【課題】ＳｉＯＣ系材料を用いた層間絶縁膜に埋込配線を設ける際、層間絶縁膜の誘電率をより低く抑えながらも、層間絶縁膜表面のウォーターマークの発生を防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、少なくとも最上層がＳｉＯＣ系材料からなる層間絶縁膜３を成膜し、層間絶縁膜３に溝パターン３ａを形成する。溝パターン３ａ内が埋め込まれるように層間絶縁膜３上に導電性材料膜７を成膜し、導電性材料膜７を表面側から研磨除去することにより溝パターン３ａ内のみに導電性材料膜７を残した埋込配線７ａを形成する。埋込配線７ａを形成した後、層間絶縁膜３にアルキル基を導入するための熱処理を行うことにより層間絶縁膜３を構成するＳｉＯＣ系材料を低誘電率化する。 （もっと読む）

【課題】実用的な処理プロセス速度や処理効果を得る事が可能な触媒化学処理装置および触媒化学処理方法の提供。
【解決手段】被処理基体に吸収される波長の光を放射する光源が、装置内または外に配設されてなる。触媒体に接地に対して正または負の電位を印加する事のできる電源が設けられている。加熱触媒体に反応ガスを接触させ、光源から放射される光を触媒体を経て基体表面に照射し、触媒体から発生するフリーラジカルを固体光化学的に励起されている状態の基体表面に供給し、表面処理する。触媒体に接地に対して正または負の電位を印加し、触媒体からの熱電子および光電子の放出を制御して基体表面を処理する。 （もっと読む）

【課題】
高誘電率で低いリーク電流密度の酸化物誘電体薄膜を備えた、酸化物誘電体素子
を提供すること。
【解決手段】
本発明の酸化物誘電体素子は、従来技術より低い酸素濃度雰囲気下で酸化物誘電体薄膜を形成するので、形成温度を低い温度にでき、酸化物誘電体薄膜が分極軸を上下方向に有する面方位で優先的に配向した結晶構造を有し、酸化物誘電体薄膜と電極材料との反応が無く、さらに酸化物誘電体薄膜の結晶粒の成長を制御するので、高い自発分極と小さい抗電界を有し、リーク電流密度も小さい。 （もっと読む）

【課題】ドナー基板からハンドル基板へ層を転写するシリコン・オン・インシュレータタイプのウェハ製造において、得られるドナー基板のリサイクル率を高める製造方法を提供する。
【解決手段】初期ドナー基板１に分割エリア７、絶縁層５を形成し、ハンドル基板９に転写した後、ドナー基板１を引き離すことで複合材料ウェハ１１を形成する製造方法において、ドナー基板１および／またはドナー基板１の残り１３にある酸素析出物および／または原子核を少なくとも部分的に低減するように、１２００℃〜１２５０℃の温度範囲の急速熱酸化を行う。 （もっと読む）

【課題】導電膜、半導体膜及び絶縁膜を有する半導体装置の製造方法において、絶縁膜の形成時に、簡易な方法で絶縁膜の膜密度を制御する。
【解決手段】
ゲート絶縁膜１０４を形成する工程は、ポリシランを含む液体材料を塗布する工程と、液体材料を塗布後、第１の熱処理を行う工程と、第１の熱処理の後、第２の熱処理を行う工程を備え、第１の熱処理は、窒素存在下で１５０℃〜２５０℃の温度で行う。また、層間絶縁膜１０６を形成する場合には、第１の熱処理は、窒素存在下で１００℃〜２００℃の温度で行う。 （もっと読む）

【課題】実効膜厚が極めて薄いゲート絶縁膜を有するとともにゲート絶縁膜に起因する不具合の発生がなく、従来に比べてより一層の微細化が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半導体基板１１の上にシリコン酸化膜１２を形成する。また、表面が（１１１）の第２の半導体基板の上にシリコン窒化膜１４を形成し、表面を水素で終端処理する。シリコン酸化膜１２とシリコン窒化膜１４とが接触するように第１及び第２の半導体基板を重ね合わせ、熱処理を施して、シリコン酸化膜１２とシリコン窒化膜１４とを結合させる。その後、第２の半導体基板を除去する。次いで、シリコン窒化膜１４上に高誘電体材料のシリケート膜１５及び高誘電体材料膜１６を形成して、ゲート絶縁膜１７を完成する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率で均一な塗膜性に優れる絶縁膜を形成可能な組成物を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される化合物及び／またはその加水分解物及び／またはそれらの縮合物と有機溶剤を含む膜形成用組成物であって、該化合物及び／またはその加水分解物及び／またはそれらの縮合物が粒径２ｎｍから１５ｎｍの粒子状物である。


（Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄は水素原子または任意の置換基を表す。Ｘ₁は炭素原子またはケイ素原子を表す。Ｌ₁は２価の連結基を表す。Ｒ₁、Ｒ₂のうち少なくとも１つは加水分解性基を表す。ｍは０または１を表し、ｍが０の場合ｎは３〜５の整数を表し、ｍが１の場合ｎは２〜３の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】金属酸化物膜或いは金属珪酸化物膜をゲート絶縁膜に用いた半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】金属酸化物膜３をゲート絶縁膜の少なくとも一部に用いた半導体装置であって、半導体基板１と金属酸化物膜との間に、金属、シリコン及び酸素を含む絶縁膜６が形成され、金属、シリコン及び酸素を含む絶縁膜にフッ素又は窒素の少なくとも一方が含まれている。 （もっと読む）

【課題】
層間絶縁膜に用いる低誘電率膜の機械的強度を増加する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、（ａ）複数の半導体素子を形成した半導体基板上方に下層絶縁膜を塗布する工程と、（ｂ）前記下層絶縁膜を処理して機械的強度を増加させる工程と、（ｃ）前記下層絶縁膜上方に、上層絶縁膜を塗布する工程と、（ｄ）前記上層絶縁膜中に配線パターン、前記下層絶縁膜中にビア導電体を有する埋め込み配線を形成する工程と、を含む。機械的強度を増加させる処理は、紫外線照射、水素プラズマ処理を含む。 （もっと読む）

【課題】高キャパシタンスの高周波薄膜キャパシタを提供することにある。
【解決手段】窒化シリコンバリア層１２をガリウム砒素基板１１上に堆積させて、後の加熱工程における基板の蒸発を防止する。二酸化シリコン応力緩和層１４を上記バリア層上に堆積させる。密着層１８と第２層２０とを含む第１電極１６を応力緩和層上に形成する。実質的に無水のアルコキシカルボキシレート液状先駆体を準備し、使用直前に溶媒交換工程を行った後に、先駆体を第1電極上にスピンオンし、４００℃で乾燥し、６００℃〜８５０℃でアニールしてＢＳＴキャパシタ強誘電体２２を形成する。第２電極２４を強誘電体上に堆積させ、アニールする。 （もっと読む）

【課題】高静電容量、低損失正接、および許容できる静電容量対温度特性を有する薄膜コンデンサ。
【解決手段】高誘電率（誘電定数）の、薄膜ＣＳＤチタン酸ベース誘電体組成物であって、チタンがジルコニウム、スズまたはハフニウムによって部分的に置換された組成物を提供すること。組成物は、Ｘ７Ｒ要求条件をより良く満足させる温度の関数としての静電容量を示す。 （もっと読む）

【課題】 銅イオンの拡散を防止する絶縁膜及びこの絶縁膜を用いた多層配線構造の提供。
【解決手段】 疎水性多孔質シリカからなる絶縁膜上に銅電極を設けて、絶縁膜の電界強度が１ＭＶ／ｃｍとなるように電圧を印加した場合に、前記絶縁膜が、１０年を超える絶縁破壊寿命を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】原材料をあらかじめ選択的に基板上に供給することにより、使用する原材料の量を削減し、且つ、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を省いて製造工程の簡略化を図る。
【解決手段】液状原料を液滴１０２として所定の方向に複数回吐出、飛翔させて選択的に基板１０１上に塗布し液体パターン１０３を形成する工程と、その液体パターン１０３を固化して薄膜パターン１０４に形成する工程と、薄膜パターン１０４にレーザを照射して結晶化膜１０６に形成する工程とから成る、シリコン系半導体膜及び酸化シリコン系絶縁体膜等を形成する薄膜形成方法。リソグラフィ工程及びエッチング工程の省略による製造工程の簡略化と使用材料の量の削減とを図る。 （もっと読む）

【課題】特性の良好な絶縁膜を提供し、半導体装置の特性を向上させる。
【解決手段】半導体装置（例えば、ＴＦＴ）の製造において、基板１００上に例えば層間絶縁膜となる、ポリシラザン（−（ＳｉＨ₂ＮＨ）−）塗布膜を形成し、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナーの火炎を熱源とした熱処理を施し、ポリシラザン塗布膜を焼成するとともに、ポリシラザン転化ＳｉＯ₂の改質を行う。かかる熱処理によれば、火炎中もしくは火炎の周囲の酸素ラジカル（Ｏ^*）、水素ラジカル（Ｈ^*）および水酸基ラジカル（ＯＨ^*）等により、転化反応が促進され、未転化部（残存Ｓｉ−Ｎ等）が低減し、ポリシラザン転化ＳｉＯ₂の膜質が向上する。 （もっと読む）

【課題】 Ｈｉｇｈ−Ｋ材料を含有し、金属酸化物と同等の比誘電率を有するゲート絶縁膜を具備したＭＩＳ型電界効果トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 シリコン基板上と、前記シリコン基板上に形成され、窒素および酸素の少なくとも一種と、シリコンとを含有する界面絶縁膜、および、前記界面絶縁膜上に設けられ、ジルコニウムおよびハフニウムの少なくとも１種のみからなる金属原子を含む金属酸窒化膜を含むゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記金属酸窒化膜と前記ゲート電極との間に設けられ、前記ゲート電極の材料と、酸素および窒素の少なくとも一種と含有する上部界面膜とを具備するＭＩＳ型電界効果トランジスタを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

誘電体膜を硬化させる多段階システム及び方法。当該システムは、前記誘電体膜中の、たとえば水分のような汚染物の量を減少させるように備えられた乾燥システムを有する。当該システムはさらに、前記誘電体膜を硬化させるために、前記乾燥システムと結合し、かつ紫外(UV)放射線及び赤外(IR)放射線によって前記誘電体膜を処理するように備えられた硬化システムを有する。
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【課題】金属化合物材料からなるゲート絶縁膜の高誘電率化と酸素欠損の低減とを両立させる技術を提供する。
【解決手段】シリコン基板１の表面に酸化シリコン膜を堆積した後、酸化シリコン膜上にＡＬＤ法によってＨｆ−Ａｌ−Ｎ膜を堆積する。次に、９００℃〜１０００℃の非酸化性雰囲気中でシリコン基板１を急速アニールすることによって、緻密で誘電率の高いＨｆ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ膜からなるゲート絶縁膜７を形成し、続いて酸素ラジカル雰囲気中でシリコン基板１を熱酸化処理することによって、ゲート絶縁膜７中の酸素欠損を低減する。 （もっと読む）

【課題】プレメタル誘電体を含む半導体構造および半導体構造にプレメタル誘電体を堆積形成する方法を実現する。
【解決手段】本発明は、各構成要素２、３、４、９、１１を表面に有する基板１を有し、上記各構成要素２、３、４、９、１１は、少なくとも一つのギャップを形成するように互いに離間されており、上記ギャップは、層の有利な組み合わせにより充填され、上記組み合わせが、少なくともスピンオン形成用の誘電体１４の層を含み、さらに、他の絶縁層が配置、または、リンがドープされたシリケートガラスの層１６が配置されているプレメタル誘電体を含む半導体構造に関する。上記の各層の組み合わせの使用により、上記ギャップの充填において、ボイド１７の発生の抑制または防止できて、上記半導体構造では、化学的および／または機械的および／または電子的に有利な各特性が得られる。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子などに層間絶縁膜として用いられる低比誘電率のシリカ系被膜に損傷を与えずに研磨するための化学的機械的平坦化方法を提供する。
【解決手段】 加水分解性基を置換基として有するシラン化合物（Ａ）を塩基性化合物の存在下で縮合させたシロキサン樹脂と、第２又は第３級アルコールと、を含有してなる被膜形成用組成物を塗設して得られたシリカ系皮膜を層間絶縁膜として用いた半導体集積回路を、重合体粒子にシリコン化合物(Ｂ)が結着した複合粒子を含む研磨液で研磨することを特徴とする化学的機械的平坦化方法。 （もっと読む）

【課題】安価で特性に優れる半導体装置を製造可能な半導体装置の製造方法、かかる半導体装置の製造方法により製造された半導体装置、およびかかる半導体装置を備える信頼性の高いアクティブマトリクス装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】第１のＴＦＴ２０は、下地膜７０と、下地膜７０上に設けられ、半導体層２３と、半導体層２３を覆うように設けられたゲート絶縁膜３７と、ゲート絶縁膜３７を介して設けられたゲート電極２１とを有し、さらに、第１層間絶縁膜５１および第２層間絶縁膜５２が積層されている。下地膜７０は、Ｓｉ、ＮおよびＯを主たる構成元素とする材料で構成され、下面近傍におけるＮ／Ｏ比Ａが、上面近傍におけるＮ／Ｏ比Ｂより大きい膜である。この下地膜７０は、シラザン構造を有するポリマーを主材料として構成される被膜を形成し、その後、この被膜に対して、オゾンを含む雰囲気中で熱処理を施すことにより形成されている。 （もっと読む）