【課題】空孔を含む絶縁膜を用いる半導体装置及びその製造方法において、配線間耐圧を向上すると共に配線間容量を低減する。
【解決手段】半導体装置２００の製造方法は、基板上に、単一層からなり且つ空孔形成材料２０２を含む絶縁膜２０３を形成する工程（ａ）と、絶縁膜２０３の表面部である第１領域２１０には空孔を形成することなく、絶縁膜２０３における第１領域２１０よりも下方の第２領域には空孔形成材料２０２の除去により空孔２０４を形成する工程（ｂ）と、絶縁膜２０３に少なくとも１つの配線溝２１１を形成する工程（ｃ）と、配線溝２１１を埋め込むように導電膜２１５を形成する工程（ｄ）と、配線溝２１１からはみ出た余剰部分の導電膜２１５を除去することにより配線２０７を形成する工程（ｅ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】新規なＳｉ含有膜形成材料、殊にＰＥＣＶＤ装置に適したアルキルシラン化合物を含んでなるＳｉ含有膜形成材料を提供する。
【解決手段】少なくとも一つのシクロプロピル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シラン化合物（具体的例示：２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン）を含有するＳｉ含有膜形成材料を用いてＰＥＣＶＤ法によりＳｉ含有膜を製造し、それを半導体デバイスの絶縁膜として使用する。 （もっと読む）

【課題】温度変化に起因したパッシベーションクラックを適切に防止することができる半導体装置の提供。
【解決手段】本発明による半導体装置１は、絶縁膜１１と、絶縁膜１１上に形成されるバリア層１６と、バリア層１６上に配されるアルミ配線１２と、アルミ配線１２の上部に設けられるキャップメタル１８又は防腐処理部２１と、アルミ配線１２の側部に設けられるサイドウォール１７と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、低い誘電率を有する機械強度に優れた電気絶縁膜を作製するためのプレカーサーとして有用なスピロ型シクロトリシロキサン誘導体を提供することにある。
【解決手段】一般式（１）
【化１】


（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数が１乃至３のアルキル基を表す。但し、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は同時に水素原子ではない。また破線を伴う実線は単結合又は二重結合を表す。）で表されるシクロトリシロキサン化合物を用いて形成させた膜は、所望の低い誘電率を有し、機械強度に優れた電気絶縁膜となる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素により、酸化物半導体層に含まれる水素や水分（水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、酸化物半導体層より排除し、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。ハロゲン元素は酸化物半導体層と接して設けられるゲート絶縁層及び／又は絶縁層に含ませて形成することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって酸化物半導体層に付着させてもよい。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜を備えた半導体装置において、膜剥がれの発生及びリークパスの形成を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、複数の空孔を含む層間絶縁膜１６を備えている。層間絶縁膜１６は、単層構造の膜である。層間絶縁膜１６における、下面領域に含まれる空孔の空孔径及び上面領域に含まれる空孔の空孔径は、上面領域と下面領域との間に介在する中央領域に含まれる空孔の空孔径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】シラン酸化物前駆体の化学気相成長によって基材上に比較的低温で酸化ケイ素膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】以下の式によって表されるアミノシラン前駆体を使用することを含む、酸化剤との反応によるシラン酸化物前駆体の化学気相成長によって基材上に酸化ケイ素膜を形成するための方法：ＲＲ１ＮＳｉＨ３（式Ａ）ＲＮ（ＳｉＨ３）２（式Ｂ）ＳｉＨ３ＲＮ（Ｒ２）ＮＲ１ＳｉＨ３（式Ｃ）式中、Ｒ及びＲ１は、直鎖、分枝又は環状の飽和又は不飽和のＣ２〜Ｃ１０のアルキル基、芳香族、アルキルアミノ基からなる群より選択され；式Ａ及び式Ｃ中において、ＲとＲ１は、環状基（ＣＨ２）ｎになっていてもよく（ｎは１〜６、好ましくは４及び５）、且つＲ２は、一重結合、（ＣＨ２）ｎ鎖、環、ＳｉＲ２又はＳｉＨ２を表す。 （もっと読む）

【課題】配線からのＣｕの拡散を防止する。
【解決手段】例えば、ＵＤＣ拡散バリア膜２２、ポーラスシリカ膜２３、ＵＤＣミドルストッパ膜２４、ポーラスシリカ膜２５およびＵＤＣ拡散バリア膜２６の積層構造にビア溝２７ａと配線溝２７ｂを形成したときに、内部に露出するＵＤＣ拡散バリア膜２２、ＵＤＣミドルストッパ膜２４、ＵＤＣ拡散バリア膜２６の表面に対し、水素プラズマを照射する。これにより、各ＳｉＣ膜の露出表面をＳｉリッチにする。そして、プラズマ照射後のビア溝２７ａと配線溝２７ｂにＴａ膜２８を形成し、Ｃｕで埋め込む。Ｔａ膜２８と接触することとなるＳｉＣ膜の表面をあらかじめＳｉリッチな状態にしておくことにより、Ｔａ膜２８をＣｕの突き抜けが抑えられるような結晶構造に制御することが可能になる。これにより、配線からのＣｕの拡散を防止することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜としての性能を損なうことなく、スピンオングラスを用いた簡便な方法でメタル下絶縁膜や素子分離用絶縁膜として利用可能な絶縁膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】第一の工程としてオルガノアルコキシシランの加水分解縮合物を含む塗布液を基板上に塗布して塗布基板を得る工程と、第二の工程として前記塗布基板を７００℃以上９００℃以下の温度で水素を含む気体中で加熱して前記塗布膜を焼成して絶縁膜を形成する焼成工程とを順に含む。 （もっと読む）

【課題】透明性、耐光性、耐熱性、密着性、及びパターニング性に優れ、かつ、少ない工程数で製造しうる発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、支持基板２と、支持基板２の上方に形成された半導体層４〜６と、半導体層の上面に形成された電極層７と、電極層７の一部が露出するように形成された、半導体層４〜６を保護するための保護層８と、保護層８の表面に形成され、電極７を電気的に連結する配線９を含む。保護層８は（Ａ）一般式：（Ｒ¹）_PＳｉ（Ｘ）_4-P［一般式（１）中、Ｒ¹は炭素数が１〜１２である非加水分解性の有機基、Ｘは加水分解性基、およびｐは０〜３の整数である。］で示される加水分解性シラン化合物、その加水分解物、およびその縮合物からなる群から選択される少なくとも一つの化合物を含有する組成物の硬化物である。 （もっと読む）

ポリシラン−ポリシラザン共重合体は、式（Ｉ）のポリシラン単位、及び式（ＩＩ）のポリシラザン単位を含有し、式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立してＨ、Ｓｉ、及びＮ原子から選択され、Ｒ^３はＨ、Ｓｉ、又はＣ原子から選択され、ａ≧１であり、ｂ≧１であり、（ａ＋ｂ）≧２である。ポリシラン−ポリシラザン共重合体は、溶媒を含む組成物に製剤することができる。ポリシラン−ポリシラザン共重合体は、ＰＭＤ及びＳＴＩ用途において１００ｎｍ以下の幅及び少なくとも６のアスペクト比を有する溝を充填するために用いることができる。ポリシラン−ポリシラザン共重合体は、１分子当たり２個以上のケイ素原子を有するペルクロロポリシランの第１級アミンでのアミノ化により調製することができる。

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【課題】冷却効率に優れ、安定的に絶縁膜を所望の特性に改質できる、冷却機構を有する紫外線照射装置を備えた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置は、紫外線発光部１０１と、紫外線発光部１０１との間に空間１０３が形成されるように、紫外線発光部１０１を覆うように配置された外套管１０２とを備える。外套管１０２は、冷却媒体が空間１０３の内部に流入する冷媒流入口１０４と、冷却媒体が空間１０３の外部に流出する冷媒流出口１０５とを有し、冷媒流出口１０５近傍における外套管１０２の内壁の上部高さは、冷媒流入口１０５近傍における外套管１０２の内壁の上部高さよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高い薄膜トランジスタをスイッチング素子として用いて信頼性の高い表示装置を作製することを課題の一つとする。
【解決手段】非晶質の酸化物半導体を用いたボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層と金属材料で形成されるソース電極層及びドレイン電極層のそれぞれの間には、結晶領域を有する酸化物導電層が形成されている。これにより、酸化物半導体層とソース電極層及びドレイン電極層間の接触抵抗を低減することができ、電気特性が良好な薄膜トランジスタ及び、それを用いた信頼性の高い表示装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】常圧下で窒化源を用いたＩＩＩ−Ｖ族半導体薄膜の結晶成長を行う窒化物薄膜成膜装置において、ガスの流量を維持しつつ、成膜されるシリコン窒化膜の膜厚を均一にすることができる窒化物薄膜成膜装置を提供する
【解決手段】基板１０の表面に、常圧下において窒化源を用いてＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体薄膜を成膜するためのシランガスとアンモニアガスとを含むガスを供給源としてシリコン窒化膜を成膜する窒化物薄膜成膜装置１００であって、基板が載置されるサセプタ１２ａと、サセプタを下面から加熱するヒータ１３と、サセプタの上面の前記ヒータによる均熱領域内に、基板の上流側に設けた基板の上面より高さが高い石英製のリング（障壁部材）１１とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタの酸化物半導体層を覆う絶縁層にボロン元素またはアルミニウム元素を含ませる。ボロン元素またはアルミニウム元素を含む絶縁層は、ボロン元素またはアルミニウム元素を含むシリコンターゲットまたは酸化シリコンターゲットを用いるスパッタ法により形成する。また、ボロン元素に代えてアンチモン元素（Ｓｂ）やリン元素（Ｐ）を含む絶縁層で薄膜トランジスタの酸化物半導体層を覆う構成とする。 （もっと読む）

【課題】 シリコン表面とシリコン化合物層とが露出した被処理体に対して、選択的にシリコンを高い窒化レートと高い窒素ドーズ量でプラズマ窒化処理する方法を提供する。
【解決手段】 選択的プラズマ窒化処理は、処理圧力を６６．７Ｐａ以上６６７Ｐａ以下の範囲内に設定し、載置台２の電極４２に高周波電源４４から被処理体の面積当り０．１Ｗ／ｃｍ^２以上１．２Ｗ／ｃｍ^２以下の高周波電力を供給して行う。この高周波電力によってウエハＷへバイアス電圧が印加され、高いＳｉ／ＳｉＯ_２選択比が得られる。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕとの密着性を良好とすることが可能な金属酸化膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】 下地上に有機金属化合物を含むガスを供給し、下地上に金属酸化膜を成膜する金属酸化膜の成膜方法であって、下地上に有機金属化合物を供給して下地上に金属酸化膜を成膜し（工程２）、かつ、金属酸化膜の成膜プロセスの最後に、金属酸化膜を酸素含有ガス又は酸素含有プラズマに曝す（工程４）。 （もっと読む）

【課題】パターニングされた段階化キャップ層の表面上に配される少なくとも１つのパターニングされ且つ硬化されたｌｏｗ−ｋ物質を含む配線構造を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの硬化され且つパターニングされたｌｏｗ−ｋ物質およびパターニングされた段階化キャップ層は、その中に組み込まれる導電的充填領域を各々有する。パターニングされ且つ硬化されたｌｏｗ−ｋ物質は、１つ以上の酸感受性イメージング可能基を有する機能性ポリマー、コポリマー、あるいは少なくとも２種の任意の組み合わせのポリマー類もしくはコポリマー類またはその両方を含むブレンドの硬化生成物であり、段階化キャップ層はバリア領域として機能する下部領域および恒久的な反射防止膜の反射防止特性を有する上部領域を含む。 （もっと読む）

【課題】サブミクロン素子におけるギャップ充填層、プリメタル誘電体層、インターメタル誘電体層、浅いトレンチ分離誘電体層等として使用するための低誘電率を有する酸化珪素層を均一に堆積するための方法と装置とを提供する。
【解決手段】約４００℃未満の基板温度での有機珪素化合物とヒドロキシル形成化合物との反応によって低比誘電体率を有する酸化珪素層を堆積する。これらの低誘電率薄膜は、残留炭素を含んでおり、サブミクロン素子におけるギャップ充填層、プリメタル誘電体層、インターメタル誘電体層および浅いトレンチ分離誘電体層のために有用である。堆積に先立って水あるいは有機化合物からヒドロキシル化合物を調製することができる。酸化珪素層は、約３．０未満の誘電率を有するギャップ充填層を与えるために有機珪素化合物から生成されたライナー層の上に約４０℃未満の基板温度で堆積されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ハイブリッド誘電体を有する拡張型バック・エンド・オブ・ライン（ＢＥＯＬ）相互接続構造を提供すること。
【解決手段】ビア・レベルでの層間誘電体（ＩＬＤ）は、ライン・レベルでのＩＬＤとは異なることが好ましい。好ましい実施形態では、ビア・レベルのＩＬＤを低ｋ ＳｉＣＯＨ材料で形成し、ライン・レベルのＩＬＤを低ｋポリマー熱硬化性材料で形成する。 （もっと読む）