【課題】耐圧および電流コラプス抑制性能をさらに向上できる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】この電界効果トランジスタによれば、ゲート絶縁膜２０を、ストイキオメトリなシリコン窒化膜よりもシリコンの比率が高いシリコン窒化膜で作製されたコラプス抑制膜１８と上記コラプス抑制膜１８上に形成されたＳｉＯ_２絶縁膜１７とを有する複層構造とすることにより、耐圧を向上できるだけでなく、電流コラプスも抑制できる。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体層を形成する前の基板の状態で非接触のスクリーニングを行うことで、事前に化合物半導体層の不良発生を認識してこれを防止することができ、歩留まりの向上及び製造コストの削減を可能とする信頼性の高い化合物半導体装置を得る。
【解決手段】偏光レーザ１２によりＳｉＣ基板１の基板面に偏光レーザ光を照射し、検出部１３によりＳｉＣ基板１からの発光を検出し、表示部１４によりＳｉＣ基板１の発光強度の面内分布を得て、ＳｉＣ基板１の窒素混入量を評価した後、ＳｉＣ基板１の上方に化合物半導体積層構造２を形成する。 （もっと読む）

【課題】特性ばらつきの少ない絶縁ゲートを備えた窒化物半導体の半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置が備える絶縁ゲートは、窒化物半導体層１上に設けられているアモルファスの酸化シリコン膜２と、酸化シリコン膜２上に設けられているゲート電極８を有している。ゲート電極８に対向する窒化物半導体層１が酸化されている。 （もっと読む）

【課題】耐圧を向上できる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ＧａＮ系ＨＦＥＴは、ゲート絶縁膜１７をなす半絶縁膜の抵抗率ρが、電流密度が６.２５×１０^−４(Ａ/ｃｍ^２)であるとき、３.９×１０^９Ωｃｍであった。抵抗率ρ＝３.９×１０^９Ωｃｍの半絶縁膜によるゲート絶縁膜１５を備えたことで、１０００Ｖの耐圧が得られた。ゲート絶縁膜の抵抗率が、１×１０^１１Ωｃｍを超えると耐圧が急減し、ゲート絶縁膜の抵抗率が、１×１０^７Ωｃｍを下回るとゲートリーク電流が増大する。 （もっと読む）

【課題】 寄生ダイオードを介したリーク電流を抑えること。
【解決手段】 半導体装置１は、ｃ面を表面とする窒化物半導体の半導体層１３と、厚みが減少する厚み減少部１４ａを有する窒化物半導体のｐ型の埋込み層１４と、を備える。埋込み層１４では、厚み減少部１４ａの内部に酸素濃度がピークとなる部分が存在しており、そのピーク部分と厚み減少部１４ａの傾斜面の間のｐ型不純物の濃度が酸素濃度よりも高い部分が存在する。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオフで動作するとともに、高い耐圧と低いオン抵抗を具備した半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置１では、ドレイン電極２１が第１ヘテロ接合面３２に形成される２次元電子ガス層に対して電気的に接続可能に構成されており、ソース電極２９が第１ヘテロ接合面３２に形成される２次元電子ガス層から電気的に絶縁可能に構成されているとともに第２ヘテロ接合面３４に形成される２次元電子ガス層に対して電気的に接続可能に構成されており、ゲート部２８が第２ヘテロ接合面３４に対向しており、導通電極２５が第１ヘテロ接合面３２及び第２ヘテロ接合面３４に形成される２次元電子ガス層の双方に対して電気的に接続可能に構成されている。第１ヘテロ接合面３２に形成される２次元電子ガス層の電子濃度は、第２ヘテロ接合面３４に形成される２次元電子ガス層の電子濃度よりも濃い。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体を用い耐圧の異なるトランジスタを作り分ける。
【解決手段】基板１上方に第１、第２ＧａＮ系半導体層３，４、電極層５、第１絶縁膜６を積層し、電極層５及び第１絶縁膜６をパターニングして、第１ゲート電極５と第１絶縁膜６が積層された第１構造と、第２ゲート電極５と第１絶縁膜６が積層された第２構造を形成し、第１、第２構造を覆って第２絶縁膜７を形成し、第１ゲート電極５とその両側領域を露出する第１開口８ＳＤ、第２ゲート電極５を挟んでそれぞれ一方側、他方側に配置された第２、第３開口８Ｓ，８Ｄを有する第１マスクを用いて、第２絶縁膜７を異方性エッチングし、第１開口内８ＳＤにおいて、第１構造の側面上にサイドウォール絶縁膜７ＳＷを残しつつ、第１ゲート電極を挟んでコンタクトホール９Ｓ，９Ｄを形成し、第２、第３開口内に、それぞれコンタクトホール９Ｓ，９Ｄを形成し、各コンタクトホールに電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】櫛型形状のソース電極とドレイン電極が交差指状に配置された電極構造を有し、各櫛形電極の先端部での電界集中が緩和された窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極５と電気的に接続され、ゲート電極５とドレイン電極４間で絶縁膜７上に配置されたゲートフィールドプレート５０と、ソース電極３と電気的に接続され、絶縁膜８を介して窒化物半導体層と対向するようにゲートフィールドプレート５０とドレイン電極４間の上方に配置されたソースフィールドプレート３０とを備え、ゲート電極５とドレイン電極４間の距離、ゲートフィールドプレート５０のドレイン側端部とゲート電極５のドレイン側端部間の距離、及びソースフィールドプレート３０のドレイン側端部とゲートフィールドプレート５０のドレイン側端部間の距離の少なくともいずれかが、ソース電極３とドレイン電極４の、歯部分の直線領域よりも歯部分の先端領域において長い。 （もっと読む）

【課題】電極構造体、それを備える窒化ガリウム系の半導体素子及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系の半導体層ＧＬ１０と、ＧａＮ系の半導体層上に備えられた電極構造体５００Ａ，５００Ｂと、を備え、電極構造体５００Ａ，５００Ｂは、導電物質を含む電極要素５０Ａ、５０Ｂと、電極要素５０Ａ，５０ＢとＧａＮ系の半導体層２００との間に備えられた拡散層５Ａ、５Ｂと、を備え、拡散層５Ａ，５Ｂは、ｎ型ドーパントを含み、ｎ型ドーパントは、４族元素を含み、拡散層と接触したＧａＮ系の半導体層２００の領域は、ｎ型ドーパント（例えば、４族元素）でドーピングされる窒化ガリウム系の半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性を向上させた高周波回路装置を提供する。
【解決手段】 高周波回路装置は、一端同士１３３１，１３４１が互いに離間して対向した２つの伝送線路１３３，１３４と、２つの伝送線路の一方の一端に実装され、該実装面となる下面電極３０と、該実装時に下面電極の上方に位置する上面電極３２を備えるキャパシタＣと、２つの伝送線路の対向する一端同士の間の領域に配置され、一端同士を電気的に接続する抵抗素子Ｒと、キャパシタの上面電極と２つの伝送線路の他方との間を電気的に接続する接続導体１３５とを備える。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ構造電界効果トランジスタに関して、電流崩壊、ゲートリークおよび高温信頼性などの課題を解消する。
【解決手段】高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、金属−絶縁半導体電界効果トランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ）あるいはこれらの組み合わせなどの集積回路（ＩＣ）デバイスの装置、方法およびシステムであって、該ＩＣデバイスは、基板１０２上で形成されたバッファ層１０４と、アルミニウム（Ａｌ）と窒素（Ｎ）とインジウム（Ｉｎ）またはガリウム（Ｇａ）の少なくとも１つを含み、バッファ層１０４上に形成されたバリア層１０６と、窒素（Ｎ）とインジウム（Ｉｎ）またはガリウム（Ｇａ）の少なくとも１つとを含み、バリア層１０６上に形成されたキャップ１０８層と、キャップ層１０８に直接連結され、その層上に形成されたゲート１１８と、を含む。 （もっと読む）

【課題】しきい電圧の変動を減らした高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体を含む基板上に形成され、二次元電子ガスチャネルとデプリーション領域とを備えるチャネル層と、二次元電子ガスチャネルに対応するように、チャネル層上に形成された第１チャネル供給層と、チャネル層のデプリーション領域及び第１チャネル供給層の一部の領域上に形成されたデプリーション層と、第１チャネル供給層上に形成され、デプリーション領域を挟んで対向するソース及びドレイン電極と、デプリーション層上に形成されたゲート電極と、を備え、第１チャネル供給層より分極率が小さい第２チャネル供給層を、チャネル層のデプリーション領域及び第１チャネル供給層の一部の領域上に備え、デプリーション層が第２チャネル供給層上に備えられる、高電子移動度トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】耐圧を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、ソース領域１２ａ、複数の帯状のドレイン領域１２ｂ、チャネル領域、ソース電極１６、ドレイン電極１５、およびゲート電極１７を具備する。ソース領域１２ａは、化合物半導体層１１上に形成された平面状の領域である。複数の帯状のドレイン領域１２ｂは、化合物半導体層１１上に、互いに電気的に分離されるように形成される。チャネル領域は、ソース領域１２ａの一辺に接し、かつソース領域１２ａと複数のドレイン領域１２ｂとの間に、互いに電気的に分離されるように形成される。ソース電極１６は、ソース領域１２ａ上の少なくとも一部に形成される。ドレイン電極１５は、複数のドレイン領域１２ｂに電気的に接続されるように形成される。ゲート電極１７は、複数のチャネル領域に電気的に接続されるように形成される。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体装置及び窒化物半導体結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン基板と、その上に順次設けられた、下側歪緩和層、中間層、上側歪緩和層及び機能層と、を有する窒化物半導体ウェーハが提供される。中間層は、第１下側層と、第１ドープ層と、第１上側層と、を含む。第１下側層は、下側歪緩和層の上に設けられ、下側歪緩和層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。第１ドープ層は、第１下側層の上に設けられ、第１下側層の格子定数以上の格子定数を有し１×１０^１８ｃｍ^−３以上１×１０^２１ｃｍ^−３未満の濃度で不純物を含有する。第１上側層は、第１ドープ層の上に設けられ、第１ドープ層の格子定数以上で第１下側層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。 （もっと読む）

【課題】少なくとも４ＧＨｚの周波数で動作する場合に、４０Ｗ／ｍｍ以上の電力密度を持つ電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物チャネル層１６と、ＩＩＩ族窒化物チャネル層１６の上にあるゲート電極２４と、ソース電極２０と、ドレイン電極２２と、ゲート電極２４の上にある絶縁層７２と、絶縁層７２の上にあり、ソース電極２０に電気的に連結するフィールドプレート７４、とを備えた電界効果トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフ特性を具現すると共にゲートリーク電流を抑制する窒化物半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の窒化物層３１とその材料より広いエネルギバンドギャップを有する材料を含む第２の窒化物層３３とが異種接合され、接合界面寄りに２次元電子ガス（２ＤＥＧ）チャネルが形成された窒化物半導体層３０と、その上にオミック接触されたソース電極５０と、これから離間して窒化物半導体３０層上にオミック接触されたドレイン電極６０と、ソース電極５０とドレイン電極６０との間の窒化物半導体層３０上に、これらから離間して形成されたＰ型窒化物層４０と、この上に形成されたＮ型窒化物層１４０と、ソース側の側壁が、Ｐ型窒化物層４０及びＮ型窒化物層１４０のソース側の側壁と整列するようにＮ型窒化物層１４０上に接触させたゲート電極７０とを含む。 （もっと読む）