【課題】平坦な高品質ＺｎＯ系薄膜を形成可能な結晶成長方法の提供。
【解決手段】基体表面にＺｎ系材料とＯ系材料とを供給し、基体表面にＺｎＯ系薄膜を成長させるＺｎＯ系薄膜の結晶成長方法であって、前記基体として、Ｏ極性ＺｎＯ基体を用い、かつＯ系材料に対してＺｎ系材料が過剰となるように各材料を供給しながら基体表面にＺｎＯ系薄膜を成長させることを特徴とするＺｎＯ系薄膜の結晶成長方法。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えた素子が得られる、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、Ｖ族元素を含むガスと金属材料とをプラズマで活性化して反応させるスパッタ法により、ＩＩＩ族窒化物化合物からなる中間層１２を成膜し、該中間層１２上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなるｎ型半導体層１４、発光層１５、及びｐ型半導体層１６を順次積層する方法であり、中間層１２を成膜する際、基板１１とスパッタターゲットとを対向して配置するとともに、前記プラズマに曝される位置に基板１１を配してスパッタを行なう。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの向上を図ることができ、量産性に優れ、高性能でかつ高信頼性な半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子１０は、ZnO（酸化亜鉛）単結晶基板１２と、ZnO単結晶基板１２上に成長させて形成される窒化物半導体層を含む素子３０と、ZnO単結晶基板１２の外面のうち、素子３０を形成する表面１２ａとは反対側の裏面１２ｂおよび両側面１２ｃ、１２ｃを覆う窒化物半導体からなる保護膜４０と、を備えている。ZnO単結晶基板１２の裏面１２ｂおよび両側面１２ｃ、１２ｃが窒化物半導体からなる保護膜４０で覆われているので、ZnO単結晶基板１２の表面１２ａ上に窒化物半導体層を成長させる際にZnOの昇華を抑制できる。V族原料としてアンモニアNH₃を用いて窒化物半導体層を成長させるMOCVD法を利用できる。
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【課題】ＭＢＥ法を用いてIII−Ｖ化合物半導体膜を堆積するためのＭＢＥ用エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】ＭＢＥ用エピタキシャル基板１１は、ＧａＡｓ、ＩｎＰといったIII−Ｖ化合物半導体単結晶ウエハ１３と、ＭＢＥ法を用いてIII−Ｖ化合物半導体膜を堆積するための表面１５ａを有するホモエピタキシャル膜１５とを含む。半導体単結晶ウエハ１３とホモエピタキシャル膜１５との界面１７における炭素濃度、酸素濃度、シリコン濃度は４×１０^１８個／ｃｍ^３未満、１×１０^１８個／ｃｍ^３未満、４×１０^１８個／ｃｍ^３未満である。III−Ｖ化合物半導体膜１７をＭＢＥ法で堆積するに先立って、半導体単結晶ウエハ１３の研磨面１３ａ上にホモエピタキシャル膜１５を形成すると、ウエハ主面のケミカルエッチング処理の有無に関するIII−Ｖ化合物半導体膜１７の光学特性の依存性が低減される。 （もっと読む）

【課題】キャリアのさらなる短寿命化が図られたテラヘルツ電磁波対応ウェハ、テラヘルツ発生検出デバイス及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るテラヘルツ電磁波対応ウェハ１１においては、表面１１ａ近傍には多数のＡｓクラスター２６が析出している。このＡｓクラスター２６は、キャリアの捕獲中心として働くことが知られており、特に、表面１１ａ近傍におけるＡｓクラスター２６がキャリア捕捉に大きく寄与することが知られている。また、エピタキシャル層１６が酸素を含有しており、この酸素により深い準位が形成されている。従って、このテラヘルツ電磁波対応ウェハ１１においては、エピタキシャル層１６の表面１１ａ近傍におけるＡｓクラスター２６が有意に増量されると共に、エピタキシャル層１６中に酸素が含有されているため、キャリアのさらなる短寿命化を実現することが可能である。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えた素子が得られる、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、金属材料とＶ族元素を含んだガスとをプラズマで活性化して反応させることによってＩＩＩ族窒化物化合物からなる中間層１２を成膜し、該中間層１２上に、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなるｎ型半導体層１４、発光層１５、及びｐ型半導体層１６を順次積層する製造方法とし、前記Ｖ族元素を窒素とし、中間層１２を成膜する際の、前記ガス中における窒素のガス分率を２０％超９９％以下の範囲とする。 （もっと読む）

【課題】発光量が制御可能な発光装置及びその駆動方法を提供すること。
【解決手段】ｎ型半導体層１及びこの上に形成されたソース電極４及びドレイン電極５と、ｐ型半導体層２及びこの下に形成されたゲート電極３と、ソース電極４とドレイン電極５との間に交流電圧を印加する交流電源６と、ゲート電極３とソース電極４との間に直流電圧を印加する直流電源７とを有し、交流電圧によって、ｎ型半導体層１に電子が所定量注入され、直流電圧によって、ｐ型半導体層からｎ型半導体層に正孔を注入して、電子と正孔とを再結合させる。交流電圧は直流電圧によってバイアスされて印加される。基板上に下地絶縁層が形成され、この下地絶縁層上にゲート電極３、ｐ型半導体層２、ｎ型半導体層１がこの順に形成される。ｎ型半導体層１がｎ型酸化亜鉛により、ｐ型半導体層２がｐ型酸化亜鉛により形成され、下地絶縁層が酸化亜鉛により形成される。 （もっと読む）

【課題】ｐ型ドーパントがＢｅである場合において、再現良く、高いホール密度を有するｐ型半導体層を備えるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法およびＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１の製造方法は、基板１０を準備する工程と、基板１０上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１からなるｐ型半導体層１１を成長させる成長工程とを備えている。成長工程は、ｐ型不純物１０としてのＢｅをｐ型半導体層１１に供給する第１供給工程と、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅの少なくともいずれか１種のＶＩ族元素を、第１供給工程で供給されるＢｅよりも少ない量で、ｐ型半導体層１１に供給する第２供給工程とを含んでいる。第１供給工程と第２供給工程とを実質的に同時に行なっている。 （もっと読む）

【課題】 ＩＩＩ族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を選択的に成長させることにより、ＩＩＩ族窒化物半導体微細柱状結晶の位置および形状を制御する。
【解決手段】 微細柱状結晶の製造方法が、基板表面の所定領域に、金属窒化物または金属酸化物からなる表面を有する膜を形成する工程と、前記基板表面に成長原料を導き、前記膜上の領域を微細柱状結晶の成長促進領域として、少なくとも前記微細柱状結晶の成長促進領域上にＩＩＩ族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮ等の窒化物バルク単結晶ウエハと同等の特性を有し、かつ電子デバイスの製造に適用可能な大面積の基板を提供する。
【解決手段】Ａｌ、ＧａおよびＩｎから選択される少なくとも１種とＮとを主成分とし、ウルツァイト型構造を有する窒化物結晶を有する窒化物薄膜から構成され、前記窒化物結晶の（０００１）面が、前記窒化物薄膜表面に平行となるように単一配向しており、面積が１０cm²以上である電子デバイス用基板。 （もっと読む）

約８００℃未満の温度でエピタキシャルＡｌＧａＮ層を調製するための方法が提供される。包括的には、基板が、エピタキシャルＡｌ_xＧａ_1-xＮ層を形成するのに適した温度と圧力で、Ａｌ源の存在下で、Ｈ₂ＧａＮ₃、Ｄ₂ＧａＮ_sまたはそれらの混合物と接触させる。さらに、基板の上方に形成された、複数の反復合金層を含むスタックを備え、複数の反復合金層は２つ以上の合金層の種類を有し、少なくとも１つの合金層の種類はＺｒ_zＨｆ_yＡｌ_1-z-yＢ₂合金層からなり、ｚとｙの合計は１以下であり、スタックの厚さは約５０ｎｍより大きい、半導体構造が提供される。 （もっと読む）

【課題】抵抗性メモリ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】抵抗性メモリ素子は、トランジスタのソース２０２またはドレイン２０３上の層間絶縁膜２０６を貫通して形成されたコンタクトプラグ２０７と、コンタクトプラグ２０７に接続された下部電極２１と、下部電極２１上に遷移金属固溶体で形成された固溶層２４と、固溶層２４上に形成された遷移金属酸化物による抵抗層２２と、抵抗層２２上に形成された上部電極２３と、を備える。これにより、電圧及び抵抗特性が安定化した信頼性のあるメモリ素子を具現できる。 （もっと読む）

【課題】 高品質で実用レベルのＧａＩｎＮＡｓ面発光型半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板（２０）上に、レーザ光を発生する少なくとも１層の活性層（２３）を含んだ活性領域と、レーザ光を得るために活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡（２１，２５）を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子において、前記活性層（２３）はＧａ，Ｉｎ，Ｎ，Ａｓを主成分として含み、前記反射鏡のうち少なくとも下部反射鏡は、屈折率が周期的に変化し入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡を含み、前記活性層（２３）をＭＯＣＶＤ成長室で成長させ、前記反射鏡（２１，２５）のうち少なくとも下部反射鏡（２１）を、別のＭＯＣＶＤ成長室またはＭＢＥ成長室で成長させる。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法によって基板上に良好な結晶性を有するＩＩＩ族窒化物半導体を短時間で形成できるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１と半導体層２０とを備えたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子１の製造方法であって、基板１１上にスパッタ法によって多結晶のＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ（０≦ｙ＜１）からなるバッファ層１２を形成するバッファ層形成工程と、バッファ層１２上に単結晶のＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ（０≦ｙ＜１）からなり、ｎ型半導体層１４の下層となる下地層１４ａを形成する下地層形成工程と、下地層１４ａ上にスパッタ法によってｎ型半導体層１４、発光層１５、ｐ型半導体層１６を順に形成する半導体層形成工程とを含み、下地層形成工程では、分圧を２０〜６０％とする窒素ガスと残部をなす不活性ガスとを含む雰囲気内でスパッタ法により下地層１４ａの形成を行なうＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】比較的低温下で、シリコンドットの欠陥発生や集合、プラズマダメージを抑制して、粒径の制御性よく、基板間での再現性よくシリコンドットを形成する。また、比較的低温下で、シリコンドット粒径の制御性及び絶縁膜厚さの制御性良好に基板間での再現性よくシリコンドット及び絶縁膜を形成する。
【解決手段】低インダクタンス内部アンテナ１２（２２）にてシリコンドット形成用ガス（絶縁膜形成用ガス）から誘導結合プラズマを生成させ、該誘導結合プラズマのもとで基板ＳにシリコンドットＳｉＤ（絶縁膜Ｆ）を形成し、且つ、プラズマが不安定状態にある間は基板Ｓを不安定プラズマに曝さない状態におき、プラズマが安定化すると基板Ｓを安定化プラズマに臨ませてシリコンドット形成（絶縁膜形成）を開始させるシリコンドット形成方法及び装置１（シリコンドット及び絶縁膜付き基板の形成方法及び装置Ａ）。 （もっと読む）

【課題】 室温でスペクトル幅の狭い高効率の紫外発光ができる窒化物材料を、低コストで製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】 アルミニウム金属板６４１とガドリニウム金属板６４２とをターゲット材料とし、アルゴン、窒素混合ガス６７の雰囲気中でスパッタリングを行うことでガドリニウム添加の窒化アルミニウム薄膜を製造する。また、窒化アルミニウム金属板６４３及びガドリニウム金属板６４２をターゲット材料とし、アルゴンガス６８の雰囲気中でスパッタリングを行うことでガドリニウム添加の窒化アルミニウム薄膜を製造する。好ましくは、シリコン基板６６上に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】均一性の良い結晶膜を短時間で得ることができる技術である、スパッタ法をＩＩＩ族窒化物化合物半導体層を作製するに際して使用し、安定して良好な結晶性のＩＩＩ族窒化物化合物半導体層を得る。
【解決手段】基板上にＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる多層膜構造を成膜させる方法において、該多層膜構造は少なくとも基板側からバッファ層と下地層を含み、該バッファ層と下地層をスパッタ法で成膜し、かつ、バッファ層の成膜温度を下地層の成膜温度よりも低くすることを特徴とするＩＩＩ族窒化物化合物半導体積層構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 結晶成長方法及び結晶成長装置に関し、基板とエピタキシャル層との格子定数の差を、用いられる物質により一義的決定されることなく一定程度の範囲で任意に設定する。
【解決手段】 湾曲させた基板１上にエピタキシャル成長をさせる。 （もっと読む）

【課題】基板上に結晶薄膜を均一に成長させることが可能な分子線エピタキシー装置および分子線エピタキシー法を提供すること。
【解決手段】その内部を真空状態に保持可能であり、その内部に収容した基板Ｓｂに結晶成長させるための真空成長室１と、基板Ｓｂを保持する基板ホルダ２と、筒状の側壁３２と底３１とを有しており、基板Ｓｂに結晶成長させる材料Ｍｔを溶融状態で保持可能なるつぼ３と、を備える分子線エピタキシー装置Ａであって、るつぼ３の底３１には、溶融した材料Ｍｔが表面張力によって漏洩しないサイズとされた１以上の貫通孔３１ａが設けられており、基板ホルダ２は、るつぼ３に対して底３１の外面３１ｂが向く方向に配置されている。 （もっと読む）

【課題】薄型でエネルギー変換効率が高いシリコンベースの太陽電池を提供すること。
【解決手段】少なくとも一方の表面がＳｉである基板１と、前記基板１のＳｉ表面のうちの１つの表面上に配置されている、エピタキシャル成長により形成されたＢａ原子とＳｉ原子とを含有するｎ型ＢａＳｉ_２層２と、前記ｎ型ＢａＳｉ_２層２上に配置されている周期表１３〜１５族に属する少なくとも１種の不純物原子とＢａ原子とＳｉ原子とを含有するｎ^＋型ＢａＳｉ_２層３と、前記ｎ^＋型ＢａＳｉ_２層３上に配置されている上部電極６と、前記基板１の一方の表面上に配置されている下部電極５と、を備えることを特徴とするシリコンベースの高効率太陽電池。 （もっと読む）