【課題】センサ部での光の利用効率の低下を防止することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】互いに交差して配設された複数の走査配線及び複数の信号配線の各交差部と、２次元状に配列された複数のセンサ部であって、各々が、検出対象とする画像を示す電磁波が照射されることにより電荷が発生する半導体層、半導体層の電磁波が照射される照射面側に電磁波に対して透過性を有する導電性部材により形成され、半導体層に対してバイアス電圧を印加する第１電極、及び半導体層の電磁波に対する非照射面側に形成され、半導体層に発生した電荷を収集する第２電極を備えた複数のセンサ部と、センサ部よりも電磁波の下流側に形成され、各々コンタクトホールを介して第１電極に接続されてバイアス電圧を供給する共通電極配線と、走査配線と、信号配線及び共通電極配線との間に形成されている第１の絶縁膜と、を備え、信号配線及び共通電極配線は同層に形成。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を回避する裏面照射型のCMOS型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子２１は、受光した光を電気信号に変換するＰＤ３２が平面的に配置された半導体基板４２と、半導体基板４２に入射する光の透過を制御するシャッター層４４とを備えて構成される。そして、半導体基板４２とシャッター層４４との間の間隔が、シャッター層４４に形成されるシャッター素子３３の間隔以下に設定される。また、シャッター層４４は、ＰＤ３２に対する光の入射角に応じて、光を遮光する箇所を調整する。 （もっと読む）

【課題】反りを抑制でき、しかもフレア光の発生を抑制でき、明るい光源が視野内に入った場合であってもフレア光が目立つことのない良質の画像を得ることが可能な撮像装置およびカメラモジュールを提供する。
【解決手段】受光部を含む光学センサと、光学センサの受光部側を保護するためのシール材と、少なくとも受光部とシール材のこの受光部との対向面である第１面間に形成された中間層と、膜に斜めに入射する光の入射角度に応じてカットオフ波長が短波側にシフトする制御膜と、を有し、制御膜は、シール材の受光部との対向面である第１面に形成された第１の制御膜と、シール材の第１面と反対側の第２面に形成された第２の制御膜と、を含む。 （もっと読む）

【課題】結露に起因する画質低下を抑制することが可能な放射線撮像装置および放射線撮像表示システムを提供する。
【解決手段】放射線撮像装置は、光電変換素子を有するセンサー基板１０と、センサー基板上に設けられた非イオン性層２０と、非イオン性層上に設けられると共に、放射線の波長を光電変換素子の感度域の波長に変換する波長変換部材３０とを備える。入射した放射線は、波長変換部材を通過後、光電変換素子１１１Ａにおいて受光され、その受光量に対応する電気信号（画像情報）が得られる。波長変換部材とセンサー基板１０との間に、結露によって水が溜まると、水に含まれるイオン成分と光電変換素子（光電変換素子の電極等）とのカップリングが生じ、暗電流が増加することがあるが、非イオン性層２０が設けられていることにより、そのようなカップリングが抑制され、暗電流が生じにくい。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ波の発生および検出のための集束レンズ一体型光伝導アンテナ素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】集束レンズと、前記集束レンズ上に蒸着された光導電体薄膜と、前記光導電体薄膜上に形成された光伝導アンテナ用金属電極とを含み、前記集束レンズと前記光導電体薄膜とは一体型で形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】長距離系であっても受光パワーを補償し、小型化を図ることができる多チャネル光受信器を提供することにある。
【解決手段】入力された光をチャネル数分に分波する分波器１６と、分波器１６で分波された光を各々増幅する前記チャネル数分の半導体光増幅器１３と、半導体光増幅器１３各々から出力された光を反射する前記チャネル数分のミラー１５とを集積した基板１４と、ミラー各々から導かれた光を検出する前記チャネル数分のフォトディテクタを集積したフォトディテクタアレイ１２とを有し、分波器１６からの光がミラー１５を介してフォトディテクタに各々入射するように、フォトディテクタアレイ１２を基板１４の表面に各々フリップチップ実装するようにした。 （もっと読む）

【課題】基板の入出力端子とフレキシブルプリント基板との接続部が腐食することを的確に防止し、入出力端子とフレキシブルプリント基板との接続を良好に維持することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、複数の走査線１０と複数の信号線１１により区画された各領域Ｒに二次元状に配列された複数の放射線検出素子１４とが一面３ａ側に設けられた基板３と、基板３の面３ａ上の端縁部分に設けられ各走査線１０および各信号線１１の端部にそれぞれ設けられた入出力端子１７と、各入出力端子１７に導電性を保った状態で接着されるフレキシブルプリント基板２３とを備え、各入出力端子１７とフレキシブルプリント基板２３との接続部Ｑに、防湿性を有する絶縁塗料２４が塗布されており、絶縁塗料２４により、各入出力端子１７およびフレキシブルプリント基板２３末端の各端子と外気との接触が遮断されている。 （もっと読む）

【課題】プレーナー型導波路、又は基板上の溝内に載置された光ファイバーから光ビームを容易に受容することができる受光素子を備えた光学装置を提供する。
【解決手段】光検出器は、光検出器活性領域５１０が上面に形成され、入口面５０４と反射面５０６とを備えた半導体基板５０２を含む。反射面５０６は半導体基板５０２表面と鋭角を成しており、そして入口面５０４を通って半導体基板５０２内に透過される光ビーム５１３が、反射面５０６から半導体基板５０２上面に向かって内部反射されるように位置決めされている。光検出器活性領域５１０は、反射された光ビーム５１３が光検出器活性領域５１０上に衝突するように位置決めされている。光検出器を第２基板５０１上に載置することにより、第２基板５０１上に形成されたプレーナー型導波路５２０から光ビームを受容することができる。 （もっと読む）

【課題】大幅な薄型軽量化を実現できるとともに、湾曲形状をなす対象物から画像や文書などを正確に読み取り可能な密着型イメージスキャナを提供する。
【解決手段】密着型イメージスキャナ１は、発光層２０、感光層３０、信号処理層４０が上下方向に積層された構成を有する。発光層２０には、原稿Ｔに向けて光を照射する有機ＥＬ２３と、原稿Ｔから反射される光を下側に透過させる光透過部２４とが、画素ごとにフィルム基板２１に設けられている。感光層３０は、光透過部２４を透過して入射する光量に応じて電荷を蓄積する有機ＰＤ３３が、画素ごとにフィルム基板３１に設けられている。信号処理層４０は、有機ＰＤ３３に蓄積された電荷を読み出す有機ＴＦＴ４３が、画素ごとにフィルム基板４１に設けられている。 （もっと読む）

【課題】光学パッケージとレンズの間の距離調整を容易かつ高精度に実施可能な光学パッケージとレンズの接合方法、及び光学パッケージを提供する。
【解決手段】光学素子３を収容した光学パッケージ１に集光用のレンズ２０を接合して一体化するために熱可塑性樹脂３０を用いる。先ず、光学パッケージ１とレンズ２０の接合面４，２１の間に熱可塑性樹脂３０を配置して、相互接触した状態で光学素子３とレンズ２０の光軸Ｘの位置合わせを行う。続いて、熱可塑性樹脂３０をヒータ４０により加熱して溶融させると共に、レンズ２０を光学パッケージ１の方向へ加圧しながら接合面４，２１間の距離を調整して、接合面４，２１間から熱可塑性樹脂３０の余分を気泡と共に排出する。こうして熱可塑性樹脂３０を接合部３０ａに成形し、光学パッケージ１とレンズ２０とを接合させる。 （もっと読む）

【課題】バルク中の不純物に起因するバルク中の漏れ電流および素子の表面の漏れ電流を低減する。
【解決手段】シリコン基板１１の表面に設けられたシリコン熱酸化膜２１を、窒素および水素を含有する雰囲気中（例えば、アンモニア雰囲気中）で熱窒化することによって、シリコン熱酸化膜２１の少なくとも一部の表面に該シリコン熱酸化膜２１が窒化されてなるシリコン窒化酸化膜２２を形成し、シリコン基板１１とシリコン熱酸化膜２１との界面のダングリングボンドを水素により終端する。 （もっと読む）

【課題】光モジュールの光電素子で発生する熱の放熱効果を十分に得る。
【解決手段】光モジュール１００は、光学部材（例えば、レンズ：図示略）を含むレセプタクル１と、レセプタクル１に固定された可撓性基板２と、可撓性基板２上に搭載され、可撓性基板２を介して光学部材と光結合された光電素子（半導体光デバイス３）とを有している。光モジュール１００は、更に、光電素子の外面のうち可撓性基板２と対向する面以外の面に接している伝熱部材４と、可撓性基板２上において光電素子の配置領域以外の領域に形成され、且つ、伝熱部材４と接続されている金属薄膜５とを有している。 （もっと読む）

ＣＭＯＳ製造プロセスとナノワイヤ製造プロセスとを結合してアクティブピクセル配列としてイメージングデバイスを形成する。配列内のピクセルはナノワイヤを囲む単一または複数のフォトゲートを含む。フォトゲートは、ナノワイヤのポテンシャルプロファイルを制御し、光生成電荷のナノワイヤ内の蓄積と、信号読み出しのための電荷の転送を可能とする。各ピクセルは、リセットトランジスタ、電荷転送スイッチトランジスタ、ソースフォロワー増幅器、およびピクセルセレクトトランジスタを含む読み出し回路を備えても良い。ナノワイヤは一般に、ナノワイヤの先端に衝突する光エネルギーを受けるためにバルク半導体基板上で垂直ロッドとして構成される。ナノワイヤは、光検出器、または光線をバルク基板に導くように設定された導波管、のいずれかとして機能するよう設定しても良い。ここでの実施形態では、ナノワイヤフォトゲートおよび基板フォトゲートの存在によって波長の異なる光を検出することができる。

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本発明の例示の実施形態によれば、電磁放射線を検出する検出器ユニット３０１が提供されることができる。検出器ユニット３０１は、衝突する電磁放射線を電荷キャリアに変換するように適応される変換材料３３２を有しうる。更に、検出器ユニット３０１は、変換された電荷キャリアを収集するように適応される電荷収集電極３３１と、収集された電荷キャリアに基づいて電磁放射線を評価するように適応される評価回路３１２、３１３、３１４と、を有する。更に、検出器ユニット３０１は、電荷収集電極３３１と評価回路３１２、３１３、３１４との間に電気的に結合されることができる半導体３７１を有しうる。
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放射線検出器が、第一の表面及び第一の表面の反対側の第二の表面を有する半導体結晶と、半導体結晶の第一の表面と電気的に結合されて、第一の電極と結晶との間に電流を流す第一の電極と、第一の電極と半導体結晶との間に部分的に透過性の電気的障壁を生成するように、第一の表面において半導体結晶と第一の電極との間に設けられる絶縁層とを含んでいる。絶縁層は、約５０ナノメートルから約５００ナノメートルにわたる厚みを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、耐衝撃性に優れ、画像欠陥の発生を防止した高画質の放射線画像検出装置を提供することにある。
【解決手段】２次元的に配列された光電変換素子を含むセンサー基板と、前記センサー基板上に配置された保護層と、前記保護層上に配置され表面を平坦化する下引層と、前記下引層上に配置された蛍光体を含むシンチレータ層と、前記シンチレータ層上に配置された耐湿保護層を有し、前記下引層にガラス転移温度が−３０℃〜９０℃の樹脂を含有することを特徴とする放射線画像検出装置。 （もっと読む）

【課題】計算機式断層写真法（ＣＴ）検出器において、任意の寸法のフォトダイオード・アレイ内での温度ばらつきによる差分信号誤差を縮小する。
【解決手段】フォトダイオード熱利得係数を減少させる装置が、光照射面を有するバルク半導体材料を含んでいる。バルク半導体材料は、予め決められた正孔拡散距離値に実質的に一致するように構成されている少数電荷担体拡散距離特性と、予め決められたフォトダイオード層厚に実質的に一致するように構成されている厚みとを含んでいる。装置はまた、バルク半導体材料の光照射面に結合されており予め決められた厚み値に実質的に一致するように構成されている厚みを有する不感層（８６）を含んでおり、バルク半導体材料の少数担体拡散距離特性による熱利得係数の絶対値が、不感層（８６）の厚みによる熱利得係数の絶対値に実質的に一致するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体の基板（Ｉ層）を厚くし得ると共に、高抵抗率の半導体を用いることができるＳＳＤを提供することで、エネルギーの高い放射線の検出精度を高める。
【解決手段】Ｉ層の第１の面にＰ層が設けられ、Ｉ層の第２の面に島状のＮ層が設けられると共にＮ層を中心として環状のＰリングが形成され、放射線の入射によりＩ層で発生した電荷をＰ層およびＰリングに印加した電圧により生じた電位勾配によってＮ層に集める放射線検出器に関する。Ｐ層に電圧印加用の第１電極端子を設け、Ｐ層の外周部分に対峙する位置に設けた１本のＰリングに電圧印加用の第２電極端子を設け、第２の面における外周部分に対峙する位置に設けたＰリングとＮ層との間には、絶縁層が設けられ、絶縁層の表面に電圧印加用のリング状の電極端子が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】十分な感度が得られ、高速応答を示す光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極１１、１５と、前記一対の電極間に配置された光電変換層１２とを含む光電変換素子の製造方法であって、前記光電変換層を形成するための原料の少なくとも１種として、最小径が０．３ｍｍ以上である結晶粒子を含む有機材料を使用し、前記有機材料を所定の安定蒸着速度に到達するまで加熱する工程と、前記安定蒸着速度に到達した後、前記光電変換層の成膜を行わずに前記結晶粒子の全体積の少なくとも１／５を昇華させる工程と、前記有機材料の全体積の少なくとも１／５を昇華させた後、前記光電変換層の製膜を行う工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】容量結合が低減された光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、複数の画素領域に区画された光検出領域と、複数の画素領域の各々に配置され、第１電極２５１と第２電極２５２とに挟持された光電変換層を有する、光電変換素子２５と、第１電極２５１と電気的に接続され、第１方向に延設された第１配線２２２と、第２電極２５２と電気的に接続され、光電変換層の厚み方向において第１配線２５１から離れた位置に配置されており、第１方向と交差する第２方向に延設された第２配線２３と、を備える。第１配線２２２は、第１方向と第２方向とが交差する交差部２６において分断されてなる。第１配線２２２を含んだ通電経路は、交差部２６の厚み方向において第１配線２２２よりも第２配線２３から離れた位置に設けられた接続導電部２６１を含んでいる。 （もっと読む）