【課題】外付け部品点数の増加、占有面積の増加及びコストの増大を招くことなく、高いスイッチング性能を有する半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、基板１０１の上に形成された半導体層積層体１０５と、半導体層積層体１０５の上に互いに間隔をおいて形成された第１のオーミック電極１１１及び第２のオーミック電極１１３と、第１のオーミック電極１１１と第２のオーミック電極１１３との間に形成された第１のコントロール層１１７と、第１のコントロール層１１７の上に形成された第１のゲート電極１１５とを備えている。第１のコントロール層１１７は、下層１１７ａと、下層１１７ａの上に形成され、下層１１７ａと比べて不純物濃度が低い中層１１７ｂと、中層１１７ｂの上に形成され、中層１１７ｂと比べて不純物濃度が高い上層１１７ｃとを有している。 （もっと読む）

【課題】高周波信号の基板での損失を低減し、高周波出力、及び出力電力の線形性を向上させることが可能なIII−Ｖ族窒化物半導体からなる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】III−Ｖ族窒化物半導体からなる半導体装置であって、パッケージング用蓋１１６と、パッケージング用蓋１１６の底面上に形成された接地導体層１１８と、接地導体層１１８の上に形成された高誘電率膜１１４と、高誘電率膜１１４の上に形成され接地導体層１１８とは接していない裏面電極１１３と、裏面電極１１３の上に配置されたシリコンからなる基板１０１と、基板１０１の上に形成されたチャネル層１０３及びショットキー層１０４と、パッケージング用蓋１１６の底面上に形成され、接地導体層１１８と接していないバイアス電極１１９とを備え、裏面電極１１３はバイアス電極１１９と電気導通するよう接続されている。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された窒化物系化合物半導体におけるソース−ドレイン間のリーク電流を低減する。
【解決手段】トランジスタ１００は、シリコン基板（図示せず）上の窒化物系化合物半導体１１の表面に、ゲート電極１２、ソース電極１３、ドレイン電極１４がそれぞれ形成されている。ソース電極１３またはドレイン電極１４の少なくとも一方は、ゲート電極１２と接続された補助電極１５で囲まれており、補助電極１５下の窒化物系化合物半導体１１に空乏層が形成されることによってリーク電流経路が遮断され、ソース−ドレイン間のリーク電流を効果的に低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ガードリングを越えて半導体チップ内に水分が浸入した場合でも、半導体チップ上の１つの電極と他の１つの電極との短絡を抑制すること。
【解決手段】半導体チップ１０と、半導体チップ１０上に配置された電極パッド１４、１６と半導体チップ１０の外周との間に配置された導電性のガードリング１８と、ガードリング１８の一部領域を排することで、ガードリング１８を互いに絶縁された複数の単位領域に分割するための、複数のガードリング絶縁部６０と、を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】伝送線路の損失を低減することが可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】本発明の半導体集積回路は、表面から裏面までを貫通するビアホール１０７が設けられたサファイア基板１０１と、サファイア基板１０１の表面に形成されたＡｌＧａＮ／ＧａＮエピタキシャル成長層１０２内の導電層をチャネルとするＨＦＥＴ１０６と、サファイア基板１０１の裏面に形成され、ビアホール１０７を介してＨＦＥＴ１０６と電気的に接続された入力側信号線１０９及び出力側信号線１１０と接地電極１０８とから構成されるコプレーナ型伝送線路とを備える。 （もっと読む）

【課題】電力密度の集中を抑制して発熱の分散を図り、かつ電気位相差を低減した高性能な半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に配置された窒化物系化合物半導体層と、窒化物系化合物半導体層上に配置され、アルミニウム窒化ガリウム層（Ａｌ_xＧａ_1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）からなる活性領域と、活性領域を互いに素子分離する素子分離領域と、素子分離領域によって囲まれた活性領域上に配置されたゲート電極２４、ソース電極２０およびドレイン電極２２と、素子分離領域１４上に配置され、それぞれゲート電極２４，ソース電極２０およびドレイン電極２２に接続されたゲート端子電極２４０，ソース端子電極２００およびドレイン端子電極２２０とを備え、ゲート電極２４の分岐を再帰的な自己相似のフラクタル図形で構成する。 （もっと読む）

【課題】入出力ボンディングワイヤ若しくは入出力伝送線路のインダクタンス分布を調整して、信号位相を同相化し、利得および出力電力を向上させ、かつ各ＦＥＴセルのアンバランス動作による発振を抑制する。
【解決手段】ゲート端子電極Ｇ１〜Ｇ１０、ソース端子電極Ｓ１〜Ｓ１１およびドレイン端子電極Ｄを有するＦＥＴ２４と、ＦＥＴに隣接する入力回路パターン１７，出力回路パターン１８と、ゲート端子電極Ｇ１〜Ｇ１０と入力回路パターン１７とを接続する複数の入力ボンディングワイヤ１２，１２Ｌと、ドレイン端子電極Ｄと出力回路パターン１８とを接続する複数の出力ボンディングワイヤ１４，１４Ｌとを備え、複数の入力ボンディングワイヤ１２，１２Ｌのインダクタンス分布を調整して、入力信号の位相を同相化し、かつ複数の出力ボンディングワイヤ１４，１４Ｌのインダクタンス分布を調整して、出力信号の位相を同相化した高周波半導体装置２５。 （もっと読む）

【課題】窒化シリコン膜と電極パッドとの界面から水分が浸入することを抑制し、半導体装置の信頼性を向上させること。
【解決手段】半導体層２と、半導体層２上に設けられたＡｕからなる電極パッド１０と、電極パッド１０上にその端部が位置するように、半導体層２上及び電極パッド１０上に設けられた窒化シリコン膜６と、電極パッド１０の上面の一部及び窒化シリコン膜６の端部に接し、かつ電極パッド１０の上面の他部が露出するように設けられたＴｉ、Ｔａ及びＰｔのいずれかからなる金属層１４と、を具備する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのリーク電流の低減。
【解決手段】半導体材料の表面に沿って互いに隣接する複数の電気素子要素と、複数の電気素子要素を覆う、シリコンを含まない下層保護絶縁膜と、下層保護絶縁膜の上に配置され、シリコンを含む上層保護絶縁膜と、を備える半導体装置が提供される。上記半導体装置において、複数の電気素子要素の少なくとも一つは、シリサイド化される金属を含有でき、下層保護絶縁膜は、電気素子要素に含有される金属と上層保護絶縁膜に含有されるシリコンとの接触を阻害できる。下層保護絶縁膜は、比誘電率が１０以上の高誘電体層を有してよい。上層保護絶縁膜は、シリコンおよび窒素を含有することができる。 （もっと読む）

【課題】設計自由度が高く、並列化および周波数限定が容易でテラヘルツ電磁波を高効率で受信するテラヘルツ受信素子を提供する。
【解決手段】本発明のテラヘルツ受信素子は、半導体基板と、前記半導体基板の第１の主面上に形成され、ヘテロ接合により形成される２次元電子チャネル層を含む２つ以上の半導体層と、前記２次元電子チャネル層とともに電界効果トランジスタを形成するゲート電極、ドレイン電極およびソース電極と、前記ゲート電極に電気的に接続され、テラヘルツ波を受信するアンテナが形成されたアンテナ層と、前記ゲート電極に直流バイアス電圧を与えるためのゲートパッドとを備える。 （もっと読む）

【課題】起動回路と周辺回路とを併せて集積化し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】領域４１１においては、素子分離領域により規定されるドレイン領域１２１にボディ領域が形成され、ボディ領域にＮ型のソース領域が形成される。ドレイン領域１２１とＮ型のソース領域との間に第１のゲート電極２０が配置される。素子分離領域は開口部１３３が形成されたループ状部と、開口部１３３を介してドレイン領域１２１に接続された延在領域１２２を規定する部分とを備える。延在領域１２２に、Ｎ型のソース引出領域が形成される。内部回路４１２においては、ドレイン領域１２１にＰ型のボディ領域が形成され、Ｐ型のボディ領域にＮ型のソース領域が形成され、ドレイン領域１２１とＮ型のソース領域との間に第２のゲート電極３３１が形成される。 （もっと読む）

【課題】１つの単位セルに含まれる第１のゲート電極と第２のゲート電極との間の配線抵抗の差が小さく、スイッチングロスを低減した双方向スイッチを実現できるようにする。
【解決手段】双方向スイッチは、第１のオーミック電極１５、第１のゲート電極１７、第２のゲート電極１８及び第２のオーミック電極１６を有する複数の単位セル１１を備えている。第１のゲート電極１５は、第１の引き出し配線３１を介して第１のゲート電極パッド４３と電気的に接続されている。第２のゲート電極１８は、第２の引き出し配線３２を介して第２のゲート電極パッド４４と電気的に接続されている。第１のゲート電極パッド４３との間の配線距離が最も短い第１のゲート電極１７を有する単位セル１１は、第２のゲート電極パッド４４との間の配線距離が最も短い第２のゲート電極１８を有する。 （もっと読む）

【課題】ショットキー接触を発生させることなく、炭素の析出を抑制することにより配線の密着性を向上したオーミック電極を有する炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
ＳｉＣ半導体装置においてオーミック電極を形成する際に、ＳｉＣ層１１の一方の主表面上には、１種の第１の金属元素からなる、第１の金属層１２を形成する。また、第１の金属層の、ＳｉＣ層１１と対向する表面とは反対側の表面上（図１における上側）に、ＳｉからなるＳｉ層１３を形成する。このようにして形成した積層構造１０Ａに対して熱処理を行なう。以上により、電極の表面層への炭素原子の析出や、ＳｉとＳｉＣとによるショットキー接触の形成が抑制された、配線との良好な密着性を示すオーミック電極を有する炭化珪素半導体装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】半絶縁性ＳｉＣ基板を用いずとも良好な高周波数特性を得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性ＳｉＣ基板１上に化合物半導体領域２が形成されている。化合物半導体領域２には、順次積層されたバッファ層２ａ、電子走行層２ｂ、電子供給層２ｃ及び表面層２ｄが含まれている。化合物半導体領域２には、活性領域を画定する素子分離領域３が設けられている。そして、活性領域と整合するようにして、導電性ＳｉＣ基板１に開口部１ａが形成されている。表面層２ｄには、電子供給層２ｃを露出する２個の開口部が形成されており、開口部の各々に、オーミック電極がソース電極４又はドレイン電極５として形成されている。更に、開口部１０ａを介して表面層２ｄと接するゲート電極６がシリコン窒化膜１０上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】安価な基板を用いて製造することができ、良好な特性を得ることができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型ＧａＮ層２と、ｐ型ＧａＮ層２上に形成され、空乏化されたｎ型ＧａＮ層３と、ｎ型ＧａＮ層３上に形成された厚さが３０μｍ以上のアンドープのＧａＮ層４と、が設けられている。更に、ＧａＮ層４上に形成された活性層５と、活性層５上に形成された電極層６と、が設けられている。これらの積層体は、サファイア基板を用いて形成されたものであり、積層体の形成後にサファイア基板が分離されている。 （もっと読む）

【課題】高周波高出力増幅に用いるＦＥＴを具えた半導体装置において、交差部に起因の寄生容量を防止し、かつチップ面積を拡大せずに発熱の集中を分散させる。
【解決手段】半導体装置は、ゲート幅方向１５に互いに平行にかつ離間して形成されている複数のゲート電極１３と、ゲート長方向１１に延在して形成されている基線部１７と、複数の主電極１９とが下地２１の上側に設けられている。ゲート電極は、基線部とそれぞれ交差し、かつこの基線部と一体的に形成されている。主電極は、基線部、及び隣り合うゲート電極の間に囲まれた領域に１つずつ配置形成されている （もっと読む）

【課題】絶縁層を厚くして電極間の寄生容量を低く抑えることができ、かつ、当該絶縁層に精度良く開口部を形成して作製される小型の半導体装置、その半導体装置の製造方法、及びその半導体装置を含むパワーモジュールを提供する。
【解決手段】セル１６０は、基板１０４と、基板１０４上に形成されるドレイン電極１８０、ソース電極１８２、及びゲート電極１８４と、基板１０４及び各電極上に形成され、ドレイン電極１８０の表面を露出する開口部２２０が形成された絶縁層１４２とを含む。開口部２２０は、ドレイン電極１８０の表面から絶縁層１４２の表面に向かってその径を広げながら所定高さまで立上がる壁面２２２と、基板１０４の表面から当該所定高さで基板１０４の表面に平行となった踊り場状の平坦面２２４と、平坦面２２４から絶縁層１４２の表面に向かってその径を広げながら立ち上がる壁面２２６とを有する。 （もっと読む）

【課題】装置の性能の劣化を抑制することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】ＳｉＣ基板１１と、このＳｉＣ基板１１上に形成されたＡｌＧａＮ層１３と、このＡｌＧａＮ層１３上にそれぞれ離間して形成されたソース電極１５及びドレイン電極１４と、これらのソース電極１５、ドレイン電極１４間に形成され、ソース電極１５及びドレイン電極１４に対して平行な開口部１６を有する第１の絶縁膜１７と、この第１の絶縁膜１７の開口部１６に形成されたゲート電極１８と、このゲート電極１８が形成された第１の絶縁膜１７上に形成された第２の絶縁膜１９と、この第２の絶縁膜１９及びソース電極１５上に形成され、ドレイン電極１４側の端部２０１が、第２の絶縁膜１９と離間したソースフィールドプレート電極２０と、を具備する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、かつ微細化可能な大電力用の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に配置された窒化物系化合物半導体層１２、窒化物系化合物半導体層１２に配置され、アルミニウム窒化ガリウム層（Ａｌ_xＧａ_1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）１４からなる活性領域と、活性領域を互いに素子分離する素子分離領域２４と、素子分離領域２４によって囲まれた活性領域上に配置されたゲート電極２０、ソース電極１８およびドレイン電極２６と、ゲート電極２０下の一部をエッチングした溝部２８ａ，２８ｂとを備える半導体装置およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】発振が抑制できるとともに、直流動作測定を正確に行うことができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１１上に形成された複数のドレイン電極１５、及び複数のソース電極１４と、これらのドレイン電極１５とソース電極１４との間にそれぞれ形成された複数のゲート電極１３と、これらのゲート電極１３に接続された複数のゲートバスライン１８と、これらのゲートバスライン１８にそれぞれ接続された複数のゲートパッド２０と、これらのゲートパッド２０と複数のゲートバスライン１８との間に形成され、複数のソース電極１４を接続するソースパッド１６と、このソースパッド１６に対向する位置に形成され、複数のドレイン電極１５を接続する複数のドレインパッド１７と、ＧａＡｓ基板１１に埋め込み形成され、複数のゲートパッド２０をそれぞれ接続する抵抗２１と、複数のドレインパッド１７をそれぞれ接続するマイクロストリップライン２２と、を具備する。 （もっと読む）