【課題】定電流動作が可能な窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体を含む半導体層３０と、ソース電極４０と、ドレイ電極５０と、第１ゲート電極１０と、第２ゲート電極２０と、を備えた窒化物半導体装置１１１が提供される。ソース電極４０とドレイン電極５０は、主面上に設けられ、半導体層とオーミック性接触を形成し、互いに離間する。第１ゲート電極１０は、主面上においてソース電極４０とドレイン電極５０との間に設けられる。第２ゲート電極２０は、主面上においてソース電極４０と第１ゲート電極１０との間に設けられる。ソース電極４０と第１ゲート電極１０との間の電位差が０ボルトのときに、半導体層３０のうちの第１ゲート電極に対向する部分は導通する。第１ゲート電極１０は、第２ゲート電極２０に印加される電圧に応じた定電流をスイッチングする。 （もっと読む）

【課題】DWB法における貼り合わせ時にIII-V族化合物半導体層が受けるダメージを小さくするとともに、受けたダメージの影響および界面準位の影響を低く抑え、高いキャリアの移動度を有するIII-V族MISFETを提供する。
【解決手段】ベース基板１０２と第１絶縁体層１０４と半導体層１０６とを有し、ベース基板１０２、第１絶縁体層１０４および半導体層１０６が、ベース基板１０２、第１絶縁体層１０４、半導体層１０６の順に位置し、第１絶縁体層１０４が、アモルファス状金属酸化物またはアモルファス状金属窒化物からなり、半導体層が、第１結晶層１０８および第２結晶層１１０を含み、第１結晶層１０８および第２結晶層１１０が、ベース基板１０２の側から、第１結晶層１０８、第２結晶層１１０の順に位置し、第１結晶層１０８の電子親和力Ｅ_ａ１が、第２結晶層１１０の電子親和力Ｅ_ａ２より大きい半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】双方向で電流の流れを制御（ＯＮ／ＯＦＦ制御）することができる半導体素子を提供すること。
【解決手段】チャネル層８と障壁層１０が積層された半導体へテロ接合と、前記半導体へテロ接合の上方に設けられたゲート１２と、前記ゲートの両側に設けられた第１および第２のソースドレイン端子１４ａ，１４ｂと、前記第１のソースドレイン端子と前記ゲートの間に設けられた第１のフィールプレート１６ａと、前記第２のソースドレイン端子と前記ゲートの間に設けられた第２のフィールドプレート１６ｂとを有すること。 （もっと読む）

【課題】半導体装置内に保護ダイオードをレイアウトする。
【解決手段】半導体装置は、電界効果トランジスタ１１と、電界効果トランジスタ１１の形成領域３０に隣接するダイオード形成領域１２とを備え、ダイオード形成領域１２はトランジスタの形成領域３０と半導体基板上で絶縁され、ダイオード形成領域１２内において、電界効果トランジスタ１１のゲート電極１がバス配線７を介して半導体基板とショットキー接合とオーミック接合のいずれか又は両方の接合をする第１のダイオード電極２０と、電界効果トランジスタ１１のソース電極２がパッド５を介して半導体基板とオーミック接合とショットキー接合のいずれか又は両方の接合をする第２のダイオード電極２１とを備えることによってゲート電極１とソース電極２間にダイオードが形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高品質なＩＩＩ族窒化物を結晶成長させ、高品質な半導体装置を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化サファイア基板をアルカリエッチングし、窒化サファイア基板を清浄化する。その後、ＩＩＩ族窒化物を結晶成長させることにより、極めて高品質なＮ極性結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型のIII族窒化物半導体層に貫通孔が形成されており、その貫通孔をｎ型のIII族窒化物半導体が充填している場合、貫通孔を充填しているｎ型のIII族窒化物半導体の不純物濃度が濃くなり、ｐ型のIII族窒化物半導体とｎ型のIII族窒化物半導体の接合界面を電流が流れやすくなり、耐圧が低くなりやすい。
【解決手段】 ｐ型のIII族窒化物半導体層８に不純物濃度の分布を設ける。貫通孔８ｃに臨んでいる範囲８ｂでは不純物濃度を薄くし、貫通孔８ｃから離反している範囲８ａでは不純物濃度を濃くする。半導体装置のオフ時に、空乏層が不純物濃度の薄い範囲８ｂに広く拡がり、必要な耐圧を確保できる。 （もっと読む）

【課題】電子トラッピングによる、ＤＣ特性とＲＦ特性の差を低減する。
【解決手段】トランジスタ１０は、チャネル層を有する活性領域を含み、この活性領域と接触してソースおよびドレイン電極２０，２２が形成され、このソース電極とドレイン電極との間にあって活性領域と接触したゲート２４が形成される。ゲートとドレイン電極との間およびゲートとソース電極との間の複数の活性領域の表面の少なくとも一部分上にスペーサ層２８がある。このスペーサ層上にはフィールドプレート３２があり、活性領域の上のスペーサ上をドレイン電極に向かって延びる。このフィールドプレートはさらに、活性領域の上のスペーサ層上をソース電極に向かって延びる。少なくとも１つの導電性経路３４，３６が、フィールドプレートをソース電極またはゲートに電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】バッファ層の結晶成長時に高抵抗化の不純物をドーピングすることなく上層の化合物半導体の結晶品質を保持するも、バッファ層を高抵抗化してオフリーク電流を確実に抑制し、信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】化合物半導体積層構造２の裏面から、化合物半導体積層構造２の少なくともバッファ層２ａに不純物、例えばＦｅ，Ｃ，Ｂ，Ｔｉ，Ｃｒのうちから選ばれた少なくとも１種類を導入し、バッファ層２ａの抵抗値を高くする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の洗浄をより効率的に行うことができる半導体装置の製造方法及び半導体基板の洗浄方法等を提供する。
【解決手段】半導体基板２０をその主面を鉛直方向及び水平方向から傾斜させて保持し、酸を含む洗浄液２６に半導体基板２０を浸漬する。 （もっと読む）

【課題】良好なノーマリ・オフ動作を可能とすることに加え、アバランシェ耐量が大きく、外部のダイオードを接続することを要せず、確実に安定動作を得ることができる信頼性の高い高耐圧のＨＥＭＴを得る。
【解決手段】化合物半導体積層構造２に形成された電極用リセス２Ｃを、ゲート絶縁膜６を介して電極材料で埋め込むようにゲート電極７を形成すると共に、化合物半導体積層構造２に形成された電極用リセス２Ｄを、少なくとも電極用リセス２Ｄの底面で化合物半導体積層構造２と直接的に接するように電極材料で埋め込み、化合物半導体積層構造２とショットキー接触するフィールドプレート電極８を形成する。 （もっと読む）

【課題】ゲートとフィールドプレートとを有するトランジスタのスイッチング速度を速くする。
【解決手段】ゲートとフィールドプレートとを有するトランジスタ４を制御する制御回路２であって、トランジスタを駆動するタイミングを検出する検出回路３８と、駆動するタイミングに応答してゲートを駆動する第１の駆動タイミングとフィールドプレートを駆動する第２の駆動タイミングとを制御するタイミング制御回路４０と、第１の駆動タイミングに応答してゲートを駆動し第２の駆動タイミングに応答してフィールドプレートを駆動する駆動回路４２とを有する。 （もっと読む）

【課題】ゲート部におけるリーク電流が低減できる反面、プロセス上の制約があるため製造が困難で、ゲートリーク電流を安定して低減させることが困難だった。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成され且つ二次元キャリアガスを有する半導体機能層と、前記半導体機能層上において互いに離間して形成される第１及び第２の主電極と、前記半導体機能層上における前記第１及び第２の主電極間に形成される制御電極と、前記半導体機能層と前記制御電極との間に形成される金属酸化膜と、を備え、
前記金属酸化膜と前記半導体機能層との接合界面における結晶格子は不連続であることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】比較的簡易な構成で、化合物半導体素子の低抵抗伝送を達成すると共に、半導体素子の十分な高放熱性を低コストで実現する半導体装置を得る。
【解決手段】表面に接続電極１１が形成された化合物半導体素子１０と、表面に接続電極２８ａ及び凹部２１が形成された樹脂回路基板２０と、凹部２１内で化合物半導体素子１０を固定する金属材料３２，３３とを有する半導体パッケージであり、化合物半導体素子１０は、凹部２１内において、接続電極１１，２８ａが近接するように偏倚した位置に固定されており、接続電極１１，２８ａがワイヤ接続されており、金属材料３２は、化合物半導体素子１０の底面から側面の少なくとも一部まで被覆する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の電界集中を緩和して耐圧の更なる向上を実現することに加え、デバイス動作速度を向上させ、アバランシェ耐量が大きく、サージに対して強く、例えばインバータ回路等に適用する場合に外部のダイオードを接続することを要せず、ホールが発生しても安定動作を得ることができる信頼性の高い高耐圧の化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】化合物半導体積層構造２に形成された電極用リセス２Ｃを、ゲート絶縁膜６を介して電極材料で埋め込むようにゲート電極７を形成すると共に、化合物半導体積層構造２に形成されたフィールドプレート用リセス２Ｄをｐ型半導体で埋め込み、化合物半導体積層構造２とｐ型半導体層８ａで接触するフィールドプレート８を形成する。 （もっと読む）

【課題】電極材料が拡散するのを抑制し、特性の向上を実現する。
【解決手段】半導体装置を、ゲート電極３とゲート絶縁膜２との間、Ａｌ含有オーミック電極４、５とＡｕ配線９との間、及び、ゲート電極３の下方及びＡｌ含有オーミック電極４、５の上方、のいずれかに設けられ、第１ＴａＮ層６Ａ、Ｔａ層６Ｂ、第２ＴａＮ層６Ｃを順に積層した構造を有する電極材料拡散抑制層６を備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】リセス等の形成に伴う処理で生じる残渣を適切に除去することができる化合物半導体装置の製造方法及び洗浄剤を提供する。
【解決手段】化合物半導体積層構造１を形成し、化合物半導体積層構造１の一部を除去して凹部４を形成し、洗浄剤を用いて凹部４内の洗浄を行う。洗浄剤は、凹部４内に存在する残渣と相溶する基材樹脂と溶媒とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系の材料により形成されるＨＥＭＴの信頼性を高める。
【解決手段】基板１０の上方に形成された窒化物半導体からなる半導体層２１〜２４と、半導体層２１〜２４の上方に、金を含む材料により形成された電極４１と、電極４１の上方に形成されたバリア膜６１と、半導体層２１〜２４の上方に、シリコンの酸化膜、窒化膜、酸窒化物のいずれかを含む材料により形成された保護膜５０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】単色性が強く、高効率にテラヘルツ波を発生または検出することができるテラヘルツ波素子を提供する。
【解決手段】テラヘルツ波素子１００は、バッファ層１０２と電子供給層１０４とのヘテロ接合を含む半導体多層構造１０１〜１０４と、半導体多層構造１０１〜１０４上に形成されたゲート電極１０５、ドレイン電極１０６およびソース電極１０７とを有し、ゲート電極１０５とヘテロ接合界面との間の静電容量は、ドレインとソースとの間を流れる電流の方向と直交する方向に周期的に、第１の静電容量と第１の静電容量の値と異なる第２の静電容量とを有している。 （もっと読む）

【課題】歩留りが高く信頼性の高いパッケージングされた半導体装置を提供する。
【解決手段】電極が形成された半導体チップと、前記電極に対応するリードと、前記電極と前記リードとを接続する金属配線と、前記金属配線と前記電極との接続部分及び前記金属配線と前記リードとの接続部分を覆う第１の樹脂部と、前記金属配線、前記第１の樹脂部及び前記半導体チップを覆う第２の樹脂部と、を有することを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】閾値変動を抑えつつ、ゲートリーク電流を低減させた窒化物半導体ＨＥＭＴ。
【解決手段】窒化物系半導体で形成された半導体層と、半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を備え、ゲート絶縁膜は、酸窒化膜で形成された第１絶縁膜と、タンタル、ハフニウム、ハフニウムアルミニウム、ランタン、およびイットリウムの少なくとも１つを含む第２絶縁膜と、を有する半導体装置を提供する。 （もっと読む）