【課題】 感度および安定性が向上した磁気抵抗読取センサを提供する。
【解決手段】 磁気抵抗読取センサは、２つの電極の間に配置された３層スタックである。３層スタックは、非磁性層によって隔てられた２つの自由層と、スタックの後部に配置され、ストライプ高さに相当する距離だけ浮上面から隔てられたバイアス磁石とを有する。センサ内の電流が絶縁層によって浮上面近くの領域に制限されることで、読取機の感度が向上する。 （もっと読む）

【課題】単方向電流で書き込みをすることを可能にするとともに回路面積が増大するのを防止することを可能にする。
【解決手段】第１強磁性層２１、第１非磁性層２３、第２強磁性層２５、第２非磁性層２７、および第３強磁性層２９がこの順序または逆の順序で積層された積層構造を有し第３強磁性層と第２強磁性層とが第２非磁性層を介して反強磁性的な交換結合をする強磁性積層膜２０を含むメモリセル１０を備え、第１強磁性層から第３強磁性層に向かう単一方向の電流を強磁性積層膜に流して、電流の大きさに応じて第１強磁性層に異なる磁化状態の書き込みを行うとともに第１強磁性層からの読み出しを行なう。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子への不純物の侵入や応力の負荷を抑制し、低い駆動電力で高精度に作動する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、主表面を有する半導体基板ＳＵＢと、半導体基板ＳＵＢの主表面上に位置する磁気抵抗素子ＭＲＤとを備えている。その他、保護層ＩＩＩと、配線ＢＬと、第１上部電極ＵＥＬ１と、第２上部電極ＵＥＬ２とを備えている。保護層ＩＩＩは、磁気抵抗素子ＭＲＤの側面を覆うように配置されている。配線ＢＬは、上記磁気抵抗素子ＭＲＤの上部に位置する。第１上部電極ＵＥＬ１は、上記磁気抵抗素子ＭＲＤ上に、平面視における大きさが磁気抵抗素子ＭＲＤと実質的に同じであるものが配置されている。第２上部電極ＵＥＬ２は、上記第１上部電極ＵＥＬ１上にて、上記第１上部電極ＵＥＬ１と電気的に接続されており、平面視における大きさが第１上部電極ＵＥＬ１より大きい。 （もっと読む）

【課題】磁気特性を損なうことなく、より小さなＦＬＷを有する磁気抵抗効果素子の形成方法を提供する。
【解決手段】この磁気抵抗効果素子の形成方法は、基体の上にＭＴＪスタックを形成することと、ＭＴＪスタックをパターニングしてＦＬＷが第１の幅であるＭＴＪ素子を形成することと、２０°未満の入射角のイオンビームを用いた第１のＩＢＥ処理を行い、ＦＬＷを第１の幅よりも狭い第２の幅とすることと、（ｄ）６０°を超える入射角のイオンビームを用い、弧を描くような掃引動作を伴いながら第２のＩＢＥ処理を行い、第１のＩＢＥ処理の際に生じた残渣を除去すると共に、ＦＬＷを第２の幅よりも狭い第３の幅とすることと、２０°未満の入射角のイオンビームを用いた第３のＩＢＥ処理を行い、第２のＩＢＥ処理で生じた側壁における損傷部分を除去すると共にＦＬＷを第３の幅よりも狭い第４の幅とすることとを含む。 （もっと読む）

【課題】低保磁力、低磁歪および低ＲＡ値を確保しつつ、高いＴＭＲ比を得る。
【解決手段】フリー層１８は、トンネルバリア層１７の側から第１の強磁性層、挿入層および第２の強磁性層が順に積層された複合構造を有する。第１の強磁性層は、ＣｏＦｅ合金、または、そのＣｏＦｅ合金にＮｉなどを添加してなる合金を含み、かつ、正の磁歪定数を有する。第１の強磁性層の上面はプラズマエッチ処理がなされている。挿入層は、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉから選択される少なくとも一種の磁性元素と、Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｖ，ＭｇおよびＣｒから選択される少なくとも一種の非磁性元素とを含む。第２の強磁性層は、ＣｏＦｅやＮｉＦｅなどからなり、負の磁歪定数を有する。 （もっと読む）

【課題】センサーの出力が線形となり、有効利用可能な測定信号を容易に得ることができる測定アセンブリを提供する。
【解決手段】本発明は、磁界の強度を計測するための磁気抵抗磁界センサーと電子処理回路とを有する。センサーは、基準要素（２）と分離要素（３）と磁界を感知する要素（４）との積層体（１）を備え、基準要素（２）と感知要素（４）がそれぞれ第１方向と第２方向における第１磁気異方性と第２磁気異方性を有する。感知要素（４）は、強磁性材料層（ＦＭ１）と反強磁性材料層（ＡＦ１）との重畳体からなっており、この重畳体は、測定用磁界の方向における成分が、測定用磁界の強度の関数として可逆的に変化すると共に調整可能磁界範囲において直線的に変化する磁気モーメント（１０）を与えるようになっている。 （もっと読む）

【課題】ＧＭＲ膜−薄膜ヨーク間の電気的及び磁気的コンタクトが良好であり、感度が良好で、製造中又は使用中に高温に曝されてもヒステリシスの増大が少ない薄膜磁気センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】以下の構成を備えた薄膜磁気センサ及びその製造方法。（１）前記薄膜磁気センサは、ＧＭＲ膜１２と、ＧＭＲ膜１２の両端に接続された薄膜ヨーク１４ａ、１４ｂとを備えている。（２）薄膜ヨーク１４ａ、１４ｂは、外側ヨーク１６ａ、１６ｂと、内側ヨーク１８ａ、１８ｂとを備えている。（３）外側ヨーク１６ａ、１６ｂは、結晶系又は微結晶系の軟磁性材料からなり、成膜後かつＧＭＲ膜１２成膜前に加熱することにより得られる。（４）内側ヨーク１８ａ、１８ｂの長さＬ₂は、外側ヨーク１６ａ、１６ｂの厚さｔ₁以上薄膜ヨーク１４ａ、１４ｂの全長の５０％以下である。 （もっと読む）

【課題】スピン分極率の高いフルホイスラー合金と反強磁性結合を形成する磁性体を含む、ＴＭＲ比が高い磁気抵抗効果素子を用いたスピンＭＯＳ電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に形成されたフルホイスラー合金層１３と、フルホイスラー合金層１３上に形成された、面心立方格子構造を有する強磁性体層１４と、強磁性体層１４上に形成された非磁性層１５と、非磁性層１５上に形成された強磁性体層１６とを含む構造をソース及びドレインのうち少なくとも一つに備える。非磁性層１５を介して形成された強磁性層１４と強磁性層１６との間には反強磁性結合が形成されている。 （もっと読む）

【課題】電気的手段により磁気情報の書込みを行う磁気メモリセル及びそれを装備した大容量多値磁気メモリを提供する。
【解決手段】スピン蓄積層１上に配置した複数の磁気記録ビット３１〜３４と、１つの検出部によって磁気メモリセルを構成し、その磁気メモリセルを多数組み合わせて大容量磁気メモリを構成する。磁気記録ビットは、スピン蓄積層上に中間層、磁気記録層、障壁層、固定層、電極保護層を積層した構造を有し、検出部はスピン蓄積層上に中間層、固定層、電極保護層を積層した構造を有する。検出部は、各記録ビットを構成する磁気記録層の磁化方向の組合せを多値情報として電気的に検出する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子における磁場の漏洩をより抑制し、性能をより向上することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】下部電極３１は、半導体基板１００の主表面上に形成される。磁気抵抗素子３２は、固定層３５と、トンネル絶縁膜３８と、自由層３７とを含む。上部電極４４は、自由層３７のトンネル絶縁膜３８と対向する一方の主表面と反対側に位置する他方の主表面上に配置される。磁気抵抗素子３２を構成する固定層３５は、下部電極３１の一方の主表面上に配置された、磁化の方向が一定である層である。自由層３７は、トンネル絶縁膜３８の、固定層３５と対向する一方の主表面と反対側に位置する他方の主表面上に配置された、磁化の方向が可変である層である。上記下部電極３１、固定層３５、トンネル絶縁膜３８、自由層３７、上部電極４４の積層方向に交差する方向において、上部電極４４の幅は、下部電極３１および固定層３５の幅よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子における磁場の漏洩をより抑制し、性能をより向上することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板は主表面を有する。磁気抵抗素子３２は半導体基板の上記主表面上に位置する。配線４３は上記磁気抵抗素子３２上に位置する。バリア層４１ａ、４１０は上記配線４３の側面および上面を連続するように覆うように配置される。クラッド層４１ｃ、４１ｄは上記バリア層４１ａ、４１０の、配線４３に対向する表面と反対側の表面を連続して覆うように配置される。上記磁気抵抗素子３２と上記配線４３と上記バリア層４１ａ、４１０と上記クラッド層４１ｃ、４１ｄとを含むメモリユニットが複数形成される。複数の上記メモリユニットが配線４３の延在する方向に交差する方向に並列しており、複数のメモリユニット間でクラッド層４１ｃ、４１ｄが分離されている。 （もっと読む）

【課題】
面積抵抗ＲＡが１．０Ωμｍ²以下の領域で、ＭＲ比の劣化の少ないトンネル型磁気抵抗効果素子を得る。
【解決手段】
下地層と、下地層上に形成された反強磁性層と、反強磁性層と交換結合した第１の強磁性層と、反平行結合層と、反平行結合層を介して第１の強磁性層の磁気モーメントと反平行に結合した磁気モーメントを有する第２の強磁性層と、絶縁障壁層と、第３の強磁性層が積層されたトンネル接合型磁気抵抗効果素子において、第２の強磁性層及び第３の強磁性層の絶縁障壁層側の一部または全部は結晶質であり、かつ絶縁障壁層は、MgOと、単独で立方晶の結晶構造を持ちMgOと全率固溶する特定の酸化物材料により構成する。好ましくは、MgOと、該特定の酸化物材料としてＮｉＯ、ＣｏＯ、ＦｅＯの少なくともいずれか１の合金酸化物により絶縁障壁層を構成する。 （もっと読む）

【課題】磁化固定層または磁化自由層の膜厚を薄くすることによるＭＲ比の劣化を抑制することができる磁気抵抗効果ヘッドを提供する。
【解決手段】磁化方向が固定されている磁化固定層２３０と、磁化方向が変化する磁化自由層２５０と、磁化固定層と磁化自由層との間に配置された絶縁体を用いて形成されているバリア層２４０と、を備え、磁化固定層または磁化自由層の少なくとも一方は、バリア層側から順に、結晶層２３３ａ，２３３ｃとアモルファス磁性層２３３ｂとの積層構造として、バリア層の反対側にアモルファス磁性層を有する磁気抵抗効果ヘッドとする。 （もっと読む）

【課題】低抵抗なスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果型素子を提供することを可能にする。
【解決手段】アモルファス構造を有する界面磁性膜に接するように結晶化を促進する結晶化促進膜を形成することにより、トンネルバリア層側から結晶化を促進し、トンネルバリア層と上記界面磁性膜層との界面を整合させる。これにより、所望の電流値を得られるような低抵抗を有し、高いＴＭＲ比を有する磁気抵抗効果型素子を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】
積層された反強磁性層と固定層からなる交換結合膜、それを有する磁気抵抗効果ヘッド、磁気センサおよび磁気メモリにおいて、反強磁性層と固定層間の交換結合エネルギーを増大し、固定層の磁化の安定性を高める。
【解決手段】
反強磁性層１２と固定層１３とが積層され、前記反強磁性層１２により前記固定層１３の磁化方向が一方向に磁気的に固定されている交換結合膜１０、それを有する磁気抵抗効果ヘッド、磁気センサおよび磁気メモリにおいて、前記反強磁性層１２をMn-X（X＝Ir,Rh,Ru）で構成するとともに、前記固定層１３の主成分をCo-Fe-Mnで構成する。 （もっと読む）

【課題】 ＴＭＲ比を大きくすることができるＴＭＲ素子およびそれを用いたセンサを実現する。
【解決手段】 ＴＭＲ素子５０を構成するセグメントＳＧ１は、少なくともピンド層４３、絶縁層４４およびフリー層２１を積層して成る第１の積層体２０と、少なくともピンド層４３、絶縁層４４およびフリー層３１を積層して成る第２の積層体３０とを備える。第１および第２の積層体２０，３０はピニング層４２上に配列されており、かつ、ピンド層４３およびピニング層４２によって電気的に直列接続されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、改良されたＱ値を有する無線周波数発振器を提供する。
【解決手段】この無線周波数発振器は、ＲＫＫＹ（Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida）結合により互いに結合された、少なくとも３つの強磁性またはフェリ磁性層を積層してなる自由層１０および／または参照層を有し、少なくとも２つの副層間は、反強磁性ＲＫＫＹ結合により、磁気的に互いに結合されている。 （もっと読む）

【課題】熱安定性と低消費電流のスピン注入書き込み方式の磁気抵抗素子を提案する。
【解決手段】本発明の例に係わる磁気抵抗素子は、膜面垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が可変の第１磁性層３と、膜面垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が不変の第２磁性層２と、第１磁性層３と第２磁性層２との間に設けられる第１非磁性層４とを含む。第１磁性層３は、CoとPd、又は、CoとPtが原子稠密面に対して交互に積層されるCoPd合金、又は、CoPt合金を有し、ｃ軸が膜面垂直方向を向く強磁性体から構成される。第１磁性層３の磁化方向は、第１磁性層３、第１非磁性層４及び第２磁性層２を貫く双方向電流により変化する。 （もっと読む）

【課題】情報の読み出し時に誤書き込みを抑制する。
【解決手段】磁気メモリは、磁化方向が固定された固定層１２と、磁化方向が可変の記録層１４と、固定層１２と記録層１４との間に設けられた非磁性層１３とを含む磁気抵抗素子１０を具備する。磁気抵抗素子１０のＭＲ比、平行状態に書き込む第１の方向の臨界電流値Ｉ_ｃ−、反平行状態に書き込む第２の方向の臨界電流値Ｉ_ｃ＋とすると、
ＭＲ比≧｜Ｉ_ｃ＋／Ｉ_ｃ−｜−１
を満たす場合に、読み出し電流の方向は第１の方向に設定される。 （もっと読む）

【課題】コンパクトな構成でありながら磁場の検出性能に優れ、かつ容易に製造可能な磁気センサを提供する。
【解決手段】第１から第４のＭＲ素子を構成する積層体１１，２１，３１，４１は、信号磁場に応じて磁化Ｊ６１の向きが変化する磁化自由層６１と、非磁性の介在層６２と、磁化固着層６３と、を順にそれぞれ含むものである。磁化固着層６３は、非磁性の結合層６３３を介して交互に積層されて互いに反強磁性結合する第１および第２の強磁性層６３１，６３２をそれぞれ１つまたは複数有する。但し、第１および第３のＭＲ素子を構成する積層体１１，３１における磁化固着層６３は、第１の強磁性層６３１を第２の強磁性層６３２よりも１つ多く含み、第２および第４のＭＲ素子を構成する磁化固着層６３は、磁化自由層６１の側から順に第２の強磁性層６３２と第１の強磁性層６３１とを同数ずつ含む。 （もっと読む）