【課題】微小領域で歪を高感度に検知することができる歪検知装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体回路部と、半導体回路部の上に設けられた検知部と、を含む歪検知装置が提供される。半導体回路部は、半導体基板上に設けられたトランジスタを有する。検知部は、トランジスタの上方に設けられた空洞部と、空洞部と並置された非空洞部と、を有する。検知部は、可動梁、歪検知素子部、第１、第２埋め込み配線を含む。可動梁は、固定部分及び可動部分を有し、第１、第２配線層を含む。固定部分は非空洞部に固定される。可動部分は、固定部分から空洞部に延びトランジスタと離間する。歪検知素子部は、可動部分に固定され、第１、第２配線層と電気的に接続され、第１磁性層を含む。第１、第２埋め込み配線は、非空洞部に設けられ、第１、第２配線層と半導体回路部とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】ダイシングストリートにＧａＡｓが露出している場合、結果ダイシング時に素子のチッピング、電極や磁性体の剥離、溶解したＧａＡｓによる電極接合部の汚染が発生し、さらにＧａＡｓ基板裏面もエッチングされるためＧａＡｓの溶解による電極接合部の汚染の課題がある。
【解決手段】本発明は、ホール素子が設けられたＧａＡｓ基板と、ＧａＡｓ基板上に設けられた磁気増幅機能を有する磁性体とを備える磁気デバイスにおいて、上記ホール素子上に絶縁層と、上記絶縁層上にＴｉ系金属層と、上記Ｔｉ系金属層の上にＣｕ系金属層とを有し、ダイシングストリート上を少なくとも無機絶縁材料乃至有機絶縁材料もしくはその両方でカバーさせＧａＡｓを露出させず、またさらにＧａＡｓ基板裏面にも有機絶縁膜でカバーすることにより本課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】１つの基板に設けた複数の磁気抵抗素子部のピン磁性層を異なる方向に着磁させる。
【解決手段】基板１０を用意し、基板１０の一面１３の上方に複数の磁気抵抗素子部２２を形成する。次に、基板１０において一面１３から他面１４までを貫通する貫通孔１５を形成する。続いて、基板１０の一面１３側と他面１４側とのいずれか一方から他方に貫通孔１５を介して電流が流れる直線状の電流供給ライン４０を形成する。ここで、電流供給ライン４０としてワイヤ４１を用いる。この後、ワイヤ４１に電流を流すことによってワイヤ４１の周囲にワイヤ４１を中心とした同心円状の磁界を発生させると共に、基板１０全体を加熱して磁場中アニールを行う。これにより、複数の磁気抵抗素子部２２を構成するピン磁性層２２ａの磁化の向きがそれぞれ同心円状の磁界の接線方向に向くように着磁を行う。 （もっと読む）

【課題】 磁気転移温度より高い温度でも電気磁気効果を発現する電気磁気効果材料を提供する。
【解決手段】 磁性イオンを含むオケルマナイト構造を有する電気磁気効果材料を用いた電気磁気効果素子であって、前記電気磁気効果材料はＡ_２ＭＸ_２Ｏ_７であって、ＡはＣａ，Ｓｒ，Ｂａであり、ＸはＧｅ，Ｓｉであり、Ｍは磁性イオンである電気磁気効果素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】ナノ構造を有し、大きな磁気抵抗効果を発現する磁気抵抗素子を提供すること。
【解決手段】導電性非磁性体からなるマトリックス中に、硬磁性体および軟磁性体からなる群から選択される少なくとも１種の磁性体が三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が１ｎｍ〜１００ｎｍである三次元的周期構造を有していることを特徴とするナノヘテロ構造磁気抵抗素子。 （もっと読む）

【課題】被実装部材上に回路チップと隣接して搭載される磁気センサにおいて、回路チップとパッドとを電気的に接続するワイヤ同士の接触を抑制することができる磁気センサを提供する。
【解決手段】複数のパッド３１〜３６を一辺１０ａと垂直方向において互いに完全にオフセットした状態で配置する。これによれば、被実装部材上に磁気センサの一辺１０ａを回路チップと隣接して搭載し、パッド３１〜３６と回路チップとをワイヤで接続した際に、ワイヤ同士が接触してしまうことを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】１つの基板に形成した複数の磁気抵抗素子部のピン磁性層を任意の方向に着磁させたとしても、着磁による熱拡散の影響を低減する。
【解決手段】基板１０の一面１１の上方に各磁気抵抗素子部５０を形成する。次に、基板１０のうち各磁気抵抗素子部５０に対応する部分に溝１３を形成して空間部１４を形成する。この後、磁場の向きが第１の方向に設定された磁場中に、各磁気抵抗素子部５０が形成された基板１０を配置し、一方の磁気抵抗素子部５０を局所的に加熱して磁場中アニールを行い、当該磁気抵抗素子部５０のピン磁性層５１の磁化の向きを第１の方向に着磁する。また、磁場の向きを第１の方向とは異なる第２の方向に設定した磁場中において、他方の磁気抵抗素子部５０を局所的に加熱して磁場中アニールを行い、当該磁気抵抗素子部５０のピン磁性層５１の磁化の向きを第２の方向に着磁する。 （もっと読む）

【課題】薄膜積層型の機能性薄膜素子において、電極間の電流リークを防止する。
【解決手段】非導電性基板１１上に金属機能薄膜を成膜し、この金属機能薄膜から所定の機能パターン１２を形成した後に、その保護のために機能パターン１２の上に非導電性薄膜である保護膜１３を形成する。更に、電極膜を成膜してエッチングにより電極１４ａ、１４ｂを形成し、非導電性基板１１の切断に際し保護膜１３に設けた切断部１３ａ、１３ｂを共に切断し、保護膜１３の周囲に生じた電極膜の残渣Ｓによる電極１４ａ、１４ｂ間の電流リークを防止する。 （もっと読む）

【課題】実装時における位置ズレが生じる従来の電子部品の実装構造に対して、半田ブリッジの発生を防止しつつ、実装の際に角度ずれが小さいことが要求される電子部品の取り付け角度の精度を高められる電子部品の実装構造を目的とする。
【解決手段】電子部品の実装構造において、電子部品が略直方体形状の基体の側面から複数のリード端子を延出しており、複数のリード端子が基体の四隅の内少なくとも２個所に設けられたアライメント用リード端子とアライメント用リード端子を除く電気的に基体内の電子回路に接続される電極リード端子とからなり、アライメント用リード端子が電極リード端子より長く延出されており、複数の接続ランドがアライメント用リード端子と半田付けされるアライメント用接続ランドと電極リード端子と半田付けされる電極用接続ランドとからなり、アライメント用接続ランドの長さが電極用接続ランドの長さよりも長いことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】厚さが３５ｎｍ以下でも十分に高い保磁力および角型比を有する磁性のコバルト薄膜を得ることができるコバルト薄膜の形成方法およびこの方法により形成したコバルト薄膜を用いたナノ接合素子を提供する。
【解決手段】ポリエチレンナフタレート基板１１上に真空蒸着法などによりコバルト薄膜１２を３５ｎｍ以下の厚さに成膜する。こうしてポリエチレンナフタレート基板１１上にコバルト薄膜１２を成膜した積層体を二つ用い、これらの二つの積層体をそれらのコバルト薄膜１２のエッジ同士が、必要に応じて有機分子を挟んで、互いに対向するように交差させて接合することによりナノ接合素子を構成する。このナノ接合素子により不揮発性メモリや磁気抵抗効果素子を構成する。ポリエチレンナフタレート基板１１の代わりに、少なくとも一主面がＳｉＯ₂ からなる基板、例えば石英基板を用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】被検出電流線と磁電変換素子との位置ばらつきの影響を抑制した電流検出器およびそれを含む半導体装置を得る。
【解決手段】被検出電流線１３、１４は磁電変換素子１の近傍において平行で電流ｉの向きが等しい２本の電流線からなり、被検出電流線１３、１４には等しい電流ｉが流れる。磁電変換素子１は、被検出電流線１３、１４に対して、絶縁膜を介して上の層（基板から遠い側）に配置されている。２本の被検出電流線１３、１４の間隔を適切に設定することにより、磁電変換素子１の近傍の磁界分布が緩やかになる。この結果、被検出電流線１３、１４と磁電変換素子１との位置ばらつきの影響が小さくなる。 （もっと読む）

【課題】 熱マグノンによるスピントルク発振素子を提供する。
【解決手段】 「熱マグノンによる」スピントルク発振素子（ＳＴＯ）は、熱流のみを用いて、スピントルク（ＳＴ）効果を惹起しかつ自由層磁化の持続的な振動を発生させる。熱マグノンによるＳＴＯは、従来型の自由層および基準層に加えて、さらに、固定された面内磁化を有する磁性酸化物層と、その磁性酸化物層の１つの表面上の強磁性金属層と、自由層および金属層間の非磁性導電層と、磁性酸化物層のもう一方の表面上の電気抵抗性ヒータとを含む。熱マグノン効果のために、金属層と伝導層と自由層とを通る磁性酸化物層からの熱流によって、最終的に、自由層に対するスピン移行トルク（ＳＴＴ）が生じる。熱流と反対方向に流れるセンス電流が、自由層磁化の振動周波数を監視するために用いられる。 （もっと読む）

【課題】精度の高い磁界検出方法を提供する。
【解決手段】
トンネル磁気抵抗効果素子１０を用いて外部磁界を検出する磁界検出方法が提供される。磁界検出方法は、トンネル磁気抵抗効果素子１０の自由層１５の磁化方向を変化させるバイアス磁界Ｈｂと外部磁界Ｈｅｘとを同時に、もしくはバイアス磁界Ｈｂと外部磁界Ｈｅｘとを個別にトンネル磁気抵抗効果素子１０に印加したときの電気特性を測定するステップと、バイアス磁界Ｈｂおよび外部磁界Ｈｅｘに応じて測定されたトンネル磁気抵抗効果素子１０の電気特性に基づいて外部磁界を算出するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】電池の磁気計測装置において、磁気雑音の強い環境においても磁気センサの出力を飽和させることなく、充放電時における電池内部の電流によって発生する磁気信号を正確に計測でき、リチウムイオン電池内部の電流分布を可視化する。
【解決手段】充放電前に、個々の磁気センサで測定される磁気と逆相の磁気を、個々の磁気センサの周囲に配置したキャンセルコイルに発生させ、その後、充放電時の磁気データから充放電前に記録した磁気データ（補正用磁気データ）を差し引くことによって磁気雑音を低減し、充放電時におけるリチウムイオン電池から生じる磁気信号を正確に計測することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小さい磁気ヒステリシス、高い線形性、及び高い検出感度を併せ持つ電流センサを提供すること。
【解決手段】磁化方向が略固定された強磁性固定層及び外部磁界に対して磁化方向が変動するフリー磁性層を含んで構成された複数の磁気検出部（３２）と、前記フリー磁性層にバイアス磁界を印加するハードバイアス層を含んで構成された複数の永久磁石部（３３）と、が交互に接して配置された磁気抵抗効果素子（１２ａ、１２ｂ）を備え、隣接する前記永久磁石部（３３）の間隔が２０μｍ〜１００μｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁気センサのホールプレートで発生する寄生抵抗によって発生するオフセット電圧を減少させる、即ち不整合を補償するホールプレートスイッチングシステムを提供する。。
【解決手段】第１ノード及び第３ノードの両端で第１ホール電圧を発生させ、第２ノード及び第４ノードの両端で第２ホール電圧を発生させるホールプレート２０と、第１ノード及び第２ノードに連結され、第１ノード及び第２ノードに流れる電流のオン／オフを制御する第１スイッチ部１０と、第３ノード及び第４ノードに連結され、第３ノード及び第４ノードに流れる電流のオン／オフを制御する第２スイッチ部３０と、第２スイッチ部３０に連結され、第１スイッチ部１０及び第２スイッチ部３０のトランスコンダクタンスを減少させる抵抗部４０とを含む。 （もっと読む）

【課題】水分透過量が小さいＳｉ系絶縁膜が回路表面に形成されており、Ｓｉ系絶縁膜の密着性及び耐クラック性に優れた薄膜磁気センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】以下の工程を備えた薄膜磁気センサの製造方法及びこの方法により得られる薄膜磁気センサ。（１）基板表面に薄膜ヨーク、ＧＭＲ膜、電極及び配線を備えた素子部を形成する素子部形成工程。（２）少なくとも電極の表面の全部又は一部を含む領域（薄膜ヨーク、ＧＭＲ膜及び配線の表面を除く）にフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程。（３）基板の表面にＡｌ₂Ｏ₃膜を形成するＡｌ₂Ｏ₃膜形成工程。（４）Ａｌ₂Ｏ₃膜の表面に、Ｃａｔ−ＣＶＤ法を用いてＳｉ系絶縁膜を形成するＳｉ系絶縁膜形成工程。（５）フォトレジスト膜、並びに、フォトレジスト膜の上に形成された余分なＡｌ₂Ｏ₃膜及びＳｉ系絶縁膜を除去する除去工程。 （もっと読む）

【課題】複数のチップを組み合わせることなく、３軸方向の検出が可能な磁気センサ装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０の上に設けられた下地犠牲層２０と、下地犠牲層２０に接触すると共に下地犠牲層２０に接触する部分の面積が下地犠牲層２０よりも広い一面３１を有するフレキシブル層３０と、を備える。フレキシブル層３０に複数の磁気抵抗素子部４２が設けられている。そして、一つの磁気抵抗素子部４２のピン磁性層４２ａの磁化の向きが基板１０の表面１１に対して平行に向けられていることによりＸ軸方向もしくはＹ軸方向の磁化が検出される。また、フレキシブル層３０が下地犠牲層２０との接触箇所を起点として半円筒状に反っていることにより、一つの磁気抵抗素子部４２のピン磁性層４２ａの磁化の向きがＸ軸およびＹ軸に対して傾けられ、これによりＺ軸方向の磁化が検出される。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能で、部品の搭載、及び部品間の電気的な接続を容易に行うことができる筐体を提供する。
【解決手段】筐体１は、電子部品が搭載される搭載領域２７の周囲の高さが搭載領域２７の高さ以下であり、配置されたリードフレーム４ａ及びリードフレーム４ｂの表面が露出する基部２ａ、及びリードフレーム４ａ及びリードフレーム４ｂの表面の一部が覆われる被覆部２ｂ、を有する第１の筐体２と、第１の筐体２の形状に応じて形成され、第１の筐体２と溶着される溶着部３６を有する第２の筐体３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 動作点の変動と抵抗値比のばらつきを抑制することができると共に、温度特性を改善した磁気センサを提供する。
【解決手段】 磁気センサ１は、センサ回路部２を備える。このセンサ回路部２は、第１および第３の磁気抵抗素子Ｒ1，Ｒ3を直列接続した第１の直列回路６と、第２および第４の磁気抵抗素子Ｒ2，Ｒ4を直列接続した第２の直列回路７とを備え、第１の直列回路６と第２の直列回路７とを並列接続したブリッジ回路５によって構成される。第１ないし第４の磁気抵抗素子Ｒ1〜Ｒ4の表面は絶縁膜１２によって覆われる。また、第３の磁気抵抗素子Ｒ3および第４の磁気抵抗素子Ｒ4の表面には、絶縁膜１２を挟んで磁性材料からなる磁束集磁膜１３が形成される。 （もっと読む）