【課題】膜厚均一性に優れ且つ不純物拡散防止機能の高いシリコン窒化膜を形成する。
【解決手段】シリコン基板を窒素を含む雰囲気ガス中において第１の温度で熱処理し、続いて第１の温度より高い第２の温度で熱処理することにより前記シリコン基板上にシリコン窒化膜を形成する工程を有すること。 （もっと読む）

炭化珪素上に酸化膜層を形成する方法は酸化珪素層上に酸化膜層を熱的に成長させるステップと前記酸化膜層をＮＯを含む雰囲気中で１１７５℃より高い温度、最も好適には１３００℃でアニールするステップとを含む。酸化膜層は炭化珪素でコートされた炭化珪素管中でＮＯ雰囲気中でアニールしてもよい。酸化膜層を形成するためにはドライＯ₂中で炭化珪素上に初期酸化膜層を熱的に成長し、前記初期酸化膜層をウェットＯ₂中で再酸化してもよい。
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【課題】 処理室内に付着した膜の膜中不純物を容易に脱離することが可能で、膜中不純物脱離による悪影響を低減する。
【解決手段】 シリコン基板８を処理室１内に搬入する工程と、処理室１内に処理ガス（ＴＭＡ、Ｈ₂Ｏ）を供給してシリコン基板８上に膜を形成する工程と、処理室１よりシリコン基板８を搬出する工程と、シリコン基板８を搬出した処理室１内に、プラズマで活性化したガス（Ｏ₂）を供給することにより、処理室１内に付着した膜の膜中不純物を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 基板の材料によらず配向し緻密な強誘電体薄膜を生産性良く形成できる半導体記憶装置および絶縁体層の形成方法を提供すること。
【解決手段】 結晶性Ｂｉ_４Ｔｉ_３Ｏ_１２等からなる強誘電体粒子を分散させて強誘電体粒子分散液を作製する工程（Ｓ１１０）と、強誘電体粒子分散液を基板上にスピンコートし、焼成して板状粒子が堆積した強誘電体粒子堆積膜を形成する工程（Ｓ１２０）と、焼成により誘電体または強誘電体となりうる化合物を強誘電体粒子堆積膜上にスピンコートし、加熱して平坦化された強誘電体薄膜を形成する工程等（Ｓ１５０、Ｓ１６１またはＳ１６２）とを備え、強誘電体粒子間の隙間を充填する構成を有している。 （もっと読む）

【課題】 界面準位が低減された高品質な炭化珪素／絶縁膜界面を形成する方法を提供し、オン抵抗の低い炭化珪素半導体基板を用いた電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】 第１導電型の炭化珪素半導体基板と、炭化珪素半導体基板の一方の面に形成された第１導電型のドリフト層と、ドリフト層の一部に形成された第２導電型のウエル領域と、そのウエル層の一部に形成された第１導電型のソース領域と、ドリフト領域とソース領域の間に挟まれたウエル領域の表面とドリフト層の表面の一部とソース領域の表面の一部に形成されたゲート酸化膜と、該ゲート酸化膜上に形成されたゲート電極とを含み、前記ゲート酸化膜は、酸化ハフニュウムを含む第１層と、その第１層の上に酸化珪素が堆積されてなる第２層とを有する。 （もっと読む）

【課題】 機械的強度に優れ且つ低誘電率の層間絶縁膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】 プラズマＣＶＤ法を用いた層間絶縁膜の形成方法は、一般式：-Ｏ-Ｓｉ（Ｒ¹Ｒ²）-ＯＲ³ （但し、Ｒ¹ 及びＲ² は、同種又は異種であって、メチル基、エチル基、又はプロピル基であり、Ｒ³ は、Ｒ¹ 及びＲ² と同種又は異種であって、メチル基、エチル基、プロピル基、又はフェニル基である。）で表されるユニットを少なくとも３つ以上有するシリコン原子を一つ以上含む有機シロキサン化合物を原料として用る。 （もっと読む）

本発明は、一種以上のβ‐ジケチミナート配位子を含む金属含有化合物、およびそれを生成する方法と使用する方法を提供する。いくつかの実施形態では、金属含有化合物は非対称のβ‐ジケチミナート配位子を含むホモレプティックな錯体である。他の実施形態では、金属含有化合物は一種以上のβ‐ジケチミナート配位子を含むヘテロレプティックな錯体である。化合物は蒸着法を用いて金属含有層を堆積させるために利用できる。化合物を含む蒸着システムも提供される。β‐ジケチミナート配位子の源も提供される。 （もっと読む）

【課題】 より低誘電率で耐熱性のよいアモルファスカーボンの絶縁膜を形成する。
【解決手段】 絶縁膜形成装置３２において，処理容器５０内のプラズマ生成領域Ｒ１には，プラズマ生成用のガスとしてＡｒガスを供給し，基板Ｗ側の成膜領域Ｒ２には，原料ガスとして多重結合を有するブチンガスを供給する。基板Ｗにバイアス電圧を印加しない状態で，ラジアルラインスロットアンテナ６２から処理容器５０内にマイクロ波を供給する。こうすることにより，プラズマ生成領域Ｒ１にプラズマが生成され，当該プラズマにより成膜領域Ｒ２のブチンガスが活性化されて，基板Ｗ上にアモルファスカーボンの絶縁膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】 特性や信頼性に優れた絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 下地領域１０等上にシリコン酸化物を主成分として含む第１の絶縁膜１８を形成する工程と、第１の絶縁膜に水を付着させる工程と、水が付着した第１の絶縁膜上にシリコンを含有した重合体を含む重合体溶液層１９を形成する工程と、重合体溶液層からシリコン酸化物を主成分として含む第２の絶縁膜を生成する工程と、を備え、第２の絶縁膜を生成する工程は、重合体と第１の絶縁膜に付着した水との反応によってシリコン酸化物を生成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 移動度を向上させ、かつ、電流劣化が抑制された半導体装置およびその製造方法ならびに画像表示装置を提供する。
【解決手段】 薄膜トランジスタは、透明基板１０と、透明基板１０上に形成され、チャネル領域２１０とソース／ドレイン領域２１１Ｓ，２１１Ｄ，２２１Ｓ，２２１Ｄとを含む多結晶シリコン膜２０と、多結晶シリコン膜２０上に形成され、シリコン酸化膜を含むゲート絶縁膜３０と、ゲート絶縁膜３０上に形成されたゲート電極４０と、ゲート電極４０を覆うように形成され、ゲート絶縁膜３０におけるシリコン酸化膜よりも高い体積密度でＳｉ−Ｏ−Ｈ結合を有するシリコン酸化膜を含む層間絶縁膜５０と、層間絶縁膜５０上に形成された保護膜９０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ポリメタルゲート構造とデュアルゲート構造とを採用するＣＭＯＳ ＬＳＩにおいて、ゲート電極の一部を構成する高融点金属膜の酸化と、ゲート電極の他の一部を構成するｐ型多結晶シリコン膜中のホウ素の拡散とを共に抑制することのできるライト酸化処理技術を提供する。
【解決手段】水素ガスおよび酸素ガスと水素ガスとから触媒により合成された水蒸気を含む混合ガスを半導体ウエハ１Ａの主面に供給し、エッチングによって削られたゲート電極の端部下のゲート絶縁膜のプロファイルを改善する熱処理を、ゲート電極の一部を構成する高融点金属膜が実質的に酸化されず、かつゲート電極の他の一部を構成するｐ型多結晶シリコン膜中のホウ素がゲート酸化膜を通って基板に拡散しない低熱負荷条件下で行う。 （もっと読む）

ポーラスダイヤモンド微粒子膜は、高耐熱性低誘電率膜として知られ、また機械的強度や熱伝導性も高く、半導体集積回路素子の多層配線用絶縁膜として期待されているが、電流−電圧特性が不十分で実用化されていない。 本発明では、ポーラスダイヤモンド微粒子膜を炭酸塩・硫酸塩が不溶または溶解度が低いバリウム、カルシウム等の金属塩水溶液、及びヘキサメチルジシラザンやトリメチルモノクロロシランなどの疎水化剤、並びにジクロロテトラメチルジシロキサンないしジメトキシテトラメチルジシロキサンのどちらか一方を含む強化剤で処理することで、絶縁破壊電圧とリーク電流とを実用基準の規定範囲内とすることができる。
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【課題】 疎水性および機械的強度に優れ、光機能材料、電子機能材料などとして好適に使用できる多孔質フィルムを得る。
【解決手段】 Ｓｉ−Ｏ結合を含む多孔質フィルムに、（Ａ）−５０〜４５０℃の温度下および０．０５〜１５０Ｐａの圧力下、ハロゲン含有ガスを含まない雰囲気下でＡｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｎｅ、Ｈｅ、Ｏ_２、Ｏ_３、Ｈ_２、Ｎ_２、Ｈ_２Ｏ、Ｎ_２ＯおよびＮＨ_３の１種または２種以上を含むプラズマ雰囲気に曝露するプラズマ処理と、（Ｂ）有機ケイ素化合物を接触させる接触処理という２つの処理を施す。 （もっと読む）

本発明は概して、基板上に酸窒化膜を成膜する方法を供する。基板表面は、紫外（ＵＶ）放射線によって誘起される第１プロセスガスの分解によって生成される酸素ラジカルに曝露される。第１プロセスガスは表面上に酸化膜を形成する酸素を有する少なくとも１の分子組成物を有する。酸化膜は、プラズマによって誘起される第２プロセスガスの分解によって生成される窒素ラジカルに曝露される。第２プロセスガスは窒素を有する少なくとも１の分子組成物を有する。窒素は複数のスリットを有する平面アンテナ部を介するマイクロ波照射に基づくプラズマに用いられ、それによって酸化膜を窒化しかつ酸窒化膜が形成される。
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【課題】 シリコン基板上に、高速度デバイスに用いることが好ましいベース酸化膜を形成する基板処理方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板を、アンモニア、過酸化水素水を含む第１の洗浄液で洗浄し、当該洗浄後にＨＦを含む洗浄液で洗浄する第１の洗浄工程と、前記シリコン基板を、塩酸、過酸化水素水を含む第２の洗浄液で洗浄し、当該洗浄後にＨＦを含む洗浄液で洗浄する第２の洗浄工程と、前記第２の洗浄工程後の前記シリコン基板上に、シリコン酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、を有し、前記第２の洗浄工程は複数回繰り返し実施されることを特徴とする基板処理方法。 （もっと読む）

【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有するシリコーン系膜が形成可能な、しかも誘電率特性、膜強度に優れた組成物、絶縁膜、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）で表される化合物、その加水分解物またはそれらの縮合
物を含む組成物。
【化１】


式中、Ｒ¹は水素原子または置換基である。Ｒ²は水素原子、アルキル基、アリール基、アシル基、アリールカルボニル基、４級アンモニウム原子を有する基または金属原子である。ｍは６〜３０の整数を表す。 （もっと読む）

本発明は概して、基板上の高誘電率誘電体膜のための界面層を成膜する方法を供する。前記基板表面は、紫外（ＵＶ）放射線によって誘起される第１プロセスガスの分解によって生成される酸素ラジカルに曝露される。第１プロセスガスは表面上に酸化膜を形成する酸素を有する少なくとも１の分子組成物を有する。酸化膜は、プラズマによって誘起される第２プロセスガスの分解によって生成される窒素ラジカルに曝露される。第２プロセスガスは窒素を有する少なくとも１の分子組成物を有する。窒素は複数のスリットを有する平面アンテナ部を介するマイクロ波照射に基づくプラズマに用いられ、それによって酸化膜を窒化しかつ界面層が形成される。高誘電率誘電体層は前記界面層上に形成される。

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【課題】リーク電流を減少させ、かつ容量値を増加させることのできる薄膜キャパシタを提供する。
【解決手段】上部電極３および下部電極１は、ＴｉＮ，Ｔｉ，Ｗ，ＷＮ，Ｐｔ，Ｉｒ，Ｒｕの金属窒化物中から選ばれる少なくとも１つの材料から成り、容量絶縁膜２は、原子層成長（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：以下ＡＬＤという）法により形成したＺｒＯ2 、ＨｆＯ2 、（Ｚｒx ，Ｈｆ1-x ）Ｏ2 （０＜ｘ＜１）、（Ｚｒy ，Ｔｉ1-y ）Ｏ2 （０＜ｙ＜１）、（Ｈｆz ，Ｔｉ1-z ）Ｏ2 （０＜ｚ＜１）あるいは（Ｚｒk ，Ｔｉl ，Ｈｆm ）Ｏ2 （０＜ｋ，ｌ，ｍ＜１かつｋ＋ｌ＋ｍ＝１）の少なくとも１つから選ばれる材料から成る。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率、低屈折率、高機械的強度を有する疎水性多孔質膜及びその作製方法、この多孔質膜を作製するための多孔質膜の前駆体組成物及びその調製方法、並びにこの多孔質膜を利用した半導体装置の提供。
【解決手段】 式：Ｓｉ(ＯＲ^１)_４及びＲ_ａ(Ｓｉ)(ＯＲ^２)_４−ａ(式中、Ｒ^１は１価の有機基を表し、Ｒは水素原子、フッ素原子又は１価の有機基を表し、Ｒ^２は１価の有機基を表し、ａは１〜３の整数であり、Ｒ、Ｒ^１及びＲ^２は同一であっても異なっていてもよい)で示される化合物から選ばれた少なくとも１種の化合物と、２５０℃以上で熱分解を示す熱分解性有機化合物と、触媒作用をなす元素と、有機溶媒とからなる多孔質膜の前駆体組成物。この前駆体組成物の溶液を用いて疎水性化合物と気相重合反応せしめ、多孔質膜を作製する。この多孔質膜を用いた半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 炭化珪素基板を用いたＰチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタにおいて、高いチャネル移動度を得ることを目的とする。
【解決手段】 Ｎ型の炭化珪素からなる領域が形成された半導体基板と、該半導体基板のＮ型領域上に形成されたゲート酸化膜と、該ゲート酸化膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート酸化膜とゲート電極に隣接して配置されたトランジスタを構成するＰ型不純物領域からなるソースとドレイン領域を備えた半導体装置において、前記ゲート酸化膜中に１×１０^１９個ｃｍ^−３〜１×１０^２０個ｃｍ^−３の範囲の水素又は水酸基（ＯＨ）を含むことを特徴とする半導体装置及び同半導体装置を製造する方法において、Ｈ_２Ｏ（水）を含む雰囲気で熱酸化することによりゲート酸化膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）