【課題】 半導体装置のビアホールにおける残渣物の残留を抑制することができ、かつ、半導体装置のデバイス特性不良、信頼性不良等を抑制することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、ＧａＮ系半導体層（１１）が設けられたＳｉＣ基板（１０）の第１主面の反対側の第２主面上にＣｕあるいはＣｕ合金からなり部分的に開口を有するエッチングマスク（５０）を形成する工程と、エッチングマスク（５０）を利用したドライエッチングを実施し、底部の厚さ方向にＧａＮ系半導体層（１１）が残存したビアホールを形成する第１エッチング工程と、第１エッチング工程の後にエッチングマスク（５０）を除去する除去工程と、除去工程の後に残存したＧａＮ系半導体層（１１）に対してドライエッチングを実施する第２エッチング工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れ、高周波高出力で使用可能な、化合物半導体高電子移動度トランジスタを提供する。
【解決手段】支持基板２０の第１の主表面２０ａ上に、チャネル層４０及びバリア層５０が積層されて構成される、化合物半導体高電子移動度トランジスタであって、ソース電極６２が形成された領域を含む、支持基板の領域部分が金属部２２であり、ドレイン電極６４が形成された領域を含む、支持基板の他の領域部分がシリコン部２４で構成される。 （もっと読む）

【課題】ソースフィールドプレート電極を形成することによる性能の劣化を抑制することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】ＳｉＣ基板１１上にＧａＮ層１２およびＡｌＧａＮ層１３がこの順で形成され、ＡｌＧａＮ層１３上にドレイン電極１４、ソース電極１５およびゲート電極１６が形成された半導体装置であって、ゲート電極１６の下方には、ＳｉＣ基板１１を貫通するように第１の開口２３が形成されている。さらに、ＧａＮ層１２上に形成され、ソース電極１５に接続されるソースパッド１９の一部が、ＳｉＣ基板１１の裏面側から露出するように、第２の開口２４が形成されている。そして、第１の開口２３内にソースフィールドプレート電極２５−１を形成すると同時に、第２の開口２４から露出するソースパッド１９に接触するようにＳｉＣ基板１１の裏面に接地導体２５−２を形成する。 （もっと読む）

【課題】小型化とこれに伴う装置の特性の劣化の抑制とが同時に可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】ＳｉＣ基板１１上に形成された第１のＧａＮ層１２と、第１のＧａＮ層１２上に形成されたソースパッド２３と、第１のＧａＮ層１２上に形成された複数の円柱状のＧａＮ層１４と、これらの円柱状のＧａＮ層１４の上端に接するように形成された第２のＧａＮ層１６と、第２のＧａＮ層１６上に形成されたドレインパッド２５と、を具備する半導体装置であって、複数の円柱状のＧａＮ層１４は、それぞれ下から順にソース領域１８、ゲート領域１９、ドレイン領域１７からなり、ソース領域１８の周囲には第１の絶縁膜２０、ゲート領域１９の周囲にはゲート電極２１、ドレイン領域１７の周囲には第２の絶縁膜２２がそれぞれ形成される。 （もっと読む）

【課題】パッシベーション膜を形成した場合にも、界面リーク電流が抑制された窒化物半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体装置は、基板１０１の上に形成された半導体層積層体１０２と、半導体層積層体１０２の上に互いに間隔をおいて形成された第１のオーミック電極１３１及びショットキー電極１３２と、半導体層積層体１０２の上を覆うパッシベーション膜１４１とを備えている。半導体層積層体１０２は、基板１０１の上に順次形成された第１の窒化物半導体層１２２、第２の窒化物半導体層１２３及びｐ型の第３の窒化物半導体層１２４を含む半導体層積層体１０２と有している。第３の窒化物半導体層１４１は、ｐ型の不純物を含み第１のオーミック電極１３１とショットキー電極１３２との間に形成され且つショットキー電極１３２と接するように選択的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、絶縁領域において破壊が起こるのを防止できる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の上面側に設けられた不純物添加領域と、前記半導体基板の上面側において、イオン注入によって前記不純物添加領域の周囲に設けられた絶縁領域と、前記不純物添加領域上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極を挟むように前記不純物添加領域上に設けられた第１の電極及び第２の電極と、前記絶縁領域上に設けられ、前記ゲート電極に接続した第１のパッドと、前記絶縁領域上において前記不純物添加領域を挟んで前記第１のパッドと対向するように設けられ、前記第２の電極に接続した第２のパッドと、前記絶縁領域上において、前記第１の電極と前記第２のパッドの間に設けられた導体と、を備えることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】過電圧に伴う破壊を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の一態様には、互いに並列に接続され、ゲート電極１０、ソース電極９及びドレイン電極１５を備えた複数の縦型トランジスタ３２と、前記複数の縦型トランジスタ３２を個別に取り囲むダイオード３１と、が設けられている。前記ソース電極９に前記ダイオード３１のアノード１１が接続され、前記ドレイン電極１５に前記ダイオードのカソード１が接続されている。 （もっと読む）

【課題】電流コラプスを十分に緩和し、ＧａＮトランジスタが本来有している低いオン抵抗を利用した高効率の電力変換装置を実現できるようにする。
【解決手段】電力変換装置は、電源が接続される入力端Ｖ_in1と、電源から供給された電力をスイッチングする第１のスイッチング素子１０とを備えている。第１のスイッチング素子１０は、基板１１の上に形成された窒化物半導体からなる半導体層積層体１３と、半導体層積層体１３の上に形成されたゲート電極１８、第１のオーミック電極１６及び第２のオーミック電極１７と、基板１１の裏面に形成された裏面電極２０とを有している。裏面電極２０には第２のオーミック電極１７との間の電位差が小さくなるように入力端Ｖ_in1に接続された電源から電位が供給される。第１のスイッチング素子１０がオン状態の場合には、裏面電極２０に正電圧のバイアスが印加される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、導電性バッファ層を用いることなく、煩雑なプロセスも必要なく、非常に高い深さ精度のドライエッチングも必要なく、また、結晶性を劣化させずに、効率良くホールを引き抜くことができるようにする。
【解決手段】半導体装置を、同一基板１上に形成され、（０００１）面及び（０００−１）面を有する窒化物半導体層４と、基板１と窒化物半導体層４との間に部分的に設けられた（０００１）面形成層２と、（０００１）面を有する窒化物半導体層４上に設けられたソース電極５、ドレイン電極６及びゲート電極７と、（０００−１）面を有する窒化物半導体層４上に設けられたホール引き抜き電極８とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ低抵抗の半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成され、該半導体層の表面方向における幅が該半導体層の表面と垂直方向における高さ以上である櫛歯状の電極と、を備える。また、基板上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層上に、前記半導体層の表面方向における幅が該半導体層の表面と垂直方向における高さ以上である櫛歯状の電極を形成する電極形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】任意の動作周波数に対して、最適な抵抗値を有する抵抗体をゲート端子電極間に選択配置可能であり、ループ発振を抑制する高周波半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１０の第１表面に配置され,それぞれ複数のフィンガーを有するゲートフィンガー電極２４、ソースフィンガー電極２０およびドレインフィンガー電極２２と、ゲートフィンガー電極２４、ソースフィンガー電極２０およびドレインフィンガー電極２２ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成したゲート端子電極、ソース端子電極およびドレイン端子電極とを有するＦＥＴセル４０と、ゲート端子電極間に配置された抵抗体３０とを備え、隣り合うＦＥＴセル４０のゲート端子電極間の距離は、抵抗体３０を配置する位置によって複数選択可能であり、ゲート端子電極は、抵抗体３０の値が、パターンサイズの変更無しに、複数選択可能となる電極パターン形状を有する。 （もっと読む）

【課題】漏れ電流の発生を防止すると共に、十分な耐圧を実現することが可能な横型接合型電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】この発明に従った横型ＪＦＥＴ１０では、バッファ層１１は、ＳｉＣ基板１の主表面上に位置し、ｐ型不純物を含む。チャネル層１２は、バッファ層１１上に位置し、バッファ層１１におけるｐ型不純物の濃度より高い濃度のｎ型不純物を含む。ｎ型のソース領域１５およびドレイン領域１６は、チャネル層１２の表面層において互いに間隔を隔てて形成され、ｐ型のゲート領域１７は、チャネル層１２の表面層においてソース領域１５およびドレイン領域１６の間に位置する。バリア領域１３は、チャネル層１２とバッファ層１１との境界領域において、ゲート領域１７の下に位置する領域に配置され、バッファ層１１におけるｐ型不純物の濃度より高い濃度のｐ型不純物を含む。 （もっと読む）

【課題】所定の配線間距離を確保すると共に、配線間距離を確保するために形成される絶縁膜をパターニング等によって形成する際に、下層配線の損傷を防ぐ。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体基板１１と、半導体基板１１上に形成された第１配線１と、半導体基板１１上の第１配線１との交差部において、隙間９を介して第１配線１を跨ぐように形成された第２配線２と、交差部の第２配線２下において、少なくとも第１配線１を覆うように半導体基板１１上に形成された保護膜８と、交差部の第２配線２下の保護膜８上において、保護膜８の端部よりも内側に形成され、交差部の第１配線１を覆うように島状に形成された絶縁膜３と、備えている。 （もっと読む）

【課題】ソース抵抗を低減できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
基板１０上に配置された窒化物系化合物半導体層１２と、窒化物系化合物半導体層１２上に配置され、アルミニウム窒化ガリウム層１８からなる活性領域ＡＡと、活性領域上に配置されたゲート電極２４、ソース電極２０およびドレイン電極２２と、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極が延伸する方向の窒化物系化合物半導体層上に配置され、それぞれゲート電極、ソース電極およびドレイン電極に接続されたゲート端子電極ＧＥ１〜ＧＥ３、ソース端子電極ＳＥ１〜ＳＥ４およびドレイン端子電極ＤＥと、ソース端子電極が配置される側の基板の端面に配置され、ソース端子電極と接続され、最外層のエッジが下地金属層よりも後退する３層以上の異なる多層金属を有する端面電極ＳＣ１〜ＳＣ４とを備え、ダイボンディング半田層がソース端子電極に到達するのを防止する。 （もっと読む）

実施形態は、これに限定されないが、ソース電極と、入力無線周波数（ＲＦ）信号を受信するゲート電極と、増幅されたＲＦ信号を出力するドレイン電極と、を有する単位セルを含む装置とシステムを含む。フィールドプレートは前記ソース電極に連結され、帰還抵抗は前記フィールドプレートと前記ソース電極間に連結されてもよい。 （もっと読む）

実施形態には、これに限定されないが、電界効果トランジスタスイッチを含む装置とシステムが含まれる。電界効果トランジスタスイッチは、ゲート電極に連結され、ソース電極とドレイン電極から実質的に等距離に配置された第１のフィールドプレートを含んでいてもよい。また、該電界効果トランジスタスイッチは、前記第１のフィールドプレートに近接配置され、前記ソース電極と前記ドレイン電極から実質的に等距離に配置された第２のフィールドプレートを含んでいてもよい。前記第１および第２のフィールドプレートは、前記ソース電極とゲート電極間および前記ドレイン電極とゲート電極間の電界を低減するように構成されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、デバイスのシリコン基板を電気的に分離するためのＡｌＮシード層を含むことにより、ヒートシンクと表面実装型デバイスの裏面との間の厚い電気絶縁体の必要性を取り除く。
【解決手段】シリコン基板と、化合物半導体材料と、前記シリコン基板と前記化合物半導体材料との間の絶縁材料と、電気的接続の手段及び不動態化材料を含む上面とを有し、前記不動態化材料は窒化シリコン、二酸化シリコン、又は両者の組み合わせである半導体デバイス。前記デバイスの側壁もまた前記デバイスの活性領域から電気的に絶縁されている。
（もっと読む）

【課題】高効率でテラヘルツ波を受信することが可能であるテラヘルツ受信素子を提供する。
【解決手段】本発明のテラヘルツ受信素子Ａは、高抵抗基板１と、前記高抵抗基板１の第１の主面上に形成されているグランド面１０と、前記高抵抗基板１の前記第１の主面に対向する第２の主面上に形成され、ヘテロ接合により形成されるチャネル層３を含む半導体層と、前記半導体層に形成され、前記チャネル層３とともに電界効果型トランジスタを形成するソース電極５、ゲート電極９及びドレイン電極６とを備え、前記半導体層は、前記ゲート電極９とショットキー接合されたストライプ状の凸部７を有し、前記ストライプ状の凸部７に含まれる複数の凸部それぞれは、前記ゲート電極９の下方において前記ソース電極５、前記ゲート電極９及び前記ドレイン電極６の並び方向に直交する。 （もっと読む）

【課題】さまざまな偏光特性を持つ電磁波、光波の存在下においても、テラヘルツ信号を正確に受信するテラヘルツ受信素子を提供する。
【解決手段】本発明のテラヘルツ受信素子は、２つの電界効果型トランジスタＦＥＴ−Ａ、ＦＥＴ−Ｂと、アンテナとしての２本のゲートワイヤ１２、１２’と、差分回路２１とを有し、前記２本のゲートワイヤ１２、１２’のそれぞれは、対応する電界効果型トランジスタに電気的に接続され、２つの電界効果型トランジスタへの２つのゲートワイヤ１２、１２’の取り付け方向のなす角度は０°以外の一定の角度であり、差分回路２１は、２つの電界効果型トランジスタのドレイン部から出力される２つの信号の差分を算出し、受信信号として出力する。 （もっと読む）

【課題】低オン抵抗と高耐圧とを同時に実現させることができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】ＧａＮからなる半導体基板１２と、この半導体基板１２の表面に形成されたｎ型拡散層１１と、このｎ型拡散層１１の表面の一部に形成されたｎ＋型拡散層１７と、ｎ型拡散層１１上に互いに離間して形成されたドレイン電極１３及びソース電極１４と、ｎ＋型拡散層１７上に形成され、ドレイン電極１３とソース電極１４との間に形成されたゲート電極１５と、ゲート電極１５とドレイン電極１３との間の半導体基板１２に、深さ方向に延長形成され、内部が高抵抗体２０で充填されたトレンチ１９と、を具備する。 （もっと読む）