【課題】 磁性パターンを有する被検知物を磁気抵抗効果素子から微小距離離間させた非接触状態において、感度良く被検知物の磁性パターンを検出する磁気センサ装置を得る。
【解決手段】 被検知物が搬送される搬送路に平行に第１の磁石と第２の磁石とは磁極の異極同士が対向配置され、前記搬送路における搬送方向の磁界強度と第１の磁石と第２の磁石の対向方向における強度変化が零点を含んだ勾配磁界を形成し、前記搬送路と前記第１の磁石との間に設けられた磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子を包囲し樹脂で覆った多層基板を備え、前記磁気抵抗効果素子は前記勾配磁界の搬送方向の磁界強度の零点付近の弱磁界強度領域に設けられ、前記被検知物は前記勾配磁界の強磁界強度領域を通過する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高いＭＲ比を持った磁気抵抗素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、磁気ディスク駆動装置の磁気再生ヘッド、磁気ランダムアクセスメモリの記憶素子及び磁気センサーに用いられる磁気抵抗素子、好ましくは、トンネル磁気抵抗素子（さらに好ましくは、スピンバルブ型トンネル磁気抵抗素子）に関し、基板、トンネルバリア層、Ｃｏ（コバルト）Ｆｅ（鉄）合金からなる強磁性層及びＢ（ボロン）を含有した非磁性金属層を有する磁気抵抗素子。 （もっと読む）

【課題】体格の増大が抑制された回転角センサを提供する。
【解決手段】磁化方向が固定された固定層（１５）と、被検出体の生成する外部磁界の向きに応じて磁化方向が変化する自由層（１３）との間に、非磁性の中間層（１４）が挟まれた磁気抵抗効果素子（１０）を有し、該磁気抵抗効果素子（１０）の抵抗値変化に基づいて、被検出体の回転角を検出する回転角センサであって、固定層（１５）と自由層（１３）との対向方向に直交する平面に沿う面積が、固定層（１５）よりも自由層（１３）の方が大きく、固定層（１５）の全てと、自由層（１３）の一部とが、中間層（１４）を介して対向している。 （もっと読む）

【課題】 特にＳＦＰ構造における第１磁性層の膜厚を、耐熱性及びΔＭＲの観点から適正化してなるセルフピン止め型の磁気検出素子及びそれを用いた磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 固定磁性層とフリー磁性層とが非磁性材料層を介して積層された積層構造を備え、固定磁性層３は、第１磁性層３ａと第２磁性層３ｃとが非磁性中間層３ｂを介して積層され、反平行に磁化固定されたセルフピン止め型であり、第１磁性層３ａは第２磁性層よりも高保磁力材料のＦｅ_xＣｏ_100-x（ただしｘは、５５ａｔ％以上で６５ａｔ％以下）で形成され、第１磁性層３ａの膜厚ｔ１は１４Å以上で２０．５Å以下の範囲内で第２磁性層よりも薄く、第１磁性層３ａと第２磁性層３ｃの磁化量の差が実質的にゼロである。 （もっと読む）

【課題】 同じ構造のＧＭＲ素子を使用し、反応する外部磁界の向きを異ならせることができる磁界検知装置を提供する。
【解決手段】 ＧＭＲ素子１０の長手方向ＬをＸ方向とＹ方向に対して４５度の向きで形成する。ＧＭＲ素子１０の固定磁性層の磁化の固定方向を、長手方向Ｌと直交する向きとし、バイアス用磁石２１，２２によって自由磁性層の磁化の向きを長手方向Ｌに揃える。第１の磁束案内層３１ａと第２の磁束案内層３２ａをＸ方向に細長くし、第１の磁束案内層３１ａと第２の磁束案内層３２ａをＧＭＲ素子１０を挟んでＹ方向に間隔を空けて配置する。Ｘ方向の磁界成分が、第１の磁束案内層３１ａと第２の磁束案内層３２ａの間で導かれてＧＭＲ素子１０にＹ方向の磁束として与えられる。 （もっと読む）

【課題】演算増幅器、トランジスタ、コンデンサなどのような他の構成要素の内の１つ又はそれ以上を、磁気センサーと同じチップの一部として有する単一チップ設計、特に、チップ上に配置されているセット／リセットドライバー回路を有する設計を提供する。
【解決手段】磁気感知装置と、それを作成する方法及び使用する方法とが開示されている。感知装置は、１つ又は複数の磁気抵抗感知要素と、磁気抵抗感知要素を調整するための１つ又は複数の向き変え要素と、向き変え要素を制御するためのドライバー回路を有する半導体回路と、を有している。磁気抵抗感知要素、向き変え要素、及び半導体回路は、単一のパッケージ内に配置されており、及び／又は単一のチップ上にモノリシックに形成されている。 （もっと読む）

【課題】 一様な外乱磁界の影響を除去しつつ、磁気アイソレータの小型化を図る。
【解決手段】 設置基板１上に設けられた第１の絶縁層２及び第２の絶縁層４と、第１の絶縁層２上に配置された第１の磁気抵抗効果素子３ａ、第２の磁気抵抗効果素子３ｂ、第３の磁気抵抗効果素子３ｃ及び第４の磁気抵抗効果素子３ｄと、第２の絶縁層２上に配置され、各磁気抵抗効果素子に対向して設けられた信号入力導体５ａと、信号入力折返し導体５ｂとを信号入力接続線５ｃを介してミアンダライン状に接続されるよう構成された信号入力線５とを備え、信号入力線５に信号電流が通電されることにより第１の磁気抵抗効果素子３ａ及び第２の磁気抵抗効果素子３ｂに印加される磁界の方向と、第３の磁気抵抗効果素子３ｃ及び第４の磁気抵抗効果素子３ｄに印加される磁界の方向とが、互いに逆方向となるように信号入力線５が構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 より大きな磁気抵抗比を得ることができる巨大磁気抵抗素子およびその作製方法を提供する。
【解決手段】 第１の電極および第２の電極の間に、１ｎｍ以上、１μｍ以下の絶縁膜を形成する段階と、前記第１の電極および前記第２の電極の間に所定の電圧を印加する段階とを備え、前記第１の電極および前記第２の電極の少なくとも一方が、磁性体材料で形成されている。 （もっと読む）

【課題】２つのトンネルバリア層を有する二重トンネル磁気抵抗効果膜について、ＭＲ比を向上させた二重トンネル磁気抵抗効果膜及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１磁化固定層をアモルファス構造となるように成膜を行い、その上に第１トンネルバリア層、磁化自由層、第２トンネルバリア層を結晶粒を含んだ多結晶構造を有した状態で成膜を行う。さらにその上に第２磁化固定層を成膜し、その後に加熱処理を行うことで全てに連続して繋がった結晶格子を有する二重トンネル磁気抵抗効果膜が製造される。 （もっと読む）

【課題】隣接する磁石同士の間隙部に生じる感度低下を抑制する。
【解決手段】磁気抵抗素子の感磁部２０は、磁気抵抗層の上面に電極材料からなる複数のショートバーが形成されたものである。磁気抵抗部はショートバー２２で覆われていない部分である。紙幣に印刷された磁性体が通過する際、その通過位置によって磁気抵抗素子の抵抗値の変化率（素子感度）が異なる。磁気抵抗素子の抵抗値の変化率は、感磁部における磁気抵抗部の密度が高いほど大きい。そのため、隣接する磁石同士の間隙部上または隣接する磁気抵抗素子の間隙部付近に位置する感磁部２０の磁気抵抗部の密度をその他の領域に比べて相対的に高めることにより、磁石同士の間隙部での感度低下が抑制される。 （もっと読む）

【課題】減少された大きさ、改善された精度、および／または改善されたダイナミックレンジを有する外部磁界センサ等を提供することを目的とする。
【解決手段】 集積回路（１０）は、磁界感知素子（３０）を支持する第１の基板（１４）および他の磁界感知素子（２０）を支持する第２の基板（２６）を備えることができる。第１および第２の基板は、様々な構成で配列されてもよい。他の集積回路は、その表面に配置された第１の磁界感知素子および第２の異なる磁界感知素子を備えることができる。 （もっと読む）

【課題】 特に、複数のセンサ素子における検出誤差を効果的に小さくでき、また装置の小型化を図ることができる磁気検出装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 磁気センサ１０と磁石１４とが高さ方向にて間隔を空けて対向配置された磁気検出装置において、前記磁気センサ１０は、基板１１に支持された第１センサ素子１２と第２センサ素子１３とを有し、前記第１センサ素子１２と前記第２センサ素子１３とは、夫々の内部に設けられた第１磁気検知部２０の中心と第２磁気検知部２１の中心とを前記高さ方向に一致させた状態で重ねられて前記基板１１に支持されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＡＭＲ効果膜を利用して外部磁界に対して等方的に磁界を検出することができる磁気検出装置を提供する。
【解決手段】磁気検出装置１は、基板１１上に設けられ、感磁方向のベクトル和が相殺されるようなパターン形状を有する磁気抵抗素子１００〜１０７と、磁気抵抗素子１００〜１０７の最小抵抗値と同値の抵抗Ｒ０と、磁気抵抗素子１００〜１０７からなる回路Ｒ１と抵抗Ｒ０とから構成されるブリッジ回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で磁気の有無をヒシテリシス特性を付与して検出する。
【解決手段】ブリッジ回路３Ａは、４個の磁気センサ素子１Ａ，１Ｂ，２Ａ，２Ｂ、第１ラダー抵抗Ｒａ、第２ラダー抵抗Ｒｂ、第１選択部Ｘ１及び第２選択部Ｘ２とを備える。第１選択部Ｘ１と第２選択部Ｘ２とによって第１ラダー抵抗Ｒａ及び第２ラダー抵抗Ｒｂのノードを切り替える。判定回路２０は、外部磁界の磁界強度がヒシテリシス特性の変化点で区分けした場合、どの範囲に属するかを第１信号１０ａに基づいて特定し、特定結果と前回の検出信号ＤＥＴとに基づいて今回の検出信号ＤＥＴを生成する。 （もっと読む）

【課題】回転センサの製造効率を向上する。
【解決手段】複数のリードフレーム３０を支持部材７１により支持してなる部材７０の複数のリードフレーム３０に磁気抵抗素子５１をそれぞれ搭載し、リードフレーム３０毎に磁気抵抗素子５１およびリードフレーム３０を断面Ｕ字状の永久磁石２０の空所内に配置し、永久磁石２０、リードフレーム３０、および磁気抵抗素子５１をリードフレーム３０毎にモールド樹脂によって覆い、その後、支持部材７１から複数のリードフレーム３０をそれぞれ分離して複数の回転センサを得る。 （もっと読む）

【課題】構成を複雑化することなく、ＭＲ素子を用いて一方向磁界の強度を高感度かつ高精度に評価できるようにし、たとえば、直流電流センサに用いて直流電流を高感度および高精度に測定できるようにする。
【解決手段】磁気抵抗薄膜２２の抵抗値変化を検出することによって一方向磁界Ｍｘの強度を評価する磁界強度センサ１０であって、基板２１に磁気抵抗薄膜による導電パターンが形成された磁気抵抗薄膜素子と、この磁気抵抗薄膜素子を保持する保持具３０とを備え、上記基板は、保形性と可撓性を有する非磁性絶縁薄板からなり、上記保持具は、上記磁気抵抗薄膜面を磁界方向の鉛直面に対して所定角度θ傾斜させた状態で保持する。 （もっと読む）

【課題】ノイズの影響が低減され、かつ、増幅歪みの少ない半導体磁気センサ及びそれを用いた磁性体検出装置を提供すること。
【解決手段】直列接続された第１の半導体磁気抵抗素子１１及び第２の半導体磁気抵抗素子１２と、第１の半導体磁気抵抗素子１１及び第２の半導体磁気抵抗素子１２の接続ノードにゲート電極が接続された電界効果トランジスタ１０とを備えている。電界効果トランジスタ１０のゲート電極の幅を第１の半導体磁気抵抗素子１１及び第２の半導体磁気抵抗素子１２の各中心点を結んだ直線に投影した時の長さが、第１の半導体磁気抵抗素子１１及び第２の半導体磁気抵抗素子１２の各中心点の直線距離の略偶数倍であるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】永久磁石の磁界を検出する磁気抵抗素子からなる磁気センサを用いたスイッチ装置において、コストを低減することができると共に小型化を図ることができるスイッチ装置を提供する。
【解決手段】本発明のスイッチ装置１は、操作子４と、永久磁石１３と、磁気抵抗素子からなる磁気センサと、制御回路とを備えている。操作子４は、第１操作位置と第２操作位置との間で移動可能に設けられている。磁気センサは、永久磁石１３からの移動磁界が常に鎖交するように設けられ、鎖交磁界の強さまたは方向を示す信号を出力する。制御回路は、磁気センサからの信号に基づいてスイッチへオンオフ信号を出力する。運動変換手段としてのスリット２０及び溝１２により、操作子４の第１運動を、その移動距離よりも短い永久磁石１３の第２運動に変換する。 （もっと読む）

【課題】微小領域からの磁束が検出可能な構造において、量産に適しなおかつ出力を向上することが可能な磁気センサを提供する。
【解決手段】磁気センサ１は、チャンネル７中に第一領域、第二領域、及び、第三領域を有し、第一方向に延びる主チャンネル層７ａと、第一領域上に積層された第一強磁性層１２Ａと、第二領域上に積層された第二強磁性層１２Ｂと、主チャンネル層７ａにおける第一領域と第二領域との間の第三領域の側面から主チャンネル層７ａの厚み方向と垂直な方向に突出する突出チャンネル層７ｂと、突出チャンネル層７ｂの厚み方向の両側、及び、突出チャンネル層７ｂの第一方向の両側を覆い、かつ、突出チャンネル層７ｂの突出方向の端面７ｃを露出させる磁気シールドＳとを備える。 （もっと読む）

【課題】基板上にスピンバルブ素子を有する磁界検出装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１を準備する工程と、基板上に、固着層、絶縁層、および自由層を含むスピンバルブ素子１１〜１４を形成する工程と、スピンバルブ素子の近傍に集磁領域２１，２２を形成する工程と、Ｈ方向の磁界を基板に印加することにより、スピンバルブ素子の自由層を磁化する磁化工程とを含み、磁化工程は、集磁領域により、Ｈ方向とは異なる所定方向の磁界をスピンバルブ素子に印加して、Ｈ方向とは異なる所定方向にスピンバルブ素子を磁化する。 （もっと読む）