徴部の側壁表面の密封による露出ポアの封止処理ステップを有し、バリア膜の成膜用の表面が提供される。 （もっと読む）

本発明は、ＳｉＧｅ層の表面領域を酸化させる方法において、前記表面領域を酸化させるためのＳｉＧｅ層の酸化熱処理を含む方法であって、２つの段階を含み、酸化熱処理である第１の段階は前記ＳｉＧｅ層に対して直接実施され、もって下にあるＳｉＧｅを後続の第２の段階中にピッチングから保護することができるキャッピング酸化物を形成するのに十分なほど厚く、また酸化表面領域の厚さを、ＳｉＧｅ層内の転位の発生に相当する閾値厚さ範囲未満に維持するのに十分なほど薄い酸化領域を得るものであり、不活性雰囲気中での高温アニールである第２の段階は前記第１の段階の後に前記ＳｉＧｅ層に対して実施され、前記ＳｉＧｅ層が、前記第１の段階中に形成された前記酸化領域で覆われ、前記高温アニールが、Ｇｅ濃縮領域から前記ＳｉＧｅ層の基底をなす部分内にＧｅが拡散するのを可能にするものである方法に関する。
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窒素を含む誘電体膜を形成する方法。本方法は、窒化物形成ガスと急速加熱アニールプロセスを用いて窒素を誘電体膜に取込むことを含み、ここで、急速加熱アニールプロセスに約１０Ｔｏｒｒ以下の超低圧が用いられる。
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【課題】炭化珪素層を有する半導体素子において、量産性に優れた実用的なプロセスを用いてチャネル移動度を向上させる
【解決手段】
（Ａ）炭化珪素層３の上に酸化物層１１を形成する工程と、（Ｂ）酸化物層１１に対して窒素処理を行うことにより酸化物層１１に窒素を含有させて窒素含有酸化物層１２を形成する工程とを包含し、窒素処理は、窒素酸化物ガスおよびアンモニアガスの少なくとも一方を含むガスをアルゴンより分子量の小さい不活性ガスで希釈した窒素含有ガスに１１００℃以上１３００℃以下の温度で酸化物層１１の表面を曝露する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】不純物が除去されたシリコン窒化膜を備える半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この方法は、半導体基板上にシリコン窒化膜を形成することを具備する。前記シリコン窒化膜を有する半導体基板をアンモニア（ＮＨ_３）気体雰囲気で熱処理して前記シリコン窒化膜内の不純物を除去する。一実施形態によって、前記シリコン窒化膜はシリコン前駆体としてＢＴＢＡＳを用いて形成することができる。前記シリコン窒化膜が前記ＢＴＢＡＳを用いて形成する場合でも前記シリコン窒化膜内の不純物は有効に除去できる。 （もっと読む）

【課題】 窒化酸化物層を有する半導体デバイスおよびこのための方法を提供する。
【解決手段】 半導体デバイスは、基板（１２）と、この基板（１２）の表面上の第１の絶縁層（１４）と、この第１の絶縁層（１４）の表面上のナノ結晶（１３）の層と、このナノ結晶（１３）の層上の第２の絶縁層（１５）を含む。この第２の絶縁層（１５）を窒化雰囲気にさらすことで、この基板（１２）の上に第３の絶縁層（２２）が形成されるときに起こり得るさらなる酸化に対する障壁が形成される。この第２の絶縁層（１５）の窒化によって、これらナノ結晶の酸化あるいは収縮および第１の絶縁層（１４）の厚さの増加とが、この半導体デバイス（１０）の製造に対するプロセスの工程の複雑化を招くことなく防止される。 （もっと読む）

ゲート電極にイオン注入されるホウ素のゲート絶縁膜突き抜けを抑制し、チャネル領域の移動度の低下を抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 半導体装置の製造方法は、半導体基板の活性領域上にゲート絶縁層を形成する工程と、上記ゲート絶縁層表面側から活性窒素により窒素を導入する工程と、窒素を導入したゲート絶縁層内の、表面側で高く、半導体基板との界面で低い窒素濃度分布を保つようにＮＯガス雰囲気中でのアニール処理を施す工程と、を含む。
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簡単にはＡＬＰを高める方法、本発明の好適実施形態は、ウエハ上で層状成長を達成するためにリアクタ内でガス流を連続してモジュレートすることによりＡＬＰ処理量を増加させる方法を含んでいる。第一反応種をキャリヤガスの割合と導入する。第一時間間隔後、第一反応種流量を減少させ、ほぼ一定の全ガス流を維持するようにキャリヤガス流を増加させる。第一反応種流量が最少の所定量に達したとき、第二反応種流量を開始し増加させ、キャリヤガス流を一定の全ガス流を続けるように減少させる。本方法は、或いは、表面と反応する第一適用ガスとしてか又は反応種に対する追加リガンドとして、反応種の吸着と化学吸着を高める物質を導入するステップを含んでいる。代替法は、更に、膜特性、対応するウエハ処理、反応種レザバーを改善するために定期的急速加熱アニールを含んでいる。 （もっと読む）

誘電特性及び漏れ電流特性を向上させることのできる半導体素子の誘電体膜の形成方法が提供される。本発明の実施形態によれば、誘電体膜の形成方法は、ウェーハ上に、連続的に形成されない厚さに酸化亜鉛（ＺｒＯ_２）膜を形成するステップと、前記ＺｒＯ_２膜が形成されていない前記ウェーハ上に、連続的に形成されない厚さに酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）膜を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】構造誘導体物質として環状シロキサン系モノマーを使用する、誘電率が低く且つ諸般物性に優れた低誘電性メソポーラス薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】環状シロキサン系モノマー、有機溶媒、酸または塩基、および水を混合してコーティング液を準備する第１段階と、前段階で得たコーティング液を基板上に塗布した後、熱硬化させてメソポーラス薄膜を得る第２段階とを含む、低誘電性メソポーラス薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は薄膜トランジスタ及びその製造法に関する。
【解決手段】 薄膜トランジスタの半導体層にＳｉ_１−ＸＧｅ_Ｘを適用する。さらに水素を含むＳｉＮ膜を形成し、熱処理することにより、プロセス時間を短縮することができる。
【効果】 本発明の薄膜トランジスタは、半導体層にＧｅを含有するＳｉ膜を適用することによりの水素終端化の効率が向上する。これに水素を含むＳｉＮ膜を適用することにより、水素終端化のための熱処理プロセス時間を短縮でき、生産性が向上するため、低コストの薄膜トランジスタを提供できる。 （もっと読む）

【課題】７０ｎｍ以下の金属配線を有する次世代ＤＲＡＭで要求される容量、良好な漏れ電流特性を確保できるキャパシタ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ストレージ電極１５及びプレート電極１７間のキャパシタの誘電膜１６として、Ａｌ_２Ｏ_３／ＺｒＯ_２、ＺｒＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３、（ＺｒＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３）_ｎ（２≦ｎ≦１０）、（Ａｌ_２Ｏ_３／ＺｒＯ_２）_ｎ（２≦ｎ≦１０）、ＺｒＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３／ＺｒＯ_２の３重膜構造、窒化されたＺｒＯ_２薄膜の単一膜、窒化Ａｌ_２Ｏ_３薄膜と窒化されたＺｒＯ_２薄膜との２重膜、Ａｌ_２Ｏ_３薄膜と窒化されたＺｒＯ_２薄膜との２重膜、又は、ＺｒＯ_２薄膜、Ａｌ_２Ｏ_３薄膜及び窒化されたＺｒＯ_２薄膜の３重膜を採用し、また、バンドギャップエネルギーの大きいＺｒＯ_２（Ｅｇ＝７．８ｅＶ、ε＝２０〜２５）薄膜及び熱安定性に優れたＡｌ_２Ｏ_３（Ｅｇ＝８．７ｅＶ、ε＝９）薄膜からなる多重誘電膜構造を有する。 （もっと読む）

【課題】素子全体の機械的な強度の低下を防ぎ、配線を伝播する信号の遅延を低減する。
【解決手段】各配線層１００を構成する第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層がシリコン炭化窒化膜、シリコン炭化物及び／又はシリコン酸化物を含み、下層配線層の第２の絶縁層はシリコン酸化物を含み、上層配線層の第２の絶縁層はフッ素添加シリコン酸化物及び／又は炭素添加シリコン酸化物を含む。下層配線層の第２の絶縁層の比誘電率を、上層配線層の第２の絶縁層の比誘電率よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】素子全体の機械的な強度の低下を防ぎ、配線を伝播する信号の遅延を低減する。
【解決手段】各配線層１００を構成する第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層がシリコン炭化窒化膜、シリコン炭化物及び／又はシリコン酸化物を含み、下層配線層の第２の絶縁層はシリコン酸化物を含み、上層配線層の第２の絶縁層はフッ素添加シリコン酸化物及び／又は炭素添加シリコン酸化物を含む。下層配線層の第２の絶縁層の比誘電率を、上層配線層の第２の絶縁層の比誘電率よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】容量部のリークを防止することによって歩留まりを向上させ、基板製造工程における工程短縮化が実現できる電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】画素電極と該画素電極に対応して設けられたスイッチング素子とを有する素子基板と、該素子基板に対向配置される対向基板とを有する電気光学装置の製造方法であって、前記素子基板に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜上に、前記画素電極の電位を保持する容量部を形成する工程と、前記容量部を規定の形状にパターニングする工程と、前記容量部上に、第２の絶縁膜を形成する工程と、積層された前記容量部と前記第２の絶縁膜とを、所定量の酸素及び窒素を用いて焼成する焼成工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 他の部分にダメージを与えることなく優れた絶縁性が得られる絶縁膜及びその製造方法、並びに絶縁膜を備えた電子デバイスを提供する。
【解決手段】 基板１上に、蒸着法により、Ａｌ、Ｈｆ、Ｚｒ及びＳｉからなる群から選択された少なくとも１種の元素を含む酸化物又は窒化物からなる蒸着絶縁膜２を形成する。そして、この蒸着絶縁膜２に対して、６００℃以下の温度条件下で、大気中で熱処理、窒素中で熱処理、酸素中で熱処理、真空中で熱処理、水素プラズマ処理及び酸素プラズマ処理からなる群から選択された少なくとも１種の処理を施す。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が３．０以下と小さく、しかもリーク電流量の少ない非晶質シリカ系被膜を形成するための塗布液およびその調整方法に関する。
【解決手段】 （ａ）テトラアルキルオルソシリケート(TAOS)およびアルコキシシラン(AS)をテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド（TAAOH）および水の存在下で加水分解して得られるケイ素化合物、またはテトラアルキルオルソシリケート(TAOS)をテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド（TAAOH）および水の存在下で加水分解または部分加水分解した後、アルコキシシラン(AS)またはその加水分解物もしくは部分加水分解物と混合し、さらに必要に応じてこれらの一部または全部を加水分解して得られるケイ素化合物、（ｂ）有機溶媒、および（ｃ）水を含む液状組成物であり、しかも該液状組成物中に含まれる水の量が３０〜６０重量％の範囲にあることを特徴とする低誘電率非晶質シリカ系被膜形成用塗布液。 （もっと読む）