【課題】実装時における位置ズレが生じる従来の電子部品の実装構造に対して、半田ブリッジの発生を防止しつつ、実装の際に角度ずれが小さいことが要求される電子部品の取り付け角度の精度を高められる電子部品の実装構造を目的とする。
【解決手段】電子部品の実装構造において、電子部品が略直方体形状の基体の側面から複数のリード端子を延出しており、複数のリード端子が基体の四隅の内少なくとも２個所に設けられたアライメント用リード端子とアライメント用リード端子を除く電気的に基体内の電子回路に接続される電極リード端子とからなり、アライメント用リード端子が電極リード端子より長く延出されており、複数の接続ランドがアライメント用リード端子と半田付けされるアライメント用接続ランドと電極リード端子と半田付けされる電極用接続ランドとからなり、アライメント用接続ランドの長さが電極用接続ランドの長さよりも長いことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能で、部品の搭載、及び部品間の電気的な接続を容易に行うことができる筐体を提供する。
【解決手段】筐体１は、電子部品が搭載される搭載領域２７の周囲の高さが搭載領域２７の高さ以下であり、配置されたリードフレーム４ａ及びリードフレーム４ｂの表面が露出する基部２ａ、及びリードフレーム４ａ及びリードフレーム４ｂの表面の一部が覆われる被覆部２ｂ、を有する第１の筐体２と、第１の筐体２の形状に応じて形成され、第１の筐体２と溶着される溶着部３６を有する第２の筐体３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 低コスト且つ安定した品質で，一方向のリード端子を持つ磁電変換素子を実装基板に対し垂直方向に実装した電流センサを提供する。
【解決手段】 一方向のリード端子を持つ磁電変換素子のリード端子を略直角に折り曲げて素子支持部を形成し、形成した前記素子支持部の先端部を更に実装基板側へ略直角に折り曲げ、実装基板に設けた実装用リード端子挿入孔に挿入して磁電変換素子の実装位置が固定できる位置決め用曲げ部を設けた。
また，磁電変換素子を実装基板に対し垂直方向に実装するため，磁電変換素子のリード端子を略直角に折り曲げて形成した素子支持部の両端を，実装基板面上にハの字状に成形し、磁電変換素子の自立安定性を持たせた。 （もっと読む）

【課題】センシング精度を向上させることのできるセンサ装置を提供する。
【解決手段】このセンサ装置は、リードフレーム３０のチップ搭載部３１に実装された半導体チップ１０を封止した第１の樹脂部材２０からリードフレーム３０のリード部３２ａ〜３２ｃが導出された半導体パッケージ１を有する。そして、このセンサ装置では、半導体パッケージ１が第２の樹脂部材２１によって覆われている。ここでは、リード部３２ａ，３２ｃの第１の樹脂部材２０によって覆われていない部分に、リードフレーム３０及び半導体パッケージ１のそれぞれの位置決めに利用される貫通孔３３ａ，３３ｂをそれぞれ形成する。 （もっと読む）

【課題】アセンブリ段階において外部磁場から磁気メモリチップを保護する。
【解決手段】主面に磁気メモリ素子および複数のワイヤボンドパッドが形成された磁気メモリチップを準備する。シリコンより高透磁率を有する第１の磁気シールド板を磁気メモリチップの主面に搭載する。磁気メモリチップをリードフレームのダイパッド上に搭載しダイアタッチフィルムにより接着する。磁気メモリチップのワイヤボンドパッドとリードフレームのリードとをワイヤで電気的に接続する。磁気メモリチップ、磁気シールド板、ワイヤ及びリードの一部を樹脂により封止する。複数の磁気メモリチップを有するシリコンウェハを準備し、シリコンウェハの裏面を研削することによりシリコンウェハを所定の厚さまで薄くしてダイアタッチフィルムを張り付けた後にシリコンウェハをダイシングして各々がダイアタッチフィルムをその裏面に有する複数の磁気メモリチップを形成する。 （もっと読む）

【課題】３軸センサ・チップパッケージためのシステムと方法を提供する。
【解決手段】センサパッケージは、ベース１０５と、第１のセンサダイ１１０が、第１のアクティブセンサ回路１１２および、第１のアクティブセンサ回路に電気的に結合された複数の金属パッド１１４とを備え、ベースに取り付けられた第２のセンサダイ１２０が、第１の表面１２８の上に配置された第２のアクティブセンサ回路１２２と、第２の表面の上に配置された第２のアクティブセンサ回路に電気的に結合された第２の複数の金属パッド１２２とを備え、第２のアクティブセンサ回路は、第１のアクティブセンサ回路に対して直交に方位付けされ、ベースに垂直であるように、第２のセンサダイが配置される。第２の表面は、第１の表面に隣接し、第１の表面の面に対して角度がつけられている。 （もっと読む）

【課題】製造上の手間・コスト削減を図りつつ、感度向上を図る。
【解決手段】アイランド部１２と一次導体１３とセンサリード端子１４とを同一の平板から打ち出してリードフレームを形成し且つ、一次導体１３をアイランド部１２と電気的に切り離すとともに、前記アイランド部１２の、平面視方形のＩＣチップ１１と同等形状を有するアイランド本体２１を取り囲む略コの字状を有するコの字部３１を備えて形成する。アイランド本体２１にＩＣチップ１１を載置し、ＩＣチップ１１とセンサリード端子１４とをボンディングワイヤ１５により接続する。このときＩＣチップ１１の角部１１ａ、１１ｂの仮想的な面取り曲線上に、コの字部３１のコーナー部３１ａ、３１ｂと対向するように磁場変換素子４１を１以上配置する。そして、各磁場変換素子４１の検出信号の総和を演算し、これを電流センサ１０の検出信号として出力する。 （もっと読む）

【課題】センサ寸法の拡大が抑制され小型化に有利で、高いセンサ特性が安定して得られ、作製工程が複雑化しない、磁気センサを提供する。
【解決手段】抵抗素子を直列に接続した通電経路単位４１，４２，４３，４４のそれぞれに関し、一方端部は電源端子Ｖｃｃに電気的に接続され、他方端部は接地端子ＧＮＤに電気的に接続され、抵抗素子同士の接続部は出力端子Ｖｏ１〜Ｖｏ４に電気的に接続される。通電経路単位のそれぞれを構成する複数の抵抗素子の少なくとも１つは、磁気抵抗効果膜からなる磁気抵抗効果素子であり、電源端子は全ての通電経路単位につき共通化され、接地端子は全ての通電経路単位につき共通化される。全ての通電経路単位は絶縁膜の一方の面に接して形成され、絶縁膜の他方の面に接して配置された導電膜を用いて、電源端子共通化のための電源接続配線及び接地端子共通化のための接地接続配線が形成される。 （もっと読む）

【課題】減少された大きさ、改善された精度、および／または改善されたダイナミックレンジを有する外部磁界センサ等を提供することを目的とする。
【解決手段】 集積回路（１０）は、磁界感知素子（３０）を支持する第１の基板（１４）および他の磁界感知素子（２０）を支持する第２の基板（２６）を備えることができる。第１および第２の基板は、様々な構成で配列されてもよい。他の集積回路は、その表面に配置された第１の磁界感知素子および第２の異なる磁界感知素子を備えることができる。 （もっと読む）

【課題】回転センサの製造効率を向上する。
【解決手段】複数のリードフレーム３０を支持部材７１により支持してなる部材７０の複数のリードフレーム３０に磁気抵抗素子５１をそれぞれ搭載し、リードフレーム３０毎に磁気抵抗素子５１およびリードフレーム３０を断面Ｕ字状の永久磁石２０の空所内に配置し、永久磁石２０、リードフレーム３０、および磁気抵抗素子５１をリードフレーム３０毎にモールド樹脂によって覆い、その後、支持部材７１から複数のリードフレーム３０をそれぞれ分離して複数の回転センサを得る。 （もっと読む）

【課題】 磁界感度異方性、広動作磁界および出力直線性に優れた磁気センサを提供すること。
【解決手段】 絶縁基板２０と、絶縁基板２０の表面に形成されたＧＭＲ素子２２ａ〜２２ｄと、絶縁基板２０の裏面に配置されたバイアス磁石２４とで磁気センサ２０を構成した。そして、ＧＭＲ素子２２ａ〜２２ｄを一方側と他方側との間を折り返しながら延びる線状のグラニュラ薄膜で構成し、バイアス磁石２４によるバイアス磁界をＧＭＲ素子２２ａ〜２２ｄの線状が延びる長手方向に印加した。また、ＧＭＲ素子２２ａ〜２２ｄを構成するグラニュラ薄膜を、Ａｇからなる母相中に、ＦｅＣｏからなる微粒子を分散させて構成した。 （もっと読む）

【課題】圧電効果によって生ずる出力変動を低減できる磁気検出素子を提供する。
【解決手段】磁気検出素子１１にて、ダイリード５１と各リードは基準平面Ｓ上に、第１チップ２０１と第２チップ２０２とは基準平面Ｓの上下に対称に配置される。これにより、それらの部品の熱膨張または熱収縮は、基準平面Ｓに対称に生じ、磁気検出素子１１全体として厚さＺ方向の反りを抑制できる。よって、チップ２０１、２０２に印加される応力を低減でき、圧電効果によって生ずる出力変動に伴う検出誤差を低減できる。また、この磁気検出素子１１を回転角度検出装置ならびにストローク量検出装置に用いることにより、圧電効果の影響を補償するための温度特性補正手段を備える必要がなくなる。 （もっと読む）

集積回路パッケージ・デバイスを設けるための方法および装置。集積回路パッケージ・デバイスは、導電性リードフレームと、このリードフレーム上に配置された磁気センサ・エレメントとを備えている。リードフレームは、磁気センサ周囲において渦電流の流れを低減するスロット構成を含む。このスロット構成は、第２スロットに対して概略的に垂直な第１スロットを含み、第１スロットはセンサ・エレメントの下を貫通する。 （もっと読む）

【課題】磁電変換素子を極めて容易に短時間で作業性の優れた連続方法で製造することを可能とする。
【解決手段】基板が磁性体の磁電変換素子用ペレットを、リードフレームに接続する工程を備える磁電変換素子の製造方法は、複数の半導体素子を形成したウエハの裏面に樹脂層を設ける工程と、樹脂層を設けたウエハをダイシングして個別の磁電変換素子用ペレットにする工程と、磁電変換素子用ペレットを、樹脂層を介してリードフレームに固着する工程と、磁電変換素子用ペレット上の電極をリードフレームと結線する工程とを具え、該樹脂層が厚み１〜５０μｍであり、前記樹脂層の樹脂がガラス転移点６０〜１６０℃、接着活性温度１７０〜３５０℃、および熱伝導率０．２〜３．５Ｗ／ｍ／℃を有している。 （もっと読む）

【課題】ＭＲＡＭの情報の記録動作時における安定動作と、記録情報の安定保持とを可能にした磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】ダイ１１０は、基板と、第１および第２配線と、磁気記憶素子と、第１の磁気シールド構造とを有する。第１の磁気シールド構造は、平面視において磁気記憶素子を覆うように形成されている。第２および第３の磁気シールド構造１１３、１１４は、厚み方向においてダイ１１０を挟んでいる。リードフレーム部材１１２は、ダイ１１０が実装され、かつ強磁性体を含有する。リードフレーム部材１１２は平面視においてダイ１１０の一部のみと重複している。 （もっと読む）

【課題】従来よりも簡素な工程を用い、且つ製造時の不良を低減することができる磁気センサの製造方法を提供する。
【解決手段】まず、樹脂ケース１０のピン端子挿入用貫通孔１６０に各ピン端子１３を装着する（Ｓ１０１）。次に、樹脂ケース１０の素子装着凹部１０１に磁気抵抗素子１１を設置し、リード端子１２が配列形成されたリードフレーム２０１を樹脂ケース１０の天面１１０側に配置する（Ｓ１０２→Ｓ１０３）。リード端子１２とピン端子１３とを熱圧着により接合する（Ｓ１０４）。樹脂ケース１０の切断用溝１２０に沿ってリード端子１２をリードフレーム２０１から切り離す（Ｓ１０５）。リード端子１２と磁気抵抗素子１１とを熱圧着により接合する（Ｓ１０６）。樹脂ケース１０にカバー１５を装着する（Ｓ１０７）。 （もっと読む）

【課題】 特に、作業性良く形成でき、さらにセンサチップを高精度に位置合わせ可能な磁気検出装置及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 磁石と、前記磁石に間隔を空けて配置され、前記磁石からの外部磁界の変化により電気特性が変化する磁気検出素子を備えた磁気センサ部とを有する磁気検出装置において、前記磁気センサ部が、前記磁気検出素子を備えたセンサチップと、複数のリード部を備え、前記磁気検出素子と電気的に接続されるリードフレームと、前記センサチップを設置するベース部と、前記ベース部、各リード部の先端の外部接続端子及び前記磁気検出素子との接続領域が露出するように前記リードフレームに成形された樹脂体と、前記センサチップを封止する封止材と、を有して構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁気増幅のための磁性材料を内蔵した小型かつ薄型の磁気センサの提供。
【解決手段】半導体回路１と複数のホール素子４を備える半導体基板上に、外部接続端子パッド部３の部位に開口を有する絶縁膜２、絶縁膜上であって複数のホール素子の感磁部を覆う部位に配置された下地通電層５、外部接続端子パッド部上及びパッド部の周辺部の絶縁膜上であって覆う部位から離間した位置に、下地通電層とは独立に配置された下地通電層５、下地通電層上に配置された磁性体６、下地通電層上に配置された再配線通電層７、再配線層と磁性体の間の露出された絶縁膜上及び再配線層上及び磁性体上に連続して配置され、周辺部に開口を有する絶縁膜８、開口を埋めるように再配線層上に配置された半田形成用下地層９、並びに、半田形成用下地層上に配置された外部接続用半田部１０を備える。 （もっと読む）

【課題】リードフレーム及び半導体チップを封止するモールド樹脂とを備える半導体素子において、高温での特性劣化を抑制した半導体素子を提供すること。
【解決手段】半導体素子は、Ｃｕを含むリードフレーム ｂと、リードフレーム ｂ上に配置された半導体チップ ａと、リードフレーム ｂ及び半導体チップ ａを封止する、ハロゲンを含有しないモールド樹脂 ｃとを備える。モールド樹脂 ｃには、難燃化材として、ＳｎＯ₃、ＣｕＯ、Ｆｅ₂Ｏ₃、ＭｏＯ₃等の金属酸化物、Ａｌ（ＯＨ）₃、Ｍｇ（ＯＨ）₂、ＺｎＳｎ（ＯＨ）₆等の金属水酸化物、２ＺＯ・３Ｂ₂Ｏ₃・３．５Ｈ₂Ｏ、（ＮＨ₄）₂Ｏ・５Ｂ₂Ｏ₃・８Ｈ₂Ｏ等のホウ酸を含有する化合物等を含むエポキシ樹脂を用いることができる。また、モールド樹脂 ｃは、主鎖にベンゼン環を有する安定で炭化しやすい化合物や原子間の結合が強い有機化合物を含むエポキシ樹脂であってもよい。 （もっと読む）