【課題】生産効率や半導体装置の製造設計の自由度の向上が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ５を備える半導体装置の製造方法であって、第１主面５ａに導通部材６が形成された半導体チップを準備する工程と、放射線を透過する支持体４上に、放射線硬化型粘着剤層３と第１の熱硬化型樹脂層１とがこの順で積層された支持構造１０を準備する工程と、第１の熱硬化型樹脂層と半導体チップの第１主面とは反対側の第２主面５ｂとが対向するように第１の熱硬化型樹脂層上に複数の半導体チップを配置する工程と、複数の半導体チップを覆うように第２の熱硬化型樹脂層２を第１の熱硬化型樹脂層上に積層する工程と、支持体側より放射線を照射して放射線硬化型粘着剤層を硬化させることにより、放射線硬化型粘着剤層と第１の熱硬化型樹脂層との間で剥離を行う工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】
本発明が解決しようとする課題は、回路基板が薄くとも、パッケージ反りを抑制することができる半導体パッケージの製造方法を提供すること。
【解決手段】
（Ａ層）耐熱フィルム層、（Ｂ層）封止層用樹脂組成物層、（Ｃ層）回路基板層を含有する特定の半導体パッケージ前駆体を熱硬化し、Ａ層を剥離することにより、本発明を完成するに至った。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接合材料を微細ピッチで供給し電気的な接続が可能な電子部材を提供することを目的とする。
【解決手段】回路基板に設けられた一つ以上の接続端子に対して、電子部材に設けられた一つ以上の電極が接合層を介して電気的に接合され、前記接合層は焼結銀を主体として構成され、前記接合層と接していない電極表面の全面あるいは一部が酸化銀の粗化層であり、当該酸化銀の粗化層の厚さは４００ｎｍ以上５μｍ以下であり、前記酸化銀の層の最表面は１μｍより小さい曲率半径となっていることを特徴とする電子部品。 （もっと読む）

【課題】半導体装置が有する半導体素子と封止樹脂との界面に形成される隙間を分散する技術を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子１０と、前記半導体素子１０の電極形成面の反対面及び側面を覆う封止樹脂１２と、を備え、前記半導体素子１０の電極形成面の外周部分に前記封止樹脂１２が入り込む導入路と導入路より深い溝が形成され、封止樹脂１２に荷重をかけることにより樹脂導入路と溝に入り込み、隙間が部分的に集中することを抑制する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子とテープ基材との間のすき間に対して、未充填や気泡等の不具合を生じさせることなく適切に充填剤を充填させることができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置１００は、テープ基材１０２と、配線パターン１０４と、配線パターン１０４と電気的に接続された半導体素子１０８と、テープ基材１０２の表面を覆い、且つ半導体素子１０８との対向領域に表面側開口部１０６ａを有する表面側絶縁保護膜１０６と、テープ基材１０２の裏面を覆い、且つ表面側開口部１０６ａの裏側となる部分に裏面側開口部１１２ａを有する裏面側絶縁保護膜１１２とを備える。表面側絶縁保護膜１０６は、前記対向領域よりも外側に突出している突出開口部１０６ｂを有する。裏面側開口部１１２ａは、テープ基材１０２の表面における半導体素子１０８との対向領域の１．００〜８．５０倍の大きさを有する。 （もっと読む）

【課題】複数プレス部に搬入されるワークにコンパクトな装置構成で効率よくしかも製品に応じた仕様でワークに液状樹脂を供給できる液状樹脂供給装置を提供する。
【解決手段】シリンジ１９に充填された液状樹脂５をワークＷに吐出して供給するディスペンスユニット１８に交換用の複数のシリンジ１９を保持したシリンジ供給部１７が回転可能に設けられ、ディスペンスユニット１８はシリンジ供給部１７から交換用のシリンジ１９を受け取って液材吐出位置Ｊに保持されたワークＷに液状樹脂５を所定量吐出して供給する。 （もっと読む）

【課題】金属製のリードフレームを用いない基板レス半導体パッケージの製造方法（例えばWLPの製造方法等）に使用されるチップ仮固定用の粘着テープであって、樹脂封止工程中チップが移動しないように保持して、指定の位置からのずれが小さく、且つ、粘着剤層への埋りこみによるスタンドオフが小さく、且つ、使用後に軽剥離可能な半導体装置製造用耐熱性粘着テープを提供する。
【解決手段】金属製のリードフレームを用いない基板レス半導体チップ１を樹脂封止する際に、貼着して使用される半導体装置製造用耐熱性粘着テープ２であって、ガラス転移温度が１８０℃を超える基材３層の片面、または、両面に、１８０℃での弾性率が１．０×１０^５Ｐａ以上の粘着剤層を設けてなることを特徴とする半導体装置製造用耐熱性粘着テープ。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＦ方式あるいはＳＯＦ方式で組み立てられ、ボイドや未充填などの問題の無い液状封止樹脂組成物および半導体装置を提供する。
【解決手段】耐熱性フィルム基板上の回路とその回路上に搭載される半導体素子との接続部が２個以上存在する半導体装置の接続部の封止に用いられる液状封止樹脂組成物であって、２５℃における粘度が０．５以上２．５Ｐａ・ｓ以下であり、２５℃から１５０℃へ昇温速度１０℃／分で加熱したときの重量減少率が２．５％以下であり、且つ予め６０〜１２０℃に加温した透明ヒーター４の上へ半導体装置の耐熱性フィルム基板３側を下にして乗せ、接続部２に対して液状封止樹脂組成物５を供給すると同時に、透明ヒーター４の下部より耐熱性フィルム基板３越しに接続部２全体を観測する外観評価を実施したとき、接続部２が液状封止樹脂組成物５で全て満たされるまでの間、ボイドや未充填が発生しない液状封止樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のサイズによらずに気泡の混入確率が低減されたモジュールの製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明のモジュールの製造方法は、絶縁層の一の面に導体のパターンが形成された配線板と、導体上にバンプを介してフェイスダウンで実装された機能素子とを備え、配線板の機能素子が実装された位置の、機能素子の投影面よりも小さく、かつ、バンプが導体に接合された部位よりも内側の領域に、絶縁層の厚さ方向に沿って開口部が形成されており、機能素子及び配線板間の隙間と、開口部とが封止樹脂によって封止されているモジュールの製造方法であって、配線板の導体上に、バンプを介して機能素子を実装する実装工程と；機能素子及び配線板間の隙間と、開口部とを、封止樹脂によって封止する樹脂封止工程と；を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】加熱圧着により半導体チップの外部接続端子をフィルム基板の配線にボンディングする工程（Ａ）と、半導体チップ及びフィルム基板のボンディング部分の周りを樹脂封止する工程（Ｂ）とを含む半導体装置の製造方法であって、製造効率良く低コストに製造でき、かつ封止樹脂中のボイド発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】フィルム基板２０の半導体チップ１０と対向する部分を半導体チップ１０のボンディング側と反対側から吸着した状態で、ボンディング工程（Ａ）を実施し、半導体チップ１０及びフィルム基板２０の温度が降温し、フィルム基板２０の熱膨張がない状態で、樹脂封止工程（Ｂ）を実施する。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＦ方式又はＳＯＦ方式で組み立てられた半導体装置に対する液状封止樹脂組成物の流入挙動を観測する方法を提供すること。
【解決手段】耐熱性フィルム基板３上の回路と該回路上に搭載される半導体素子１又はその他の電子部品との接続部が２個以上存在し、前記接続部へ液状封止樹脂組成物５を流入及び硬化させて組み立てられる、ＣＯＦ（チップ・オン・フィルム）方式又はＳＯＦ（システム・オン・フィルム）方式の半導体装置において、前記接続部への液状封止樹脂組成物の流入挙動を観測する方法であって、半導体装置の耐熱性フィルム基板の下部に透明ヒーター４を配置し、前記透明ヒーターの下部より半導体装置下部越しに前記接続部を観測すると同時に前記接続部に液状封止樹脂組成物を供給することを特徴とする、液状封止樹脂組成物の流入挙動観測方法。 （もっと読む）

【課題】サイドフィル方式のアンダーフィル塗布を含むＩＣの周りを樹脂塗布する装置において、塗布ニードル位置が微妙にずれることにより樹脂の拡がり不良が発生したり、塗布ニードルがＩＣに干渉したりする不良が発生するという問題があった。
【解決手段】ニードル位置確認用ステージ上にＩＣのＸＹサイズに管理サイズを加えたブロックを戴置し、ブロック上にＩＣのＸＹサイズのブロックを戴置し、更に、ニードルとニードル位置確認用ステージとの接触を検知するニードル接触管理ユニットを設ける。予め塗布するＩＣとニードル位置確認ブロックとの位置関係（寸法Ｘ、寸法Ｙ）を入力しておき、ニードルを位置確認用ステージにてニードル軌跡動作をさせ、間接的にＩＣとの位置関係を確認する。これにより、ニードル位置がずれることによる樹脂の広がり不良やニードルがＩＣに干渉したりする不良の発生が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを搭載後の樹脂封止工程において、半導体チップを確実に封止する。
【解決手段】基材１上にＣｕ箔２を用いて導電性パターン４を形成する。この際に、チップ搭載部１１に第１のベタパターン４Ａを形成し、基材１の外周の押さえ部１２にも第２のベタパターン４Ｂを角形状に形成する。この後に、ベタパターン４Ａ，４Ｂをレジスト層６で覆って基板１０を形成する。基板１０のチップ搭載部１１に半導体チップ２１を搭載させたら、トランスファモールド装置３１で半導体チップ２１をモールドする。上型３３で押さえ部１２を押さえ付けることで型締めを行う。押さえ部１２におけるレジスト層６の盛り上がりによって、半導体チップ２１と上型３３との間の距離として、モールド樹脂の流動に十分な距離が確保される。 （もっと読む）

【課題】 接続信頼性に優れ、また、金属層の保持信頼性に優れる半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体素子が接続されている導電性金属層パターンを含み、これらが封止材により封止されている半導体装置において、半導体素子接続面と反対側で導電性金属層パターンが厚さ方向で一部突出して露出している半導体装置。半導体素子と導電性金属層パターンの接続が、半導体素子と導電性金属層パターンの所定位置の間のワイヤボンディング接続であり、これらが封止材により封止されておる、半導体素子の下面は露出している。導電性金属層の断面形状で最大幅の部分が封止材に埋没していることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 熱伝導性及び接続信頼性に優れ、さらに、より薄膜化が可能な半導体装置、特にＬＥＤ半導体素子搭載の半導体装置を提供するものである。
【解決手段】 ＬＥＤ半導体素子が搭載されている導電性金属層パターン及びＬＥＤ半導体素子が接続されている導電性金属層パターンを含み、また、ＬＥＤ半導体素子より外側にリフレクター部材を含み、リフレクター部材より内側でＬＥＤ半導体素子及び導電性金属層パターンが封止材により封止されている半導体装置であって、導電性金属層パターンが露出しているが、少なくともその半導体装置の側面以外では半導体素子搭載面側で導電性金属層パターンの厚さ方向で一部封止材に埋没している半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 生産性に優れ、半導体素子搭載用基材の反射機能を最大限に利用することもでき、さらに薄膜化も可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体素子が半導体素子搭載用基材上に搭載され、半導体素子接続用導電性金属パターンが半導体素子搭載用基材に接着されていることを特徴とする半導体装置。半導体素子と導電性金属層パターンの所定位置の間にワイヤボンディングが施され、これらは封止材により封止されている。 （もっと読む）

【課題】粘着テープを仮固定用支持体として用いた基板レス半導体パッケージの製造方法においては、樹脂封止の際の圧力によりチップが保持されず、指定の位置からずれ、配線とチップの相対的な位置関係もずれる。また、粘着テープを剥離する際に糊残りが発生し、パッケージ表面を汚染して、その後の配線工程で、配線とチップとの接続を妨害することになる。これらの問題点を解決する耐熱性粘着シートを提供する。
【解決手段】基板レス半導体チップを樹脂封止する際に、貼着して使用される半導体装置製造用粘着シート２であって、前記粘着シート２は基材層と粘着剤層とを有し、粘着剤層中にゴム成分およびエポキシ樹脂成分を含み、粘着剤中の有機物に占めるゴム成分の割合が20〜60重量%であることを特徴とする半導体装置製造用耐熱性粘着シートを用いて、基板レス半導体チップを樹脂封止する。 （もっと読む）

本発明は、密封スペースをそれぞれ画定するフレキシブルなポリマー素材からなる二つのケーシング(１２)と、当該ケーシングのそれぞれを満たす少なくとも一つの液状疎水性物質(１４)とを具備するカプセル化デバイス(２)に関し、ケーシング(１２)は、積層させられ、かつ、その周縁において密封状態で相互接合され、密封スペース(６)が、こうして、カプセル化されるデバイス(４)を収容するために、二つのケーシング間に形成される。
（もっと読む）

【課題】封止樹脂部の成型時におけるフレキシブル配線板の接着剤の層の変形を抑制すると共に接着剤の層の変形に起因したフレキシブル配線板の劣化を抑制する。
【解決手段】電子回路装置２０は、回路基板２２と、フレキシブル配線板２３と、回路基板２２とフレキシブル配線板２３の一部とを封止するようにモールド成形された封止樹脂部２５ａ，２５ｂと、フレキシブル配線板２３に接着された放熱プレート２４とを含み、フレキシブル配線板２３は、ベースフィルム２３０と、放熱プレート２４に接着されない第２カバーフィルム２３４ｕと、両者により覆われる第２配線用導体２３２ｕとを含み、フレキシブル配線板２３と封止樹脂部２５ａの外周部との境界の外側かつベースフィルム２３０と第２カバーフィルム２３４ｕとの間には、配線として機能しないダミー配線材３０が配置されている。 （もっと読む）

【課題】 流動性樹脂の樹脂圧に起因する基板の変形によって発生する、チップ装着面に装着されたチップの割れ、チップ装着面からのチップのはく離等の問題を抑制する。
【解決手段】 下型１７と上型１２とからなる電子部品の樹脂封止用の成形型において、下型１７の型面に載置された基板１が有する複数の外部電極９に平面的に重ならないようにしてその型面に凸部１８を設ける。凸部１８は複数の外部電極９の厚さと実質的に等しい厚さを有する。これにより、下型１７と上型１２とが型締めした状態において流動性樹脂１４の樹脂圧が基板１に加えられることに起因して発生する、基板１がチップ非装着面８の側に凸になるような変形を、凸部１８が基板１を支えることによって防止する。 （もっと読む）