【課題】少ない製造工程数でＳ／Ｎ比が良く、資源に無駄を生じない低コストの電流センサを提供する。
【解決手段】ＩｎＳｂ等の単結晶基板１とフェライト基板２とを接着し、単結晶基板１の非接着面を厚みが５〜１０［μｍ］になるまで研磨する。この研磨面に、ホール素子パターンとしての複数の感磁性部１ａを形成した後、フェライト基板２ごと切断して複数のホール素子チップ５を分割形成する。次に、接着剤７を介しホール素子チップ５をフェライトコア６の段差部６ａに接着し、感磁性部１ａに電極８及び保護膜９を形成する。フェライトコア６及び感磁性部１ａを含む磁気回路を他のＬコア、Ｉコアを組み付けて構成し、電流センサを製造する。 （もっと読む）

【課題】出力電圧の測定精度を高めることで、検出精度を向上させる磁気センサを提供する。
【解決手段】外部磁界の方向を検出するための磁気センサ１は、それぞれが少なくとも１つの磁気抵抗効果素子からなる４つの抵抗素子部１１−１４によって構成され、外部磁界の方向に応じて出力が変化するようになっているブリッジ回路１０と、ブリッジ回路１０の各出力端子Ａ，Ｃにそれぞれ接続された２つの抵抗体２１，２２と、を有し、各抵抗素子部１１−１４の抵抗値が磁気抵抗変化により最小値となった時のブリッジ回路１０の抵抗値に対する、各抵抗体２１，２２の抵抗値の比が２以上である。 （もっと読む）

【課題】ホール素子チップの厚さを均一化し、感度特性が均一で歩留まりや耐熱性に優れた電流センサの製造方法とする。
【解決手段】ＩｎＳｂ単結晶基板１３を、エポキシ接着剤１２が塗布された支持基板１１に接着する。単結晶基板１３を面出し表面研磨し、その鏡面研磨面に感磁性部１４を形成する。仮接着剤１６を均一に塗布した支持基板１５の一面と、感磁性部１４が形成された単結晶基板１３の一面とを仮接着し、支持基板１１を除去する。単結晶基板１３を感磁性部１４が露出するまで研磨し、個々の感磁性部１４を支持基板１５ごと切断して多数のホール素子チップ１７を分割形成する。エポキシ接着剤１９を介しホール素子チップ１７をフェライトコア１８に接着して支持基板１５を除去し、感磁性部１４に電極２１及び保護膜２２を形成する。フェライトコア１８及び感磁性部１４を含む磁気回路を他のコアを組み付けて構成し、電流センサを製造する。 （もっと読む）

【課題】感磁面に対して平行な磁場を検出するホール素子において、磁気増幅効果を損なうことなく、小型化および薄型化を実現すること。
【解決手段】ホール素子１００は、感磁面が化合物半導体で構成されたホール素子部１１０と、ホール素子部１１０の感磁面１１１と平行に配置された磁気収束板１２０とを備える。感磁面１１１の幅をＷ、磁気収束板１２０の幅をＡ、長さをＢ、厚みをＤとする。感磁面１１１と磁気収束板１２０との間のギャップをＣとする。磁気増幅率は長さＢに比例しており、アスペクト比Ｂ／Ａが３以上となる形状では磁気増幅率が１．５倍を超え、更にＢを３００μｍとしたＢ／Ａ＝５の場合には磁気増幅率が３倍に達する。また、Ａ／Ｗ＜３を満足するよう磁気収束板１２０の幅Ａを狭めてゆくと、磁束の集中する磁気収束板１２０の側面部が感磁面１１１に近づくため、磁気増幅率の増加が著しい。 （もっと読む）

【課題】コンパクトな構成でありながら磁場の検出性能に優れ、かつ容易に製造可能な磁気センサを提供する。
【解決手段】磁化固着層６３と介在層６２と磁化自由層６１とを順にそれぞれ含むと共に、信号磁場によって互いに反対向きの抵抗変化を示す第１および第２のＭＲ素子を備える。第１および第２のＭＲ素子における磁化固着層６３が、介在層６２の側から順にピンド層６３１と、結合層６３２と、ピンド層６３１と反強磁性結合するピンド層６３３とを含むシンセティック構造を有する。第１のＭＲ素子における磁化固着層６３は、ピンド層３６１の総磁気モーメントがピンド層６３３の総磁気モーメントと一致もしくはピンド層６３３の総磁気モーメントよりも大きなものである。一方、第２のＭＲ素子における磁化固着層６３は、ピンド層６３３の総磁気モーメントがピンド層６３１の総磁気モーメントよりも大きなものである。 （もっと読む）

【課題】少なくとも製造時のパッケージ工程においてセンサに熱が加えられたとしても、オフセット電圧のバラツキを軽減することができる磁気センサの製造方法及び磁気センサを提供する。
【解決手段】磁気センサの基板表面の絶縁層に、ブリッジ状に組んだ磁気抵抗１０〜４０を成膜する。磁気抵抗１０〜４０の成膜後、その表面に保護膜を成膜する。保護膜成膜後、その基板部品、即ち基板モジュールをアニールする。このアニール後、磁気抵抗１０〜４０の粗調部８をレーザトリミングによりカットすることで、磁気抵抗１０〜４０の抵抗値を調整する。そして、最後に基板モジュールをパッケージする。 （もっと読む）

磁界センサは、磁界センサの中で使用される磁界検知素子のセルフテストを含めて磁界センサの回路の大部分またはすべてのセルフテストを可能にする診断回路を含む。磁界センサは、磁界センサが応答する診断磁界を発生することができる。
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【課題】従来よりも構成が簡単であり、全体の形状の小型化を図ることができ、製造コストの低い磁気センサ、及び、そのような磁気センサを用いた磁場強度測定方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気センサ５０は、磁化自由層３と、非磁性層５と、磁化固定層７とがこの順に積層された積層体２を有し、その積層方向と垂直な一方向を長手方向とする磁気抵抗効果素子１４と、磁気抵抗効果素子１４と積層方向に離間するように磁気抵抗効果素子１４に絶縁層１８を介して設けられ、電流が供給されることにより磁場を発生させる電流経路層２２とを備え、電流経路層２２は、積層方向から見て磁気抵抗効果素子１４の長手方向と０度以上４５度以下の角度をなす方向に沿って伸びている。 （もっと読む）

【課題】磁性膜又は反磁性膜をエッチングする際に発生するパーティクルの混入を抑制し、高性能なTMR素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】炭化水素類、アルコール類、エーテル類、アルデヒド類、カルボン酸類、エステル類及びジオン類からなるガス化化合物群から選択された少なくとも一種のガス化化合物を０．５×１０^１７分子数／分・ｍ^２以上、好ましくは２×１０^１７分子数／分・ｍ^２以上の分子流速の条件下において形成したプラズマ雰囲気下で、磁性膜又は反磁性膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】室温で１０００％以上のTMR効果が得られる低抵抗の二重障壁強磁性トンネル接合と、この二重障壁強磁性トンネル接合を用いた磁気デバイスを提供する。
【解決手段】下地層／強磁性層１／絶縁層１／強磁性層２／絶縁層２／強磁性層３／上部層の構造が基板材料上に積層され、下地層により強磁性層１の磁化が、上部層により強磁性層３の磁化が固定され、強磁性層２が磁化自由層として機能する構造の二重障壁強磁性トンネル接合において、強磁性層２をCoFeB合金とし、かつ、その厚さを０．５〜１．４nmに薄膜化し、絶縁層１および２をMgOとし、２５０〜４００℃程度の熱処理プロセスを経ることで低抵抗、かつ、１０００％を超える巨大なTMR比が得られる。 （もっと読む）

【課題】磁性体層又は反磁性体層をエッチングする際のパーティクルの混入を抑制し、高性能なTMR素子を提供する。
【解決手段】炭化水素類ガス、アルコール類ガス、エーテル類ガス、アルデヒド類ガス、カルボン酸類ガス、エステル類ガス及びジオン類ガスからなる化合物ガス群から選択された少なくとも一種の化合物ガス、及び酸素ガスを有する混合ガス中の全炭素原子数Ｃｎと全酸素原子数ＯｎとがＯｎ／Ｃｎ＞１の関係を満たし、該混合ガスを用いて形成したプラズマ雰囲気下で、磁性体層又は反磁性体層をエッチングする。 （もっと読む）

磁気積層体は、磁化の向きを切換えることができる自由層と、磁化の向きが固定された基準層と、これらの間にあるバリア層とを有する。この積層体は、自由層から電気的に分離されるとともに基準層と物理的に接触する環状反強磁性ピニング層を含む。ある実施の形態では、基準層は自由層よりも大きい。
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【課題】 １チップ内に作製できる構造の磁気センサを提供する。
【解決手段】 基板11に磁気センサ素子12e〜12h(12i〜12l)から配線に接続するビア部と、この配線から外部に出力を取り出すパッド部とを備えるとともに、基板11上に複数の突部15を連続して備え、複数の突部15は２つの連続する傾斜面15a,15bを有しており、同じ角度で傾斜する一方の傾斜面15a上に磁気センサ素子12eが形成されていて、傾斜面15a上に形成された複数の磁気センサ素子12e-2,12e-3は傾斜面15a上に形成されたリードおよびこのリードに連続する他方の傾斜面15b上に形成されたリード12e-6,12e-7により直列に接続されており、リードは配線を介してパッドに接続されている。 （もっと読む）

【課題】 特に外乱磁場に強く且つ安定した検出精度を得ることができるとともに、外部磁場環境下においても出力の変化を抑制できる磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 素子部１２と永久磁石層６０，６５とで素子連設体６１が構成され、感度軸方向が素子幅方向（Ｙ方向）である。複数の素子連設体６１が素子幅方向に間隔を空けて並設され、隣接する素子連設体同士が接続されてミアンダ状を成している。各素子連設体６１の間、及び素子幅方向の両側に位置する素子連設体６１の外側には、素子連設体６１と非接触の軟磁性体１８が設けられている。素子連設体６１の素子長さ寸法はＬ１で、軟磁性体１８の素子連設体６１の素子長さ方向と同方向の長さ寸法はＬ２であり、長さ寸法Ｌ２は、素子長さ寸法Ｌ１の１倍〜１．５倍に設定されている。 （もっと読む）

【課題】磁電変換素子を極めて容易に短時間で作業性の優れた連続方法で製造することを可能とする。
【解決手段】基板が磁性体の磁電変換素子用ペレットを、リードフレームに接続する工程を備える磁電変換素子の製造方法は、複数の半導体素子を形成したウエハの裏面に樹脂層を設ける工程と、樹脂層を設けたウエハをダイシングして個別の磁電変換素子用ペレットにする工程と、磁電変換素子用ペレットを、樹脂層を介してリードフレームに固着する工程と、磁電変換素子用ペレット上の電極をリードフレームと結線する工程とを具え、該樹脂層が厚み１〜５０μｍであり、前記樹脂層の樹脂がガラス転移点６０〜１６０℃、接着活性温度１７０〜３５０℃、および熱伝導率０．２〜３．５Ｗ／ｍ／℃を有している。 （もっと読む）

【課題】 従来に比べてギャップ依存性を小さくし、安定した検出精度を得ることが可能な磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 磁気センサ１２は、外部磁界を生じる磁石（磁界発生手段）１３と非接触に設けられ、前記外部磁界を検知する磁気検出素子を備えている。磁気センサ１２と磁石１３間にはギャップＧが設けられている。磁気センサ１２には、前記磁気検出素子と非接触の位置に、前記磁気検出素子に外部から作用する磁束密度を制御する軟磁性体１４が設けられている。これにより、従来に比べてギャップ依存性を小さくし、安定した検出精度を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 従来、外付け抵抗の電圧降下から検出していたパワーＮ型ＭＯＳＦＥＴに流れる電流を、高感度のホール素子に発生するホール電圧ＶＨにより検出する。
【解決手段】 アースラインに向かって配線されたソース配線層８の一部をＮ型層１に形成したトレンチ２０内に配設する。これによりトレンチ２０内に配設されたソース配線層８ａ近傍のＮ型層１に発生する磁束密度Ｂを高める。この高い磁束密度Ｂが発生しているトレンチ２０内のソース配線層８ａ近傍のＮ型層１を横切るホール電流ＩＨ成分を増やし、ホール素子Ｈに発生するホール電圧ＶＨを高くする。このように、高い磁束密度Ｂの発生領域にホール素子Ｈを配置することにより、パワーＮ型ＭＯＳＦＥＴのソース電流Ｉが数Ａ程度でも大きなホール電圧ＶＨを発生する。 （もっと読む）

本発明は、ホールセンサ素子に関する。当該基板は、主要表面を備えた基板と、前記主要表面から前記基板内まで延在している、導電性のアクティブ領域と、前記アクティブ領域と、第１の下方のコンタクト面で接触している、基板内の導電性の第１埋設層とを有している。別の観点では、本発明は、上記のホールセンサ素子を用いた磁界の測定方法を実現する。ここでは、電気的な測定電流は主要表面での第１の上方コンタクト電極と第１の下方コンタクト面との間で、アクティブ領域を通って導かれる。第１の下方コンタクト面と第１の上方コンタクト電極との間の接続線に対して傾斜して延在する区間に沿って、アクティブ領域でホール電圧が検出される。択一的に、測定電流が上記の区間に亘って、アクティブ領域を通って導かれ、ホール電圧が第１の上方コンタクト電極と第１の下方コンタクト面との間で検出される。
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【課題】スピンの散乱を抑制しつつ、良好なスピン伝導性及び電気抵抗特性を実現可能なスピン伝導素子を提供すること。
【解決手段】スピン伝導素子１００Ａは、半導体材料からなるチャンネル７と、チャンネル７上に第１絶縁層８１を介して配置された磁化固定層１２Ｂと、チャンネル７上に第２絶縁層８２を介して配置された磁化自由層１２Ｃと、チャンネル７上に配置された第１電極２０Ａ及び第２電極２０Ｄと、を備え、チャンネル７のうちの第１絶縁層８１との接触面を含む第１領域７１、第２絶縁層８２との接触面を含む第２領域７２、第１電極２０Ａとの対向面を含む第３領域７４、及び第２電極２０Ｄとの対向面を含む第４領域７５のキャリア濃度は、チャンネル７全体の平均のキャリア濃度よりも高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来、外付け抵抗の電圧降下から検出していたパワーＮ型ＭＯＳＦＥＴに流れる電流を、ホール素子に発生するホール電圧Ｖ_Ｈにより検出する。
【解決手段】アースラインに向かって配線されたソース配線層８の直下の絶縁膜７ａを数１０ｎｍ程度の厚さとする。これにより、ソース電流Ｉにより、ソース配線層８の直下領域または該ソース配線層８の両側面部のＮ型層１に発生する磁束密度Ｂを高くする。この高い磁束密度Ｂの発生領域にホール素子Ｈを配置することにより、パワーＮ型ＭＯＳＦＥＴのソース電流Ｉが数Ａ程度でも大きなホール電圧Ｖ_Ｈを発生する。 （もっと読む）