【課題】酸化物薄膜の結晶配置の方向を制御し、良質な酸化物薄膜を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタのチャネル層となる酸化物層と絶縁層からなる積層構造であって、
前記酸化物層において、２５×２５μｍ^２における表面電位の最大値と最小値の電位差が６０ｍＶ以下であることを特徴とする積層構造。 （もっと読む）

【課題】基底面転位の少ない結晶性に優れた炭化珪素単結晶基板を取り出せる炭化珪素単結晶の製造方法、得られた炭化珪素単結晶インゴット、及びそれから取り出した炭化珪素単結晶基板を提供する。
【解決手段】昇華再結晶法による結晶成長中に基底面転位を貫通刃状転位に構造変換させることで基底面転位を低減させることを特徴とする、基底面転位の少ない高品質炭化珪素単結晶の製造方法であり、また、これによって得られた炭化珪素単結晶インゴットであり、更にはこれから取り出した炭化珪素単結晶基板である。 （もっと読む）

【課題】ポアの発生を抑制することにより良好な特性を持った有機膜を得る。
【解決手段】図１（ｃ）に示されるように、弾性膜２０は、積層構造１０の間に空隙を形成することなしに密着した状態となる。すなわち、積層構造１０がこの弾性膜（封止層）２０で封止された状態となる（封止層形成工程）。図１（ａ）の状態ではパターニングされた有機膜１２の端部が露出しているが、この端部も弾性膜２０で封止される。次に、図１（ｄ）に示されるように、図１（ｃ）の構成をそのまま冷間静水圧加圧装置５０中に入れ、加圧する（加圧工程）。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング用ターゲットとして好ましく使用され得る導電性酸化物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶質Ｉｎ₂Ｏ₃と、結晶質Ｇａ₂ＺｎＯ₄とを含む導電性酸化物であって、導電性酸化物において、Ｚｎの原子濃度比を１とした場合に、Ｉｎの原子濃度比が０．４以上１．８以下であり、かつ、Ｇａの原子濃度比が０．４以上１．８以下の導電性酸化物とし、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ酸化物のスパッタリング用のターゲットとして用いること。 （もっと読む）

【課題】高い電界効果移動度を有する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】希ガス及び水分子を含有する混合気体雰囲気下で酸化物半導体材料を成膜してなるチャネル層を備える薄膜トランジスタであって、前記酸化物半導体材料がＩｎ原子及びＺｎ原子を含む酸化物であり、原子比Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が１０原子％以上２０原子％未満である薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】電流量の減少や断線などの問題を抑制した状態で、電界効果トランジスタをより微細化できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に形成されたグラフェンからなるフィン状のチャンネル領域１０２と、ゲート電極１０４およびゲート電極１０４を挟んでチャンネル領域１０２に接続されたソース電極１０５およびドレイン電極１０６とを備える。例えば、チャンネル領域１０２は、グラフェンが１層から４層程度積層されたものである。図１に示す例では、ゲート電極１０４は、チャンネル領域１０２にゲート絶縁層１０３を介して形成されている。 （もっと読む）

【課題】良好な電気特性を有する半導体装置および該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に水素透過膜を形成し、水素透過膜上に水素捕縛膜を形成し、加熱処理を行って、酸化物半導体膜から水素を脱離させ、酸化物半導体膜の一部に接するソース電極およびドレイン電極を形成し、水素捕縛膜の露出されている部分を除去して、水素透過膜のチャネル保護膜を形成する半導体装置の作製方法である。また、該作製方法で作製された半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いて酸化物半導体膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し、酸化物半導体膜を安定かつ再現性よく得ることができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、及びＡｌの割合が下記式（１）及び（２）の原子比となるように原料化合物を混合後、成形体とする工程、及び、前記成形体を、８００℃から焼結温度までの温度範囲を０．１℃／分〜２℃／分の昇温速度で昇温した後、１４５０℃〜１６５０℃に１０〜５０時間保持することにより焼結する工程を含むことを特徴とする焼結体の製造方法。
Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ａｌ）＝０．０１〜０．０８ （１）
Ａｌ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ａｌ）＝０．０００１〜０．０３ （２） （もっと読む）

【課題】単一金属酸化物半導体材料をチャネル層として使用時に極性をｐ型伝導又はｎ型伝導に変更できる同時両極性電界効果型トランジスタを実現し、さらに、該同時両極性ＴＦＴを用いたＣＭＯＳ構造のトランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に設けたチャネル層と、前記チャネル層上又は下にゲート絶縁膜を介して設けられて前記チャネル層のキャリア濃度を制御するゲート電極を有する電界効果型トランジスタにおいて、前記チャネル層材料は、酸化第一スズ（ＳｎＯ）薄膜であり、前記チャネル層とゲート絶縁膜との界面の欠陥準位密度が５×１０^１４ｃｍ^−２ｅＶ^−１以下であり、前記チャネル層は、電子（ｎ型）及び正孔（ｐ型）伝導性の両方の動作が可能な同時両極性を有することを特徴とする同時両極性電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能であり、特に、直流スパッタリング法で製造しても長時間安定して放電することが可能な直流放電安定性に優れた酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化スズと；Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｉｎ、およびＴａよりなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ｍ金属）の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、面内方向および深さ方向の比抵抗をガウス分布で近似したとき、上記比抵抗の分散係数σが０．０２以下である。 （もっと読む）

【課題】蒸着法における効率的な成膜条件の評価方法と、そのための蒸着装置とを提供する。
【解決手段】真空容器５０内に収められた基板２００の主面の第１の領域を蒸着源６０へ露出しかつ第２の領域を遮蔽するように第１のシャッター１０Ａを配置しながら、第１の成膜条件によって第１の領域の上に第１の薄膜が成膜される。次に、基板２００の主面の第２の領域の少なくとも一部を蒸着源６０へ露出しかつ第１の領域の少なくとも一部を遮蔽するように第２のシャッター１０Ｂを配置しながら、第２の成膜条件によって第２の領域の上に第２の薄膜が成膜される。第１および第２の薄膜の特性が評価される。 （もっと読む）

【課題】電界効果型トランジスタの活性層に好適に用いられる非晶質酸化物の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、非晶質酸化物層２を形成する前に、基板１表面にオゾン雰囲気中で紫外線を照射したり、基板１表面にプラズマを照射したり、あるいは基板１表面を過酸化水素を含有する薬液により洗浄する。または、非晶質酸化物層２を形成する工程をオゾンガス、窒素酸化物ガス等の少なくともいずれかを含む雰囲気中で行う。または、基板１上に、非晶質酸化物層２を形成する後に、非晶質酸化物層２の成膜温度よりも高い温度で熱処理する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性は、基板内、基板間およびロット間において、ばらつきが大きく、熱、バイアスまたは光などの影響で変動が起こる場合がある。そこで、信頼性が高く、電気特性のばらつきの小さい酸化物半導体を用いた半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、膜中および膜と膜との界面の水素を排除する。膜と膜との界面の水素を排除するためには、成膜と成膜との間で、基板を真空下で搬送する。また、大気暴露された表面を持つ基板は、熱処理またはプラズマ処理によって、表面の水素を除去する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層と該酸化物半導体層と接する絶縁膜との界面状態が良好なトランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層と該酸化物半導体層と接する絶縁膜（ゲート絶縁層）との界面状態を良好とするために、酸化物半導体層の界面近傍に窒素を添加する。具体的には酸化物半導体層に窒素の濃度勾配を作り、窒素を多く含む領域をゲート絶縁層との界面に設ける。この窒素の添加によって、酸化物半導体層の界面近傍に結晶性の高い領域を形成でき、安定した界面状態を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】特性が安定した半導体膜を提供することを目的の一とする。または、特性が安定した半導体素子を提供することを目的の一とする。または、特性が安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】具体的には、絶縁性の表面に一方の面を接する第１の結晶構造を有する結晶を含む種結晶層（シード層）と、当該種結晶層（シード層）の他方の面に異方性の結晶が成長した酸化物半導体膜を有する構成とすれば良く、このようなヘテロ構造とすることにより、当該半導体膜の電気特性を安定化することができる。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供する。具体的には結晶性の高い酸化物半導体膜を形成する作製プロセスを提供する。
【解決手段】意図的に窒素を酸化物半導体に対して添加することにより、六方晶であり、ウルツ鉱型結晶構造を有する酸化物半導体膜を形成する。酸化物半導体膜において、窒素を含む領域の結晶性は、窒素をあまり含まない領域、或いは窒素を意図的に添加していない領域に比べて高くなる。この結晶性の高いウルツ鉱型結晶構造を有する酸化物半導体膜をトランジスタのチャネル形成領域として用いる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの半導体層に酸化物半導体を用いたとき、薄膜トランジスタのスイッチング特性およびストレス耐性が良好な薄膜トランジスタの半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも一種の元素と；Ａｌ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔａ、およびＷよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】高価なガリウム（Ｇａ）、及び、膜の安定性に問題がある亜鉛（Ｚｎ）を含有しない酸化物半導体膜製造用の酸化物焼結体を提供することを課題とする。また、当該酸化物焼結体と同一組成をもつ酸化物半導体薄膜を提供することを別の課題とする。
【解決手段】３価のインジウムイオン（Ｉｎ³⁺）と、２価の金属イオン（Ｘ²⁺）（但し、ＸはＭｇ、Ｃａ、Ｃｏ及びＭｎから選択される１種以上の元素を表す。）と、３価の金属イオン（Ｙ³⁺）（但し、ＹはＢ、Ｙ、Ｃｒから選択される１種以上の元素を表す。）又は４価の金属イオン（Ｚ⁴⁺）（但し、ＺはＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒから選択される１種以上の元素を表す。）と、酸素イオン（Ｏ^2-）とからなり、３価のインジウムイオン（Ｉｎ³⁺）、２価の金属イオン（Ｘ²⁺）、３価の金属イオン（Ｙ³⁺）、及び、４価の金属イオン（Ｚ⁴⁺）の原子数比がそれぞれ、０．２≦［Ｉｎ³⁺］／｛［Ｉｎ³⁺］＋［Ｘ²⁺］＋［Ｙ³⁺］＋［Ｚ⁴⁺］｝≦０．８、０．１≦［Ｘ²⁺］／｛［Ｉｎ³⁺］＋［Ｘ²⁺］＋［Ｙ³⁺］＋［Ｚ⁴⁺］｝≦０．５、及び、０．１≦｛［Ｙ³⁺］＋［Ｚ⁴⁺］｝／｛［Ｉｎ³⁺］＋［Ｘ²⁺］＋［Ｙ³⁺］＋［Ｚ⁴⁺］｝≦０．５を満たす酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】高価なガリウム（Ｇａ）を含有せず、バルク抵抗が小さい酸化物焼結体を提供する。また、当該酸化物焼結体と同一組成をもつ酸化物半導体薄膜を提供する。
【解決手段】インジウム（Ｉｎ）と、亜鉛（Ｚｎ）と、金属元素Ｘ（但し、ＸはＡｌ及びＴｉから選択される１種以上の元素を表す）と、酸素（Ｏ）とからなる酸化物焼結体であって、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、及び金属元素Ｘの原子数比がそれぞれ、０．２≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｘ）≦０．８、０．１≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｘ）≦０．５、及び０．１≦Ｘ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｘ）≦０．５を満たす酸化物焼結体、及び、該酸化物焼結体をターゲットとするスパッタリングによって成膜された、前記原子数比と同一組成をもつ酸化物半導体膜。 （もっと読む）