【課題】電極界面との接触抵抗を低減した高効率な電界効果トランジスタ等を提供する。
【課題手段】電界効果トランジスタは、窒化物半導体からなる第１の半導体層と、第１の半導体層上に形成され、第１の半導体層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、且つ残留ドナー濃度が５×１０¹²／ｃｍ^-2以上となる窒化物半導体からなる第２の半導体層と、第２の半導体層上に各々形成されるソース電極、ゲート電極及びドレイン電極とをそれぞれ備える電界効果トランジスタであって、ソース電極及び／又はドレイン電極は、少なくとも第２の半導体層の一部に形成された段差部分上に形成されている。この構造により、段差部分でチャネル形成部分と電極との接触面積を増やし、オーミック接触の接触抵抗を下げて効率を改善できる。 （もっと読む）

【課題】スイッチＭＭＩＣの特性向上のため、ゲート電極をＰｔの埋め込みゲート構造とし、薄い蒸着膜厚のゲート金属層とする場合がある。この構造においてはプロセス中にＨＥＭＴの特性を測定するためのモニターＦＥＴのゲートパッド電極も膜厚が薄くなるため、プローブがゲートパッド電極を突き抜ける場合がある。ゲートパッド電極の下方は、他の構成要素と絶縁するため絶縁化層が配置されているため、プローブがゲート金属層と非接触となり、正常に特性が測定できない問題があった。
【解決手段】モニターＦＥＴのゲートパッド電極下方には絶縁化層を設けず、第２不純物領域を設ける。これによりプローブがゲートパッド電極を突き抜けてもゲート導通が可能となるため、正常に特性を測定できる。また、第２不純物領域の周囲には絶縁化層を配置するため、他の構成要素との絶縁は確保できる。 （もっと読む）

【課題】リバースコントロールタイプのロジックのＭＭＩＣでは抵抗を共通入力端子パッドとＦＥＴの間に配置している。つまり、抵抗上に窒化膜を介してパッド配線が配置されており、パッド配線を伝搬する高周波アナログ信号が、制御端子にもれ、インサーションロスが増加する問題があった。
【解決手段】第１および第２制御端子の直近で、第１接続手段および第２接続手段の交差部までの間に、５ＫΩ以上の高抵抗体を接続する。パッド配線を伝搬した高周波アナログ信号が第１および第２接続手段に漏れても、高抵抗体によって減衰する。従って、実質的に制御端子パッドに高周波アナログ信号が伝わらず、インサーションロスの増大を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波ＦＥＴでは、内在するショットキー接合容量またはｐｎ接合容量が小さく、それらの接合が静電気に弱い。しかし、マイクロ波デバイスにおいては、保護ダイオードを接続することによる寄生容量の増加が、高周波特性の劣化を招き、その手法を取ることができなかったという問題があった。
【解決手段】被保護素子の端子とＧＮＤ端子間に第１ｎ＋型領域−絶縁領域−第２ｎ＋型領域からなる保護素子を接続する。第１ｎ＋型領域は基板深さ方向に柱状に設け、第２ｎ＋型領域は第１ｎ＋型領域の底部と対向配置する板状に形成する。これにより、第１電流経路、第２電流経路により非常に大きな静電気電流を接地電位に流すことができるので、寄生容量をほとんど増やすことなくＨＥＭＴの動作領域に至る静電エネルギーを大幅に減衰させることができる。 （もっと読む）

【課題】 炭化珪素を用いた静電誘導トランジスタにおいて、シート抵抗が小さいゲート領域を形成し、ゲート遅延を短縮し、高速スイッチング動作を実現する。
【解決手段】 トレンチ溝１１０〜１１４に沿ってゲート領域１２を形成したＳＩＴの溝底のゲート引出し層１３からＣＶＤ法により形成されるタングステンプラグ膜を利用して、溝上部までタングステンプラグ膜（ゲート立上げ金属膜）３１で持ち上げ、トレンチ溝短冊の長辺を、ゲート遅延が問題にならない程度に短くし、溝上部でタングステンプラグ膜同士を接続した。 （もっと読む）

本発明は、フリップチップ集積回路及びその作製方法を提案するものである。本発明による作製方法は、ウェハ上に複数の能動半導体デバイスを形成するステップと、能動半導体デバイスを分離するステップとを有している。回路基板の表面に受動素子及びインターコネクトを形成し、回路基板を貫通する少なくとも１つの導電性ビアを形成する。能動半導体デバイスのうち少なくとも１つを回路基板上にフリップチップ実装して、ボンディングパッドのうちの少なくとも１つを導電性ビアのうちの１つに電気接続させる。本発明によるフリップチップ集積回路は、一方の表面に受動素子とインターコネクトとを有する回路基板を備え、それを貫通する導電性ビアを有することができる。回路基板上に能動半導体デバイスをフリップチップ実装し、少なくとも１つの導電性ビアのうちの１つを、少なくとも１つのデバイスの端子のうちの１つに接触させる。本発明は、ＳｉＣ基板上で成長させたＩＩＩ族窒化物ベースの能動半導体デバイスに特に適用できる。次いで、ＧａＡｓ又はＳｉからなる低コストで大径のウェハ上に受動素子及びインターコネクトを形成することができる。分離後、ＧａＡｓ又はＳｉ基板上にＩＩＩ族デバイスをフリップチップ実装することができる。
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【課題】半導体素子測定のための時間と費用を減らし、また、半導体素子モデリング過程での時間と費用を減らし、超高周波単一チップ集積回路設計時間の短縮と正確な設計を実現する。
【解決手段】半導体素子で測定用パッドの形成とデ・エンベディング過程を省略し、デ・エンベディングされた高周波半導体素子における入出力端の測定パッドの代わりに拡張電極を代置することにより、電極と測定パッド部分で発生する不連続特性を除去して超高周波単一チップ集積回路の設計時に必要なデ・エンベディング過程を省略する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板上に形成された窒素化合物含有半導体層を含むヘテロ構造を備え、数百Ｖ以上の高耐圧を有する窒素化合物含有半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の実施の一形態に係る窒素化合物含有半導体装置は、シリコン基板と、シリコン基板上に島状に形成されたチャネル層としての第１の窒化アルミニウムガリウム（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１））層と、第１の窒化アルミニウムガリウム層上に形成された第１導電型又はｉ型のバリア層としての第２の窒化アルミニウムガリウム（Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ（０≦ｙ≦１，ｘ＜ｙ））層と、を備えているものである。 （もっと読む）

共通のダイ内で形成された少なくとも２つのＩＩＩ族−窒化物ベースの半導体デバイスを含む、ＩＩＩ族−窒化物をベースとする集積半導体デバイス。
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【課題】 コンパクトかつ電気的特性の良好な高性能・高歩留まりの高周波伝送線路およびその電気的特性の調整方法の提供を目的とする。
【解決手段】 コプラナ・ウェーブガイドのグラウンドパターン５の一部の上部に薄膜誘電体層６を選択的にパターニングして配置し、この薄膜誘電体層６の上に島状メタルパターン７を一定間隔で複数個配置する。島状メタルパターン７相互間、信号線４と島状メタルパターン７間、および島状メタルパターン７とグラウンドパターン５間の必要部分について、ボンディングワイヤ８で接続する。 （もっと読む）