【課題】Ｘ線検出用フォトダイオード等においては、初期結晶材料として、裏面側に高濃度の不純物がドープされた単結晶ウエハ等を使用する場合がある。このような場合、裏面側不純物の外方拡散によるクロスコンタミネーション等を防止するために、予め、ウエハの裏面に、酸化シリコン膜等の不純物外方拡散防止膜等を形成しておく等の対策が講じられる。しかし、裏面に不純物外方拡散防止膜を形成する際に、ウエハの表面を損傷する等の問題が有る。
【解決手段】本願発明は、裏面に高濃度の不純物ドープ層を有する半導体ウエハの裏面に、不純物防止膜を形成するに当たり、まず、前記半導体ウエハの表面に酸化シリコン系絶縁膜等の表面保護膜を形成し、その状態で、前記裏面に、前記不純物防止膜を形成し、その後、ウエットエッチングにより、前記不純物防止膜を残した状態で、前記表面保護膜をほぼ全面的に除去するものである。 （もっと読む）

【課題】一層の半導体層から膜厚の異なる半導体層を有する半導体薄膜基板を提供することを目的の一とする。または、半導体薄膜基板を適用した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】基板上に半導体層を形成し、半導体層を加工して第１の島状半導体層および第２の島状半導体層を形成し、第１の島状半導体層にレーザー照射を行うことにより第１の島状半導体層を溶融させ、第１の島状半導体層から第２の島状半導体層より膜厚が厚い第３の島状半導体層を形成する、半導体薄膜基板の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】接合バンプを用いたフリップチップ実装する製品において、配線基板等に反り等があっても、接続不良をなくし、かつ容易にアラインメントをとることができる、実装製品の製造方法等を提供することを目的とする。
【解決手段】フォトダイオードアレイの電極１１とＲＯＩＣ５０の電極７１とが、接合バンプ７９，９を介在させて接合された実装製品の製造において、ＲＯＩＣの電極７１に接合バンプ７９を形成する工程と、ＲＯＩＣの全体の接合バンプ７９を化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低エネルギー(例えば200eV)電子を検出する放射線検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】走査型電子顕微鏡等に適した検出器は、p^＋‐拡散層に接続された純ホウ素の薄い層をもつPINフォトダイオードで、そのホウ素層は、アルミニウム・グリッドをもつ電極に接続され、そのホウ素層と電極との間の各々の位置において低い電気抵抗の経路を形成する。そのホウ素層に損傷を与えず、ホウ素層上にアルミニウム・グリッドを形成するため、ホウ素層をアルミニウム層で完全に覆い、そのアルミニウム層の一部分をドライ・エッチングによって除去するが、ホウ素層の露出される部分に薄いアルミニウム層を残す。その後、ホウ素層の露出される部分から完全にアルミニウムを除去する。 （もっと読む）

【課題】 ハイブリッド型撮像装置などの検出装置等において、その電極／接合バンプの接触抵抗を低くし、接合強度を高くすることができ、かつ受光素子アレイ等の本体にダメージが生じにくい、検出装置等を提供する。
【解決手段】近赤外域の受光素子アレイ５０と、読み出し回路を構成するＣＭＯＳ７０とを備え、１つまたは２つの接合バンプ７９，９を挟んで、受光素子アレイの電極１１と読み出し回路の電極７１とが接合され、読み出し回路において、電極の対応部に開口部７８をあけられて、該電極が設けられた側の面７４を覆う樹脂層７５を備え、樹脂層の開口部の壁面等被覆するカップ状金属Ｋと、電解めっきで形成された接合バンプ７９とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来技術の光検出器アレイにおける制限を克服し、改善された性能有する光検出器アレイを提供する。
【解決手段】光検出器アレイは、高抵抗低ドーピング濃度第１半導体基材と、低抵抗高ドーピング濃度第２半導体基材とによって形成される複数の光検出器を含む。前記第１及び第２半導体基材は、結合界面においてシリコン−シリコン原子接合によって互いに直接接合され、それによって、第１基材から第２基材へシャープな遷移を提供する。この光検出器アレイの製造方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】計算機式断層写真法（ＣＴ）検出器において、任意の寸法のフォトダイオード・アレイ内での温度ばらつきによる差分信号誤差を縮小する。
【解決手段】フォトダイオード熱利得係数を減少させる装置が、光照射面を有するバルク半導体材料を含んでいる。バルク半導体材料は、予め決められた正孔拡散距離値に実質的に一致するように構成されている少数電荷担体拡散距離特性と、予め決められたフォトダイオード層厚に実質的に一致するように構成されている厚みとを含んでいる。装置はまた、バルク半導体材料の光照射面に結合されており予め決められた厚み値に実質的に一致するように構成されている厚みを有する不感層（８６）を含んでおり、バルク半導体材料の少数担体拡散距離特性による熱利得係数の絶対値が、不感層（８６）の厚みによる熱利得係数の絶対値に実質的に一致するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】可視光領域に感度を有する光電変換素子と赤外光領域に感度を有する光電変換素子とを混載させた光電変換装置を提供する。
【解決手段】半導体基板２の一面に複数の光電変換素子Ｂ，Ｃを形成する第１工程と、複数の光電変換素子Ｂを覆うように可視光領域の少なくとも一部の波長領域の光を遮蔽するカラーフィルタ１０を形成する第２工程と、半導体基板２の一面側に支持基体１６を接着する第３工程と、光電変換素子Ｂを覆い、光電変換素子Ｃを覆わないように、赤外光領域の光を遮蔽する赤外カットフィルタ１８を支持基体１６上に形成する第４工程と、を含む製造方法により光電変換装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】発光素子及び光結合モジュールを提供する。
【解決手段】前記素子は、基板と、前記基板に備えられた発光部と、前記基板の下部面に備えられた反射部とを含む。前記発光部は、前記基板上に配置されたアクティブパターンと、前記アクティブパターンの上部に備えられた上部鏡と、前記アクティブパターンの下部に備えられた下部鏡とを含む。前記発光部は、基板に垂直な光を放射することができ、前記反射部は、前記放射光を前記基板の側面に反射することができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性及び歩留まりを向上させる。
【解決手段】ｉ層（１）とそのｉ層（１）を取り巻くｐ層（５）とを有する略円柱状の半導体の一方の底面の中央部分にｎ面電極（３）を有し、他方の底面にｐ面電極（７）を有し、ｎ面電極（３）の周囲から半導体の周面までの底面を、ｎ面電極（３）の周囲から半導体の周面へと下がるテーパ面（８）とする。
【効果】ドリフトの際にｉ層（１）が半導体の周面にまで広がってｉ層露出部が生じても、テーパ面（８）を形成するためにｉ層露出部が除去されてしまい、ｉ層（１）の周面全部をｐ層（５）が筒状に取り巻く構造を確保できる。これにより、信頼性および歩留まりを向上させることが出来る。 （もっと読む）

【課題】ホトダイオードアレイを備える放射線検出器の製造方法において、実装時における光検出部のダメージによるノイズの発生を防止する。
【解決手段】第１導電型の半導体からなる半導体基板３に、該半導体基板の両側表面を貫通する貫通配線８を形成する第１工程と、半導体基板の片側表面について、所定の領域に不純物を添加して複数の第２導電型の不純物拡散層を形成し、複数のホトダイオード４をアレイ状に配列して設ける第２工程と、半導体基板の片側表面側に、少なくともホトダイオード４が形成された領域を保護する膜厚１〜５０μｍの透明樹脂膜６を設ける第３工程とにより、ホトダイオードアレイを製造した後、ホトダイオードアレイを実装配線基板に実装する工程と、透明樹脂膜６上に、シンチレータパネル３１を、シンチレータパネルから出射された光を透過する光学樹脂３５を介して取り付ける工程とによって製造する。 （もっと読む）

【課題】素子を形成するウエハサイズなどの制約に影響されない構造、および、検出面を大面積化しても静電容量を増大させない構造、をそれぞれ採用して大型の検出対象に適用可能な低消費電力・簡易構造の半導体型の放射線検出センサを提供する。さらに、このような放射線検出センサを複数用いてさらなる大型の検出対象に適用可能な半導体型の放射線検出センサユニットを提供する。
【解決手段】回路基板２の検出素子設置面の配線部２１とワイヤ配線部３との接続位置と、回路基板２の信号処理部設置面の配線部２１と信号処理部４との接続位置と、が回路基板２の表裏でそれぞれが略一致することで信号経路を短縮した放射線検出センサ１００とした。また、このような放射線検出センサ１００を搭載した放射線検出センサユニットとした。 （もっと読む）

【課題】 ゲルマニウムは、半導体プロセスを用いて光電気混載ＬＳＩに搭載される長波長帯光デバイスに用いる場合、吸収の長波長化又は長波長帯での吸収が実用化されていない。
【解決手段】 ゲルマニウム原子を主成分とする四面体結合される半導体を光電変換層に用いる光デバイスであり、光電変換層を構成する四面体結合される半導体の格子点サイトのゲルマニウム原子を置換するｎ型ドーパントＤまたはｐ型ドーパントＡと、前記ドーパントに最近接の格子間サイトに挿入される異種原子Ｚを含み、異種原子Ｚはドーパントとの電荷補償により電子配置が閉殻構造となる光デバイスである。 （もっと読む）

【課題】
１０Ｋ以上の温度でも漏洩電流が小さく、電子あるいは正孔のトラッピングが少なく電荷生成量の多い表面障壁型あるいはｐｎ接合型のＩｎＳｂ単結晶を用いた半導体放射線検出器を製作する。
【解決手段】
放射線の検出媒体として、不純物を人工的にドープしない高純度ＩｎＳｂ単結晶を用い、かつダイオード特性を得るため、Ａｕ−Ｐｄを用いて表面障壁型電極を形成した半導体放射線検出器を製作する。特性試験の結果、４．２Ｋでのダイオード特性は素子抵抗が１．４ｋΩと大きく、電荷有感型前置増幅器の出力信号のライズタイムも０．４μｓと短く、電子あるいは正孔のトラッピングの少ない半導体放射線検出器となることが確認された。また、本半導体検出器は２Ｋから５０Ｋの温度範囲でα線スペクトルを測定できた。 （もっと読む）

【課題】 素子分離領域に空乏層が接しないように、イオン注入により高濃度不純物層を素子分離領域端に形成した固体撮像素子において、画素部の微細化を図る。
【解決手段】 素子分離領域１３により画素部間が分離された固体撮像装置１０、１０Ａまたは１０Ｂを製造する際に、能動領域となる部分をパターニングして、このアクティブパターンをマスク１９として半導体基板１１上にイオン注入を行うことにより、イオン注入領域の一部または全域を素子分離領域１３とする。素子分離領域端から所定の距離ｄだけ離れるように設けられたレジストマスクを用いてイオン注入ろ行う従来技術のようにレジストマスクの合わせずれが生じることなく、素子分離領域１３の端からの距離ｄを安定化させて、ｐ型不純物領域１３３を安定化して形成することができる。 （もっと読む）

コンピュータ断層撮影及び他の撮像用途のための背面照射式フォトトランジスタ・アレイ。画素当たり１つの光センサとトランジスタとを有する、又は、画素当たり複数の光センサとトランジスタとを有する、バイポーラトランジスタ及び接合型ＦＥＴを使用した実施形態が開示される。
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【課題】従来の固体撮像装置においては、感度の面で向上の余地がある。
【解決手段】固体撮像装置１は、半導体基板１０と受光部２０とを備えている。受光部２０は、半導体基板１０の表面Ｓ１（第１面）側の表層に設けられている。この受光部２０の表面２０ａは、シリサイド化されている。固体撮像装置１は、半導体基板１０の裏面Ｓ２（第２面）に入射した被撮像体からの光を半導体基板１０の内部で光電変換し、その光電変換により発生した電荷を受光部２０で受けて上記被撮像体を撮像するものである。 （もっと読む）

【解決手段】基板（１０）が、信号処理のための電子回路の一部を備えるように製造されるデバイス及びデバイス形成方法が開示されている。バルク単結晶材料（１４）は、基板（１０）上に直接形成されるか、中間の薄膜層上に形成されるか、又は、遷移領域（１２）上に形成される。このデバイスの特別な用途は、放射線検出器である。 （もっと読む）

【課題】 素子表面の重金属汚染に起因するリーク電流を低減し、正確かつ安定した計測が可能な半導体Ｘ線検出素子を提供する。
【解決手段】 ｐ層領域にｎ層１３を接合するとともにｎ層１３側からｐ層領域にＬｉを拡散させてｐ層領域の一部にｉ層１２を形成し、残りをｐ層１１とし、さらに、ｎ層１３表面上にｎ面電極１６を形成し、ｐ層表面上にｐ面電極１５を形成し、ｎ面電極１６とｐ面電極１５との間に逆バイアス電圧を印加して、ｉ層１２に入射するＸ線を電子・正孔対に変換して検出する半導体Ｘ線検出素子であって、ｎ面電極１６の周端部からｎ層１３周端部を経てｉ層１２ａ周端部に至る素子表面の一部を除去する。 （もっと読む）

ホトダイオードアレイおよびその製造方法並びに放射線検出器において、実装時における光検出部のダメージによるノイズの発生を防止することを課題とする。ｎ型シリコン基板（３）の被検出光の入射面側に、複数のホトダイオード（４）がアレイ状に形成され、かつ入射面側とその裏面側とを貫通する貫通配線（８）がホトダイオード（４）について形成されたホトダイオードアレイにおいて、その入射面側のホトダイオード（４）の形成されない非形成領域に、所定の平面パターンを有するスペーサ（６）を設けてホトダイオードアレイ（１）とする。
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