【課題】基板上にスピンバルブ素子を有する磁界検出装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１を準備する工程と、基板上に、固着層、絶縁層、および自由層を含むスピンバルブ素子１１〜１４を形成する工程と、スピンバルブ素子の近傍に集磁領域２１，２２を形成する工程と、Ｈ方向の磁界を基板に印加することにより、スピンバルブ素子の自由層を磁化する磁化工程とを含み、磁化工程は、集磁領域により、Ｈ方向とは異なる所定方向の磁界をスピンバルブ素子に印加して、Ｈ方向とは異なる所定方向にスピンバルブ素子を磁化する。 （もっと読む）

【課題】室温でのシリコンチャンネル層におけるスピンの注入を可能とするスピン注入電極構造、スピン伝導素子又はスピン伝導デバイスの提供。
【解決手段】スピン注入電極構造ＩＥは、シリコンチャンネル層１２と、シリコンチャンネル層１２の第一部分上に設けられた第一酸化マグネシウム膜１３Ａと、第一酸化マグネシウム膜１３Ａ上に設けられた第一強磁性層１４Ａと、を備える。第一酸化マグネシウム膜１３Ａには、シリコンチャンネル層１２及び第一強磁性層１４Ａの両方と格子整合している第一格子整合部分Ｐが部分的に存在している。 （もっと読む）

【課題】少ない部品点数で、磁気抵抗センサの出力温度特性を改善する。あるいは、既製品を利用して、大幅な設計変更をせずに磁気抵抗センサの出力温度特性を改善する。あるいは、磁気抵抗センサについて多相出力がある場合に、それらの出力温度特性を一括して改善する。
【解決手段】磁気抵抗センサの電源回路１０１ａは、磁気抵抗センサに電圧を印加する電源回路であって、磁気抵抗センサに印加する電圧を磁気抵抗センサの温度に応じて可変とすることにより、磁気抵抗センサの温度補償をする温度補償回路を備える。 （もっと読む）

【課題】モータ制御用半導体装置に対するコンタクト用ピンからの影響を低減する
【解決手段】ホール素子１０２からの出力のオフセット電圧を取り除くオフセットキャンセル回路１０４に含まれるオシレータ回路１２と、オフセットキャンセル回路１０４からの出力信号を受けて、当該出力信号と基準信号とを比較して比較信号を生成して出力するコンパレータ回路１０６と、モータを駆動するための駆動信号を生成して出力する出力回路１１０と、モータの制御に関係しないテスト回路１１２と、を有し、オシレータ回路１２の回路パターン上、コンパレータ回路１０６の回路パターン上、及び、テスト回路１１２の回路パターン上のいずれか１つに重なるようにパルス幅変調信号の入出力パッドＰ１を形成する。 （もっと読む）

【課題】高精度であり、かつ容易に形成することができる磁気抵抗効果素子、それを用いた磁界検出器、位置検出器、回転検出器および電流検出器を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子１は、４つ以上の強磁性層８と、４つ以上の強磁性層８のそれぞれの間に設けられた３つ以上のトンネル絶縁層９とを備え、外部から磁界Ｈｅｘを印加しない状態において３つ以上のトンネル絶縁層９のそれぞれを挟んで対向する強磁性層８の磁化１１方向は互いに反対方向である。 （もっと読む）

【課題】多チャンネル化しても形成面積の増大を抑えることができる磁気レベルシフタを提供する。
【解決手段】レベルシフタは、入力信号が印加される磁界発生用配線１１２と、磁界発生用配線１１２が発生した磁界に対応した値をとる検出信号を出力する検出用磁気抵抗効果素子１１と、一定の値をとる参照信号を出力する参照用磁気抵抗効果素子２１，３１を備える。当該レベルシフタは、検出信号と参照電圧の差に基づいて出力信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】 特に、感度軸が直交する２種類の磁気抵抗効果素子を同じチップ上に形成可能とした磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 同じセンサチップに第１磁気抵抗効果素子１５と第２磁気抵抗効果素子１６が設けられており、各磁気抵抗効果素子は、フリー磁性層と固定磁性層とが非磁性層を介して積層された素子部と、前記素子部に対してバイアス磁界を供給するためのハードバイアス層を有する。各素子部の固定磁性層は、第１磁性層と第２磁性層とが非磁性中間層を介して積層され、第１磁性層と第２磁性層とが反平行に磁化固定されたセルフピン止め構造である。第１磁気抵抗効果素子の第１素子部の磁化固定方向と第２磁気抵抗効果素子の第２素子部の磁化固定方向は直交している。第１ハードバイアス層及び第２ハードバイアス層は、同じ着磁方向であるが各素子部に供給されるバイアス磁界は直交している。 （もっと読む）

【課題】微小領域からの磁束が検出可能であり、高出力化の可能な磁気センサーを提供すること。
【解決手段】磁気センサー１は、半導体からなるチャンネル１１と、チャンネル１１を間に挟んで対向配置された第一絶縁膜２１及び金属体１３と、第一絶縁膜２１の上に設けられた強磁性体１２と、金属体１３に接続された第一参照電極３１と、金属体１３に接続された第二参照電極３２と、チャンネル１１における強磁性体１２と対向する部分を覆う磁気シールドＳ１と、チャンネル１１と磁気シールドＳ１との間に設けられた第二絶縁膜２２と、を備え、磁気シールドＳ１は、チャンネル１１における強磁性体１２と対向する部分に向かって延びる貫通穴Ｈを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子を用いて電流を検知するセンサを備えた半導体装置に関する。簡単な構成により、電流の検出を高精度に実現することを目的にする。
【解決手段】半導体回路が形成された基板と、基板に配設された第１の配線部材と、第１の配線部材に立設された垂直配線部材と、垂直配線部材に接続され第１の配線部材と平行に架設された第２の配線部材と、垂直配線部材に対向配置された第１の磁電変換素子と、垂直配線部材をはさんで第１の磁電変換素子と対向する第２の磁電変換素子と、第１の磁電変換素子と第２の磁電変換素子を直列に接続する第１の素子配線と、第１の素子配線の中点が入力される第１の増幅回路とを備えている。 （もっと読む）

【課題】チップサイズの増加がなく、高感度でオフセット電圧の除去が可能なホール素子を提供する。
【解決手段】正方形のホール素子感受部の４つの頂点にホール電圧出力端子と制御電流入力端子をそれぞれ独立に配置する。ホール電圧出力端子はすべて同一形状であり、制御電流入力端子はホール電圧出力端子のそれぞれの両側に、前記ホール電圧出力端子とは導通しないように間隔を置いて配置され、前記４つの頂点において同一形状を有する。 （もっと読む）

【課題】チップサイズの増加がなく、高感度でオフセット電圧の除去が可能なホール素子を提供する。
【解決手段】ホール素子は十字形状のホール素子感受部を有し、４つの凸部先端中央部にホール電圧出力端子を配置し、各凸部側面にはホール電圧出力端子とは独立に制御電流入力端子を配置する。このときホール電圧出力端子幅を小さくし、制御電流入力端子幅を大きくする。 （もっと読む）

【課題】複数の素子部の抵抗値のバラツキを低減することができる磁気センサ装置を提供することを第１の目的とする。また、この磁気センサ装置を製造する方法を提供することを第２の目的とする。
【解決手段】基板１３の一面２６側に導体部３２が形成されている。この導体部３２の上には導体部３２の正極となる部分と負極となる部分とが開口するように絶縁層２７が形成されており、絶縁層２７の上にピン磁性層２８が含まれた磁気抵抗素子部１４が形成されている。そして、導体部３２に電流が流れると、導体部３２の周囲に磁界が形成されることにより、各磁気抵抗素子部１４のピン磁性層２８の磁化の向きおよび大きさが固定される。したがって、導体部３２に流す電流を制御することで各磁気抵抗素子部１４の抵抗値を揃えることができ、ひいては各磁気抵抗素子部１４の抵抗値のバラツキを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 三端子型磁気抵抗効果素子に関し、一次元線状巨大磁気抵抗素子の特性や磁壁の移動を外部から制御する。
【解決手段】 第１の強磁性体層と、前記第１の強磁性体層より保磁力の大きな第２の強磁性体層と、前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層との間に設けられた膜厚が単調に変化する非磁性体と、前記第１の強磁性体層上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを設ける。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子の抵抗値を適当な大きさにし、且つＭＲ変化率を十分に大きくする。
【解決手段】ＭＲ素子５は、第１の強磁性層（自由層５５）と、第２の強磁性層（固定層５３）と、第１の強磁性層と第２の強磁性層との間に配置されたスペーサ層５４とを備えている。スペーサ層５４は、順に積層された非磁性金属層５４１、第１の酸化物半導体層５４２および第２の酸化物半導体層５４３を有している。非磁性金属層５４１は、Ｃｕよりなり、０．３〜１．５ｎｍの範囲内の厚みを有している。第１の酸化物半導体層５４２は、Ｇａ酸化物半導体よりなり、０．５〜２．０ｎｍの範囲内の厚みを有している。第２の酸化物半導体層５４３は、Ｚｎ酸化物半導体よりなり、０．１〜１．０ｎｍの範囲内の厚みを有している。 （もっと読む）

【課題】新規な金属−絶縁体系ナノグラニュラー薄膜、及び、これを含むナノグラニュラー複合薄膜、並びに、これらを用いた薄膜磁気センサを提供すること。
【解決手段】Ｃｏ₂Ｆｅ(Ａｌ_1-xＳｉ_x)（但し、０＜ｘ＜１）で表される組成を有する強磁性粒子と、前記強磁性粒子の周囲に充填された絶縁材料からなる絶縁マトリックスとを備えた金属−絶縁体系ナノグラニュラー薄膜。ＭｇＯ、ＮｉＯ、ＳｉＯ₂又はＡｌ₂Ｏ₃からなるバッファ層と、前記バッファ層の表面に形成された本発明に係る金属−絶縁体系ナノグラニュラー薄膜とを備えたナノグラニュラー複合薄膜。本発明に係る金属−絶縁体系ナノグラニュラー薄膜又はナノグラニュラー複合薄膜を備えた薄膜磁気センサ。 （もっと読む）

【課題】バリア層の下面として平滑な界面を有するＴＭＲデバイスを提供する。
【解決手段】シード層１１上に、反強磁性層１２、外側ピンド層２０、ＡＦＭ 結合層１４、内側ピンド層１５、バリア層１６、フリー層１７およびキャップ層１８をこの順で備えている。外側ピンド層（ＡＰ２層）２０は、（ＣｏＦｅ）_outer 層２１（外側ＣｏＦｅ層２１）／ （ＣｏＦｅ_x ）Ｂ_y 層２２（非晶質層２２）／（ＣｏＦｅ）_inner 層２３（内側ＣｏＦｅ層２３）の積層構造を有している。デバイスのロバスト性が改善される。 （もっと読む）

【課題】検出精度が低下することを抑制するトンネル磁気抵抗素子の製造方法を提供する。
【解決手段】平面形状が所定方向に延設された細長形状とされたピン層４０およびトンネル層５０と、トンネル層５０の表面を露出させた状態で、ピン層４０およびトンネル層５０を囲んで配置された第１保護膜８１と、を有する積層体９０を基板１０上に形成する工程と、平面形状がトンネル層５０における延設方向と垂直方向の長さより長い直径を有する円形状であって、トンネル層５０が内部を通過すると共に、トンネル層５０における延設方向と垂直方向にトンネル層５０から突出した部分を有する形状のフリー層６０を積層体９０上に形成する工程と、フリー層６０を覆う第２保護膜８２を配置する工程と、を含む工程を行う。 （もっと読む）

【課題】高い空間分解能で検出できる磁気センサー素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気センサー素子１０００では、電界効果トランジスター１００は、ゲート電極１４と、ゲート電極１４の一方側に、ゲート幅方向に並んで形成された、第１不純物領域２２および第２不純物領域２４と、ゲート電極１４の他方側に、ゲート幅方向に並んで形成された、第３不純物領域３２および第４不純物領域３４と、を有し、制御部２００は、第１制御および第２制御を行い、第１制御では、第１不純物領域２２および第２不純物領域２４を第１端子（ＶＤＤ端子）に接続し、第３不純物領域３２を第２端子（ＶＳＳ端子）に接続し、第２制御では、第３不純物領域３２および第４不純物領域３４を第１端子（ＶＤＤ端子）に接続し、第２不純物領域２４を第２端子（ＶＳＳ端子）に接続し、第１端子（ＶＤＤ端子）の電位は、第２端子（ＶＳＳ端子）の電位より大きい。 （もっと読む）

【課題】ゲームにおいてダンスパッドは基本的に足で操作される押しボタンコントローラとして動作する。しかしながら、ダンスパッドはユーザの足の近接度は追跡しない。
【解決手段】コンピュータ機器のための磁気入力装置および方法が開示される。磁気センサの格子パターンは、複数のホール素子を含みうる。各ホール素子は、選択的にホール電圧センサと接続される。磁場源を格子パターンの近傍に位置付けることが可能であり、１つ以上の領域についての一以上のホール電圧測定値が、ホール電圧センサで集められる。測定値を解析し、格子パターンに対する磁場源の位置を決定することができる。決定された磁場源位置に基づいてコンピュータプログラムに対する入力が供給される。 （もっと読む）

【課題】カメラモジュールおよびその入出力配線を簡素化する。
【解決手段】第１端子Ｔ１ａは、ホール素子１４の高電位側入力端子Ｔ１ｂにバイアス電圧を供給するためのものである。第２端子Ｔ２ｂは、ホール素子１４の低電位側入力端子Ｔ２ｂにグラウンド電位を供給するためのものである。Ｐチャンネル型トランジスタＭｐ１は、ソース端子が電源電位に接続され、ドレイン端子が第１端子に接続される。オペアンプＯＰ２は、所定の設定電圧と、第１端子Ｔ１ａの電圧とを差動増幅し、Ｐチャンネル型トランジスタＭｐ１のゲート電圧を制御する。 （もっと読む）