【課題】
樹脂封止型半導体装置は、リードフレーム等の金属部材と封止樹脂の界面剥離が原因で、温度サイクル寿命が大幅に低下している。樹脂の剥離を防いで半導体装置の高信頼化を図る。
【解決手段】
半導体組立構造体にＮｉやＣｕと比較して酸素との結合力が強いＺｎやＺｒなどの金属種の有機金属化合物溶液を塗布し、酸化雰囲気中で加熱・焼成処理し、構造体の金属部材と封止樹脂の界面に厚さ５〜６００ｎｍ程度で表面に微細な凹凸が形成された酸化物の皮膜を形成した構造とした。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置の検査装置は、気泡などが存在しても光を完全に遮断することがないアンダーフィル剤の充填状態を検査するために、そのまま適用することは困難である。
【解決手段】半導体パッケージ１２を、該半導体パッケージ１２の一面に形成されたはんだバンプ１３により回路基板１１に接続し、接続した半導体パッケージ１２と回路基板１１との間の隙間１５にアンダーフィル剤１６を充填して構成した半導体装置１０の検査装置１であって、前記半導体装置１０の前記アンダーフィル剤１６内へ光を照射する発光具２と、前記発光具２から発光され前記アンダーフィル剤１６内を透過した光を受光する受光具３と、前記受光具３の受光量を算出し、前記受光量の多少により前記アンダーフィル剤１６の充填状態の良否を判定する制御装置５とを有する。 （もっと読む）

【課題】既存のＩＣモジュール製造装置がそのまま使用でき、安定した品質で作製可能なＩＣモジュール及びＩＣモジュールの作製方法を提供する。
【解決手段】ＩＣモジュールの基板の片面に複数の端子電極で構成される外部端子が金属薄板によって形成され、前記基板のもう一方の面にＩＣチップが搭載され、基板の前記端子電極の裏側には開口部が形成され、前記開口部に露出した金属薄板面と前記ＩＣチップのパッド電極とがボンディングワイヤで電気的に接続され、ＩＣチップとボンディングワイヤを保護するため封止樹脂が形成されたＩＣモジュールにおいて、封止樹脂が流出することを防止するための補助ボンディングワイヤによる流れ止めが基板のＩＣチップの周辺に複数形成されたＩＣモジュール及びＩＣモジュールの作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】下型キャビティ８内の金型キャビティ面１０に離型フィルム９を吸引して装着する場合に、金型キャビティ面１０に形成される「しわ」を効率良く防止する。
【解決手段】まず、キャビティ８内から所要の吸引圧力（吸引作用）で吸引することにより、離型フィルム９をキャビティ面１０に接触させない状態で、離型フィルム凹部１８を安定して形成保持し（離型フィルムの中間装着）、次に、離型フィルム凹部１８内に所要量の顆粒樹脂１３を供給することにより、顆粒樹脂１３の重量作用と移動作用及び離型フィルム９に対する吸引作用とによる相乗効果で顆粒樹脂１３をセンタリングし、更に、離型フィルム凹部１８内で顆粒樹脂１３を加熱溶融化することにより、溶融樹脂２０の重量作用と流動作用及び離型フィルム９に対する吸引作用との相乗効果による均等な押拡作用（均等な装着力）で離型フィルム９を金型キャビティ面１０に（完全に）装着する。 （もっと読む）

【課題】モジュールの信頼性に影響を与えずに、電子部品の局所的な発熱を抑制可能な放熱構造を備えた電子部品モジュールおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品１の電極２と回路基板５の電極４とをはんだ３で接合した後、該電子部品１と該回路基板５との間にアンダーフィル材料を充填し、該アンダーフィル材料を硬化させてアンダーフィル８を形成した後、該電子部品１および／または回路基板５をオーバーコート材料で被覆し、該オーバーコート材料を硬化させてオーバーコート６を形成することにより、少なくとも上記２段階の工程で上記電子部品１における樹脂封止を行うことを特徴とする電子部品モジュールおよびその製造方法とする。上記第１の封止樹脂層はエポキシ樹脂からなり、上記第１の封止樹脂層の熱伝導率（λ_１）と第２の封止樹脂層の熱伝導率（λ_２）の関係は、λ_１≧λ_２であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】圧縮成形を用いた、半導体発光デバイスをパッケージ化する方法を提供すること。
【解決手段】半導体発光デバイスをパッケージ化する方法は、前面上に半導体発光デバイスを有する基板を設けるステップを含む。第１の光学要素が、前面上の半導体発光デバイスの近傍に、第１の材料から形成される。第２の光学要素が、半導体発光デバイス及び第１の光学要素を覆って、第１の材料とことなる第２の材料から形成される。第１の光学要素および／または第２の光学要素は、各光学要素を圧縮成形することにより形成される。 （もっと読む）

【課題】配線基板に実装された電子部品と、電子部品を封止するシリカのフィラーを含有した封止樹脂とを備えた半導体装置の製造方法に関し、電磁波を遮断するシールド機能を有した半導体装置のコストを低減することのできる半導体装置の製造方法を提供。
【解決手段】グラウンド端子３８を有した配線基板１１と、配線基板１１に実装された電子部品である半導体チップ１２及び受動部品１４，１５と、半導体チップ１２及び受動部品１４，１５を封止するシリカのフィラーを含有した封止樹脂１９と、を備えた半導体装置１０の製造方法であって、封止樹脂１９の表面に存在するシリカのフィラーをフッ化水素水溶液により溶解させ、その後、めっき法により、封止樹脂１９の表面にグラウンド端子３８と電気的に接続されたシールド層２１を形成した。 （もっと読む）

【課題】電子部品と樹脂の間の界面、および、樹脂間の界面における密着性を向上させることにより、電子部品の腐食や劣化を防ぐことができる封止方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る封止方法は、電子部品１０を硬化性樹脂４で被覆し、硬化性樹脂４の表面を、所定の熱可塑性樹脂を主成分とする粉末状の第１の熱可塑性樹脂組成物５で被覆する。その後に、硬化性樹脂４を硬化する。その後、第１の熱可塑性樹脂組成物５の表面を、所定の熱可塑性樹脂を有する第２の熱可塑性樹脂組成物６で封止する。 （もっと読む）

【課題】ウエーハを切断、分割して突起状電極を有する複数のデバイスに個片化するにあたり、レーザ光を切断予定ラインに照射した際に発生するデブリがウエーハの表面や突起状電極に付着することを効果的に防止する。
【解決手段】ウエーハ１の表面（層間絶縁膜層５の表面）にアンダーフィル材９を設けてバンプ４を被覆し、次いで、ウエーハ１の表面側から切断予定ライン２に沿ってレーザ光Ｌを照射して、切断予定ライン２上の層間絶縁膜層５およびアンダーフィル材９を除去し、このとき発生するデブリ７をアンダーフィル材９の上に付着させ、ウエーハ１の表面やバンプ４に付着させない。次いで、アンダーフィル材９の表層を切削してバンプ４を均一高さに切削し、かつバンプ４の先端を表出させる。 （もっと読む）

【課題】電子部品２（ＬＥＤチップ等の光素子）の圧縮成形装置に搭載した圧縮成形用金型３（６・７）の型面間の間隔３１（距離）を効率良く縮小化して電子部品の圧縮成形装置を効率良く小型化することを目的とする。
【解決手段】まず、透光性を有する二液性のシリコーン樹脂（液状樹脂４）を金型キャビティ１０内に供給する樹脂供給部１３に設けた液状樹脂混合供給用の横型ノズル２３（２７）を水平状態で金型３の型面間に進入させると共に、横型ノズル先端部２７ａの吐出口２９から混合液状樹脂４を水平方向に所要圧力にて押圧して吐出させることにより、金型キャビティ１０内に混合液状樹脂４を供給し、次に、金型３を型締めすることにより、金型キャビティ１０内の液状樹脂４に基板１に装着したＬＥＤチップ２を浸漬して圧縮成形し、ＬＥＤ成形品を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 特に、部材間に設けられた機能部の部分にまで樹脂が入り込まないように出来、さらに、低圧下において、キャビティ内の空気を外部へ効率よく逃がすことができ、その結果、適切且つ容易に樹脂封止を行うことが出来、気密性の高い電子部品の製造方法、及び、前記電子部品を形成するための金型を提供することを目的としている。
【解決手段】 押圧部３３にて軟化状態にある樹脂４２を押圧し、この際、ベース基板１２と実装基板４１間の隙間Ｂに設けられた櫛歯状電極の領域にまで前記樹脂４２が入り込まないように、前記押圧部３３の樹脂４２に対する押圧力を規制する。さらにキャビティ３３ａ内の空気を効率良く外部へ逃がすために外枠部３４の下面３４ａ全域を空気逃げ部（エアベント）５０とする。 （もっと読む）

【課題】 ＭＣＭのＣ４／はんだ相互接続を腐食から保護するため、及びＭＣＭのようなチップを含む部品を作るための、再加工可能なアンダーフィル及び／又はダム（外周シール）組成物を提供すること。
【解決手段】 本発明は、基板（１５）上に複数のチップ（１１ａ−１１ｉ）を含むマルチチップ・セラミック・モジュール（ＭＣＭ）（１０）のようなチップ含有電子デバイスを提供し、このチップは、１つ又は複数のチップがデバイスから取外されて交換されることを可能にする再加工可能な組成物（１６）でアンダーフィルされる。再加工可能な組成物は、非架橋性であって、且つマトリックスを形成するベース樹脂を、線状硬化性成分、又は好ましくは線状硬化性成分の組み合わせと共に含み、この硬化性成分は架橋性であり、硬化されると、ベース樹脂のマトリックス内に架橋されたドメインを形成する。Ｐｔのような適切な架橋触媒と、任意に、充填剤、好ましくはシラン表面処理シリカが用いられる。好ましいベース樹脂は線状ポリジメチルシロキサンであり、好ましい硬化性成分はビニル末端線状ポリジメチルシロキサン及び水素末端線状ポリジメチルシロキサンである。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と基板との接合部分（半導体素子と基板との隙間）に充填する際のアンダーフィル剤の流動性を損なうことがなく、かつ、エックス線を用いたアンダーフィル剤の充填状況の検査の信頼性を向上することが可能な半導体装置の検査方法、および半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体モジュール１におけるＢＧＡパッケージ３と基板２との隙間にボール状はんだ４・４・・・を配置してＢＧＡパッケージ３を基板２に接合するとともに、前記隙間に少なくとも有機酸または有機ハロゲンのいずれかを含む添加剤を添加したアンダーフィル剤１１を充填する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップをフリップチップ実装する場合の実装の信頼性が良好である実装基板と、当該実装基板に半導体チップが実装されてなる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップがリップチップ実装され、当該半導体チップの下にアンダーフィルが浸透される実装基板１００であって、第１の絶縁層１０１に形成される、前記半導体チップと接続される接続パッド１０３と、前記第１の絶縁層上に形成される、前記接続パッドが露出される開口部１０４を有する第２の絶縁層と１０２、を有し、前記接続パッドは、前記半導体チップの周縁部に対応して略四角形に配列される第１の接続パッド１０３Ａと、前記第１の接続パッドに囲まれるように設置される第２の接続パッド１０３Ｂとを含み、前記第２の接続パッドが露出する前記開口部１０４Ｂは、前記アンダーフィルが導入されるためのアンダーフィル導入部１０４Ｃを有することを特徴とする実装基板。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を装着した金メッキプリント基板をシリコーン樹脂で封止する際に十分な接着性を有する半導体素子の封止方法を提供する。
【解決手段】金メッキプリント基板に装着した半導体素子を硬化性シリコーン樹脂で被覆し、次いで該硬化性シリコーン樹脂を硬化させる工程を有する半導体素子の封止方法において、前記金メッキプリント基板を予め酸無水物基含有アルコキシシラン若しくはその部分加水分解縮合物又はそれらの組み合わせからなる処理剤で処理する上記封止方法、並びに金メッキプリント基板に装着した半導体素子を硬化性シリコーン樹脂で被覆し、次いで該硬化性シリコーン樹脂を硬化させる工程を有する半導体素子の封止方法において、前記硬化性シリコーン樹脂が酸無水物基含有アルコキシシラン若しくはその部分加水分解縮合物又はそれらの組み合わせからなる処理剤を含有する上記封止方法。 （もっと読む）

【課題】 高精度に位置決めされた半導体ＩＣを内蔵させることが可能な半導体ＩＣ内蔵基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体ＩＣ１５のスタッドバンプ１６に対応したコア基板１０上の所定の位置に位置決め用穴１３を形成し、スタッドバンプ１６が位置決め用穴１３に嵌り込むようにコア基板１０上に半導体ＩＣ１５を実装した後、コア基板１０上にプレス基板１７をプレスして半導体ＩＣ１５をコア基板１０内に埋め込む。これにより、半導体ＩＣ１５の位置ずれを防止することができ、高精度に位置決めされた半導体ＩＣ１５を内蔵する半導体ＩＣ内蔵基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 発光ダイオード装置の封止部とレンズ部を別工程で製作するため量産化が困難である。
【解決手段】 発光ダイオード装置の封止部とレンズ部を一体形成可能なキャビティ４５を形成し、プランジャの周面にリング状リング状のシール部材を設けると共に、プランジャの先端側の周面とポット内壁面との間に液状のシリコーン樹脂を導入し、この樹脂を硬化させてシール用樹脂層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 液状樹脂を用いてトランスファモールド方式により樹脂封止型チップを製造する。
【解決手段】 ポット内のプランジャの略中央に、ポット内壁面と摺接するリング状のシール部材を設けると共にその先端側に環状の凹所を設け、プランジャの先端側の周面とポット内壁面との間及び凹所に液状のシリコーン樹脂を導入してこのシリコーン樹脂を硬化させてシール用樹脂層を形成し、これにより液状のシリコーン樹脂の漏れを防ぎながら電子素子に対し樹脂封止することができる。 （もっと読む）

【解決手段】フッ素ゲル封止材で保護された電気電子部品から該封止材を除去する方法であって、該フッ素ゲル封止部を４０℃以上２５０℃以下の加熱下でフッ素系溶剤に浸漬してフッ素ゲルを溶解させ、除去することを特徴とする電気電子部品保護用封止材の除去方法。
【効果】電気電子部品保護用封止材の除去方法によれば、電気電子部品を保護する封止材としてのフッ素ゲルを除去する際に、封止材以外の電気電子部品の部材を損傷することなく、封止材のみを簡便に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】チップサイズパッケージの半導体装置においては、半導体基板６０がスリット孔８０で分離される構造のために樹脂層７８で同一平面に支持固定される必要があるが、絶縁膜７４と接着しかつ均一の厚みであるので、まだ十分な強度を得られていない実用上の大きな問題点があった。
【解決手段】本発明の半導体装置は、第１の領域１２および第２の領域１３、１４を有する半導体基板と、第１の領域１２と第２の領域１３、１４を分離するダイシング溝３０と、ダイシング溝３０に隣接する半導体基板１０の第１の領域１２および第２の領域１３、１４表面に設け半導体基板１０を露出する段差部分３１と、段差部分３１を含み半導体基板の第１の領域１２および第２の領域１３、１４の表面に半導体基板１０を一体に支持する樹脂層３４とを備え、段差部分３１と樹脂層３４の密着度を向上させている。 （もっと読む）