【課題】増幅率が予め定められた増幅率であるかを判定することができる検出装置および電流センサを提供する。
【解決手段】実施の形態に係る検出装置１は、主に、検出対象の変化を検出して検出信号を出力するホールセンサ２と、ホールセンサ２から出力された検出信号を増幅して第１の増幅信号を出力する増幅部３と、増幅部３に入力して第２の増幅信号として出力される基準電圧を増幅部３に供給する基準電圧供給部４と、入力する制御信号に基づいてホールセンサ２と増幅部３との接続、または増幅部３と基準電圧供給部４との接続を切り替える切替部５と、増幅部３に予め定められた増幅率と、第２の増幅信号から得られる増幅率と、を比較した結果を比較信号として出力する比較部６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】３軸センサ・チップパッケージためのシステムと方法を提供する。
【解決手段】センサパッケージは、ベース１０５と、第１のセンサダイ１１０が、第１のアクティブセンサ回路１１２および、第１のアクティブセンサ回路に電気的に結合された複数の金属パッド１１４とを備え、ベースに取り付けられた第２のセンサダイ１２０が、第１の表面１２８の上に配置された第２のアクティブセンサ回路１２２と、第２の表面の上に配置された第２のアクティブセンサ回路に電気的に結合された第２の複数の金属パッド１２２とを備え、第２のアクティブセンサ回路は、第１のアクティブセンサ回路に対して直交に方位付けされ、ベースに垂直であるように、第２のセンサダイが配置される。第２の表面は、第１の表面に隣接し、第１の表面の面に対して角度がつけられている。 （もっと読む）

【課題】一対の部材間において非接触で信号を送受信でき、しかも小型化可能な電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の電子機器（１）は、ヒンジ部（１３）を介して相対的に回動可能に連結された本体部（１１）及び表示部（１２）を備えた電子機器（１）であって、本体部（１１）に設けられ表示部（１２）に向けた信号を出力する信号回路（１６）と、ヒンジ部（１３）に設けられ信号回路（１６）に電気的に接続される少なくとも１つの導電路（２０）と、導電路（２０）に対向して表示部（１２）に配設され信号回路（１６）から出力され導電路（２０）に印加された信号からの誘導磁界により出力信号を出力する少なくとも一つのＧＭＲ素子（１８）と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 検出感度の異方性を抑えるため、磁気的等方性を有し且つ小型である磁気センサを提供する。
【解決手段】 本発明の磁気センサは、非磁性の中間層を介して２つの強磁性膜が積層されたスピンバルブ型の磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサにおいて、前記磁気抵抗効果素子の形状は複数のリングが連なった形状であり、各々のリングが電気的に接続されている状態で通電され、前記磁気抵抗効果素子の電気抵抗が外部磁場に対して変化することを特徴とする。前記検出素子が少なくとも２つ含まれるブリッジ回路で回転角度検出装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】製造上の手間・コスト削減を図りつつ、感度向上を図る。
【解決手段】アイランド部１２と一次導体１３とセンサリード端子１４とを同一の平板から打ち出してリードフレームを形成し且つ、一次導体１３をアイランド部１２と電気的に切り離すとともに、前記アイランド部１２の、平面視方形のＩＣチップ１１と同等形状を有するアイランド本体２１を取り囲む略コの字状を有するコの字部３１を備えて形成する。アイランド本体２１にＩＣチップ１１を載置し、ＩＣチップ１１とセンサリード端子１４とをボンディングワイヤ１５により接続する。このときＩＣチップ１１の角部１１ａ、１１ｂの仮想的な面取り曲線上に、コの字部３１のコーナー部３１ａ、３１ｂと対向するように磁場変換素子４１を１以上配置する。そして、各磁場変換素子４１の検出信号の総和を演算し、これを電流センサ１０の検出信号として出力する。 （もっと読む）

【課題】出力を向上可能なスピン伝導素子を提供する。
【解決手段】 このスピン伝導素子は、半導体層３と、半導体層３上に第１トンネル障壁層５Ａを介して設けられた第１強磁性層１と、半導体層３上に、第１強磁性層１から離間し、且つ、第２トンネル障壁層５Ｂを介して設けられた第２強磁性層２と、を備え、半導体層３は、第１強磁性層１からその厚み方向に垂直な方向に沿って、第１強磁性層１から離れる方向へ広がる第１領域Ｒ１と、第１強磁性層１からその厚み方向に垂直な方向に沿って、第２強磁性層２に向かう方向に延びており、第１領域Ｒ１の不純物濃度よりも相対的に高い不純物濃度を有する第２領域Ｒ１２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】エッチングに用いられるハロゲン系成分による素子の腐食を防止することが可能な磁気抵抗素子の製造装置及び製造方法を提供すること
【解決手段】本発明の磁気抵抗素子１０の製造方法は、基板上に強磁性材料からなる第１の強磁性層１３を形成する。酸化マグネシウムからなる絶縁層１４は、第１の強磁性層１３上に形成される。Ｆｅ及びＣｏの少なくとも一方を含有する第２の強磁性層１５は、絶縁層１４上に形成される。ハロゲン系元素を含むプラズマによるエッチングは、基板１１上に第１の強磁性層１３、絶縁層１４及び第２の強磁性層１５が積層された積層体に対して施される。積層体は、Ｈ_２Ｏを含むプラズマであるＨ_２Ｏプラズマに曝露される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ホール電圧に含まれたオフセットを取り除くオフセットキャンセル機能を有するホールセンサ及びこれのオフセットキャンセル方法に関する。
【解決手段】事前に設定された複数の検出方向に応じて磁界を電圧として検出するホール（Ｈａｌｌ）デバイスにより、上記複数の検出方向別に検出された第１及び第２の検出電圧間のレベル差を幅として有するパルスに変換する変換部と、上記第１及び第２の検出電圧を比較し、その比較結果に応じて上記パルスの＋符号又は−符号を決定する符号決定部と、上記変換部からのパルスの幅を事前に設定された基準時間の単位でカウントするカウンター、及び上記符号決定部により決定された符号に応じて、上記カウンターによりカウントされた数のマイナス演算を行い、上記第１及び第２の検出電圧に含まれたオフセット電圧を取り除く演算部を含む。 （もっと読む）

【課題】外部の感度測定用磁界発生源を用いることなく磁気センサの各軸方向の感度を測定する機能を有する磁気センサ及びその感度測定方法を提供すること。
【解決手段】感度測定装置では、感磁部（３１）による検出された磁束密度は、切換部（３２）によって各軸の磁界強度情報が抽出され、増幅部（３３）を介して、感度演算部（３４）に入力される。感度演算部（３４）は、感磁部（３１）からの各軸に関する磁界強度情報に基づいて感度を演算する。感度演算部は、感磁部（３１）からの磁束密度を各軸の磁気成分に分解する軸成分分解部（３４ａ）と、軸成分分解部（３４ａ）からの磁界強度の各軸成分を基準値と比較して感度を判定する感度判定部（３４ｂ）と、感度判定部（３４ｂ）からの感度情報に基づいて感度補正を行う感度補正部（３４ｃ）とを備えている。センサ診断部（３９）は、感度情報に基づいて磁気センサの感度良否を自己診断し、自己感度補正(調整)をする。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子を飽和させることなく、被検知物へ掛かる磁界強度が強化され、検知感度を向上させる磁気センサ装置を得る。
【解決手段】筐体の中空部を搬送される被検知物の一方の面に搬送方向に沿って磁極が反転するように配置した第１の磁石と、前記被検知物の他方の面に前記第１の磁石の磁極と異なる磁極を対向して配置し前記第１の磁石との間で搬送方向に連続的な勾配磁界を形成する第２の磁石と、前記第１の磁石の磁極の反転部に第１の間隙を備えた第１のヨークと、前記第２の磁石の磁極の反転部に前記第１の間隙より長い第２の間隙を備えた第２のヨークと、前記被検知物と前記第１のヨークとの間の前記勾配磁界の弱磁界強度領域に設けられ、前記勾配磁界の強磁界強度領域を搬送される前記被検知物による磁界変化を検知する磁気抵抗効果素子とを備えた。 （もっと読む）

【課題】ホール素子を有する磁気センサにおいて、簡易な回路構成である信号処理回路で、ホール素子の出力電圧に含まれるオフセット電圧及びフリッカノイズを除去することのできる磁気センサを提供する。
【解決手段】ホールプレートＨは、ホールプレートＨを流れる電流のキャリアの種類を、ゲート電極Ｇの電位Ｖｇにより、電子または正孔のいずれか一方にすることが可能な両極性材料から形成される。さらに、入出力端子ＴＡ，ＴＡ’，ＴＢ，ＴＢ’が、ホールプレートＨの面内で対向する電流入力端子対と電圧出力端子対とになり、その際に電流入出力端子対と電圧出力端子対とが互いに直交するような位置に形成される。 （もっと読む）

【課題】ウェル層と基板の間の空乏層幅を抑制し、かつＣＭＯＳトランジスタとの混載が可能なホール素子を含む半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｐ型基板１０１に設けられたＮウェル層１０３と、Ｎウェル層１０３の上面においてＸ方向に沿った電流を流す電流入力端子１１０、１１１と、前Ｎウェル層１０３の上面においてＸ方向と直交するＹ方向に沿った磁界を発生する電圧出力端子１１２、１１３と、を備える半導体装置において、Ｎウェル層１０３の底面とＰ型基板１０１との間に、導電型がＮ型であって、かつＮウェル層１０３よりも不純物濃度の高い空乏層幅抑制用Ｎ⁺層１２０を設ける。 （もっと読む）

【課題】コストの増大を抑えつつ、ホール素子のオフセット電圧Ｖｏを低減することができるようにしたホール素子及びその製造方法と、半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１に設けられた第１のＮ型拡散領域１０と、半導体基板１に設けられ、第１のＮ型拡散領域１０に電気的に接合された複数の第２のＮ型拡散領域２０と、半導体基板１に設けられ、複数の第２のＮ型拡散領域２０の各々の間を電気的に分離するＳＴＩ領域３０と、を有する。第１のＮ型拡散領域１０は感磁部であり、複数の第２のＮ型拡散領域２０の各々は感磁部に対する入出力端子部である。複数の第２のＮ型拡散領域２０の各々におけるＮ型の不純物濃度は、ＳＴＩ領域３０の底部３０ｂを基点に深さ方向で０μｍ以上、０．２μｍ以下の範囲内で、５×１０¹⁷個／ｃｍ³以上、３×１０¹⁹個／ｃｍ³以下である。 （もっと読む）

【課題】高密度化対応の磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアッセンブリ、磁気記録再生装置、歪みセンサ、圧力センサ、血圧センサ及び構造物ヘルスモニタセンサを提供する。
【解決手段】基板上に積層された、第１の磁性層１２と、第１の磁性層１２に積層され、第１の磁性層の組成とは異なる第２の磁性層１１と、第１の磁性層１２と第２の磁性層１１との間に配置されたスペーサ層１３と、を有する積層体１０と、積層体１０に電流を流す１対の第１の電極と、積層体１０の近傍に設けられ、積層体に歪みが印加されることで、第１の磁性層１２及び第２の磁性層１１の磁化方向がそれぞれ異なる方向にバイアスされるよう積層体１０に歪みを印加する歪み導入部材と、歪み導入部材に電圧を印加するための第２の電極と、を備える。外部磁界が印加されることで、第１の磁性層１２及び第２の磁性層１１の磁化方向がともに変化し、磁化方向の変化により、外部磁界を検出する。 （もっと読む）

【課題】 小型で微小な磁極間の磁界評価や、評価対象近傍領域の磁界評価ができる磁気センサを提供すること
【解決手段】 磁気センサ１０は、外径１２５μｍの光ファイバークラッドからなる円柱状のベース部材１１の外周面に磁気抵抗薄膜１２を被膜すると共に、その磁気抵抗効果膜１２の軸方向両端に導体膜１３を成膜して形成される。導体膜が電極部となる。導体膜間にセンス電流を流すことで、このセンス電流ベクトルと外部磁界による円柱周囲の確気抵抗薄膜の磁化ベクトルとの成す角度に応じて、磁気抵抗薄膜の抵抗変化が生じ、端子間の電圧変化として検出可能となる。 （もっと読む）

【課題】モールド成型によりパッケージ化されてなる半導体装置において、パッケージからのストレスに起因する半導体デバイスの特性変化のさらなる抑制を図る。
【解決手段】Ｓｉ−ＬＳＩ２０２ａ、２０２ｂ全体をＳｉＯ₂膜２０５とＳｉＮ膜２０６とで覆い、２つのＳｉ−ＬＳＩ２０２ａ、２０２ｂ間のＳｉ基板２０１表面に、化合物半導体デバイスからなるホール素子２０８の感磁部を形成する。ホール素子２０８とＳｉ−ＬＳＩ２０２ａ、２０２ｂとを金属配線２１０で接続した後、ＳｉＮ膜２１１、ＳｉＯ₂膜２１２を形成して平坦化し、その上にＡｌ配線２１３を形成する。基板上面からみて、Ａｌ配線２１３の、ホール素子２０８と重なる領域にエッチング溶液注入穴２１４を形成しここからエッチング溶液を注入してＡｌ配線２１３の下部のＳｉＯ₂膜２１２を除去し中空部２１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子の出力を低下させずに耐環境性の向上を図る。
【解決手段】ＧａＡｓ単結晶基板（１１）上に、ＳｎドープＩｎＳｂ薄膜（１２ａ）をエピタキシャル成長させ（図２（ａ））、ＩｎＳｂ薄膜（１２ａ）をメサエッチングして感磁部１２を形成し、さらに、感磁部１２の上に、保護膜１６として窒化シリコン薄膜を形成する（図２（ｂ））。短絡電極１３、取り出し電極１４および接続電極１５を形成する部分の窒化シリコン薄膜（１２ａ）を除去し（図２（ｃ））、真空蒸着法により、各電極１３〜１５を蒸着し、リフトオフ法で短絡電極１３、取り出し電極１４および接続電極１５を形成した。これら電極は、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層構造とし、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ＝１００ｎｍ／２０ｎｍ／４５０ｎｍとした。そして、感磁部（１２）および短絡電極１３を含む全面に軟樹脂層１７としてゴム系樹脂を形成した（図２（ｄ））。 （もっと読む）

【課題】 トンネル層における面抵抗の低減が図られたスピン伝導素子及び磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】
本発明に係るスピン伝導素子（磁気センサー１）は、半導体で構成されるチャンネル層１０と、チャンネル層１０上に形成された強磁性層２０Ａ、２０Ｂと、チャンネル層１０と強磁性層２０Ａ、２０Ｂとの間に介在するように形成されたトンネル層２２Ａ、２２Ｂとを備え、トンネル層２２Ａ、２２Ｂが、ＭｇＯのＭｇの一部がＺｎで置換された材料で構成されている。発明者らの研究によれば、ＭｇＯのＭｇの一部をＺｎで置換したトンネル材料において、面積抵抗の低下が観測された。そのため、トンネル層２２Ａ、２２Ｂを、ＭｇＯのＭｇの一部がＺｎで置換された材料で構成することにより、トンネル層２２Ａ、２２Ｂの面積抵抗の低減が図られる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、半導体チップ（１）内に集積化される垂直ホールセンサおよびそれの製造のための方法に関する。
【解決手段】 垂直ホールセンサは、第２の導電型の導電性領域（３）内に埋め込まれる、第１の導電型の導電性ウェル（２）を有する。電気的接点（４）が、導電性ウェル（２）の平坦面（５）上で直線（６）に沿って配置される。導電性ウェル（２）は、それが導電性ウェル（２）の平坦面（５）から深さＴ_１に位置する最大値を有するか、または深さＴ_２まで本質的に一定であるかのどちらかのドーピング分布を有するように、高エネルギーイオン注入法およびその後の加熱によって生成される。 （もっと読む）

【課題】高温域におけるスピン注入効率の低下が抑制されたスピン伝導素子及び磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】Ｓｉで構成されるチャンネル層１０と、チャンネル層１０上に形成された強磁性層２０Ａ、２０Ｂと、チャンネル層１０と強磁性層２０Ａ、２０Ｂとの間に介在するように形成され、ＢａＯで構成されるトンネル層２２Ａ、２２Ｂとを備える構造のスピン伝導素子。シリコンの格子定数は５．４３０９Åであり、ＢａＯの格子定数は５．５２６３Åである。シリコンの格子定数に対して、ＢａＯの格子定数は１．８％の差（不整合率）があり、この値は、シリコンとＭｇＯの格子定数の差と比較して１／５程度である。トンネル材料としてＢａＯを採用し、シリコンとトンネル材料との間の格子定数の差を従来材料に比べて低減することで、高温域におけるスピン注入効率の低下が抑制される。 （もっと読む）