【課題】十分な感度を有したｐ型キャリアのホール素子の製造に適した半導体基板を提供する。
【解決手段】表面の全部または一部がシリコン結晶面であるベース基板と、前記ベース基板の上に位置し、前記シリコン結晶面に達する開口を有し、結晶の成長を阻害する阻害体と、前記開口の底部の前記シリコン結晶面の上に位置する第１結晶層と、前記第１結晶層の上に位置し、互いに離して配置した一対の第１金属層と、前記第１結晶層の上に位置し、互いに離して配置した一対の第２金属層と、を有し、前記一対の第１金属層のそれぞれを結ぶ第１最短線と、前記一対の第２金属層のそれぞれを結ぶ第２最短線とが、交わる関係、または、ねじれの位置関係にある半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】 スピン注入効率の向上が図られたスピン伝導素子及び磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】
発明者らは、Ｓｉで構成されるチャンネル層１０と、チャンネル層１０上に形成された強磁性層２０Ａ、２０Ｂと、チャンネル層１０と強磁性層２０Ａ、２０Ｂとの間に介在するように形成されたトンネル層２２Ａ、２２Ｂとを備え、トンネル層２２Ａ、２２Ｂが、ＮａＣｌ構造のアルカリ土類酸化物（たとえばＢａＯ）で構成されており、かつ、該アルカリ土類酸化物のアルカリ土類イオン（たとえばＢａイオン）の一部が、異なる種類のアルカリ土類イオン（たとえばＭｇイオン）に置換された磁気センサー１を新たに見いだした。 （もっと読む）

【課題】外部磁界に対する電子スピンの変化量を大きくして、外部磁界の検出感度を高めることができる磁性体部材を提供する。
【解決手段】所定の形状に形成された磁性体５の表面に、その磁性体５に固有の最小磁区よりも小さい多数の領域７に分割する多数の溝６が形成されており、前記磁性体５は、ワイヤ状に形成され、前記領域７は、ハニカム状に形成され、前記溝６には、反磁性体材料が埋められている。磁性体部材５の表面は磁壁が存在しない単磁区構造になり、外部磁界にする検出感度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 分極率を向上可能なスピン素子、及びこれを用いた磁気センサ及びスピンＦＥＴを提供する。
【解決手段】
このスピン素子は、単結晶のＳｉからなる半導体層３と、半導体層３の表面上に形成された第１トンネル絶縁層Ｔ１と、第１トンネル絶縁層Ｔ１上に形成された第１強磁性金属層１とを備えている。半導体層３と第１トンネル絶縁層Ｔ１との間の界面におけるダングリングボンドの面密度が３×１０^１４／ｃｍ^２以下である。この際の分極率は、著しく向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】従来の磁気検出装置に比べて、配置による製造精度のばらつきを抑制した磁気検出装置を提供する。
【解決手段】磁気検出装置１は、基板１０上に放射状に区分けされた領域のうち少なくとも対向する領域に配置され、第１の方向に長手方向を有する第１の磁気抵抗素子群と、放射状に区分けされた領域のうち、少なくとも対向する領域であって、第１の磁気抵抗素子と隣り合う領域に、第１の方向と直交する第２の方向に長手方向を有する第２の磁気抵抗素子群と、第１の磁気抵抗素子群の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子群の磁気抵抗素子を複数組み合わせて、当該組み合わせた複数の磁気抵抗素子を直列に接続したもので抵抗部分を構成し、複数の当該抵抗部分でブリッジ回路を構成する配線部とを有する。 （もっと読む）

【課題】簡便な構成で電気配線に流れる電流を広い電流レンジで検知する電流センサを提供する。
【解決手段】測定対象Ａに接続される電気配線ｗａ，ｗｂ１，ｗｃ１と、抵抗値が一定比率で増加する直線部分と抵抗値が飽和する飽和部分とからなる磁気抵抗特性を有し、それぞれが前記電気配線から異なる距離ｄ１，ｄ２，ｄ３で離間して配置される磁気抵抗素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃと、磁気抵抗素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃそれぞれにセンス電流を流すセンス電流部１２と、磁気抵抗素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃにおけるセンス電流値の変化から磁気抵抗特性の前記直線部分から飽和部分へ移行する抵抗値の飽和点に到達したことを検知し、前記電流配線に流れる電流がある規定値に到達したとして出力する検知手段１３と、を備え、検知手段１３は、前記電流配線に流れる電流について磁気抵抗素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃごとに異なる規定値への到達を検知する。 （もっと読む）

【課題】 特に、同一チップ上に感度軸方向が異なり、ブリッジ回路を構成する複数の磁気抵抗効果素子を形成でき、測定精度に優れた磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 同一チップ２９上に磁気抵抗効果素子１３ａ〜１３ｄが複数個、備えられてブリッジ回路を構成している。各磁気抵抗効果素子の固定磁性層２１はセルフピン止め型であり、直列回路を構成する磁気抵抗効果素子１３ａ，１３ｄ（１３ｂ，１３ｃ）同士は、感度軸方向Ｐ１〜Ｐ４が反平行となっている。各磁気抵抗効果素子のフリー磁性層２３の上面には、フリー磁性層２３との間で磁場中でのアニール処理を行うことなく交換結合バイアスを生じさせ各フリー磁性層２３の磁化方向を磁化変動可能な状態で感度軸方向に対して直交方向に揃えることができる反強磁性層２４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】誘導磁気の影響を抑えて高精度に位置を検出する。
【解決手段】本発明に係る位置検出ユニット１００は、磁気コイル１０６ｃを有し、磁力により駆動力を発生させるボイスコイルモータ１０６と、ボイスコイルモータ１０６により駆動されるレンズ移動枠１０２と、レンズ移動枠１０２の位置を検出するＭＲセンサ１１０と、磁気コイル１０６ｃに流れる電流に基づいて、ＭＲセンサ１１０の出力を補正する補正部（検出アンプ１２２、減算部１２６）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】磁電変換素子やアンプのオフセット電圧をキャンセルし、磁界の高速サンプリングやジッタ改善を実現することが可能な磁気センサを提供する。
【解決手段】磁気センサ１００は、磁電変換素子１０１と、磁電変換素子１０１の第１バイアス状態φ１と第２バイアス状態φ２を切り替える切替スイッチ回路１０２と、磁電変換素子１０１の出力電圧を増幅して増幅電圧ＶＰ、ＶＮを生成する増幅回路１０３と、第２バイアス状態φ２で得られた増幅電圧から直前の第１バイアス状態φ１で得られた増幅電圧を減算して第１減算電圧ＳＨＡ、ＳＨＣを生成する第１減算処理と、第１バイアス状態φ１で得られた増幅電圧から直前の第２バイアス状態φ２で得られた増幅電圧を減算して第２減算電圧ＳＨＢ、ＳＨＤを生成する第２減算処理と、を並行して行う減算回路１０４と、第１減算電圧と第２減算電圧を選択して選択電圧ＳＨＥ、ＳＨＦを出力する選択回路１０５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】磁界プローブ、磁界測定装置、及び磁界測定方法において、磁界プローブの小型化を図ること。
【解決手段】測定対象Ｓに近接する先端部２ａを備えたベース２と、先端部２ａに設けられた磁気抵抗素子８と、磁気抵抗素子８の横の前記ベース２に設けられ、磁気抵抗素子８に印加する第１のバイアス磁界H₁を発生させる第１の磁界発生部３と、ベース２に設けられ、第１のバイアス磁界H₁とは異なる向きの第２のバイアス磁界H₂を発生させて、磁気抵抗素子８に前記第２のバイアス磁界H₂を印加する第２の磁界発生部４とを有し、第１のバイアス磁界H₁の向きを切り替えることにより、第１のバイアス磁界H₁と第２のバイアス磁界H₂とを合成した合成バイアス磁界H_sの向きが、ベース２の先端方向D_tから９０°変化する磁界プローブによる。 （もっと読む）

【課題】センサ寸法の拡大が抑制され小型化に有利で、高いセンサ特性が安定して得られ、作製工程が複雑化しない、磁気センサを提供する。
【解決手段】抵抗素子を直列に接続した通電経路単位４１，４２，４３，４４のそれぞれに関し、一方端部は電源端子Ｖｃｃに電気的に接続され、他方端部は接地端子ＧＮＤに電気的に接続され、抵抗素子同士の接続部は出力端子Ｖｏ１〜Ｖｏ４に電気的に接続される。通電経路単位のそれぞれを構成する複数の抵抗素子の少なくとも１つは、磁気抵抗効果膜からなる磁気抵抗効果素子であり、電源端子は全ての通電経路単位につき共通化され、接地端子は全ての通電経路単位につき共通化される。全ての通電経路単位は絶縁膜の一方の面に接して形成され、絶縁膜の他方の面に接して配置された導電膜を用いて、電源端子共通化のための電源接続配線及び接地端子共通化のための接地接続配線が形成される。 （もっと読む）

【課題】検出対象である磁石等の形状の制約および製造コストの増加を伴わずに、磁気の検出精度を維持または向上させることのできる、磁気を検出用の電子回路を提供する。
【解決手段】磁気検出装置１００は、磁気検出回路１１０と、処理回路１５０とを備える。磁気検出回路１１０は、各々が少なくとも１つの磁気検出素子を有する少なくとも３つの検出ブロックが配列され、検出すべき対象物に応じて少なくとも３つの検出ブロックのうちから第１および第２の検出ブロックを選択することによって、第１および第２の検出ブロック間の距離を検出すべき対象物に適した距離とすることができるように構成された磁気検出部１２０と、外部からの設定に基づいて第１の検出ブロックおよび第２の検出ブロックを選択するための制御部１４０と、制御部１４０により制御され、選択された検出ブロックを処理回路１５０に接続するための切換部１３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ＴＭＲ素子の絶縁破壊を防いで汎用ＩＣを用いることができる磁気センサ装置を提供すること。
【解決手段】 基板２と、該基板２上に設けられ一対の電極３ａを有した複数のトンネル磁気抵抗素子３と、基板２上に設けられ複数のトンネル磁気抵抗素子３を直列に接続すると共に両端に接続端子４ａを有する配線４と、トンネル磁気抵抗素子３に電圧を印加して抵抗変化を検出するＩＣを有した検出回路部６とを備え、直列に接続されたトンネル磁気抵抗素子３全体の耐電圧をＶｂとし、ＩＣ５の動作電圧をＶｄｄとしたとき、耐電圧Ｖｂが、Ｖｄｄ／２≦Ｖｂ≦２Ｖｄｄの関係に設定されている。 （もっと読む）

【課題】 磁気の遮蔽材を用いず、温度特性に優れた磁気センサおよび磁気センサ装置を提供すること。
【解決手段】 磁化方向が所定方向に固定された固定磁化層と該固定磁化層に絶縁層を介して積層され外部磁界により磁化方向が変わる自由磁化層とを有する第１のスピンバルブ型磁気抵抗素子５Ａおよび第２のスピンバルブ型磁気抵抗素子５Ｂと、第１のスピンバルブ型磁気抵抗素子が設置された第１の板部６Ａおよび第２のスピンバルブ型磁気抵抗素子５Ｂが設置された第２の板部６Ｂとを備え、第１のスピンバルブ型磁気抵抗素子５Ａが、検出しようとする外部磁界の向きＭに対して固定磁化層を平行にして設置され、第２のスピンバルブ型磁気抵抗素子５Ｂが、検出しようとする外部磁界の向きＭに対して固定磁化層を直交させて設置されている。 （もっと読む）

【課題】低保磁力をもつ軟磁性薄膜を備え、この軟磁性薄膜で磁気収束する半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１に設けられたホール素子２と、ホール素子１上に設けられた軟磁性薄膜６が、少なくともホウ素を含有している。また、半導体基板１上で、かつホール素子２上に設けられた有機絶縁膜４と、有機絶縁膜４と軟磁性薄膜６との間に設けられた金属導電層５とを備え、軟磁性薄膜６が、金属導電層５上で少なくとも１個以上のホール素子２の感磁部を覆うように配置されている。形成された軟磁性薄膜６の総重量を１００重量％としたときの鉄含有量が１５〜３０重量％、ホウ素含有量が０．１５〜０．３５量％、電解めっき液を安定化するｐＨ緩衝剤に起因する炭素を０．４〜０．８重量％、残部がニッケルである。 （もっと読む）

【課題】感磁部と磁気感度および抵抗の調整を可能とするトリミング部とを備えた磁気センサを提供すること。
【解決手段】磁気センサは、基板２６に設けられた化合物半導体からなる十字形状パターンの感磁部２１を備え、入力端子２１ａ，２１ｂと出力端子２１ｃ，２１ｄの少なくとも一方の端子２１ａ，２１ｄに、化合物半導体を有するトリミング部２３ａ，２３ｂが接続電極２４を介して直列接続されている。ウェハプロービングを行いながら、接続電極２４を介して感磁部２１に直列接続された入力端子側のトリミング部２３ａを、レーザートリミングすることにより、定電圧駆動における磁気感度の調整を可能とし、同様に出力端子側のトリミング部２３ｂをトリミングすることにより出力抵抗の調整を可能にした。 （もっと読む）

【課題】チップ面積を増大させることなく電流検出精度を向上することができる半導体装置を得る。
【解決手段】半導体素子１はエミッタ電極７を有する。引き出し線１０は、エミッタ電極７に電気的に接続され、エミッタ電極７の上方を通ってサイドに引き出される。電流センサー１１は、磁気抵抗素子１２を有し、引き出し線１０に流れる電流を検出する。磁気抵抗素子１２は、エミッタ電極７上、かつ引き出し線１０の下方に配置されている。磁気抵抗素子１２の抵抗値は、電流により発生した磁界に対してリニアに変化する。 （もっと読む）

【課題】 磁界の強度の影響を排除し、該磁界の向きを角度として正確に検出し得る磁気センサを提供する。
【解決手段】 第１のセンサ部１２０は、測定対象である磁界により磁化飽和する１以上の磁気抵抗効果素子を含み、磁界の向きに応じた角度信号Ｖ１，Ｖ２を出力する。第２のセンサ部１３０の磁気抵抗効果素子３０は、測定対象である磁界Ｂにより磁化飽和しないから、その特性上の不飽和領域、すなわち、磁界の強度変化に対して出力電圧が線形に変化する領域において磁界の強度を検出することができる。本発明に係る磁気センサは、強度信号Ｖ３に従って角度の算出値を補正するから、測定対象である磁界Ｂの強度Ｈに依存する角度誤差を低減し、正確に磁界の向きを角度として検出することができる。 （もっと読む）

【課題】 特に、従来よりも少ないチップ数で複数軸の外部磁界検知を可能とする磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 磁性層と非磁性層とが積層されて成る磁気抵抗効果を発揮する複数の磁気抵抗効果素子Ｓ１〜Ｓ３と、各磁気抵抗効果素子と絶縁層４を介して非接触の位置に設けられた軟磁性体３とを有し、平面視にて前記軟磁性体３のＸ１−Ｘ２の両側に夫々、固定磁性層の固定磁化方向Ｐ１が、Ｘ１−Ｘ２方向に向けられた磁気抵抗効果素子Ｓ１〜Ｓ３が配置されており、磁気抵抗効果素子Ｓ１，Ｓ３と磁気抵抗効果素子Ｓ２とで固定磁化方向Ｐ１が互いに逆方向にされている。 （もっと読む）

【課題】微小領域からの磁束が検出可能な構造において、量産に適しなおかつ出力を向上することが可能な磁気センサ及び磁気ヘッドを提供すること。
【解決手段】磁気センサ１は、第１領域７１、第２領域７２、及び第３領域７３を有し、第１方向に延びる主チャンネル層７ａと、第１領域７１上に積層された第１強磁性層１２Ａと、第２領域７２上に積層された第２強磁性層１２Ｂと、主チャンネル層７ａにおける第１領域７１と第２領域７２との間の第３領域７３の側面から主チャンネル層７ａの厚み方向と垂直な方向に突出する突出チャンネル層７ｂと、突出チャンネル層７ｂの厚み方向の両側、及び突出チャンネル層７ｂの第１方向の両側を覆い、かつ、突出チャンネル層７ｂの突出方向の端面７ｃを露出させる磁気シールドＳとを備える。第１強磁性層１２Ａの磁化の方向は、第２強磁性層１２Ｂの磁化の方向に対して反平行であることを特徴とする。 （もっと読む）