【課題】
強誘電特性が良好で、絶縁性の良い強誘電体材料及びそれを用いた強誘電体素子を提供す
る。
【解決手段】本発明ではペロブスカイト結晶構造を有する金属酸化物よりなる強誘電体材料であって、前記金属酸化物は、鉄がマンガンで置換された鉄酸ビスマスと、銅酸化物および／またはニッケル酸化物を含有し、前記鉄酸ビスマスのマンガンの置換量は、鉄およびマンガンの合計量に対して０．５ａｔ．％以上２０ａｔ．％以下であり、かつ銅酸化物および／またはニッケル酸化物の添加量が、鉄がマンガンで置換された鉄酸ビスマスに対して０．５モル％以上２０モル％以下である強誘電体材料及びそれを用いた強誘電体素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ−ＭｎＯｘをバリア膜に用いても歩留りの低下を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｎ層以上の銅、又は銅合金配線４、８を有し、これらＮ層の銅、又は銅合金配線４、８のバリア膜としてＣＶＤ−ＭｎＯｘ膜を使用する半導体装置の製造方法であって、第１層乃至第Ｎ−１層のＣＶＤ−ＭｎＯｘ膜３は、セルフリミットがかかる前に成膜を完了させ、第Ｎ層のＣＶＤ−ＭｎＯｘ膜７は、セルフリミットがかかるように成膜する。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバ内の処理空間に対して給排気を行うための給排気構造を有する基板処理装置において、処理チャンバから漏洩するＸ線を効果的に減衰させる。
【解決手段】壁面側での孔形成禁止範囲以外にアルゴンガス供給孔２７を形成して漏洩Ｘ線Ｘ２の経路上にチャンバ壁２６が位置し、また壁面対向面側での孔形成禁止範囲以外に供給孔８３２を形成して漏洩Ｘ線Ｘ１の経路上に供給カバー８３１の壁面が位置するように、アルゴンガス供給孔２７および供給孔８３２が配置されている。したがって、処理空間２１内で発生したＸ線は必ず供給カバー壁および／またはチャンバ壁２６を透過し、処理チャンバ２から漏洩するＸ線を効果的に減衰させることができる。 （もっと読む）

【課題】従来の強誘電体薄膜と同程度の比誘電率を有し、かつ、低いリーク電流密度が得られる、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴ、ＰＺＴ及びＰＴからなる群より選ばれた１種の強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｃｅを含む複合金属酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、各原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合となるように、有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低温での成膜が可能であり、表面平坦性、凹部埋めこみ性、ステップカバレッジに優れ、成膜速度にも優れるシリコン酸化膜の形成工程を有する半導体デバイスの製造方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室５２内にシリコン原子を含む第１の原料ガスを供給し、ウエハ２００上に数原子層のアモルファスシリコン膜を形成する工程と、第１の原料ガスの供給を停止し、第１の原料ガスを処理室５２内から排出する工程と、処理室５２内に酸素原子を含む第２の原料ガスを供給し、ウエハ１上に形成されたアモルファスシリコン膜と反応させてシリコン酸化膜を形成する工程と、第２の原料ガスの供給を停止し、処理室５２内から第２の原料ガスを排出する工程と、を繰り返して各基板上に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【目的】層間絶縁膜内の電荷による電界への影響を緩和して、素子のリーク電流の減少と耐圧の向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜をＳｉＨ₄とＮ₂Ｏから形成される堆積酸化膜２ａとＴＥＯＳとＯ₂から形成されるＴＥＯＳ酸化膜２ｂとの二層の複合膜とすることで、ＴＥＯＳ酸化膜２ｂ中の電荷５による電界への影響を堆積酸化膜２ａで緩和できて、素子のリーク電流が低減され、耐圧が向上する。その結果、良品率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】予め定めた形状にパターニングされた導電層の上下に配置されている絶縁層のそれぞれにコンタクトホールを形成し、これらコンタクトホールを介して互いに異なる層として形成された２つの導電層を互いに電気的に接続する場合であっても、導電不良が生じ難い多層膜の形成方法及び表示パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に成膜された第１導電層４０上に第１絶縁層２０を成膜し、前記第１絶縁層２０上に第２導電層４１を成膜し、前記成膜した第２導電層４１をパターニングし、パターニングされた前記第２導電層４１を覆うように前記基板２上に第２絶縁層２５を成膜し、前記第２絶縁層２５上に該第２絶縁層２５よりもエッチング速度が速い第３絶縁層２６を成膜し、前記第１絶縁層２０、前記第２絶縁層２５及び前記第３絶縁層２６に対して前記第１導電層４０の少なくとも一部を露出させるコンタクトホールを一括形成する。 （もっと読む）

【解決手段】
複雑なメタライゼーションシステムの形成の間、全体的な伝導性に否定的な影響を与えることなしにエレクトロマイグレーション性能を高めるために、伝導性キャップ層（１２２Ｃ）が銅含有金属領域（１２２Ａ）上に形成されてよい。その一方で熱化学的処理が実行されてよく、その結果、敏感な誘電体材質（１２１）の優れた表面状態をもたらすことができる他、敏感なＵＬＫ材質の材質特性の大きなばらつきを従来的にはもたらすことがある炭素減損を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の高集積化と供に、メモリ装置のキパシタで容量値の確保のために、酸素欠損のない高誘電率膜を形成する装置の製造方法を提供する。
【解決手段】誘電体膜を形成する工程と、酸化性ガスを供給して誘電体膜に対して酸化処理を行う工程を複数回、断続的に繰り返す熱処理工程と、を有する誘電体膜を備えた半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性に優れ、誘電率、硬度等の諸特性に優れ、誘電率の経時変化が小さく、半導体素子デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した多孔質膜、およびその多孔質膜を製造する組成物を提供する。
【解決手段】多孔質膜は、加熱、光照射、放射線照射またはそれらの組み合わせにより、その一部が脱離して揮発性成分を生じる官能基を有する化合物（Ｘ）を用いて形成され、空孔分布曲線における最大ピークを示す空孔直径が５ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体素デバイスなどにおける層間絶縁膜用の材料として使用するのに適し、硬膜時における膜減りが小さく、かつ誘電率に優れた膜を製造することができる化合物、およびその化合物を含む組成物、さらにはその組成物より得られる膜を提供。
【解決手段】化合物は、ジエノフィル構造を有する化合物（Ａ）と、環状もしくは直鎖状のいずれかで表される共役ジエン構造を有する化合物（Ｂ）とのディールス・アルダー反応により形成され、加熱、光照射、放射線照射またはそれらの組み合わせにより逆ディールス・アルダー反応を介して前記共役ジエン構造を有する化合物（Ｂ）を放出する化合物である。 （もっと読む）

プラズマ反応処理を用いたフルオロカーボン層の形成方法は、マイクロ波出力及びRFバイアスを印加する工程を有する。前記マイクロ波出力及びRFバイアスは、20mTorr〜60mTorrの範囲の圧力下で印加される。
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【課題】 銅配線を備えた半導体装置において、高歩留り又は高信頼性を実現する。
【解決手段】半導体装置は、基板１００上に形成された空孔率が低い低空孔率領域である絶縁膜１０５と低空孔率領域よりも空孔率が高い高空孔率領域１０７とを有し、絶縁膜１０５における配線溝１０５ｂに形成された銅配線１０９ｂとを備える。絶縁膜１０５は、配線溝１０５ｂの下部に形成されており、絶縁膜１０７は、配線溝１０５ｂの側壁の周辺部に形成されている。 （もっと読む）

【課題】簡易に、動作中におけるＯＮ抵抗の経時変化を低減する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】例えば、第２絶縁膜（層間絶縁膜３０）が形成された半導体基板１０をアニール炉に入れ６００℃以上のアニール処理を施した後、酸素ガスが含まれるガス雰囲気下で前記半導体基板を前記アニール炉から取り出す半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】相異なる膜質領域を有する層間絶縁膜において、膜界面における膜剥れや隣接配線間リークの発生を抑制する。
【解決手段】単層構造の層間絶縁膜である第３の絶縁膜１０７は複数の空孔１２０を有している。第３の絶縁膜１０７における単位体積当たりの空孔占有率は膜厚方向に変化している。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の結晶欠陥の発生を抑えつつ、シリコン酸化膜の膜質を向上させることが可能なシリコン酸化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】スピンコーティング法により、過水素化シラザン重合体溶液を半導体基板１０１の表面上に塗布し、塗布された過水素化シラザン重合体溶液中の溶媒を加熱処理で揮発させることにより、半導体基板表面上の過水素化シラザン重合体をポリシラザン膜に変化させ、酸素（Ｏ_２）を含む雰囲気中において、ＵＶランプ１にＵＶ光を発光させることにより、雰囲気中にオゾン（Ｏ_３）を発生させ、遮蔽板４によってポリシラザン膜をＵＶランプ１の熱で硬化させないようにした状態で、ポリシラザン膜の表面を発生したオゾンにより酸化し、ポリシラザン膜を水蒸気酸化することにより、ポリシラザン膜中の不純物を除去し、ポリシラザン膜をアニールすることにより、ポリシラザン膜をシリコン酸化膜に変化させる。 （もっと読む）

【課題】パターンの高さおよび間隔に応じた最適な膜厚で層間絶縁膜を形成することにより、製造工程数を増加させることなく層間絶縁膜の平坦度を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１上に形成された所定形状のパターン２におけるパターン間隔Ｓとパターン高さｈの縦横比Ｋ＝Ｓ／ｈに応じて、基板１上に形成すべき層間絶縁膜３の最適膜厚Ｔを算出し、パターン２を覆うように最適膜厚Ｔで層間絶縁膜３を基板１上に形成する層間絶縁膜形成工程と、基板１上の層間絶縁膜３を熱処理してリフロー平坦化する平坦化工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】配線材料の拡散を抑えながら、金属配線の微細化を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上に層間絶縁膜を形成する工程（ａ）と、層間絶縁膜に配線を形成する工程（ｂ）と、配線の上面及び層間絶縁膜の上面に有機溶液を塗布する工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後に、配線の上面及び層間絶縁膜の上面にシリル化溶液を塗布する工程（ｄ）と、工程（ｄ）の後に、基板を加熱する工程（ｅ）と、少なくとも配線の上面上に第１のライナー絶縁膜を形成する工程（ｆ）とを備えている。 （もっと読む）

半導体デバイスの製造方法は、絶縁性層をアニーリングする工程と、金属元素を含んだ障壁層を前記絶縁性層上に形成する工程とを含んでいる。前記絶縁性層は、フッ化炭素（ＣＦｘ）膜を含んでいる。前記障壁層は、前記アニーリング工程後に、高温スパッタリングプロセスによって形成される。
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【課題】酸素を含む化合物半導体を活性層とする薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、基板１０上に形成されたゲート電極１２と、ゲート絶縁膜１３によりゲート電極１２と絶縁され、ゲート電極１２を覆うようにゲート絶縁膜１３上に形成された、酸素を含む化合物半導体からなる活性層１４と、活性層１４の上部に形成された保護層１５と、活性層１４と接触するソース電極１６ａ及びドレイン電極１６ｂと、を備え、保護層１５が、チタン酸化物（ＴｉＯｘ）またはチタン酸窒化物（ＴｉＯｘＮｙ）で形成される。 （もっと読む）