【課題】緩衝層を介したリーク電流の増加を抑制して、特性の劣化を防止した窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】ＡｌＧａＮ層４に、インシュレータ領域８Ａを有する。このため、熱や衝撃などで緩衝層２に歪みが生じて、緩衝層２に電流が流れ易くなっても、図１中の点線の矢印ａに示すように、インシュレータ領域８Ａにより電流の流れを阻止することで、緩衝層２を介したリーク電流の増加を抑制して、特性の劣化を防止できる。 （もっと読む）

【課題】熱抵抗の低減と寄生容量の低減を同時に実現できる半導体チップを提供する。
【解決手段】ドレインフィンガー３及びソースフィンガー２の下部の半導体領域のうち、ゲートフィンガー１の近傍のみに熱抵抗低減用のドーピング領域４を形成する。 （もっと読む）

【課題】フィールドプレートを設けることによって、半導体装置のゲート電極及びドレイン電極間における電解集中を、効率良く緩和する。
【解決手段】下地11と、この下地の下地面11aに、互いに離間しかつ対向して形成された第１及び第２主電極29a及び29bを具えている。また、下地面に、第１及び第２主電極間に挟み込まれて形成されたゲート電極27を具えている。さらに、ゲート電極と第１主電極との間に露出した下地面には、第１下地面保護膜31aが形成されている。また、ゲート電極と第２主電極との間に露出した下地面には、第２下地面保護膜31bが形成されている。そして、ゲート電極の上側表面27aから、このゲート電極の第２主電極と対向する側の側面27b、第２下地面保護膜に渡って、一体的に被覆するフィールドプレート43が形成されている。さらに、フィールドプレートと第２下地面保護膜との境界面47は、下地面側に凸状に湾曲している傾斜面である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低オン抵抗でノーマリーオフ型の窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明の一態様によれば、ｐ型窒化物半導体の第１の半導体層と、第１の半導体層上に設けられたアンドープ窒化物半導体の第２の半導体層と、第２の半導体層上に選択的に設けられたアンドープまたはｎ型窒化物半導体の第３の半導体層と、第３の半導体層上に設けられた第１の主電極と、第３の半導体層上に設けられた第２の主電極と、第２の半導体層上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられた制御電極と、を備え、第３の半導体層のバンドギャップは、第２の半導体層のバンドギャップよりも大きく、制御電極は、第１の主電極と第２の主電極との間に位置することを特徴とする窒化物半導体素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜におけるリーク電流を抑制し、安定なＦＥＴ特性を得ること。
【解決手段】本半導体装置の製造方法は、基板上１０にＧａＮ系半導体層１５を形成する工程と、ＧａＮ系半導体層上１５に、ＴＭＡと、Ｏ_２またはＯ_３とを用い、酸化アルミニウムからなるゲート絶縁膜１８をＡＬＤ法により形成する工程と、ゲート絶縁膜１８の上にゲート電極２４を形成する工程と、を含む。本半導体装置の製造方法によれば、ゲート絶縁膜中のリーク電流を抑制し、安定なＦＥＴ特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体電界効果トランジスタの高集積化及び高電力化を図る。
【解決手段】角柱状又は角錐台状の、オン状態のときに軸方向に電流が流れる半導体部４３と、半導体部の周囲に、第１絶縁層５０、制御電極層６０及び第２絶縁層７２が、半導体部の軸方向に沿って順に積層された周辺部とを備える。半導体部が、角柱状又は角錐台状の電子走行部４４と、電子走行部の側面４４ｃ上に形成された電子供給部４６とを備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】チャネルの低い抵抗を維持するとともに、ドリフト層の高い耐圧を維持するＳｉＣ半導体装置およびＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体装置は、ＳｉＣ基板１０１、第１半導体層、ベース領域１０５、第２半導体層、ゲート領域１０９およびソース領域１１３を備えている。ＳｉＣ基板１０１は、｛０００１｝面に対して３０°以上６０°以下傾斜した主面１０１ａを有する。第１半導体層は、主面１０１ａ上に形成される。ベース領域１０５は、表面１０３ａの一部に形成される。第２半導体層は、表面１０３ａ上に形成される。ゲート領域１０９は、表面１０７ａの一部に形成され、第２半導体層を挟んでベース領域１０５と対向する位置に形成される。ソース領域１１３は、表面１０７ａの一部に形成され、ゲート領域１０９と隣り合い、かつベース領域１０５と対向する位置に形成される。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフ動作を実現でき且つ低オン抵抗な絶縁ゲート構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、第１の窒化物半導体を含む第１の半導体層１と、第１の半導体層１上に設けられ第１の窒化物半導体よりもバンドギャップが広い第２の窒化物半導体を含む第２の半導体層２と、第２の半導体層２に接続された第１の主電極３と、第２の半導体層２に接続された第２の主電極４と、第１の主電極３と第２の主電極４との間の第２の半導体層２表面に接して設けられたフローティング電極５と、フローティング電極５上に設けられたゲート絶縁膜７と、ゲート絶縁膜７上に設けられた制御電極８と、フローティング電極５と第１の主電極３との間およびフローティング電極５と第２の主電極４との間の第２の半導体層２表面上に設けられたフィールド絶縁膜６とを備えた。 （もっと読む）

【課題】ＭＩＳ−ＨＥＭＴにおいて、閾値電圧の低下を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、基板１９と、この基板上に形成されており、電子走行層１３及び電子供給層１５が順次積層されて形成された積層構造体１７とを含む下地１１を具えている。この下地の下地面には、互いに離間し、かつ対向して第１及び第２主電極が形成されている。そして、下地面１１ａの、これら第１主電極４１ａ及び第２主電極４１ｂ間に挟まれた領域内に、ゲート形成用凹部２７が形成されている。更に、半導体装置はゲート絶縁膜２９を具えている。そして、このゲート絶縁膜は、最小でも２．９ｇ／ｃｍ^３の結晶密度で形成されている。また、半導体装置は、ゲート絶縁膜が形成された前記ゲート形成用凹部を埋め込むゲート電極４３を具えている。 （もっと読む）

【課題】平面視したときに限定された範囲にｐ型領域が形成されているIII族窒化物系化合物半導体基板であり、ｐ型領域とその周囲の領域との間に段差がない基板を提供する。
【解決手段】 III族窒化物系化合物半導体下層６の表面にIII族窒化物系化合物半導体を結晶成長させるに先立って、ｐ型領域１２を形成したい範囲に相当する範囲内の下層６の表面近傍にマグネシウムとアルミニウムの双方を含ませておく。下層６の限られた範囲の表面近傍にマグネシウムとアルミニウムの双方が含まれていると、その上に上層１６を結晶成長したときに、結晶成長する上層１６の限られた範囲にマグネシウムが移動してｐ型領域１２になるともに、下層６に含まれているアルミニウムがマグネシウムの移動範囲を制約し、下層６におけるマグネシウムの含有範囲１０と上層１６におけるマグネシウムの含有範囲１２をよく一致させる。 （もっと読む）

デバイスにおける電流フローが整流接合（例えば、ｐ−ｎ接合又は金属半導体接合）の間で制限される、半導体デバイスが記載される。デバイスは、非パンチスルー挙動と高められた電流伝導能力を提供する。デバイスは、接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴｓ）、静電誘導トランジスタ（ＳＩＴｓ）接合型電界効果サイリスタ、又はＪＦＥＴ電流制限器などのような電力半導体デバイスである。デバイスは、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等の広バンドギャップでできている。いくつかの実施形態において、デバイスは、常時オフ型ＳｉＣ垂直接合型電界効果トランジスタである。デバイス及びデバイスを備える回路を製造する方法もまた記載される。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体機能層に生成される二次元キャリアガスチャネルにおいてキャリア密度及び電界をキャリア走行方向に変調する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置（ＨＥＭＴ）１において、第１の窒化物系半導体領域２１上に第２の窒化物系半導体領域２２を有する窒化物系半導体機能層２と、窒化物系半導体機能層２上に互いに離間されて配設された第１の主電極３及び第２の主電極４と、窒化物系半導体機能層２上の第１の主電極３と第２の主電極４との間に配設されたゲート電極５とを備え、第２の窒化物系半導体領域２２の第１の主電極３側の膜厚に対して第２の主電極４側の膜厚が異なる。 （もっと読む）

【課題】基板の結晶面方位を規定して表面の微細な凹凸を抑制した炭化珪素基板上のエピタキシャル相に半導体装置を形成することによって、その電気的特性を改善する。
【解決手段】炭化珪素半導体基板上に形成する半導体装置として、基板の（０００−１）面から０°超で以上１°未満傾斜した面上に成長したエピタキシャル層に、Ｐ型あるいはＮ型領域をイオン注入により選択的に形成して製造したダイオード、トランジスターなどとする。 （もっと読む）

【課題】細く深いバイアホールが設けられる場合でも、ソースインダクタンスを十分に低減し、高い放熱効率を得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１上に化合物半導体領域２を形成し、その後、化合物半導体領域２上にゲート電極４ｇ、ソース電極４ｓ及びドレイン電極４ｄを形成し、更に、化合物半導体領域２上にソース電極４ｓに接続されるＡｕ膜１０を形成する。次に、ＳｉＣ基板１の裏面にレーザビームを照射して、ＳｉＣ基板１、化合物半導体領域２及びＡｕ層を貫通するバイアホール２１を形成する。次に、バイアホール２１の側面及びＳｉＣ基板１の裏面にわたってビア配線１４を形成する。次に、バイアホール２１内に溶融金属滴３２を充填し凝固させることにより、導通ビアを形成する。そして、溶融金属滴３２を充填する際に、ＳｉＣ基板１を溶融金属滴３２に対して相対的に振動させる。 （もっと読む）

【課題】高いキャリア移動度と安定性を有し、容易なプロセスで作製可能な有機半導体材料及び有機デバイスを提供する。
【解決手段】下記一般式で表されるポルフィリン２量体を含む有機半導体材料、及び、ビシクロ構造を有する前駆体としてのポルフィリン２量体を溶媒に溶解した溶液を基板上に塗布し、加熱することにより、上記ポルフィリン２量体に変換する有機半導体材料の製造方法、並びに、半導体層と２以上の電極とを有する有機電子デバイスにおいて、該半導体層が上記有機半導体材料を含む有機電子デバイス。
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半導体素子が記載されており、当該素子における電流の流れは変換接合（例えば、ｐ−ｎ接合又は金属−半導体接合）の間に閉じ込められる。当該素子は、非パンチスルー挙動と、促進された導電可能性とをもたらす。当該素子は、接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）、スタティック誘導トランジスタ（ＳＩＴ）、接合型電界効果サイリスタ、又はＪＦＥＴ電流リミッタであり得る。当該素子は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）などの広いバンドギャップ半導体により製造され得る。いくつかの実施形態によれば、当該素子は、通常ＯＦＦのＳｉＣ垂直接合型電界効果トランジスタであり得る。当該素子の製法、及び当該素子を備えた回路も記載されている。 （もっと読む）

【課題】電荷輸送性に優れる両極性の有機半導体として利用可能な分岐型化合物の提供。
【解決手段】コア部と、該コア部に結合した少なくとも１つの側鎖部と、末端と、から構成される分岐型化合物であって、上記側鎖部の少なくとも１つは、下記一般式（１）で表される繰返し単位が１又は２以上繰り返しており（但し、コア部と結合する前記繰返し単位においては、Ｔがコア部に結合しており、２以上繰り返す前記繰返し単位においては、ＬがＴに結合している。）、Ｌは、共役形成単位が複数連結して構成され、上記共役形成単位として少なくとも一つのチエニレン単位を含み、Ｌの末端（Ｔと結合していない側のＬの末端）に存在する基は、少なくとも２つがアクセプター性の基である、分岐型化合物。


（式中、Ｌは置換基を有していてもよい２価の有機基を示し、Ｔは置換基を有していてもよい３価の有機基を示す。） （もっと読む）

【課題】 電界効果トランジスタにおいて、フィールドプレート終端での高電界の集中を緩和し、もって高耐圧半導体装置として利用可能とすること。
【解決手段】 本電界効果トランジスタ３０は、ＧａＮ系エピタキシャル基板３２の電子走行層上に、ゲート電極３８を挟んで所定の間隔を隔てて配されたソース電極３４及びドレイン電極３６を備え、ゲート電極３８の上部に、ドレイン電極３６側に庇状に突き出したフィールドプレート４０が形成され、ソース電極３４及びドレイン電極３６がオーミック接触するエピタキシャル基板３２の電子走行層とフィールドプレート４０との間に、誘電体膜４６が形成され、誘電体膜４６は、フィールドプレート４０の直下領域においてフィールドプレート終端面と面一状態で切れ込み５０が形成されその下端からドレイン電極３６にオーバーラップするようにドレイン電極３６に向かって延びる。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗が低減された窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】この窒化物半導体素子は、ｎ型層３、ｐ型層４およびｎ型層５を有する窒化物半導体積層構造部２を備えている。窒化物半導体積層構造部２には、トレンチ６が形成されている。トレンチ６の壁面７の全域を覆うように、ｎ型チャネル層８が形成されている。トレンチ６において、ｎ型チャネル層８の内側には、ｐ型不純物を含むＧａＮからなるｐ型ゲート層９が埋設されており、ｐ型ゲート層９の最表面１５には、ゲート電極１０が形成されている。また、ｎ型層５の最表面１６には、ソース電極１１が形成され、基板１の他方面には、ドレイン電極１２が接触形成されている。 （もっと読む）

【課題】挿入損失を増大させることなくマルチゲートのゲート間の電位安定化が可能なスイッチング素子並びにそれを用いたアンテナスイッチ回路及び高周波モジュールを提供すること。
【解決手段】電界効果型トランジスタを成すように、半導体基板上に形成された２個のオーミック電極３９，４０と、上記２個のオーミック電極の間に配置された少なくとも２個のゲート電極４１，４２と、隣り合うゲート電極の間に挟まれて配置された導電領域４５とが備えられる。導電領域は、一端に、上記隣り合うゲート電極に挟まれている導電領域よりも幅が広い幅広部分を有し、隣り合うゲート電極の間の距離が幅広部分の幅よりも狭い。更に、幅広部分を介して２個のオーミック電極の間に直列に抵抗４４，４６が接続されている。 （もっと読む）