【課題】書込み電流の増大や書込みの信用性の向上が図られた磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】磁気記憶装置は、基板１１と、基板１１上に設けられたライト線ＷＴと、ライト線ＷＴに対して基板１１の厚み方向に間隔をあけて配置され、ライト線ＷＴの延在方向と交差する方向に延びるビット線ＢＬと、ライト線ＷＴおよびビット線ＢＬの間に位置する磁気記憶素子ＭＭとを備え、磁気記憶素子ＭＭは、磁化方向が固定された固定層１と、外部磁界によって磁化方向が変化する記録層３とを含み、記録層３は合金膜を含み、合金膜はコバルトと鉄とホウ素とを含み、ホウ素は２１ａｔ％より高い。 （もっと読む）

【課題】 磁気デバイスにおける垂直磁気異方性と保持力とを向上させる。
【解決手段】 ＭＡＭＲ構造２０は、Ｔａ／Ｍ１／Ｍ２なる構造（例えば、Ｍ１はＴｉ、Ｍ２はＣｕ）の複合シード層２２の上に、［ＣｏＦｅ／Ｎｉ］_X等のＰＭＡ多層膜２３を有する。複合シード層２２とＰＭＡ多層膜２３との間の界面、および、ＰＭＡ多層膜２３の積層構造内の各一対の隣接層間における１以上の界面の一方または双方に界面活性層を形成する。超高圧アルゴンガスを用いたＰＭＡ多層膜２３の成膜により、各［ＣｏＦｅ／Ｎｉ］_X間の界面を損傷するエネルギーを抑える。低パワープラズマ処理および自然酸化処理の一方または両方を複合シード層２２に施すことにより、［ＣｏＦｅ／Ｎｉ］_X多層膜との界面を均一化する。各［ＣｏＦｅ／Ｎｉ］_X層間に酸素界面活性層を形成してもよい。保磁力は、１８０〜４００°Ｃ程度の熱処理によっても増加する。 （もっと読む）

【課題】従来のセンサとは別の動作原理に基づくMEMS技術を応用した新たな高感度センサを提供する。
【解決手段】磁性膜センサは、磁気歪を発生する矩形状の磁性膜を有し、磁性膜に磁気歪を発生させる磁気歪構造を有している。磁気歪構造は、例えば磁性膜を湾曲させて磁気歪を発生させるように構成されている。また、磁気歪構造は、例えば表面に凹部が形成された凹部付絶縁層を設け、その凹部を跨ぐようにして磁性膜を形成することによって得られる。磁性膜は、ＧＭＲ膜等に永久磁石バイアス層が積層され、その永久磁石バイアス層によって磁性膜の短手辺に沿った方向の磁界がＧＭＲ膜に加えられている。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体ウェハー素材を用いてホール素子などを作成するに当たり、無駄となる部分が多くコストの増加を招いていた。
【解決手段】 複合半導体素子が、基板（１１）と、基板上（１１）に備えられ有機材料を主材料とする平坦化層（１４）と、例えばホール素子を構成する化合物半導体素子を含み平坦化層（１４）上にボンディングされた半導体薄膜（１２）を有する。化合物半導体薄膜（１２）との電気的接続のための金属配線膜（２３）をさらに備え、化合物半導体薄膜（１２）と金属配線膜（２３）との間に、より高い不純物濃度の化合物半導体層（１７）を介在させても良い。 （もっと読む）

【課題】外部磁場がチャンネルに侵入することに起因するノイズやエラーを抑制することが可能なスピン伝導素子を提供すること。
【解決手段】スピン伝導素子１は、第一強磁性体１２Ａと、第二強磁性体１２Ｂと、第一強磁性体１２Ａから第二強磁性体１２Ｂまで延びるチャンネル７と、チャンネル７を覆う磁気シールドＳ１と、チャンネル７と磁気シールドＳ１との間に設けられた絶縁膜と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁束密度のＺ軸方向成分の位置分布を高い空間分解能で検出できる磁気センサー素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気センサー素子１０００は、電界効果トランジスター１００と、電界効果トランジスター１００を制御する制御部２００と、を含み、電界効果トランジスター１００は、ゲート電極１４と、ゲート電極１４の一方側に、ゲート幅方向に並んで形成された、第１ソース領域３２および第２ソース領域３４と、ゲート電極１４の他方側に、ゲート幅方向に並んで形成された、第１ドレイン領域２２、第２ドレイン領域２４、および第３ドレイン領域２６と、を有し、制御部２００は、第１制御および第２制御を行い、第１制御では、第１ソース領域３２と、第１ドレイン領域２２および第２ドレイン領域２４と、の間に電圧を印加し、第２制御では、第２ソース領域３４と、第２ドレイン領域２４および第３ドレイン領域２６と、の間に電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】ホールセンサ出力の、磁束密度に対する直線性を向上させる。
【解決手段】絶縁性基板または半絶縁性基板１０上に形成された膜厚方向に電子移動度の分布を有する化合物半導体薄膜を用いた磁気センサにおいて、導電層２０となる化合物半導体薄膜を、第一の半導体層２１と第二の半導体層２２と第三の半導体層２３とをこの順に積層して構成し、前記第一の半導体層２１が前記絶縁性基板または半絶縁性基板１０に接するように配置し、前記第二の半導体層のキャリア移動度を、前記第一の半導体層及び前記第三の半導体層のキャリア移動度よりも高く、且つ前記第二の半導体層２２の不純物濃度を、前記第一の半導体層２１及び前記第三の半導体層２３の不純物濃度よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】従来の位置検出装置では、第１のホール素子および第２のホール素子をそれぞれ別のチップ内に形成していた。従って、２チップを使用しているため、コストが高く、パッケージを小さくできないという問題があった。また、ダイボンドの位置ずれにより、前記第１のホール素子と前記第２のホール素子との間のギャップ精度が悪いという問題もあった。
【解決手段】本発明に係るホール素子では、前記第１のホール素子および前記第２のホール素子が１チップ内に形成される。また、適正なレイアウトによりチップサイズを縮小することができる。これにより、パッケージサイズを小さくすることができる。さらに、本発明に係るホール素子では、前記第１のホール素子および前記第２のホール素子がリソグラフィーにより同一チップに同時に形成されるので、前記第１のホール素子と前記第２のホール素子との間のギャップ精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】高感度領域で動作させた場合であっても動作が安定する磁気式スイッチを提供すること。
【解決手段】本発明の磁気式スイッチは、感度軸方向からの外部磁界に対して抵抗値が変化する磁気センサと、磁気センサの抵抗変化に基づいて変化するセンサ出力に基づいて、検出信号を出力する制御手段と、を具備し、磁気センサは、特定の方向に感度軸を持つ磁気抵抗効果素子１と、感度軸の方向において磁気抵抗効果素子１を挟むように配置された磁気増幅膜３と、磁気抵抗効果素子１及び磁気増幅膜３が占める領域よりも広い領域で磁気抵抗効果素子１及び磁気増幅膜３と重なるように配置された磁気シールド膜４と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＴＭＲ素子の故障時に発生しうる短絡事故を、有効に防止しうる小型で低コストな電子回路基板、これを用いた磁気センサ、及びＴＭＲ素子を含む電子回路の電源部の保護方法を提供する。
【解決手段】電子回路基板は、２つの端子ｓ１，ｓ２が、少なくともリードＬ１１〜Ｌ１５を介して、電源とグランドにそれぞれ接続されたＴＭＲ素子１１〜１４を含む。リードＬ１１，Ｌ１２の少なくとも一部は、ＴＭＲ素子のトンネルバリア膜が破壊された後、２つの端子ｓ１，ｓ２間の短絡により発生する過電流によって断線する。これによると、ＴＭＲ素子１１〜１４の故障により両端子ｓ１，ｓ２間が短絡した場合、電源とグランドが短絡されて過電流が発生する。その過電流によって、リードＬ１１，Ｌ１２の少なくとも一部が断線されるようにしており、これにより、過電流を遮断して電源を保護することができる。 （もっと読む）

【課題】 マルチチャネル型にも適用可能なスピン伝導素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
このスピン伝導素子は、半導体基板１の半導体領域に設けられたピンド層を有するスピン流源Ａと、半導体領域に設けられたフリー層を有するスピン流吸収電極Ｂと、半導体領域に設けられ、スピン流吸収電極Ｂとの間の電圧を測定するための検出用電極ＰＢ１と、半導体領域におけるスピン流源Ａとスピン流吸収電極Ｂとの間に位置し、スピン流源Ａに対して正の電位が印加される非磁性体を含むバイアス印加電極Ｃとを備えている。 （もっと読む）

【課題】磁界発生部品Ｙからの外乱による影響を少なくすることができる位置検出システム、及び搭載製品の設計の自由度を向上させ、また、搭載製品の小型化を図ることができる多方向入力装置を提供すること。
【解決手段】位置検出システム１は、基板１１上に実装された第１〜第３の磁気検出素子１２Ａ〜１２Ｃと、基板１１に配設され、基板１１に対して移動可能な磁石１３と、第１の磁気検出素子１２Ａ及び第２の磁気検出素子１２Ｂの出力差で第１方向の出力を求め、第２の磁気検出素子１２Ｂ及び第３の磁気検出素子１２Ｃの出力差で第２方向の出力を求める制御手段と、を具備し、第１の磁気検出素子１２Ａ及び第３の磁気検出素子１２Ｃは、磁石１３を中心に対称な位置に配置され、第２の磁気検出素子１２Ｂは、第１の磁気検出素子１２Ａ、第２の磁気検出素子１２Ｂ及び第３の磁気検出素子１２Ｃを結ぶ仮想円弧における中点位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】ヒステリシスの影響を受けずに外部磁界を正常に検出しうる高性能な磁気センサを提供する。
【解決手段】 電流制御部４は、コイル磁界Ｈの強度を初期値から一方的に増加、または一方的に減少させるように電流を制御するから、被測定磁界Ｈｏを相殺し、あるいはその一部を打ち消すことができる。そして、電流制御部４は、検出信号Ｓが入力されたとき、コイル磁界Ｈの強度を初期値に戻すように前記電流を制御する。本願発明の特徴的な構成は、初期値が、スピンバルブ型磁気抵抗効果素子１１，１２に飽和磁化を与える磁界の強度である点である。この特徴的な構成によると、測定が完了するたびに、与えられるコイル磁界Ｈの強度が初期値に戻されるとともに、スピンバルブ型磁気抵抗効果素子１１，１２が磁化飽和されるから、電流制御の動作点は、常に、ヒステリシス曲線の線形性を有するルート部分のうち、一定のルート部分で行われることになる。 （もっと読む）

【課題】 無磁場を安定して検出しうる磁気センサを提供することである。
【解決手段】 磁気センサは、磁気抵抗効果素子１１が、軟磁性材料からなる磁束吸収体１２により覆われているから、この磁束吸収体１２が、回路基板１に与えられる磁界の磁束を、その飽和磁束量まで吸収して、当該磁束が磁気抵抗効果素子１１に与えられないようにすることができる。状態検出部２は、回路基板の出力電圧Ｖｏｕｔに基づいて、回路基板１に与えられた磁界の磁束量が閾値以下である第１の状態と、当該磁界の磁束量が閾値より多い第２の状態とを検出する。ここで、磁束吸収体は、その飽和磁束量が当該閾値となるように定まった形状、または大きさを有する。したがって、磁束吸収体１２の形状、または大きさを調整することによって、磁気センサの適用される環境条件に応じ、無磁場である第１の状態と、磁場が存在する第２の状態とのバランスを保つように当該閾値を好適に設定することができる。 （もっと読む）

【課題】 回転角度の検出精度を高めながら小型化することができる回転センサを実現する。
【解決手段】 磁気抵抗素子Ｒ１〜Ｒ８が各磁気抵抗素子の出力信号間に位相差が出るように配置された磁気抵抗素子領域Ｅ１と、ホール素子Ｈ１，Ｈ２が各ホール素子の出力信号間に位相差が出るように配置されたホール素子領域Ｅ２とを有し、かつ、磁気抵抗素子領域およびホール素子領域の少なくとも一部同士が重ねられたセンサチップ５と、各ホール素子の各出力レベルと閾値レベルとの比較結果を出す比較部５３と、各磁気抵抗素子の各出力信号を用いて相対回転角度θに対応する演算角度φを演算する角度演算部６０と、その演算された角度と閾値角度とを比較し、その比較結果と比較部５３の比較結果とを用い、相対回転角度に対応する信号を出力する出力部７０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 磁気発生部の相対回転角度の演算時間を短縮することができる回転センサを実現する。
【解決手段】角度演算部６０はＡＭＲセンサＭ１，Ｍ２から出力される信号を用い永久磁石２に対する相対回転角度θと演算により求めた演算角度φとの偏差が所定値に収束するようにフィードバック制御を行って相対回転角度θを演算する。初期値決定部５３はホール素子Ｈ１，Ｈ２から出力された各検出信号の各信号レベルと閾値との各比較結果を用い相対回転角度θの初期値θ０が含まれる角度範囲を判定し、その判定した角度範囲の中で発生し得る相対回転角度の初期値と前記演算角度の初期値との差の絶対値が９０°未満となるように演算角度の初期値を決定する。初期値決定部は永久磁石２が相対回転を開始する前にのみ演算角度φの初期値φ０を決定し角度演算部６０はその決定された演算角度φの初期値φ０を用いてフィードバック制御を開始し、相対回転角度θを演算する。 （もっと読む）

【課題】微小領域からの磁束が検出可能であり、かつ素子抵抗の増大を抑制可能な磁気センサーを提供すること。
【解決手段】磁気センサーは、第一強磁性体１２Ａと、第二強磁性体１２Ｂと、第一強磁性体１２Ａから第二強磁性体１２Ｂまで延びるチャンネル７と、チャンネル７を覆う磁気シールドＳ２と、チャンネル７と磁気シールドＳ２との間に設けられた絶縁膜７ｂと、を備え、磁気シールドＳ２は、チャンネル７に向かって延びる貫通穴Ｈを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微小領域からの磁束が検出可能であり、かつ素子抵抗の増大を抑制可能な磁気センサーを提供すること。
【解決手段】磁気センサー１は、チャンネル７と、チャンネル７上の強磁性体１２、第一参照電極２０Ａ及び第二参照電極２０Ｂと、チャンネル７における強磁性体１２と対向する部分を覆う磁気シールドＳ１と、チャンネル７と磁気シールドＳ１の間に設けられた絶縁膜７ａと、を備え、磁気シールドＳ１は、チャンネル７における強磁性体１２と対向する部分に向かって延びる貫通穴Ｈを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高精度の角度センサを低コストで提供する。
【解決手段】角度センサ（１０）は、回転軸（２１）の軸芯方向に対して斜向する主面（２２Ａ，２２Ｂ）を有し、回転軸（２１）の軸芯回りの回転に連動して回転するロータ（２２）と、ロータ（２２）の回転時に生じるロータ（２２）の面ブレに伴い磁界強度及び磁界方向が周期的に変化する磁界を検出し、回転軸（２１）の回転角の情報を含む検出信号を出力する磁気センサ（３０）と、検出信号に基づいて回転軸（２１）の回転角を算出する信号処理回路（４０）を備える。 （もっと読む）

【課題】ホール素子によるホール起電力信号の検出に適用するΔΣ変調器に生起するパターンノイズを効果的に抑制可能なホール起電力信号検出装置を実現する。
【解決手段】バイアス電流が経時的に向きを切替えて供給され同時にホール起電力の検出を可能にする複数対の接続端を有するホール素子１０１にバイアス電流を供給しホール起電力を検出するに際し、スイッチ回路１０４で、バイアス電流の向きの切替えとこれに同期したホール起電力の極性の切替えを行って当該ホール素子のホール起電力が変調された変調ホール起電力信号を得、この信号を復調器１０４で復調して復調ホール起電力信号を得る。この復調ホール起電力信号に対しΔΣ変調器１１０でΔΣ変調をかける。タイミング制御回路１５０で、スイッチ回路１０４における切替え動作のタイミングおよび復調器１０４における復調動作のタイミングを経時的にランダム化されたタイミングとする。 （もっと読む）