グラフェン含有プレートレットおよび表面からグラフェンを剥離する方法を記載する。該方法は、タンパク質で処理して剥離を促進することを含む。一実施形態において、該タンパク質はグラフェンの表面に接着し、そして製造したプレートレットはグラフェン層およびグラフェン層表面上のタンパク質層を含む。かようなプレートレットを有する電子デバイスもまた記載する。 （もっと読む）

【課題】比較的低温の処理でカーボンナノ材料によって構成されたチャネル表面に絶縁膜を成膜するためのカーボンナノ材料を用いた電界効果トランジスタにおける絶縁膜成膜方法及びそれによって絶縁膜が成膜されたカーボンナノ材料を用いた電界効果トランジスタを提供すること。
【解決手段】Ｓｉ基板１０１上に設けられたソース電極１０４、ドレイン電極１０５、及びカーボンナノチューブ１０３で構成されたチャネル表面にポリシラザン溶液１０６ａを塗布したＣＮＴ−ＦＥＴを電気炉２００によって加熱することで、ポリシラザン溶液１０６ａを水分と反応させ、チャネル表面にシリコン酸化膜で構成された絶縁膜１０６を成膜する。 （もっと読む）

本明細書は生物的材料および電気的材料並びに該生物的材料と該電気的材料との間の界面を含む電子デバイスの製造方法を記載する。この方法は、電子デバイスを製造する際、所望の位置にタンパク質（１１）の自己組織化を利用する。この明細書はまた、構造部としてタンパク質層を含む電子デバイスも記載する。ハイドロフォビンタンパク質を含む電子デバイスのタンパク質層もまた記載する。いくつかの実施形態では、電子デバイスはタンパク質（１１）に接触したグラフェン（１２）の層も含む。 （もっと読む）

【課題】従来技術では長期間の経時変化に対応できず、また薄膜トランジスタの照度を測定するためのフォトセンサとして利用する場合、精度が低くすぎフォトセンサとして使用は困難であった。薄膜トランジスタの照度を測定するためのフォトセンサを利用する場合に、長期間に渡る経時変化を１％以下に抑え、小型高精度かつフォトセンサの出力の調整が出来るフォトセンサ回路及び液晶モジュールを提供する。
【解決手段】フォトセンサのソース電極に交流電圧を印加して、ソース電極からドレイン電極に向かって流れる電荷と、前記薄膜トランジスタのドレイン電極からソース電極に向かって流れる電荷が、ほぼ等しくなるように駆動するようにした。また、それに伴い薄膜トランジスタが有する光感度及び光応答性の個体差を修正する機構を加えた。 （もっと読む）

【課題】大量生産可能の電気化学トランジスタを提供する。
【解決手段】電気化学トランジスタ装置は、ソース接点１と、ドレイン接点２と、少なくとも１つのゲート電極４と、ソース、ドレイン接点間に配置されており、それらと直接的に電気接触している電気化学的にアクティブな要素であるトランジスタ・チャネル３を含み、そのレドックス状態の変化を通じてその導電率を電気化学的に変える能力を有する有機材料からなる材料で作られている電気化学的にアクティブな要素と、電気化学的にアクティブな要素および前記少なくとも１つのゲート電極の間に介在し、それらと直接的に電気接触している凝固電解液５とを含み、電気化学的にアクティブな要素、前記ゲート電極間の電子流が阻止されるようになっている。この装置において、ソース接点およびドレイン接点間の電子の流れは、前記ゲート電極に印加された電圧によって制御可能である。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、環Ａ_１および環Ａ_２はそれぞれ独立に、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のチエノチオフェン環を表し、環Ｂ_１および環Ｂ_２はそれぞれ独立に、置換または未置換の１位と８位で縮環したナフタレン環、置換または未置換の３位と４位で縮環したペリレン環、置換または未置換の１位と１０位で縮環したピレン環、あるいは置換または未置換の３位と４位で縮環したフルオランテン環を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｒおよびｓはそれぞれ独立に０または１を表すが、同時に０を表すことはない） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


［式中、Ｘ_１〜Ｘ_１２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、Ｚ_１およびＺ_２はそれぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、あるいはＮ−Ｒ（Ｒは水素原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す）を表し、ｒおよびｓはそれぞれ独立に０または１を表す］ （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａはチエノチオフェン環を表し、環Ｂおよび環Ｃはそれぞれ独立に、置換または未置換のチオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａはベンゼン環、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のチエノチオフェン環を表し、環Ｂは置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のチエノチオフェン環を表し、ｎは０または１を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ独立に、Ｈ、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、あるいはアリール基を表し、Ｒ_０およびＲ_００はそれぞれ独立に、Ｈ、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、あるいはアルコキシアルキル基を表し、Ａ、Ｂ、ＣおよびＤはそれぞれ独立に、フェニレン基、チエニレン基、あるいはチエノチエニレン基を表し、ａ、ｂ、ｃおよびｄはそれぞれ独立に１または２を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


［式中、Ｘ_１〜Ｘ_８は独立に、Ｈ、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アリール基、あるいは置換エチニル基を表し、Ｘ_１〜Ｘ_３の組み合わせ及び／又はＸ_５〜Ｘ_７の組み合わせより選ばれる隣接する２個の置換基が互いに結合して置換又は未置換のベンゼン環、あるいは置換又は未置換のチオフェン環を形成していてもよく、Ｚ_１およびＺ_２は独立に、Ｏ、Ｓ、あるいはＮ−Ｒ（ＲはＨ、アルキル基、アルコキシアルキル基、あるいはアリール基を表す）を表す］ （もっと読む）

【課題】有機ゲート絶縁膜表面にダメージが入ることなくソース・ドレイン電極表面に金属酸化物膜を形成する、またはソース・ドレイン電極表面に金属酸化物膜を形成した後にダメージ層を修復することを可能にする。
【解決手段】表面が絶縁性を有する基板１１上に離間して形成されたソース・ドレイン電極１２、１３と、前記ソース・ドレイン電極１２、１３の表面に形成された金属酸化物膜１４、１５と、前記基板１１上に形成されていて前記金属酸化物膜１４、１５を被覆する有機半導体層１６と、前記有機半導体層１６上に形成されたゲート絶縁膜１７と、前記ゲート絶縁膜１７上に形成されたゲート電極１８を備えた有機半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】大型の半導体装置で、高速に動作する半導体装置を提供することを目的する。
【解決手段】単結晶の半導体層を有するトップゲート型のトランジスタと、アモルファス
シリコン（またはマイクロクリスタルシリコン）の半導体層を有するボトムゲート型のト
ランジスタとを同一基板に形成する。そして、各々のトランジスタが有するゲート電極を
同じレイヤーで形成し、ソース及びドレイン電極も同じレイヤーで形成する。このように
して、製造工程を削減する。つまり、ボトムゲート型のトランジスタの製造工程に、少し
だけ工程を追加するだけで、２つのタイプのトランジスタを製造することが出来る。 （もっと読む）

【課題】優れた電気伝導特性を安定して示すカーボンナノチューブ電界効果トランジスタを再現性よく製造することができる方法を提供すること。
【解決手段】まず、ＬＯＣＯＳ法によりシリコン基板のコンタクト領域に酸化シリコン膜を形成する。次いで、シリコン基板のチャネル領域に、コンタクト領域の酸化シリコン膜よりも薄い絶縁膜を形成する。次いで、シリコン基板上にチャネルとなるカーボンナノチューブを配置した後、カーボンナノチューブを保護膜で被覆する。最後に、ソース電極およびドレイン電極をそれぞれ形成して、ソース電極およびドレイン電極をそれぞれカーボンナノチューブに電気的に接続させる。このようにして製造された電界効果トランジスタは、チャネルとなるカーボンナノチューブが汚染されていないため、優れた電気伝導特性を安定して示す。 （もっと読む）

【課題】コスト的な利点の多いスクリーン印刷法を用いて、平面性及びサイズの均質性に優れた上部電極を有する回路基板を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１上に形成される複数の下部電極４と、基板１上に形成され、複数の下部電極４のそれぞれの上に開口部９を有する層間絶縁膜６と、複数の開口部９のそれぞれを埋めるように形成され、複数の下部電極４のそれぞれと電気的に接続される上部電極７とを有する回路基板２０において、層間絶縁膜６は、一の開口部９と、該一の開口部９に最も近接する開口部９又は次に近接する開口部９との略中間点で、基板表面からの高さが極大高さｄとなる極大点Ｃを備える曲面形状を有し、開口部９での上部電極７の基板表面からの高さｔが、極大点Ｃの極大高さｄよりも小さいことを特徴とする （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極の上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜
の上に設けられソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、ソース領域又はドレイン
領域に電気的に接続する配線又は電極と、配線又は電極の上に設けられ第１の開口部を有
する第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の上に設けられ第２の開口部を有する第２の絶縁膜と
、第２の絶縁膜の上に設けられた画素電極とを有し、第１の絶縁膜は窒化シリコン膜を含
む積層の無機絶縁膜からなり、第２の絶縁膜は有機樹脂膜からなり、第２の絶縁膜の第２
の開口部の底面において、第１の絶縁膜の上面は第２の絶縁膜に覆われていない露呈した
部分を有し、第２の絶縁膜の第２の開口部の断面において、第２の絶縁膜の内壁面は凸状
の曲面を有しており、画素電極は、第１の開口部及び第２の開口部を介して配線又は電極
に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】高速で動作可能な縦型トランジスタを用いたセンサデバイスを提供する。
【解決手段】絶縁物の多孔質により形成される多孔質絶縁層と、多孔質絶縁層の一方の面に形成される第１の開口部を有する第１の電極と、多孔質絶縁層の他方の面に形成される第１の開口部に対応した第２の開口部を有する第２の電極と、第２の電極上に形成される絶縁層と、多孔質絶縁層の孔の内壁に配置された分子認識材料とを有することを特徴とするセンサデバイスを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 有機半導体分子を材料として形成される導電路が新規な構造を有し、高い移動度を示す半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 ４，４’-ビフェニルジチオール等の有機半導体分子９の両端にある官能基によって、Ａｕ等の導体又は半導体からなる微粒子８と有機半導体分子９とを交互に結合させ、微粒子８内の導電路と有機半導体分子９内の導電路とが二次元または三次元的に連結されたネットワーク型の導電路を形成する。この導電路には、分子間の電子移動が含まれず、移動度が分子間の電子移動によって制限されることがないので、有機半導体分子内の主鎖に沿った（分子の軸方向の）導電路の移動度、例えば非局在化したπ電子による高い分子内移動度を最大限に利用することができる。 （もっと読む）

【課題】絶縁体層への吸着分子の比較的弱い相互作用（物理吸着）と誘電性を検出する機能を利用することにより、脱離性や繰り返し性を向上させることと、検体ガスの種類とその濃度を同時的に検出する事を可能にする。
【解決手段】本発明は、金属層、絶縁体層、半導体層より構成されるMISキャパシタ構造、或いは該MISキャパシタ構造を含む電界効果トランジスタFETを利用する。絶縁体層は、多数の貫通型細孔を設けた電気的に不活性な材質製の基板に分子吸着性絶縁層を塗膜して形成する。絶縁体層の一方の側に半導体層を、かつ他方の側に金属層を形成すると共に、貫通型細孔を通して検出すべきガス或いは液体が通過できるように構成する。 （もっと読む）