【課題】ＺｎＯ系基板中に含まれるＬｉの、基板上方に形成された半導体層中への拡散が抑制されたＺｎＯ系半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、Ｌｉを含むＺｎＯ系基板１と、その上方に形成されＬｉの拡散を抑制するジンクシリケート層３とを有する。このジンクシリケート層を介して、ｎ型ＺｎＯ層１１、ＺｎＯ井戸層とＺｎＭｇＯ障壁層からなる量子井戸構造を有する発光層１２、及びｐ型ＺｎＯ層１３がＺｎＯ系基板に対してエピタキシャル成長される。 （もっと読む）

【課題】抵抗変化型メモリ素子の抵抗変化の安定性と抵抗変化比を向上させた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１を酸化物チャンバＦ３に搬入し、チタンを主成分とする第一ターゲットを酸素雰囲気の下でスパッタさせてチタン酸化物からなる酸化物層を形成し、酸化物層を有する基板１１を照射チャンバＦ４に搬入し、酸化物層の表面にさらに酸素ラジカルを照射して可変抵抗体を形成した。 （もっと読む）

【課題】放出されるプラズマ粒子の純度を高め、不純物の混入を防止し、イオン濃度の制御性を良くした薄膜形成装置とこれを用いたＺｎＯ系薄膜を提供する。
【解決手段】中空の放電管１の外側周囲を高周波コイル２で巻き回されており、高周波コイル２の端子は、高周波電源に接続されている。また、放電管１の上部には放出孔４が、下部にはガス導入孔５が形成されている。ガス導入孔５にはガス供給管１２が接続され、ここから薄膜構成元素となる気体が供給される。放出孔４と所定の距離を隔てて阻止体３が、放出孔４を遮るように設けられている。薄膜形成時には、中空の放電管１内部からプラズマ粒子が放出されるが、気体元素以外の粒子が阻止体３に阻止され基板へ到達できない。 （もっと読む）

【課題】産業上有益な高効率光変換可能な太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上の主面側に形成され受光した光を電力に変換する発電層と、前記主面側に形成され該発電層に光が入射する側と反対側に形成された裏面電極層と、前記発電層に光が入射する側に形成された透光性電極とを具備する太陽電池であって、前記透光性電極が結晶性ＩＺＯ（インジウム亜鉛オキシド）を含む透光性電極であることを特徴とする太陽電池。 （もっと読む）

【課題】放出されるプラズマ原子の純度を高め、不純物の混入を防止し、イオン濃度の制御性を良くしたラジカル発生装置を提供する。
【解決手段】放電管１０の外側周囲を高周波コイル４で巻き回されており、高周波コイル４の端子は、高周波電源９に接続されている。放電管１０は、放電室１、蓋２、ガス導入用底板３で構成されている。また、支持台８が設けられており、支持台８には支柱６が配置され、支柱６にはシャッター５が接続されている。斜線が付されている構成部品、すなわち、シャッター５、蓋２、放電室１、ガス導入用底板３については、これらのすべて、又は一部について石英等のシリコン系化合物で形成されている。 （もっと読む）

ｐｎ接合を含む半導体構造を形成するために半導体グレードシリコンを溶射するよう構成されたプラズマ溶射ガン（１０）は、カソード（１６）またはアノード（２２）またはプラズマに面する他の部品（２８）または少なくとも表面部が高純度シリコンからなりシリコン粉末を運ぶ部品（３４）などのシリコン部品を含む。シリコン粉末は、好ましくは１０ミクロンよりも小さい。半導体ドーパントは溶射したシリコンに含まれてもよい。 （もっと読む）

【課題】磁性元素を含む半導体中で、磁性元素を高濃度に含むナノ結晶の自律的形成を人為的に制御し、結晶中の磁性元素の平均の組成が２０％以下の小さい範囲でも、室温以上で強磁性あるいは超常磁性状態となって磁化過程に履歴現象が生じるような薄膜結晶を実現する。
【解決手段】磁性元素を含む半導体において、ｎ型またはｐ型のドーパントを添加するか、あるいは化合物半導体の場合は結晶成長時の原料供給量の調節により化合物における構成元素の組成割合における化学量論比からのずれを調整することにより、磁性元素イオンの結晶中での価数を変化させてイオン間の引力相互作用を調整することで、磁性元素を高濃度に含むナノ結晶の自律的な形成を人為的に制御することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】キャリア密度を向上可能な、半導体膜を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】２種以上の同極のドーパントを添加しながら分子線エピタキシ装置１３を用いて半導体膜１５を基板１１上に成長する。分子線エピタキシ装置１３において、Ｇａセル、Ｍｇセル、ＢｅセルおよびＲＦ−Ｎラジカルガンのシャッタを開き、半導体膜１５としてＧａＮ膜を基板１１上に成長する。ＧａＮ膜は、ｐ型ドーパントＭｇおよびＢｅを含む。Ｂｅドーパントは半導体の構成元素のうちのＧａと置換され、Ｇａ元素の原子半径Ｒ２１は、Ｂｅドーパント１７ａの原子半径Ｒ１７よりも大きいと共に、Ｍｇドーパント１９ａの原子半径Ｒ１９よりも小さいので、ＧａＮホスト半導体において局所歪みの影響を低減可能である。 （もっと読む）

【課題】発光量が制御可能な発光装置及びその駆動方法を提供すること。
【解決手段】ｎ型半導体層１及びこの上に形成されたソース電極４及びドレイン電極５と、ｐ型半導体層２及びこの下に形成されたゲート電極３と、ソース電極４とドレイン電極５との間に交流電圧を印加する交流電源６と、ゲート電極３とソース電極４との間に直流電圧を印加する直流電源７とを有し、交流電圧によって、ｎ型半導体層１に電子が所定量注入され、直流電圧によって、ｐ型半導体層からｎ型半導体層に正孔を注入して、電子と正孔とを再結合させる。交流電圧は直流電圧によってバイアスされて印加される。基板上に下地絶縁層が形成され、この下地絶縁層上にゲート電極３、ｐ型半導体層２、ｎ型半導体層１がこの順に形成される。ｎ型半導体層１がｎ型酸化亜鉛により、ｐ型半導体層２がｐ型酸化亜鉛により形成され、下地絶縁層が酸化亜鉛により形成される。 （もっと読む）

【課題】ｐ型ドーパントがＢｅである場合において、再現良く、高いホール密度を有するｐ型半導体層を備えるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法およびＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１の製造方法は、基板１０を準備する工程と、基板１０上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１からなるｐ型半導体層１１を成長させる成長工程とを備えている。成長工程は、ｐ型不純物１０としてのＢｅをｐ型半導体層１１に供給する第１供給工程と、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅの少なくともいずれか１種のＶＩ族元素を、第１供給工程で供給されるＢｅよりも少ない量で、ｐ型半導体層１１に供給する第２供給工程とを含んでいる。第１供給工程と第２供給工程とを実質的に同時に行なっている。 （もっと読む）

【課題】薄型でエネルギー変換効率が高いシリコンベースの太陽電池を提供すること。
【解決手段】少なくとも一方の表面がＳｉである基板１と、前記基板１のＳｉ表面のうちの１つの表面上に配置されている、エピタキシャル成長により形成されたＢａ原子とＳｉ原子とを含有するｎ型ＢａＳｉ_２層２と、前記ｎ型ＢａＳｉ_２層２上に配置されている周期表１３〜１５族に属する少なくとも１種の不純物原子とＢａ原子とＳｉ原子とを含有するｎ^＋型ＢａＳｉ_２層３と、前記ｎ^＋型ＢａＳｉ_２層３上に配置されている上部電極６と、前記基板１の一方の表面上に配置されている下部電極５と、を備えることを特徴とするシリコンベースの高効率太陽電池。 （もっと読む）

【課題】安定的にｐ型のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を成膜することができるｐ型Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜の成膜方法を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｉｎ，Ｇａ，及びＺｎを含むターゲット２を用い、酸素ガス，窒素ガス及び不活性ガスを含む雰囲気下で、複数のカソード３，４に交互にパルス電圧を印加してスパッタすることにより、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜中に窒素を導入し、ｐ型のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】ホールバーによるホール効果測定でホール電圧の磁場依存性から、ｐ型半導体であることが明確に示されるｐ型酸化亜鉛薄膜、同薄膜を再現性良く製造する方法及びその発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型酸化亜鉛半導体薄膜を作製する方法であって、酸化亜鉛のｐ型半導体特性を発現させるために、薄膜中に添加したｐ型ドーパントを活性化する高温アニール工程と、あるいはｐ型ドーパントの活性種を成膜中に照射することでｐ型ドーパントを活性させた状態でドーピングすることと、酸化雰囲気中での低温アニールの工程とを組み合わせることで、ｐ型半導体化を実現することを特徴とする酸化亜鉛のｐ型化の方法と、同方法で実現したｐ型酸化亜鉛薄膜及びその発光素子。
【効果】高信頼性のｐ型酸化亜鉛薄膜、その作製方法及びその青色発光素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ｐ型の半導体酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜と、この膜の製造方法を提供する。
【解決手段】パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ）を使用してｐ型ＺｎＯ材料を成膜させる。この方法では、ＬｉとＰの両方を含有する化合物とＺｎＯとの混合物からなる固体ターゲット上にパルスレーザビームを集光させる。集光されたレーザパルスの高いパワー密度により、ターゲット表面上の材料が融除されてプラズマが形成され、これが基板表面上に堆積する。また、パルスレーザ源を含んだ透明な基板と、パルスレーザの波長に対し透明である基板と、マルチターゲットシステムとを使用するパルスレーザ成膜プロセスについて説明する。パルスレーザの光路は、パルスレーザが基板の裏から入射して基板を通過し、ターゲット上に集光するように配置されている。基板をターゲットに向かって並進運動させ、アブレーションプルームのルートを利用した微細パターンの付着が可能になる。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体を有する半導体発光素子において、動作電圧を低減するとともに発光効率を向上することが可能な技術を提供する。
【解決手段】ｎ型III族窒化物半導体から成るｎ型基板１上には、ｎ型クラッド層２と、ｎ型光ガイド層３と、不純物がドーピングされていない多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層４と、ｐ型電子障壁層５と、ｐ型光ガイド層６と、ｐ型クラッド層７と、ｐ型コンタクト層８とがこの順で積層されている。ｐ型電子障壁層５はｐ型Ａｌ_x2Ｇａ_(1-x2)Ｎ（０＜ｘ２＜１）から成り、ｐ型クラッド層７はｐ型Ａｌ_x3Ｇａ_(1-x3)Ｎ（０＜ｘ３＜１）から成り、ｐ型コンタクト層８はｐ型ＧａＮから成る。ｐ型電子障壁層５、ｐ型クラッド層７及びｐ型コンタクト層８はそれぞれｐ型ドーパントとしてベリリウムを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮナノコラムから成るパワーデバイス用のｐｎ接合ダイオードの提供を目的とする。
【解決手段】パワーデバイス用のｐｎ接合ダイオード１ａであって、第１電極４ａと、第１電極４ａの表面に立設されており第１導電型を示す複数の第１ナノコラム部６ａと、複数の第１ナノコラム部６ａの各端部に設けられており第２導電型を示す複数の第２ナノコラム部８ａと、複数の第２ナノコラム部８ａ上に設けられており第２導電型を示す半導体部１２ａと、半導体部１２ａ上に設けられた第２電極１４ａとを備え、第１ナノコラム部６ａ及び第２ナノコラム部８ａは、ＧａＮから成る。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体よりも熱膨張係数の小さな基板を備える半導体素子であって、クラックが生じず、結晶性の良い半導体素子及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、基板１０と、基板１０上に形成された、酸化亜鉛系材料からなる中間層３０と、中間層３０上に形成された、酸化亜鉛系材料からなる半導体層２０とを備える。半導体層２０の熱膨張係数は、基板１０の熱膨張係数より大きい。又、中間層３０の酸化亜鉛結晶構造におけるｃ軸長は、半導体層２０の酸化亜鉛結晶構造におけるｃ軸長よりも長い。 （もっと読む）

【課題】 可視光透過半導体膜の形成の際に、堆積中の膜に光放出装置からの光を照射しながら半導体膜を形成することにより、各種の可視光透過半導体膜を耐熱性の低い透明基板上に形成することを可能にした可視光透過半導体素子を提供することにある。
【解決手段】 透明基板8と、透明基板8への半導体の組成を含む材料の堆積中に光放出装置9bからの光を照射しながら形成される半導体膜とからなることを特徴とする可視光透過半導体素子である。 （もっと読む）

本発明はＩＩＩ−Ｖ族半導体の製造方法に関するものである。本発明によれば、前記方法は、電子アクセプタであるｐ型ドーパントで、原子価ｘが０と１の間に含まれる数を表す、一般式Ａｌ_xＧａ_1-xＮの半導体をドーピングする、少なくとも一つのドーピング過程と、価電子帯の構造を変えることのできる共ドーパントによる共ドーピング過程とから成る。本発明は、半導体、ならびに電子産業または光電子産業におけるその使用にも関するものである。本発明はさらに、かかる半導体を使用するデバイスならびにダイオードに関するものである。 （もっと読む）

【課題】 真性に近い単結晶ＧaＮ膜を有し、かつこの膜をｎ形又はｐ形に選択的にドー
プした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 次の要素を有する半導体デバイス：基板であって、この基板は、（１００）シリコン、（１１１）シリコン、（０００１）サファイア、（１１−２０）サファイア、（１−１０２）サファイア、（１１１）ヒ化ガリウム、（１００）ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる；約２００Å〜約５００Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む；および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 （もっと読む）