【課題】危険性を低減し、かつ低温で効率よく窒素を供給できるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の結晶成長方法、発光デバイスの製造方法および電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１０２の結晶成長方法は、以下の工程を備えている。まず、窒素の原料としてモノメチルアミンおよびモノエチルアミンの少なくともいずれか一方を含むガスが準備される。そして、ガスを用いて気相成長法によりＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１０２が成長される。 （もっと読む）

【課題】半導体材料、特に、良好な電気伝導率および大きな禁制帯幅を有するドープド半導体材料において、原子の秩序化の結果生じる禁制帯幅の減少のような所望しない効果を排除することができるものを得る。
【解決手段】半導体材料中で自由電荷キャリアを提供する第１のドーパント、例えばシリコンと、該半導体材料中で原子の無秩序化を促進する第２のドーパント、例えばスズあるいはテルルとを含む半導体材料であって、該第２のドーパント濃度が該半導体材料の全体に亘って実質的に均一である。 （もっと読む）

【課題】積層側の主面がＣ面を有するＭｇＺｎＯ基板上に平坦なＺｎＯ系半導体層を成長させることができるＺｎＯ系半導体素子を提供する。
【解決手段】主面がＣ面を有するＭｇｘＺｎ１−ｘＯ（０≦ｘ＜１）基板を用い、前記主面の法線を基板結晶軸のｍ軸ｃ軸平面に射影した射影軸がｃ軸となす角Φｍを、０＜Φｍ≦３となるように形成した主面上に、ＺｎＯ系半導体層２〜５がエピタキシャル成長されている。そして、ＺｎＯ系半導体層５上にはｐ電極８が、ＭｇｘＺｎ１−ｘＯ基板１の下側にはｎ電極９が形成されている。このようにして、ＭｇｘＺｎ１−ｘＯ基板１の表面に、ｍ軸方向に並ぶ規則的なステップを形成することで、ステップバンチングと呼ばれる現象を防ぎ、基板１上に積層される半導体層の膜の平坦性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】優れた結晶性を有するＩＩＩ族窒化物半導体層を形成できる製造装置を提供する。
【解決手段】基板１１上にＩＩＩ族窒化物半導体層をスパッタ法によって形成するための製造装置であって、チャンバ４１と、チャンバ４１内に配置されたＩＩＩ族元素を含有するターゲット４７と、ターゲット４７をスパッタして原料粒子を基板１１に供給する第１プラズマを発生させる第１プラズマ発生手段５１と、窒素元素を含む第２プラズマを発生させる第２プラズマ発生手段５２と、第１プラズマ発生手段５１と第２プラズマ発生手段５２とを制御して、チャンバ４１内に第１プラズマと第２プラズマとを交互に発生させる制御手段とを備えるＩＩＩ族窒化物半導体層の製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】六方晶系の非極性面（ａ面、ｍ面）または半極性面で結晶成長させたＡｌＧａＮ混晶と、活性層に用いたＡｌＧａＮ結晶のＡｌＮとＧａＮのモル分率を最適化させ、発光効率を向上させ、低しきい値電流密度化を実現し、深紫外線波長のレーザ光を発生する。
【解決手段】ｍ面基板１０と、ｍ面基板上に配置され，ｎ型不純物をドープされたＡｌＧａＮ層（１２，１４）と、ＡｌＧａＮ層上に配置され，Ａｌ_XＧａ_1-XＮ障壁層とＡｌ_YＧａ_1-YＮ井戸層からなる量子井戸構造を有するＡｌ_XＧａ_1-XＮ/Ａｌ_XＧａ_1-XＮ活性層１６と、Ａｌ_XＧａ_1-XＮ/Ａｌ_XＧａ_1-XＮ活性層上に配置され，ｐ型不純物をドープされたＡｌＧａＮ層（１８，２０）とを備え、ｃ軸が結晶成長の主面の法線方向から４０°〜９０°の範囲内で傾いた面を結晶成長の主面とし、光の電界成分Ｅが主にｃ軸と平行（Ｅ//ｃ）なる偏光特性を示す紫外線窒化物半導体発光素子およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 禁制帯中に局在準位または中間バンドをもつ半導体を光吸収層とする変換効率の高い太陽電池、及び、その製造方法を提供すること。
【解決手段】p型光吸収層の光入射側に、前記光吸収層よりも禁制帯幅の大きいn型半導体が積層したヘテロ接合型のpn接合の形成により、前記光吸収層は禁制帯中に局在準位または中間バンドをもつ太陽電池構造とする。 （もっと読む）

本発明は、例えば電流閉じ込め層として機能する、Ｉｎ含有量量がゼロではないＡｌＩｎＮ層（７）を有するIII−窒化物複合デバイスに関する。ＡｌＩｎＮ層（７）は、その内部に規定される少なくとも１つの開口部を有する。ＡｌＩｎＮ層（７）は、その下にあるＧａＮ層などに対する格子不整合が少ないように成長され、その結果、デバイス内の付加的な結晶ひずみを抑制する。最適化された成長条件を用いて、ＡｌＩｎＮの抵抗率を１０^２Ω．ｃｍよりも高くする。その結果、より小さな抵抗率を有する層を、多層半導体デバイス内の電流ブロック層として用いるときに生じる電流の流れが、抑制される。結果として、ＡｌＩｎＮ層が開口部を有し、レーザーダイオードデバイス内に配置されると、デバイスの抵抗率は相対的に低くなり、デバイスの性能が向上する。
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【課題】ｐ型化が容易で、且つ発光特性を損なわないＺｎＯ系の半導体素子及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｍｇ_xＺｎ_1-xＯ（０≦ｘ＜１）を主成分とする半導体層２を備え、半導体層２に含まれる不純物としてのマンガン（Ｍｎ）の濃度が１×１０¹⁶ｃｍ^-3以下である。 （もっと読む）

【課題】意図しない不純物の混入を抑制し、ｐ型不純物イオン濃度の制御性を良くしたＺｎＯ系薄膜を提供する。
【解決手段】
ｐ型不純物を含むＭｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ薄膜（０≦Ｘ＜１）の結晶成長方向表面が、二乗平均粗さ（ＲＭＳ）≦１０ｎｍ、又は、粗さの最大幅（ＰＶ）≦１００ｎｍのいずれか一方を満たしているように作製する。このように形成することで、放電管内壁の元素等の意図しない不純物、例えばシリコン（Ｓｉ）等の不純物の薄膜への混入は防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】意図しない不純物のドーピングが抑制されたＺｎＯ系薄膜及び半導体素子を提供する。
【解決手段】ｐ型不純物を含むＭｇ_xＺｎ_1-xＯ（０≦ｘ＜１）からなり、原子間力顕微鏡による観測において、観測される六角形状のピットの密度が５×１０⁶個／ｃｍ²以下、又は底部に複数の微結晶の突起が形成された凹部が観測されない、の少なくともいずれかを満たす主面を備える。 （もっと読む）

【課題】
酸化亜鉛、および、酸化亜鉛固溶体からなる電子素子、光素子を製造する上で、酸化亜鉛、および酸化亜鉛固溶体の結晶構造に由来する自発分極の方向を考慮した結晶成長が求められる。これらを実現するには、結晶成長に際しての基板材質の選択、および、結晶成長時の成長条件、あるいは、結晶成長後の後処理等を検討し、所望の自発分極方向、すなわち、所望の結晶成長方向に対して結晶を成長する技術が得られなければならない。かつ、製造コストなどの経済性を考慮した場合、より流通量の多い、安定した供給の得られる基板材質をも使用できる、自発分極方向、すなわち、結晶成長方向を制御した酸化亜鉛を提供することが求められる。
【解決手段】
本発明の素子基板は、基板と酸化亜鉛薄膜との間にスピネル型構造の緩衝層を有し、前記酸化亜鉛薄膜は、ウルツ鉱型の結晶構造を有し、その表面が亜鉛（０００１）面であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＺｎＯ系化合物半導体層のｎ型層とｎ側電極とのオーミックコンタクトを改良し、動作電圧を下げる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 基板１上に設けられ、少なくともｎ型層４を有するＺｎＯ系化合物半導体の積層により発光層を形成する発光層形成部１１を有するＺｎＯ系化合物半導体素子であって、ＺｎＯ系化合物半導体のｎ型層４に接触して設けられるｎ側電極９は、ｎ型層４に接する部分がＡｌを含まないＴｉまたはＣｒにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】真性に近い単結晶ＧaＮ膜を有し、かつこの膜をｎ形又はｐ形に選択的にドープした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】次の要素を有する半導体デバイス：基板であって、この基板は、（１００）シリコン、（１１１）シリコン、（０００１）サファイア、（１１−２０）サファイア、（１−１０２）サファイア、（１１１）ヒ化ガリウム、（１００）ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる；約２００Å〜約５００Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む；および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 （もっと読む）

【課題】金属元素や金属元素の化合物を基板上に形成する場合に、パーティクルが発生しないような薄膜形成装置とこれを用いたＺｎＯ系薄膜を提供する。
【解決手段】
金属元素を供給する供給源に対向して配置されている部材表面を粗面化するようにした。図１に示されるように、ウエハ２５を保持する基板ホルダ１１の金属元素供給源と対向する面に凹凸を形成した。このように凹凸を形成すると、金属元素が堆積した場合、平坦な面と比べて、付着性が向上し、粗面化された面からは簡単には剥がれ落ちない。 （もっと読む）

【課題】亜鉛酸化物半導体を形成するための方法、およびこれによって製造される亜鉛酸化物半導体を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体の電気的特性を有する亜鉛酸化物薄膜上に金属触媒層を導入し、これを熱処理してｐ型半導体の電気的特性を有する亜鉛酸化物薄膜に改質する。熱処理過程により、亜鉛酸化物薄膜内に存在する水素原子は、金属触媒によって除去される。したがって、金属触媒および熱処理によって薄膜内の水素原子が除去され、キャリアである正孔の濃度は増加する。すなわち、ｎ型の亜鉛酸化物薄膜は、高濃度のｐ型亜鉛酸化物半導体に改質されるのである。 （もっと読む）

【課題】 動作時のオン抵抗を充分に小さくすることが可能な高耐圧のＦＥＴ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ｐ型ＧａＮチャネル層１６がその上下をｎ型ＧａＮソース層１８及びｎ型ＧａＮドレイン層１４によって挟まれた積層構造をメサ形状に加工してその側面に傾斜面を形成し、この傾斜面におけるｐ型ＧａＮチャネル層１６の傾斜した側面上にＳｉＯ_２ ゲート絶縁膜２４を介してゲート電極４０Ｇａ、４０Ｇｂを設けている。即ち、ｐ型ＧａＮチャネル層１６の傾斜した側面をチャネル領域としている。このため、そのチャネル長をｐ型ＧａＮチャネル層１６の厚さによって制御することが可能となり、容易かつ高精度に短チャネル長化を達成することができる。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法によって基板上に積層するＩＩＩ族窒化物半導体の結晶性を、成膜後にアニール等の熱処理を行なうことなく改善できるＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法、及び、発光特性に優れたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子並びにランプを提供する。
【解決手段】チャンバ内に基板１１及びターゲットを配置し、基板１１上にＭｇがドープされたＩＩＩ族窒化物半導体を反応性スパッタ法によって形成するスパッタ工程が備えられた製造方法であり、スパッタ工程は、Ｍｇをドープして半導体薄膜を成膜する成膜工程と、該成膜工程で成膜された半導体薄膜に対して不活性ガスプラズマによる処理を行うプラズマ処理工程の各小工程を含み、成膜工程とプラズマ処理工程とを交互に繰り返して半導体薄膜を積層することにより、ＭｇドープＩＩＩ族窒化物半導体からなるｐ型半導体層１６を形成する方法としている。 （もっと読む）

【課題】ｎ型層とｐ型層とを面内で縞状に交互に有する半導体基板の容易な製造方法を提供する。
【解決手段】この発明に係る半導体基板の製造方法は、成長工程（Ｓ１）と、切断工程（Ｓ２）とを備える。成長工程（Ｓ１）とは、第１導電型の半導体からなる第１導電型層と、第１導電型とは異なる導電型である第２導電型の半導体からなる第２導電型層とを、少なくともそれぞれ１層以上交互に成長させることにより積層体を形成する工程である。切断工程（Ｓ２）とは、積層体を、第１導電型層と第２導電型層との界面の延在方向と交差する方向に切断することにより基板を得る工程である。 （もっと読む）

【課題】 形成する膜の物性を容易に制御でき、また、生産性良く膜の形成が可能な制御性の良い成膜装置を提供する。
【解決手段】 膜を形成すべき基板５をアノード電極３に載置し、反応室１中に原料ガスを供給し、前記アノード電極３と、該アノード電極３に対向して配置してあるカソード電極４との間に高周波電圧を印加して原料ガスのプラズマを発生させ、制御部９を用いて駆動部８を制御することによって、成膜中にカソード電極４をアノード電極３に接近又は離隔させる。 （もっと読む）

本発明は、薄膜トランジスタおよびその製造方法に関する。具体的に、本発明は、薄膜トランジスタにおいて、半導体層のチャネル物質としてＳｉを含む酸化亜鉛系物質を用いる薄膜トランジスタおよびその製造方法に関する。また、本発明は、チャネル物質の蒸着後にプラズマ窒化工程および酸素熱処理工程を経る薄膜トランジスタの製造方法に関する。さらに、本発明は、基板、ゲート電極、絶縁層、半導体層、ソース電極、およびドレイン電極を含む薄膜トランジスタにおいて、前記半導体層が、Ｓｉを含む酸化亜鉛系半導体チャネル物質を含む薄膜トランジスタに関する。
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