【課題】トランジスタとしての移動度が高く、ゲート絶縁膜の界面準位密度が低い薄膜トランジスタ基板を低コストで製造することができる薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、基板上にシリコン半導体膜を形成する工程と、酸化ケイ素からなるゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート電極を形成する工程とをその順で有するトップゲート型の薄膜トランジスタ基板の製造方法であって、前記ゲート電極の形成工程後に、３００℃未満の高圧水蒸気処理工程を設ける。この高圧水蒸気処理工程を、１００℃を超え３００℃未満の温度と１気圧を超え飽和蒸気圧以下の圧力とからなる雰囲気下で行うこと、又は、１５０℃〜２００℃の温度と飽和蒸気圧とからなる雰囲気下で行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】セラミックス膜の表面モフォロジを改善することができる、セラミックス膜の製造方法を提供する。このセラミックス膜の製造方法により得られたセラミックス膜を提供する。このセラミックス膜が適用された半導体装置および圧電素子を提供する。
【解決手段】セラミックス膜の製造方法は、原材料体２０を結晶化することにより、セラミックス膜３０を形成する工程を含み、原材料体２０は、種類が異なる原料を混在した状態で含み、種類が異なる原料同士は、原料の結晶化における結晶成長条件および結晶成長機構の少なくとも一方が相互に異なる関係にある。 （もっと読む）

【課題】基板上の微細なトレンチおよびギャップにシリコンおよび窒素含有膜を堆積する方法を提供する。
【解決手段】基板を収容する堆積チャンバ内にシリコンを含有する前駆体を導入することを含み、シリコンを含有する前駆体は少なくとも２つのシリコン原子を含む。さらに、堆積チャンバの外側に位置する遠隔プラズマシステムを用いて少なくとも１つのラジカル窒素前駆体を生成する。さらに、堆積チャンバにラジカル窒素前駆体を導入することを含み、ラジカル窒素およびシリコン含有前駆体は反応して基板上にシリコンおよび窒素含有膜を堆積する。さらに、蒸気環境内でシリコンおよび窒素含有膜をアニーリングしてシリコン酸化膜を形成することを含み、蒸気環境は水および酸蒸気を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、セラミックス膜の表面モフォロジを改善することができる、セラミックス膜の製造方法を提供することにある。
【解決手段】セラミックス膜の製造方法は、第１の原料液と、第２の原料液とを含むセラミックスの原料液を結晶化することにより、セラミックス膜を形成する工程を含む。前記第１の原料液と前記第２の原料液とは、種類が異なる関係にあり、前記第１の原料液は、強誘電体を生成するための原料液であり、前記第２の原料液は、ＡＢＯ系などの酸化物を生成するための原料液であり、前記第１の原料液が含む溶媒と第２の原料液が含む溶媒とは、極性の異なる関係にあり、前記第１の原料液と前記第２の原料液が相分離した状態で成膜することにより、前記セラミックス膜の平面方向において、前記第１の原料液からなる第１の結晶が断続して形成され、前記第２の原料液からなる第２の結晶が前記第１の結晶相互間に介在するように形成される。 （もっと読む）

【課題】紫外線キュアの効率を向上させ、キュア済みの低誘電率膜の膜特性を改善する。
【解決手段】低誘電率材料を半導体処理中に処理チャンバ内でキュアする方法が与えられる。該低誘電率材料は紫外線が照射されてキュアされる。処理チャンバ内の雰囲気は、紫外線の照射中、２５から１００００ppmの酸素濃度を有する。酸素は、低誘電率材料中の-Si-H基及び-Si-OH基の形成を制限し、それにより、低誘電率材料中の吸湿及び酸化が減少する。 （もっと読む）

【課題】ハイドロジェンシロキサン系ポリマーを使用して、無機質基材上の凹凸、段差を平坦化でき、クラック、ピンホールがなく、シラノール基等を実質的に含有していないセラミック状酸化ケイ素系被膜を形成する方法、かかる被膜を有する無機質基材の製造方法、かかる被膜に変換可能な被膜形成剤および半導体装置を提供する。
【解決手段】無機質基材にオルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーを被覆し不活性ガス又は酸素ガス含有不活性ガス（酸素ガスは２０体積％未満である）中で高温加熱して、該被膜をセラミック状酸化ケイ素系被膜に変換することによる、セラミック状酸化ケイ素系被膜の形成方法、該被膜を有する無機質基材の製造方法。オルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマー又はその溶液からなるセラミック状酸化ケイ素系被膜形成剤。無機質基板の酸化ケイ素系被膜上に少なくとも半導体層が形成されている半導体装置。 （もっと読む）

基板上に酸化ケイ素層を堆積させる方法は、堆積チャンバに基板を提供することを含む。第１ケイ素含有前駆体、第２ケイ素含有前駆体及びＮＨ_３プラズマが反応して酸化ケイ素層を形成する。第１ケイ素含有前駆体は、Ｓｉ−Ｈ結合及びＳｉ−Ｓｉ結合の少なくとも１つを含む。第２ケイ素含有前駆体は、少なくとも１つのＳｉ−Ｎ結合を含む。堆積された酸化ケイ素層はアニールされる。 （もっと読む）

【課題】 窒素導入量を低減させることなく、絶縁膜へのダメージの導入を抑制し、かつ絶縁膜と半導体基板との界面における窒素濃度の増大を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）半導体基板の表面上に、シリコンと酸素とを含む絶縁膜を形成する。（ｂ）前記絶縁膜を活性窒素雰囲気に晒し、該絶縁膜に、その表面側から窒素を導入する。（ｃ）前記工程（ｂ）の後、酸素原子含有ガス中で熱処理を行う。（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記工程（ｂ）と工程（ｃ）とを、この順番に少なくとも１回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上のＭＯＳＦＥＴにおいて、非常に薄い厚みを有し、膜質の高い均一性を有し、より高い誘電率を有する誘電体膜を堆積する装置を提供する。
【解決手段】反応性スパッタリング装置であって、ウエハー２２が配置されるウエハーホルダ１１と、ウエハーホルダ１１の回転軸から外れた上方に傾斜して設けられたターゲット１２と、ウエハーホルダ１１の下方に該ウエハーホルダ１１を挟んでそれぞれ設けられたガス導入部１７と排気ポート１６とを設ける。 （もっと読む）

【課題】半導体素デバイスなどにおける低誘電率層間絶縁膜として使用するのに適した絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】２つ以上の不飽和基を置換基として有するカゴ型シルセスキオキサン化合物を重合させた高分子化合物を含有する塗膜を基板上に形成した後、酸素雰囲気中で２５０〜３５０℃で焼成し、さらに水酸基と結合可能な架橋性化合物を含む媒体で処理することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板に形成したトレンチに埋め込む塗布型酸化膜の膜質の改善を図る。
【解決手段】シリコン基板１にシリコン酸化膜４、多結晶シリコン膜５、シリコン窒化膜６を積層形成し、フォトリソグラフィ処理でトレンチ１ａを形成する。トレンチ１ａ内にＰＳＺ塗布液を塗布してＰＳＺ膜２ｂを形成し、水蒸気酸化処理を行う。この後、洗浄装置７の温水８中で超音波（ＵＳ）を印加しながら温水処理を行う。この後、再び水蒸気酸化処理を行う。温水処理で超音波を印加することでシリコン酸化膜２ａを形成するので、酸化の促進とクラックの発生を防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板上の塗布膜の内部まで酸化させて、基板に均一な塗布膜を形成する。
【解決手段】ウェハにポリシラザンを含む塗布液を塗布して塗布膜を形成した後（ステップＳ１）、ウェハを加熱し塗布膜中の溶剤の一部を蒸発させる（ステップＳ２）。その後、ウェハに紫外線を照射し、塗布膜中のＳｉ−Ｎの分子結合及びＳｉ−Ｈの分子結合を切断する（ステップＳ３）。その後、ウェハを加熱しながら水蒸気中で塗布膜を酸化させる（ステップＳ４）。その後、ウェハを焼成し、塗布膜を脱水縮合させて、ウェハ上に所望の塗布膜を形成する（ステップＳ５）。 （もっと読む）

【課題】実用化が可能である程度の期間データを保持することのできる半導体強誘電体記憶デバイスの製造方法を提供できるようにすること。
【解決手段】ソース領域とドレイン領域を有する半導体基板または半導体領域上に、ハフニウム・アルミニウム酸化物を主成分とする絶縁体バッファ層、強誘電体膜およびゲート電極がこの順に積層されているトランジスタを有する半導体強誘電体記憶デバイスの製造方法であって、半導体表面処理、絶縁体バッファ層形成、強誘電体膜形成、ゲート電極形成および熱処理工程を含み、前記絶縁体バッファ層形成を、窒素と酸素のモル比が1:1〜1:10^-7の混合ガスの雰囲気中にて行うことを特徴とする半導体強誘電体記憶デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】良好な強誘電体膜を形成する。
【解決手段】本発明の強誘電体メモリの製造方法は、基板上方にイリジウム膜３３１を形成する工程と、イリジウム膜３３１上に酸化イリジウム層３３４を形成する工程と、酸化イリジウム層３３４を非晶質のイリジウム層３３６とする工程と、非晶質のイリジウム層３３６を酸化して、酸化イリジウム部３３７とする酸化工程と、酸化イリジウム部３３７上にＭＯＣＶＤ法で強誘電体膜を形成する工程と、強誘電体膜上に電極を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ハイブリッド埋め込みプロセスを用いて、分離性能の高い素子分離構造を得る。
【解決手段】トランジスタ間を分離する素子分離構造１３を有する半導体装置１の製造方法であって、素子分離構造１３を形成する工程は、基板Ｗに形成された溝部１５の底部に第１の絶縁部３２を埋め込む工程と、第１の絶縁部３２の上に第２の絶縁部３４を埋め込む工程を有し、溝部１５の底部に第１の絶縁部３２を埋め込む工程は、第１の絶縁部３２の材料３１を基板Ｗの表面に成膜する工程と、溝部１５の上部から第１の絶縁部３２の材料３１を除去する工程と、溝部１５の上部において、溝部１５の内壁に付着していた第１の絶縁部３２の材料３１の残留層３２ａを除去する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】基板上にシリコンを含む低誘電率膜を塗布法により形成するにあたり、簡便な方法により低誘電率膜中に気孔を形成すること。
【解決手段】低誘電率膜の前駆体であるシリコンを含む化合物の塗布液中に、負電荷を持ち、かつ浮力がほぼゼロの極めて小さな気泡であるナノバブルを導入し、この塗布液を基板上に塗布した後に、基板を加熱して低誘電率膜を形成する。このナノバブルが負電荷を持っているので、凝集しにくく、溶液中に均一に分散し、また基板の加熱後にも気泡として低誘電率膜中に取り込まれるため、均一で小さな気孔を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】実用化が可能である程度の期間データを保持することのできる半導体強誘電体記憶デバイスの製造方法を提供できるようにすること。
【解決手段】ソース領域とドレイン領域を有する半導体基板または半導体領域上に、ハフニウム酸化物を主成分とする絶縁体バッファ層、強誘電体膜およびゲート電極がこの順に積層されているトランジスタを有する半導体強誘電体記憶デバイスの製造方法であって、半導体表面処理、絶縁体バッファ層形成、強誘電体膜形成、ゲート電極形成および熱処理工程を含み、前記絶縁体バッファ層形成を、窒素と酸素のモル比が1:1〜1:10^-7の混合ガスの雰囲気中にて行うことを特徴とする半導体強誘電体記憶デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜としての使用に耐え得るような高品位の酸化膜を窒化物半導体の上に作成する。
【解決手段】本発明による酸化膜形成方法は、ＳｉＯｘ粉末を原料として用いる真空蒸発により、窒化物半導体部材の上にＳｉＯｘ膜を堆積する工程と、堆積された前記ＳｉＯｘ膜を、酸化雰囲気で紫外線を照射しながら加熱することによって酸化する工程と備えている。原料のＳｉＯｘ粉末は、下記特性を有している：（１）フーリエ変換赤外分光分析（ＦＴＩＲ：Fourier Transform Infrared Spectroscopy）によって得られた赤外吸収スペクトルにおいて、８８０ｃｍ^−１にピークが現れる。（２）ラマン分光分析によって得られたラマンスペクトルにおいて、４５０〜５５０ｃｍ^−１にピークが現れない。（３）Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ：X-ray photoelectron spectroscopy）によって得られたＸＰＳスペクトルにおいて、ＳｉＯ_２のＳｉ−Ｏ結合に対応するピーク（約１０３ｅＶ）とＳｉの２ｐ軌道のＳｉ−Ｓｉ結合のピーク（約９９ｅＶ）とが現れ、且つ、Ｓｉ−Ｓｉ結合のピークの高さが、Ｓｉ−Ｏ結合のピークの高さの０．６倍以上である。 （もっと読む）

【課題】ＤＲＡＭを構成するキャパシタ素子の絶縁体材料として用いるに際し、比誘電率やリーク耐圧を容易に変更でき、十分に高い比誘電率およびリーク耐圧を有し、なおかつ容易に製造な可能な絶縁体膜を提供する。
【解決手段】上部電極９９と下部電極９７との間に挟まれた絶縁体層を備えたキャパシタ素子６９の前記絶縁体層として用いられる絶縁体膜９８であって、ランタノイド元素、Ｈｆ、Ｙの中の少なくとも１種類の元素が添加された二酸化チタンからなる絶縁体膜９８とする。 （もっと読む）

【課題】 不揮発性メモリデバイスの漏れ電流を維持するか又は減少させつつ、デバイス寸法の減少を可能にする電子デバイス及び電子デバイスを形成する方法の提供。
【解決手段】 一実施形態において、不揮発性メモリデバイスを製造する方法は、基板上にフローティングゲート多結晶層を堆積させるステップと、フローティングゲート多結晶層上に酸化シリコン層を形成するステップと、酸化シリコン層上に第一酸窒化シリコン層を堆積させるステップと、第一酸窒化シリコン層上に高ｋ誘電物質を堆積させるステップと、高ｋ誘電物質上に第二酸窒化シリコンを堆積させるステップと、第二酸窒化シリコン層上に制御ゲート多結晶層を形成するステップとを含む。一実施形態において、高ｋ誘電物質層は、酸窒化シリコンハフニウムを含む。 （もっと読む）