【課題】ソース電極からゲート電極間のソース・ゲート間活性領域のチャネル抵抗が低減され、高周波特性を有する。
【解決手段】基板領域（１０，１２，１８）と、基板領域（１０，１２，１８）の第１表面に配置されたゲート電極２４、ソース電極２０およびドレイン電極２２と、ゲート電極２４とソース電極２０間に配置されたゲート・ソース間活性領域３０と、ゲート電極２４とドレイン電極２２間に配置されたゲート・ドレイン間活性領域３２と、ゲート電極２４とソース電極２０およびドレイン電極２２の下部の基板領域（１０，１２，１８）上に配置された活性領域と、活性領域，ゲート・ソース間活性領域３０およびゲート・ドレイン間活性領域３２に隣接して配置された非活性領域１４とを備え、ゲート・ソース間活性領域３０の幅Ｗ_A1が、ゲート・ドレイン間活性領域３２の幅Ｗ_A2よりも広い半導体装置。 （もっと読む）

【課題】本発明によれば、改良した移動特性を有する電気デバイスおよび電気デバイスの移動特性を調整する方法を提供する。
【課題を解決するための手段】 本発明の一態様によると、並列または直列に接続された少なくとも２つのトランジスタセグメント、または、少なくとも２つのトランジスタを含む電気デバイスを提供するものであって、少なくとも２つのトランジスタセグメント、または、少なくとも２つのトランジスタは異なったトポロジーおよび異なった材料特性の少なくとも１つのために、異なってはいるものの、単一の移動特性を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】正孔濃度の高いｐ型リサーフ層を用いることによって窒化物半導体層内に発生する電界を低減し、それによって低いオン抵抗または高い耐圧を有する窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置は、ｐ型Ｉｎ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦１）を含むリサーフ層（３）、このリサーフ層上に形成されていてＩｎ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ＜ｘ）を含むチャネル層（４）、このチャネル層上に形成されていてそのチャネル層に比べて広い禁制帯幅を有する窒化物半導体層を含む障壁層（５）、および所定の電極（７〜９，１１）を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】コストの増加、オン抵抗Ｒｏｎの増減及び工程数の増加なく利得を変えることができる電界効果型トランジスタ等を提供すること。
【解決手段】積層半導体層２０上に、ゲート電極２６と、このゲート電極２６を挟んで互いに対向するドレイン電極２７及びソース電極２８とが形成された電界効果型トランジスタ１において、ゲート電極２６とドレイン電極２７の間における積層半導体層２０上に、絶縁膜１８を介してソース電極２８に接続したフィールドプレート電極２９を設けた。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体から構成されるＨＥＭＴに於いて、電流コラプスの低減化と、ゲート−ドレイン間等の寄生容量の低減化とを両立化させて、利得向上による高周波化を可能にする。
【解決手段】半導体装置は、Al_xIn_yGa_1-x-yN(0≦x<1, 0≦y<1)のチャネル層２上に、Al_zGa_1-zN(Al組成zは0≦z≦1)の電子供給層３から成るヘテロ接合を形成したIII族窒化物半導体ヘテロ接合電界効果型トランジスタである。ゲート電極５の側面５Ｓ１，５Ｓ２から、ドレイン電極4b及びソース電極4a側に向かって、それぞれ誘電率がε₁、ε₂、…、ε_n（n≧2）（ε₁＞ε₂＞…＞ε_n）を有するｎ個の絶縁膜7a,7b, …,7nが、当該順序で、ゲート電極５とドレイン電極4b間及びゲート電極５とソース電極4a間に位置する電子供給層３の表面領域上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】大電流容量を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、エピウエハ１１０と、絶縁膜と、第１の電極と、導電層と、第２の電極１６０とを備えている。エピウエハ１１０は、高欠陥領域１１１と、高欠陥領域１１１よりも欠陥密度の低い低欠陥領域１１２とを含み、主表面１１３と、主表面１１３と反対側の裏面１１４とを有する。絶縁膜は、エピウエハ１１０の主表面１１３における高欠陥領域１１１を覆うように形成される。第１の電極は、低欠陥領域の上に形成され、絶縁膜を介して隣り合う。導電層は、絶縁膜を介して隣り合う第１の電極を電気的に接続する。第２の電極１６０は、エピウエハ１１０の裏面１１４上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物スイッチは、凹型のゲートコンタクトを含み、ノミナリーオフの、すなわち、エンハンスメント型のデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】凹型のゲートコンタクトを提供することにより、ゲート電極が不活性状態である場合には、２つのIII族窒化物材料の界面に形成された伝導チャンネルが遮断され、デバイス中の電流の流れを防止する。ゲート電極は、ショットキコンタクト又は絶縁金属コンタクトである可能性がある。２つのゲート電極が提供され、ノミナリーオフ特性の双方向スイッチを形成することが可能である。ゲート電極と共に形成された凹部は、傾斜した側壁を持つ可能性がある。デバイスの電流伝達電極に関連して、多くの形状にてゲート電極を形成することが可能である。 （もっと読む）

【課題】高温において高性能なトランジスタデバイスを提供する。
【解決手段】トランジスタは、活性領域に接触するコンタクト層を有するゲートを備える。ゲートコンタクト層は、特定の半導体系（例えば、ＩＩＩ属窒化物）と共に使用される場合に、高ショットキー障壁を有し、かつ高温で動作しているときに、低減された劣化を呈する材料で製作される。デバイスは、デバイスの動作寿命をさらに増大させるために、フィールドプレートを組み込むこともできる。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物半導体層の上に絶縁膜を介してフィールドプレート電極を有し、それと電気的に接続され且つ窒化物系化合物半導体層とショットキー接触した電極を有する半導体装置において、高電圧動作時の抵抗値および漏れ電流を低減化する。
【解決手段】窒化物系化合物半導体層４上において、徐々に厚くなる傾斜部を有する絶縁膜８と、窒化物系化合物半導体層上から絶縁膜８の傾斜部上を延伸するように設けられ、窒化物系化合物半導体層４にショットキー接触する電極９とを有し、絶縁膜８の底面における電極９が設けられた側の端点Ａと、絶縁膜８の傾斜部上に形成された電極９の底面における端点Ｂとを結ぶ仮想線と窒化物系化合物半導体層４の上面との間の角度α１が１度以上４０度以下である半導体装置。
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【課題】安定動作を保証する高い信頼性と高い効率を備えた電力変換装置及びそれを実現するために用いる構成部品としてのＧａＮ系半導体装置を提供する。
【解決手段】スイッチング素子としてのパワーＦＥＴ１０のソース・ドレイン間に、保護素子としてのＧａＮ系ショットキーダイオード２０が接続されている。このＧａＮ系ショットキーダイオード２０では、アンドープのＧａＮ層２３上にアンドープのＡｌＧａＮ層２４が形成されている。ＡｌＧａＮ層２４に隣接して、ｎ型ＧａＮ層２６がＧａＮ層２３上に形成されている。ＧａＮ層２３とＡｌＧａＮ層２４とのヘテロ接合界面近傍に２次元電子ガスが発生している。ｎ型ＧａＮ層２６上にオーミック接触して、カソード電極２７が形成され、ＡｌＧａＮ層２４上にショットキー接触して、アノード電極２８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】電流コラプス現象が抑制された半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＨＥＭＴ１１１として機能する半導体装置は、上面に、ゲート電極１５３とドレイン電極１５５とを結ぶ方向に長軸方向が揃えられた棒状分子１６３から構成される電流コラプス抑制膜を備える。かかる配向制御は、絶縁膜１２５の上に溝１６１を形成することにより可能となる。前記電流コラプス抑制膜の作用により、高電圧印加後に表面準位１３３にトラップされた電子の存在に起因する電流コラプス現象が抑制される。 （もっと読む）

【課題】クランク型のマルチゲート構造を有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）において、結晶方位によるリセス部の幅の変化がＦＥＴに与える影響を小さくして、ＦＥＴを均一に動作させ、耐圧の低下を抑制する方法を提供する。
【解決手段】オーミック電極２間には、ゲートフィンガー４，５がクランク状に配置されている。また、オーミック電極２間には、リセス部を有するｎ型ＧａＡｓ層１があり、ゲートフィンガー４，５は、このリセス部に形成される。そして、ゲートフィンガー４，５間にあるｎ型ＧａＡｓ層１は、ゲート電極の入力端から終端まで連続して設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体層内部に発生する電界を低減し、耐圧を向上できる窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル層を形成する第１の窒化物半導体層３、及びそれより禁制帯幅が広く窒化物半導体層３に対し障壁層となる層を含む第２の窒化物半導体層４を含む半導体層と、この半導体層３，４上に互いに間隔を隔てて形成されたソース電極５及びドレイン電極６と、半導体層３，４上のソース電極５とドレイン電極６との間の領域に形成されたゲート電極７とを備え、少なくともゲート電極７とドレイン電極６との間に存在する半導体層３，４にはフッ素を含む少なくとも１つのフッ素導入領域９が備えられている。 （もっと読む）

【課題】安定してオン抵抗が低く、耐圧が高い半導体素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ−ＨＦＥＴ２１において、支持基板上にｐ型のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）からなるｐ−ＧａＮ層１と、ｎ型のＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ（０＜ｙ＜１、ｘ＜ｙ）からなるｎ−ＡｌＧａＮ層２とを、結晶成長面を（１−１０１）面又は（１１−２０）面とするエピタキシャル成長により形成し、その上にソース電極３、ドレイン電極４及びゲート電極５を設ける。これにより、ｐ−ＧａＮ層１とｎ−ＡｌＧａＮ層２とのヘテロ界面１９の面方位は、（１−１０１）又は（１１−２０）となる。 （もっと読む）

【課題】デバイス利得、帯域幅、および動作周波数が増加するトランジスタを提供すること。
【解決手段】第１のスペーサ層が、ゲート電極とドレイン電極との間、およびゲート電極とソース電極との間の活性領域の表面の少なくとも一部の上にある。ゲートは、ソース電極とドレイン電極に向かって延在する一般的にＴ字型の頂部を備える。フィールドプレートは、スペーサ層の上であって、ゲート頂部の少なくとも１つの区域のオーバーハングの下にある。フィールドプレートは、第２のスペーサ層により少なくとも部分的に覆われており、第２のスペーサ層は第１の活性層の表面の少なくとも一部の上、ならびにゲートとドレインとの間、およびゲートとソースとの間にある。少なくとも１つの導電性経路が、フィールドプレートをソース電極またはゲートに電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】耐湿絶縁膜の厚膜積層によるゲート周りの防湿処理が施され、且つ、ゲート容量増大を抑制する安価な電界効果型トランジシタとその製造方法を提供する。
【解決手段】電界効果型トランジスタは、Ｔ型またはΓ型のゲート電極、ｎ型にドープされた半導体領域を介してドレイン電極およびソース電極が半導体層上に配設された電界効果型トランジスタにおいて、上記ゲート電極の周りおよび上記半導体層の表面を覆う膜厚５０ｎｍ以下の絶縁膜と、触媒ＣＶＤ法により堆積して上記絶縁膜を覆う窒化シリコン膜と、を有し、上記窒化シリコン膜により上記ゲート電極の広げた傘のカバーに相当する部分と上記半導体層との間に空洞が形成されている。 （もっと読む）

【課題】実用的な動作電流が得られるエンハンスメント型の窒化物半導体を用いたヘテロ構造電界効果トランジスタを実現させること。
【解決手段】六方晶構造の窒化物半導体であるチャネル層半導体１のｃ面に段差を設けて２面とし、段差側面としてａ面あるいはｍ面を形成し、２面のｃ面上、および、ａ面上あるいはｍ面上に、障壁層半導体２とチャネル層半導体１との接合構造である障壁層半導体／チャネル層半導体ヘテロ構造を形成し、２面のｃ面上に形成された障壁層半導体／チャネル層半導体ヘテロ構造の一方の上にソース電極３を形成し、他方の上にドレイン電極５を形成し、段差側面に形成された障壁層半導体／チャネル層半導体ヘテロ構造をゲート電極４によって覆ってなる、窒化物半導体を用いたヘテロ構造電界効果トランジスタを構成する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体を用いたＨＥＭＴにおいて、ＧａＮキャップ層を設けたエピタキシャル構造を用いる場合に、耐圧の低下などの問題を伴うことなく接触抵抗を低減する。
【解決手段】半導体装置は、Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_1-x-yＮ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１）からなる層を含むチャネル層１の上側にＡｌ_zＧａ_1-zＮ（０≦ｚ≦１）からなる層を含む電子供給層２、およびＧａＮキャップ層３が形成され、バンドギャップが「チャネル層１＜電子供給層２」となる構成であり、チャネル層１と電子供給層２とがヘテロ接合されている窒化物半導体を用いたヘテロ接合ＨＥＭＴであって、ゲート電極１０形成領域以外の一部の領域に不純物濃度が１×１０¹⁸ｃｍ^-3以上となるｎ型領域４が、チャネル層１に達する深さまで形成され、ｎ型領域４の一部を覆うようにソース電極６、ドレイン電極７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板面積の増大を招かず、電力損失の少ない半導体装置の実現を目的とする。
【解決手段】導電性を有する半導体基板２１と、前記基板２１の第一の面側に形成された少なくとも窒化物系化合物半導体層を含む積層半導体層により構成された電界効果トランジスタ１と、前記積層窒化物系化合物半導体層を貫き前記基板２１に到達する孔８と、前記孔８の底部に形成された一方の電極と前記基板の第二の面側に形成された他方の電極とにより構成されたダイオード２と、を有する半導体装置７。 （もっと読む）

【課題】周波特性を犠性にせず、高い歩留まりを有するデュアルゲートＨＥＭＴ構造半導体変調素子を提供する。
【解決手段】所定の材質の基板１上に、ＧａＮチャネル層２、アンドープＡｌＧａＮスペーサ層３、ｎ型ＡｌＧａＮキャリア供給層４、アンドープＡｌＧａＮバリア層５を順次形成し、アンドープＡｌＧａＮバリア層５上に、オーミックコンタクトのソース電極６とドレイン電極７と２つのゲート電極Ｇ１，Ｇ２とを形成したデュアルゲートＨＥＭＴ構造半導体変調素子において、２つのゲート電極Ｇ１，Ｇ２を、互いに異なるゲート長を有するゲート電極とし、一方のゲート電極Ｇ１をＴ字形形状とし、他方のゲート電極Ｇ２をＩ字形形状とする。無線通信システムの変調器として用いる場合、高周波特性を要する搬送波信号を、高周波特性を有するＴ字形ゲート電極Ｇ１に、音声ベースバンド信号または中間周波信号を、歩留まりが良いＩ字形ゲート電極Ｇ２に入力する。 （もっと読む）