【課題】 特に、固定抵抗素子を磁気抵抗効果素子よりも少ない積層数にて、電気抵抗値Ｒｓ及び抵抗温度係数（ＴＣＲ）が磁気抵抗効果素子とほぼ同等になるように調整できる磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 本実施形態における磁気センサ１は、基板２上に、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層が積層されて成る磁気抵抗効果素子１０と、前記磁気抵抗効果素子１０と電気的に接続された固定抵抗素子２０とを有し、前記固定抵抗素子２０は、Ｆｅ単層２２と、前記Ｆｅ単層２２よりも抵抗温度係数（ＴＣＲ）が低い非磁性層２１とを積層して構成され、前記磁気抵抗効果素子１０よりも積層数が少ないことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】センサーの出力が線形となり、有効利用可能な測定信号を容易に得ることができる測定アセンブリを提供する。
【解決手段】本発明は、磁界の強度を計測するための磁気抵抗磁界センサーと電子処理回路とを有する。センサーは、基準要素（２）と分離要素（３）と磁界を感知する要素（４）との積層体（１）を備え、基準要素（２）と感知要素（４）がそれぞれ第１方向と第２方向における第１磁気異方性と第２磁気異方性を有する。感知要素（４）は、強磁性材料層（ＦＭ１）と反強磁性材料層（ＡＦ１）との重畳体からなっており、この重畳体は、測定用磁界の方向における成分が、測定用磁界の強度の関数として可逆的に変化すると共に調整可能磁界範囲において直線的に変化する磁気モーメント（１０）を与えるようになっている。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗変化率が充分大きいことと、ピン層の保磁力が充分大きく、フリー層の保磁力を小さくすることとが両立された磁気センサを提供すること。
【解決手段】基板１上に下地層２と、シード層３と、ピン層４と、トンネル障壁層５と、フリー層６と、キャップ層７と、がこの順に設けられてなり、前記フリー層６及び前記ピン層４は、一部または全部がアモルファス磁性材料からなる磁化固定層を有し、前記フリー層６及び／または前記ピン層４が有する磁化固定層は、前記トンネル障壁層５側から順に、アモルファス磁性材料層Ｂと、アモルファス磁性材料層Ａとを少なくとも備え、前記アモルファス磁性材料層Ｂが含有するアモルファス磁性材料ｂは、前記アモルファス磁性材料層Ａが含有するアモルファス磁性材料ａよりも、結晶化温度あるいは微細結晶化温度が低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低保磁力、低磁歪および低ＲＡ値を確保しつつ、高いＴＭＲ比を得る。
【解決手段】フリー層１８は、トンネルバリア層１７の側から第１の強磁性層、挿入層および第２の強磁性層が順に積層された複合構造を有する。第１の強磁性層は、ＣｏＦｅ合金、または、そのＣｏＦｅ合金にＮｉなどを添加してなる合金を含み、かつ、正の磁歪定数を有する。第１の強磁性層の上面はプラズマエッチ処理がなされている。挿入層は、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉから選択される少なくとも一種の磁性元素と、Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｖ，ＭｇおよびＣｒから選択される少なくとも一種の非磁性元素とを含む。第２の強磁性層は、ＣｏＦｅやＮｉＦｅなどからなり、負の磁歪定数を有する。 （もっと読む）

【課題】１枚の基板に３個以上の巨大磁気抵抗素子を配置し、三軸方向の磁界の強さを検知することができる小型の磁気センサを得る。
【解決手段】ビア部Ａを有する配線層が形成された基板１に酸化膜３５を形成し、この酸化膜を選択エッチングして複数の突起部８を形成する。この突起部の斜面を含む酸化膜上に磁気センサの感磁部となる複数の素子を形成すると同時にビア部とこれら複数の素子を接続する配線部を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ａ相／Ｂ相又はＡ相とＺａ相／Ｚｂ相又はＺ相との位相差を小さくし、磁気抵抗効果素子を小型化して回転体の原点検出精度を向上させること。
【解決手段】Ａ相／Ｂ相又はＡ相検出用の磁気抵抗効果素子２１とＺａ相／Ｚｂ相又はＺ相検出用の磁気抵抗効果素子２２とは、同一基板上に同一形状で並設され、かつ運動体に対する配置方向が前記運動体の運動方向に垂直方向である。磁気抵抗効果素子２１ａと磁気抵抗効果素子２１ｂとの中点の端子電極２１ＡからはＡ相の信号が、磁気抵抗効果素子２１ｃと磁気抵抗効果素子２１ｄとの中点の端子電極２１ＢからＢ相の信号が出力される。また、磁気抵抗効果素子２２ａと磁気抵抗効果素子２２ｂとの中点の端子電極２２ＡからＺａ相の信号が、磁気抵抗効果素子２２ｃと磁気抵抗効果素子２２ｄとの中点の端子電極２２ＢからＺｂ相の信号が出力される。 （もっと読む）

【課題】従来技術よりも角度誤差が低減された磁気抵抗センサ素子を提供し、このような磁気抵抗センサ素子を、自動車の精確な角度センサとして使用することができるようにすることにある。
【解決手段】第１の固着薄膜（３５）は、第１の強磁性材料製とりわけＣｏＦｅ合金製であり、前記第２の固着薄膜（３３）は、第２の強磁性材料製とりわけＣｏＦｅ合金製であり、前記中間薄膜（３４）は、非磁性材料製とりわけルテニウム製である磁気抵抗センサ素子において、前記第１の固着薄膜（３５）の厚みは、第２の固着薄膜（３３）の厚みよりも０．２ｎｍ〜０．８ｎｍだけ小さい。 （もっと読む）

略平坦な基板の上面と称される一表面上に蒸着される複数の多層磁気抵抗センサを備える集積磁力計であって、基板の前記上面は複数の傾斜面を備えた少なくとも１つの空洞または隆起を有することと、４つの前記傾斜面上には異なる、かつ対で互いに反対の方向性を有する少なくとも４つの前記磁気抵抗センサが配置され、各センサはそのセンサが配置される面に対して平行な外部磁場の一成分に感応することを特徴とする集積磁力計。このような磁力計の製造プロセス。 （もっと読む）

【課題】電子機器内部の部品点数を少なくできる磁気センサＩＣを提供する。
【解決手段】磁気センサＩＣ１０がレギュレータ１１を内蔵し、そのレギュレータ１１が周辺ＩＣ２０に電源電圧を供給するので、電子機器内部において、周辺ＩＣ２０に電源電圧を供給するためのレギュレータＩＣを用意する必要が無くなる。よって、電子機器内部の部品点数が少なくなる。 （もっと読む）

【課題】熱アシスト磁気トンネル接合構造、特にメモリとして使用する熱アシスト磁気トンネル接合構造に用いるためのサーマル層を提供すること。
【解決手段】本明細書では、熱バリアを有する熱アシスト磁気トンネル接合構造が開示される。熱バリアは、熱バリアが低い熱伝導率および高い電気伝導率を有するように、不規則な形態のサーメット材料からなる。従来型の磁気トンネル接合構造に比べると、開示される構造はより高速に切り換えること可能であり、また標準的な半導体製造工程との適合性が改善される。 （もっと読む）

【課題】ホール素子を用いて検出された地磁気に基づいて、方位を計測する。
【解決手段】補正値記憶部７には、ｘ軸ホール素子ＨＥｘおよびｙ軸ホール素子ＨＥｙの基準値Ｌｘ、Ｌｙが携帯端末１０の使用状態ごとに記憶され、補正計算部６は、携帯端末１０の使用状態に対応した基準値Ｌｘ、Ｌｙを用いることにより、ｘ軸ホール素子ＨＥｘおよびｙ軸ホール素子ＨＥｙの出力増幅値Ｄｘ、Ｄｙを補正し、地磁気の各軸成分に比例した値α、βだけを取り出す。 （もっと読む）

【課題】ＧＭＲ膜−薄膜ヨーク間の電気的及び磁気的コンタクトが良好であり、感度が良好で、製造中又は使用中に高温に曝されてもヒステリシスの増大が少ない薄膜磁気センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】以下の構成を備えた薄膜磁気センサ及びその製造方法。（１）前記薄膜磁気センサは、ＧＭＲ膜１２と、ＧＭＲ膜１２の両端に接続された薄膜ヨーク１４ａ、１４ｂとを備えている。（２）薄膜ヨーク１４ａ、１４ｂは、外側ヨーク１６ａ、１６ｂと、内側ヨーク１８ａ、１８ｂとを備えている。（３）外側ヨーク１６ａ、１６ｂは、結晶系又は微結晶系の軟磁性材料からなり、成膜後かつＧＭＲ膜１２成膜前に加熱することにより得られる。（４）内側ヨーク１８ａ、１８ｂの長さＬ₂は、外側ヨーク１６ａ、１６ｂの厚さｔ₁以上薄膜ヨーク１４ａ、１４ｂの全長の５０％以下である。 （もっと読む）

【課題】オフセット電圧の変動の小さいＧａＡｓホール素子を提供すること。
【解決手段】ｎ−ＧａＡｓ層からなる感磁部２２を、ｎ−ＧａＡｓ層２２よりもバンドギャップの大きいＡｌＧａＡｓからなる第１及び第２の絶縁層２３ａ，２３ｂで挟み、かつ、ｎ−ＧａＡｓ層２２のキャリア濃度を５×１０¹⁶／ｃｍ³以上、１×１０¹⁸／ｃｍ³以下とすることにより、ｎ−ＧａＡｓ層２２の下部から側面への電子の移動、及び側面での電子のトラップの影響を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】圧電効果によって生ずる出力変動を低減できる磁気検出素子を提供する。
【解決手段】磁気検出素子１１にて、ダイリード５１と各リードは基準平面Ｓ上に、第１チップ２０１と第２チップ２０２とは基準平面Ｓの上下に対称に配置される。これにより、それらの部品の熱膨張または熱収縮は、基準平面Ｓに対称に生じ、磁気検出素子１１全体として厚さＺ方向の反りを抑制できる。よって、チップ２０１、２０２に印加される応力を低減でき、圧電効果によって生ずる出力変動に伴う検出誤差を低減できる。また、この磁気検出素子１１を回転角度検出装置ならびにストローク量検出装置に用いることにより、圧電効果の影響を補償するための温度特性補正手段を備える必要がなくなる。 （もっと読む）

【課題】ＧＭＲあるいはＭＴＪデバイスのような非平行ＭＲ素子のリファレンス層におけるピンド磁化の方向を同時に設定可能なＭＲ素子の磁化方法を提供する。
【解決手段】複数の非平行ＭＲ素子の各リファレンス層（サブＡＰ１層）１５の厚みを対応する磁気ピンド層（サブＡＰ２層）１３よりも薄くする。これら複数のＭＲ素子を、サブＡＰ２層１３の磁化方向を磁場方向に向けるのに十分な方向と大きさを有する磁場中に配置する。そののち、磁場の大きさを零になるまで減少させ、磁場の大きさが零になったときに、ＭＲ素子を熱処理する。それによって各サブＡＰ１層１５の磁化方向を当該ＭＲ素子の長手方向に沿うように固定する。 （もっと読む）

【課題】位置検出精度の低下を伴うこと無くギアと磁界センサ間の距離を大とでき、かつ、機械的振動による誤検出を抑制可能な位置センサを実現する。
【解決手段】回転角センサ１０１は磁気センサ３０１と磁束発生体２１０とを有し、回転角センサ１０１は回転体４０１の周辺部近傍に配置される。磁束発生体２１０は磁気センサ３０１に対向する側の面が凸型の形状であり、磁束発生体２１０は、磁石２１１と磁束集束部２１２とで構成している。磁束集束部２１２は、磁気センサ３０１に対向する側の面が凸形状の磁性体であり、磁石２１１から発生した磁束を集束させる。磁界角度の変化を磁気センサ３０１で検出することで、ギア４１０の動きや位置情報などを検出する構成としたので、位置検出精度の低下を伴うこと無くギアと磁界センサ間の距離を大とすることができ、かつ、機械的振動による誤検出を抑制可能な位置センサを実現できる。 （もっと読む）

【課題】磁気検出センサのオフセット電圧とアナログ回路のアナログ素子のオフセット電圧とを高精度に除去し、磁気検出センサの磁気を高精度に検出することのできる磁気検出装置を提供する。
【解決手段】磁気検出装置のホールセンサ１１およびスイッチ１２と、積分器１３、リファレンス電圧出力回路１４およびＡ／Ｄコンバータ１５とを１つの回路にまとめて一つの回路として構成し、ホールセンサ１１の検出信号にリファレンス電圧Ｖｒｅｆを加算または減算することで、高ゲインで増幅したホールセンサ１１の検出信号をＡ／Ｄ変換する。これにより、Ａ／Ｄコンバータ１５までのオフセット電圧やノイズも高精度に除去し、ホールセンサ１１の磁気を高精度に検出する。 （もっと読む）

【課題】巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子の温度係数と同じかまたは類似の温度係数を有する抵抗器を形成する材料スタックを提供する。
【解決手段】材料スタック５０は、反強磁性層５２、第１のピンド層５４、非磁性層５６、および第２のピンド層５８を含む材料スタックとして与えられ、磁界が存在するときと存在しないときで通常同じ電気抵抗を有する。材料スタック５０の電気抵抗は、抵抗分圧器またはホイートストンブリッジ装置で使用される、磁気抵抗効果素子と通常同じ温度係数を有する。 （もっと読む）

【課題】 既に市場で大量に生産されているＭ（マグネトプラムバイト）型フェライト磁石により、外部磁場で電流を誘起でき、外部磁場で電気分極の強度や方向を制御でき、また、外部電場で誘起した磁化の強度や方向を制御でき、且つ、室温の動作環境温度において動作可能なマルチフェロイックス素子を提供する。
【解決手段】 Ｍ（マグネトプラムバイト）型フェライトからなる強誘電性と強磁性を合わせもつマルチフェロイックス固体材料で、室温の動作環境温度において外部磁場を作用させることにより電流を誘起する。例えば、マルチフェロイックス素子は、ＢａＦｅ_12-x-δＳｃ_x Ｍｇ_δＯ₁₉（δ＝０．０５）結晶材料のＳｃ濃度ｘが１．６から２であるマルチフェロイックス固体材料１とそれを挟むように形成される金属電極２とからなる構造を有し、金属電極２に平行に交流磁界５を印加するように配置され、金属電極２間に誘起される電流を利用する。 （もっと読む）

【課題】アライメント精度を高めて、磁気センサとしての磁場感度を高めるとともに、そのばらつきを低減して、安定した磁気特性を有する磁気センサの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板３１上に複数の磁気抵抗効果素子を形成する素子形成工程と、磁気抵抗効果素子を形成したシリコン基板３１をマグネットアレイ４８に重ね、磁気抵抗効果素子に磁界を付与した状態で熱処理することにより、磁気抵抗効果素子を規則化する規則化熱処理工程とを備え、素子形成工程では、シリコン基板３１の一部にアライメントマーク３２を形成しておき、規則化熱処理工程では、マグネットアレイ４８にシリコン基板３１を重ね合わせ、赤外線光学系５１によって赤外線を照射し、シリコン基板３１を透過した赤外線によりマグネットアレイ４８のアライメントマーク４６を撮像しながらそのアライメントマーク４６にシリコン基板３１のアライメントマーク３２を位置決めする。 （もっと読む）