【課題】設置場所の自由度が高く、且つ、生産性の優れた安価な光センサー及び半導体位置検出器を提供する。
【解決手段】受光面を形成する半導体層２と、半導体層の両端部に半導体層に流れる電流を電極３ａ，ｂとを有する光センサーを用い、受光面上の入射光位置により電極から検出される電流値がそれぞれ変化することに基づき位置検出をおこなう半導体位置検出器において、半導体層はＰ型特性を有する芳香族化合物薄膜からなるＰ型有機半導体層２ａと、Ｎ型特性を有する芳香族化合物薄膜からなるＮ型有機半導体層２ｂとを積層した構成を有し、半導体層がアンバイポーラー性を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いるトランジスタなどの半導体素子又は該半導体素子を用いる表示装置などにおいて、光照射効果の影響を低減することを目的の一とする。
【解決手段】バンドすそ準位とバンドギャップ内の欠陥を極力低減することにより、バンドギャップ近傍若しくはそれ以下のエネルギーの光吸収を低減させる。この場合において、単に酸化物半導体膜の製造条件を最適化するのではなく、酸化物半導体を実質的に真性若しくは真性に限りなく近づけることにより、照射光と作用する欠陥を低減し、本質的に光照射効果が低減されるようにしている。すなわち、３５０ｎｍの波長の光を１×１０^１３個／ｃｍ^２・ｓｅｃのフォトン数で照射された場合であっても、しきい値電圧の変動量が０．６５Ｖ以下、好ましくは０．５５Ｖ以下となる酸化物半導体でトランジスタのチャネル領域が形成されるようにする。 （もっと読む）

【課題】回路構成の設計自由度の高いＭＥＭＳ及びＭＥＭＳの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０の一方の面側に設けられる第１半導体部２１と、基板１０の一方の面側に設けられる振動子３１と、を備えるＭＥＭＳにおいて、第１半導体部２１の側面側に設けられ、かつ基板表面に対して略垂直な第１面２１ａと、振動子３１の側面側に設けられ、かつ基板表面に平行な方向において第１面２１ａと対向する第２面３１ａが設けられると共に、第２面３１ａ側の表層部分は第１面２１ａ側をゲート電極として電圧が印加された際にチャネルとなることで、第１半導体部２１における第１面２１ａを含む部分と振動子３１における第２面３１ａを含む部分とで電界効果トランジスタが構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 垂直に形成されたナノワイヤの長さを再現性良く作製する。
【解決手段】 半導体デバイスの製造方法であって、基板１０１の上に第１の層１０２を形成する工程と、第１の層の上に、第１の層よりヤング率が高いストップ層１０３を形成する工程と、第１の層及び前記ストップ層の一部をそれぞれ除去して前記基板の一部が露出するように凹部１０８を形成する工程と、凹部に、第１の層の厚さとストップ層の厚さの和よりも大きな長さを有するように、前記基板の表面に対して垂直方向に延びるナノワイヤ１０７を、成長させる成長工程と、前記ナノワイヤが成長した前記凹部に、前記和よりも大きい膜厚を有し、ヤング率が前記ストップ層よりも低い平坦化層を形成する工程と、平坦化層１０８を、ストップ層まで除去し、ナノワイヤを平坦化層の表面から露出させる工程と、ナノワイヤの上端に接続される電極を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型化が抑制され、狭エネルギーギャップ材料として好適なゲルマニウム多結晶またはシリコンゲルマニウム多結晶を提供すること
【解決手段】不純物として酸素及び炭素を含む多結晶ゲルマニウム、または不純物として酸素及び炭素を含むゲルマニウムを５０原子数％を超える量含有する多結晶シリコンゲルマニウムを製造する。 （もっと読む）

【課題】半導体支持基板界面の品質を向上する。
【解決手段】半導体支持基板１２、絶縁層１４及びシリコン層１６の三層構造を有するＳＯＩ基板１０と、シリコン層１６及び絶縁層１４を貫通する穴部２０と、穴部２０の底部に形成された熱酸化膜２２と、半導体支持基板１２の熱酸化膜２２下で、熱酸化膜２２と接触する拡散層２８と、を備える （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電気的特性を実現できる薄膜トランジスタ、その製造方法、及び表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタは、基板１上に形成されたゲート電極２と、窒化膜を含み、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３を介してゲート電極２の対面に配置され、少なくとも窒化膜と接する界面部に微結晶半導体層４１が形成された半導体層４と、を備え、微結晶半導体層４１は、少なくとも窒化膜との界面付近において、窒化膜からの拡散により含有された窒素よりも高濃度の酸素を含むものである。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される構造を少なくとも２つ含有してなるオリゴマーまたはポリマーを少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。



（式中、Ｘ_１〜Ｘ_４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ｙ_１および環Ｙ_２はそれぞれ独立に、置換または未置換のチオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】種々の溶媒に対して溶解性が優れ、インクジェット等の印刷法により製膜可能なＴＴＦ誘導体を用いたインクおよびそれを用いた製造方法、用途を提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）で表わされるテトラチアフルバレン誘導体を含む電子デバイス用インク。


（式中、Ｘは炭素原子または硫黄原子または窒素原子から選択される原子であり、同一でも異なっていてもよい。Ｘに炭素原子及び窒素原子が選択される場合において、Ｒ_１〜Ｒ_８は水素原子、ハロゲン原子、置換および無置換のアルキル基またはアルコシキ基またはチオアルコキシ基から選択される基であり、同一でも異なっていてもよい。） （もっと読む）

【課題】性能向上を図ることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ソース電極４およびドレイン電極５は、互いに離間されていると共にそれぞれ有機半導体層３の上に重なっている。有機半導体層３は、下部有機半導体層３Ａの上に上部有機半導体層３Ｂが形成された積層構造を有している。下部有機半導体層３Ａは、ソース電極４と重なる領域Ｒ１からドレイン電極５と重なる領域Ｒ２まで延在している。上部有機半導体層３Ｂは、領域Ｒ１，Ｒ２に互いに離間されるように配置されており、下部有機半導体層３Ａよりも高い溶解性および導電性を有している。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


〔Ｘ_１〜Ｘ_８は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシ基、アリール基を表し、Ｒ_０およびＲ_００は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシ基を表し、Ａ、Ｂ、ＣおよびＤは、フェニレン基、チエニレン基、チエノチエニレン基、ナフチレン基、アントリレン基を表し、ａ、ｂ、ｃおよびｄはそれぞれ独立に０、１または２を表す〕 （もっと読む）

【課題】ＡＯＳ−ＴＦＴの課題として、電気的ストレスによる特性変化、主に閾値電圧の変化がある。
【解決手段】半導体層と、絶縁層１と、絶縁層２と、導電層１と、導電層２と、を有し、半導体層は絶縁層１と絶縁層２とに挟まれ、絶縁層１は半導体層と接する面とは反対側の面で導電層１と接し、絶縁層２は半導体層と接する面とは反対側の面で導電層２と接するトランジスタの駆動方法であって、導電層２に、ＶＢＧ＜Ｖｏｎ１×Ｃ１／（Ｃ１＋Ｃ２）を満たす電圧ＶＢＧを印加することを特徴とするトランジスタの駆動方法。但し、Ｃ１：絶縁層１の単位面積当たりの容量、Ｃ２：絶縁層２の単位面積当たりの容量、ＶＯＮ１：ソース電圧を基準電圧とし、かつ導電層２にかかる電圧を０Ｖにしたときのドレイン電流の立ち上がり電圧である。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥
離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを
可能とすることを目的する。また、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体
装置およびその作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に金属層１１を設け、さらに前記金属層１１に接して酸化物層１２を
設け、さらに被剥離層１３を形成し、前記金属層１１をレーザー光で照射することで酸化
を行い、金属酸化物層１６を形成させれば、物理的手段で金属酸化物層１２の層内または
金属酸化物層１６と酸化物層１２との界面において、きれいに分離することができる。 （もっと読む）

【課題】安価に製造することができ、フレキシブルな基板上に形成することが可能な高精度な紫外線センサを提供することを課題とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するトランジスタと、前記トランジスタのゲートに接続する電圧源を有し、前記トランジスタのしきい値電圧は前記酸化物半導体膜に紫外線を照射することによって変化し、前記トランジスタのしきい値電圧の変化は酸化物半導体膜に照射される紫外線の波長に依存し、前記電圧源は前記トランジスタのゲートに出力する電圧を調整する構成を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体ＴＦＴの電気的特性及び安定性を向上することが可能な、薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体ＴＦＴ１０は、基板１１と、基板１１上に設けられたゲート電極１３と、ゲート電極１３及び露出された基板１１上に設けられたゲート絶縁膜１５と、ゲート絶縁膜１５上のゲート電極１３に対向する位置に設けられ、Ｚｎの濃度勾配を持つＨｆＩｎＺｎＯ系酸化物半導体からなる酸化物半導体層１７と、酸化物半導体層１７の両側からゲート絶縁膜上に延びるソース及びドレインと、を備える。 （もっと読む）

本発明は、液体キャリアからの、基板上への細長いナノ粒子の堆積のためのプロセス、およびこのプロセスによって調製された電子デバイスに関する。 （もっと読む）

本発明は、電子用途に有用な重水素化インドロカルバゾール化合物に関する。また、活性層がそのような重水素化合物を含む電子デバイスに関する。
（もっと読む）

【課題】高性能なフレキシブル半導体装置を提供すること。
【解決手段】可撓性を有するフレキシブル半導体装置であって、絶縁膜と、かかる絶縁膜の下面に位置する金属箔をエッチングすることによって形成されたソース電極およびドレイン電極と、絶縁膜の上面の一部に形成された半導体層と、ソース電極およびドレイン電極のそれぞれと、前記半導体層とを電気的に接続する取出し電極パターンと、取出し電極パターンおよび半導体層を封止する封止樹脂層と、封止樹脂層の面のうちソース電極およびドレイン電極が形成された面とは反対側の面に形成されたゲート電極とを備えたフレキシブル半導体装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属層とポリイミド層とが積層された可撓性を有する基板上にＴＦＴを作製した際に、金属箔表面の凹凸によるＴＦＴの電気的性能の劣化を抑制することができ、ＴＦＴの剥離やクラックを抑制することができるフレキシブルデバイス用基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属箔と、上記金属箔上に形成され、ポリイミドを含む平坦化層と、上記平坦化層上に形成され、無機化合物を含む密着層とを有することを特徴とするフレキシブルデバイス用基板を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）