【課題】ポーラスＬｏｗ−ｋ膜の信頼性を向上させる。
【解決手段】ポーラスＬｏｗ−ｋ膜からなる第２ファイン層の層間絶縁膜ＩＬ２内の空孔１０および空孔１１の平均径を１．０ｎｍ以上１．４５ｎｍ未満とすることで、プロセスダメージによって層間絶縁膜ＩＬ２の表面に変質層ＣＬが形成されることを防ぐ。また、水分を含む変質層ＣＬの形成を抑えることで、各配線を構成するバリア膜および主導体膜の酸化を防ぎ、各配線間の耐圧の劣化を防ぐ。これにより、層間絶縁膜ＩＬ２に隣接して形成される配線のＥＭ寿命および前記配線の線間ＴＤＤＢ寿命の劣化を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】ポーラスＬｏｗ−ｋ膜の信頼性を向上させる。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法によって層間絶縁膜ＩＬ２を形成する際にＣＶＤ装置内に供給するポロジェンの流量を、ポロジェンおよびメチルジエトキシシランの合計の流量の３０％以上６０％以下とすることで、層間絶縁膜ＩＬ２内に形成される空孔１０の大きさを小さくし、プロセスダメージによって層間絶縁膜ＩＬ２の表面に変質層ＣＬが形成されることを防ぐ。また、水分を含む変質層ＣＬの形成を抑えることで、各配線を構成するバリア膜および主導体膜の酸化を防ぎ、各配線間の耐圧の劣化を防ぐ。これにより、層間絶縁膜ＩＬ２に隣接して形成される配線のＥＭ寿命および前記配線の線間ＴＤＤＢ寿命の劣化を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】信頼性および再現性が優れるとともに、歩留まりが高く生産性が優れた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にゲート電極を形成する工程と、ゲート電極を覆って基板上に第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第２の絶縁膜を形成して、第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜からなる積層体を得る工程と、積層体の第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜をパターニングして、それぞれゲート絶縁層、活性層およびチャネル保護層を形成する工程と、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程とを有する。第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜は、大気に曝されることなく連続して形成される。 （もっと読む）

【課題】バイアスパワーを印加して成膜した窒化珪素膜から離脱する水素を適正に制御する半導体素子の窒化珪素膜、窒化珪素膜の製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理により基板１９上に形成され、半導体素子に用いる窒化珪素膜において、当該窒化珪素膜が、水素の供給を遮断したい膜４１と接する場合、当該窒化珪素膜を、基板１９にバイアスを印加して形成したバイアス窒化珪素膜３１と基板１９にバイアスを印加しないで形成したアンバイアス窒化珪素膜３２とを積層して構成すると共に、アンバイアス窒化珪素膜３２を膜４１に接する側に配置する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率、低エッチングレート、高絶縁性の特性を備える絶縁膜を形成する。
【解決手段】基板を収容した処理容器内にＣＶＤ反応が生じる条件下で所定元素含有ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に炭素含有ガスを供給することで、所定元素含有層の上に炭素含有層を形成して所定元素および炭素を含む層を形成する工程と、処理容器内に窒素含有ガスを供給することで、所定元素および炭素を含む層を窒化して炭窒化層を形成する工程と、を１セットとしてこのセットを所定回数行うことで所定厚さの炭窒化層を形成する工程と、処理容器内に酸素含有ガスを供給することで、所定厚さの炭窒化層を酸化して酸炭窒化層を形成する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことで、基板上に所定膜厚の酸炭窒化膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】所定の圧力及び所定の温度に加圧された部屋に配置した基板に形成されている物質（特に、薄膜）の間隙率を求める装置及び非破壊方法に関する。
【解決手段】ガス物質（例えば、トルエン蒸気）が部屋１に導入され、所定時間後、部屋に配置した基板２に形成されている薄膜の間隙率が、少なくとも偏光解析測定によって求められる。特に、偏光解析器６から得られる光学的特性は、薄膜の間隙（ポア）に凝縮されたガス物質の量を求めるために利用される。その量は、薄膜の間隙率を計算するために利用される。 （もっと読む）

【課題】有機シロキサン系絶縁膜を用いて電気的特性に優れた半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】下層配線の上にこの順で形成された第１〜第３の絶縁膜をドライエッチングして該下層配線に至る開口部を形成し、該開口部の内面と該第３の絶縁膜の上にバリアメタル膜を形成し、該バリアメタル膜の上に該開口部を埋める導電層を形成し、該第３の絶縁膜上の該導電層と該バリアメタル膜、及び該第２、第３の絶縁膜の一部を除去し該下層配線に電気的に接続する上層配線を形成し、露出した該第２の絶縁膜と該導電層の表面を還元性プラズマ処理し、
該第２の絶縁膜は下記式で表されるアルキルアルコキシシランと非酸化性ガスとを用い、５００Ｐａ以下でプラズマＣＶＤ法により形成する
ＲｗＳｉｘＯｙ（ＯＲ´）ｚ
Ｒ及びＲ´はＣＨ_３、ｗｘｚは正の整数、ｙは０または正の整数、（ｗ／ｘ）＝２である。 （もっと読む）

【課題】銅ダマシン配線上への誘電体層の形成において、導電材料と誘電体層間の密着性を向上する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】オルガノシロキサンからなる第２誘電体層１１８に、ＴａＮからなる金属バリア層１２４とＣｕからなる導電性金属特徴部１２６を形成する。平坦化後アンモニアプラズマ処理還元により表面の酸化物を除去する。連続して真空を破壊せずに、トリメチルシランからなる有機ケイ素化合物を導入し、プラズマプロセスによりＳｉＣＮ膜１３０を形成し、さらに連続してＳｉＣ膜１３２を堆積する。酸化物の除去から誘電体層の形成までインサイチュで行うことが可能である。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜への付着性が高く、低誘電率膜中への銅の拡散を効果的に防止できるバリア膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 成膜方法は、成膜装置１００の処理容器１内に、絶縁膜が設けられたウエハＷを配置する工程と、処理容器１内にＴＥＯＳなどのシリコン原子を含む化合物のガスと水蒸気などのＯＨ基供与性ガスを供給し、絶縁膜の表面にＳｉ−ＯＨ基を形成させる表面改質工程と、処理容器１内にマンガン含有材料を含む成膜ガスを供給し、ＣＶＤ法によりＳｉ−ＯＨ基が形成された絶縁膜の表面にマンガン含有膜を成膜する成膜工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 膜ストレス低減を図った無機ＳＯＧ膜を有した半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体基板１上に形成された下層配線３と、前記下層配線３上及び下層配線３間に形成され、不純物がイオン注入されることで圧縮応力を示す無機ＳＯＧ膜５ａと、前記無機ＳＯＧ膜５ａを含む層間絶縁膜７に形成されたコンタクトホールを介して前記下層配線に接続する上層配線とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素半導体装置のチャネル移動度の向上を図る。
【解決手段】ゲート酸化膜形成工程の降温時に、ウェット雰囲気を維持したまま、終端・脱離温度（６５０〜８５０℃）以下まで降温させる。これにより、ゲート酸化膜とチャネル領域を構成するｐ型ベース層の界面のダングリングボンドをＨもしくはＯＨの元素で終端させることが可能となる。このため、高いチャネル移動度の反転型ラテラルＭＯＳＦＥＴとすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】加水分解や酸化に対する耐性が高く、かつ、低誘電率な炭窒化珪素（ＳｉＣＮ）膜を提供する。
【解決手段】珪素、炭素、水素を含有する前躯体分子からなる第１のガスと、窒素を含有する第２のガスとからなる原料ガスを用いてプラズマＣＶＤ法によって成膜された炭窒化珪素膜であって、前記炭窒化珪素膜を構成する窒素原子でＳｉ−Ｎ−Ｓｉ結合として存在している窒素原子の量が、前記炭窒化珪素膜中の全窒素原子の量の７％以上であることを特徴とする炭窒化珪素膜。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の広幅の配線におけるディッシングの抑制と、抵抗の抑制と、を両立させる。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板１と、半導体基板１上に形成された配線層絶縁膜９と、を有している。配線層絶縁膜９には、第１配線用配線溝１１と、第１配線用配線溝１１よりも広幅の第２配線用配線溝１２と、が形成されている。第１配線用配線溝１１内には第１配線２１が、第２配線用配線溝１２内には第２配線２２が、それぞれ形成されている。第２配線用配線溝１２の底面の少なくとも一部分は、絶縁膜（例えば、絶縁膜４及びエッチングストッパー膜５）によって、第２配線用配線溝１２の上端に達しない高さで第１配線用配線溝１１の底面よりもかさ上げされた、かさ上げ部１５となっている。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低くかつ金属との密着性に優れた絶縁層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板（シリコン基板）と、基板上に設けられており、炭素−炭素結合を有し、かつ炭素原子数とシリコン原子数との比（Ｃ／Ｓｉ）が２以上である、多孔質ＳｉＯＣＨ膜１２ｂと、多孔質ＳｉＯＣＨ膜１２ｂに設けられた凹部と、凹部を埋め込むように設けられた金属膜（Ｃｕ膜２２ｂ）と、Ｃｕ膜２２ｂと接しており、凹部内の多孔質ＳｉＯＣＨ膜１２ｂの表面に設けられた、改質層３１ｂと、を備え、改質層３１ｂは、多孔質ＳｉＯＣＨ膜１２ｂの内部と比較して、Ｃ／Ｓｉ比が小さく、かつＯ／Ｓｉ比が同等である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の性能向上と信頼性向上を両立することができる半導体装置用絶縁膜の製造方法、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕ配線２１上に形成する半導体装置用絶縁膜として、プラズマにより解離したアルキルボラジン化合物中のボラジン骨格系分子を基本単位として気相重合した第１の膜２３、第２の膜２４を形成する際、配線２１に接する第１の膜２３の膜中炭素量を９％以上、かつ、３５％以下とすると共に、第１の膜２３及び第２の膜２４全体の実効誘電率を４．０以下とする。 （もっと読む）

【課題】比誘電率を低く維持したままで、リーク電流特性および面内均一性が良好な銅拡散バリア性を有する層間絶縁膜を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜の成膜方法であって、基板上に珪素とＣＨ_３を含む公知化合物である絶縁膜材料と、窒素を含有するガスとを用いてプラズマＣＶＤ法によって層間絶縁膜を成膜することを特徴とする層間絶縁膜の成膜方法を提供する。また、層間絶縁膜の成膜方法であって、基板上に珪素とＣＨ_３を含む公知化合物である絶縁膜材料を用いてプラズマＣＶＤ法によって層間絶縁膜を成膜した後、加熱雰囲気において窒素を含有するガスを基板に供給することを特徴とする層間絶縁膜の成膜方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の比誘電率を容易かつ十分に低下させる。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、それぞれ環状ＳｉＯ構造を主骨格とし互いに構造が異なる２種類以上の有機シロキサン化合物原料を混合した後で気化する。又は、それら２種類以上の有機シロキサン化合物原料の混合と気化とを一度に行うことによって、気化ガスを生成する。そして、その気化ガスをキャリアガスとともに反応炉に輸送する。そして、反応炉にてその気化ガスを用いたプラズマＣＶＤ法又はプラズマ重合法によって多孔質絶縁膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】トレンチ内に確実に絶縁膜を残すことができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】トレンチ内にゲート電極を形成した後、一部にリフロー性の絶縁膜を含む絶縁膜を形成して平坦化する。その後、ＣＭＰ法により平坦化した表面を研磨し、トレンチ内に絶縁膜を充填する。その際、フィールド酸化膜の表面も研磨する。 （もっと読む）

【課題】横方向延伸を減少し、素子サイズを小さくすることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に延伸し、ＳＴＩ領域を間に有する第１および第２のフィンを形成する。ＳＴＩ領域の上面と第１および第２のフィンの上面の間の寸法を第１の高さとし、ＳＴＩ領域の第１と第２のフィンとの間の間隙内に誘電材料を堆積し、ＳＴＩ領域の上面上に上面を有して、誘電材料の上面と第１および第２のフィンの上面との寸法を第２の高さとし、第２の高さは、第１の高さより低くなるように誘電材料を堆積した後、第１および第２のフィン上でそれぞれ誘電体の上方に、第１および第２のフィン延伸をエピタキシャル成長で形成する。 （もっと読む）

【課題】耐圧の異なるトランジスタが同一半導体基板上に混載されている場合においても、それらのトランジスタの性能が向上するようにストレスライナ膜を構成することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に混載された低耐圧トランジスタおよび高耐圧トランジスタ上に形成するストレスライナ膜１１、１２は、互いに膜質を異ならせることができる。ここで、ストレスライナ膜１１は、低耐圧トランジスタの性能が効果的に改善され、高耐圧トランジスタの性能があまり改善されないように膜質を設定することができる。また、ストレスライナ膜１１は、高耐圧トランジスタの性能が効果的に改善され、低耐圧トランジスタの性能があまり改善されないように膜質を設定することができる。 （もっと読む）