【課題】半導体層を構成する有機半導体材料として、安定性が良好であるアンタントレン系化合物を提供。
【解決手段】大気中での安定性が良好である構造式（１）で表されるオリゴ・ジカルコゲノ・アンタントレン系化合物。


ここで、Ｘは第１６族元素を示し、ｎは０乃至２０の整数を表し、ｍは１乃至９の整数を表し、置換基Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃，Ｒ₄，Ｒ₅，Ｒ₇，Ｒ₈，Ｒ₉，Ｒ₁₀及びＲ₁₁は、それぞれ、独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基等から成る群から選択された１種類の置換基。 （もっと読む）

【課題】酸化物からなる半導体層における酸素含有率の変動や水分吸着に起因する特性変動を確実に防止可能な、薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に設けられた酸化物からなる酸化物半導体層７と、酸化物半導体層７上に酸化物半導体層７に対して連続成膜された上層絶縁膜９とを備えている。酸化物半導体層７および上層絶縁膜９の外周縁は、酸化物半導体層７に形成されるチャネル領域７ｃｈに対して１３μｍ以上の間隔ｄ１〜ｄ４を保持して配置されている。これにより、外周縁の外側からの酸素の出入りや水分吸着の影響が、チャネル領域７ｃｈに対して影響を及ぼすことを防止する。 （もっと読む）

【課題】回路面積が小さい、またはトランジスタの劣化を防止するよう形成された、有機トランジスタと無機トランジスタとを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の一形態の半導体装置としてのＣＭＯＳ回路は、（ａ）基板１００と、（ｂ）有機半導体層１０６ａを含むｐ型有機トランジスタＰＴと、（ｃ）ｐ型有機トランジスタＰＴの上層に設けられた無機半導体層１２６ａを含むｎ型無機トランジスタＮＴと、を備える。さらに、ｎ型無機トランジスタＮＴのチャネル領域１２６は、ｐ型有機トランジスタＰＴのチャネル領域１０６と、平面視において少なくとも部分的に重なっている。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極を備えたトランジスタ型の歪み検出素子であって、金属製歪みゲージよりも格段に優れた検出感度を有する歪み検出素子の提供。
【解決手段】ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、チャネルが形成される圧電材料からなる層と、を備えた歪み検出素子であって、（ａ）上記ゲート電極の長さが２μｍより大きいこと、（ｂ）上記ゲート電極の幅が１ｍｍより小さいこと、（ｃ）上記ゲート電極と上記ソース電極の距離と、上記ゲート電極と上記ドレイン電極の距離との和が１３μｍより大きいこと、の３条件のうち少なくともいずれか１つの条件が成立していることを特徴とする。 （もっと読む）

パッシベートされたシリコンナノワイヤーの製造方法およびこれにより得られる電子構造体について記載する。こうした構造体は、金属−酸化物−半導体（ＭＯＳ）構造を含むことができ、構造体はＭＯＳ電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）または光電子スイッチに用いることができる。
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【課題】オン電流が高く、特性シフトが低減された薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に、活性層としてのＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜のモル比〔Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ〕を２．０−ｘ：ｘ：ｙ（但し、０．０＜ｘ＜２．０、０．０＜ｙ）で表したとき、前記酸化物半導体膜の膜厚方向についての前記ｙの分布において、前記基板に近い側の膜面、及び、前記基板から離れた側の膜面よりも、前記ｙが大きい領域が存在する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴに適したＳＯＩ基板およびその作製方法を提供する。またＳＯＩ基板を用
いて信頼性の高い半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】ＳＩＭＯＸ、ＥＬＴＲＡＮ、Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔに代表される技術を用いて
ＳＯＩ基板を作製するにあたって、主表面（結晶面）が｛１１０｝面である単結晶半導体
基板を用いる。その様なＳＯＩ基板は下地となる埋め込み絶縁層と単結晶シリコン層との
密着性が高く、信頼性の高い半導体装置を実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に、結晶粒の平均粒径が互いに異なり、各々優れたキャリア移動度を有する２種類の結晶質半導体膜を形成し、それら２種類の結晶質半導体膜を用いて異なる電気特性が要求される各半導体素子に所望の電気特性を得る。
【解決手段】基板１１上に非晶質半導体膜２４を成膜する非晶質膜成膜工程と、非晶質半導体膜２４の一部を溶融固化して結晶化することで第１結晶質半導体膜２４Ａを形成する第１結晶化工程と、残部の非晶質半導体膜２４を固相成長させることで第１結晶質半導体膜２４Ａよりも結晶粒の平均粒径が大きい第２結晶質半導体膜２４Ｂを形成する第２結晶化工程と、第１結晶質半導体膜２４Ａの結晶粒の平均粒径が第２結晶質半導体膜２４Ｂの結晶粒の平均粒径よりも小さい状態を維持しながら第１及び第２結晶質半導体膜２４Ｂを溶融固化することで再結晶化する再結晶化工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】高性能及び高信頼性を有する、ｎ型及びｐ型の両極動作が可能なバイポーラ型薄膜トランジスタを構築する。
【解決手段】ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極の３電極、チャネル層及びゲート絶縁膜の各要素を具備してなる薄膜トランジスタにおいて、前記チャネル層は、有機物膜と、タングステン、錫、チタンの少なくとも１つをドープしたインジウムを含み、電気抵抗率が予め制御された金属酸化物膜との積層であることを特徴とするバイポーラ型薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも一層の誘電体層を有する電子装置であって、該誘電体層が少なくとも一種のラジカル架橋可能な化合物に基づく架橋有機化合物を含むもの、及び該電子装置の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層の還元および酸素欠陥による劣化を防止でき、これにより長期に安定した特性を維持可能な薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】非晶質酸化物からなる酸化物半導体層７と、この酸化物半導体層７に接して設けられたソース電極９ｓおよびドレイン電極９ｄとを備えている。そして特に、ソース電極９ｓおよびドレイン電極９ｄが、イリジウム（Ｉｒ）または酸化イリジウム（ＩｒＯ₂）を用いて構成されている。また、酸化物半導体層７は、酸化物材料からなる絶縁ゲート絶縁膜５および絶縁膜１１で覆われている。 （もっと読む）

【課題】ボトムゲート・トップコンタクト構造において、ソース・ドレイン−ゲート電極間の寄生容量を効果的に抑えることが可能な薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上にパターン形成されたゲート電極３をゲート絶縁膜５で覆う。ゲート絶縁膜５上に有機半導体層７と電極膜１３とをこの積層順に形成する。有機半導体層７および電極膜１３が形成された基板１上にネガ型感光性のレジスト膜１５を成膜し、ゲート電極３を遮光マスクとした基板１側からの裏面露光とその後の現像処理によりレジストパターンを形成する。このレジストパターンは、電極膜１３をエッチングしてソース・ドレインを形成するためのマスクとして用いる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの製造工程における不特定な要因によって、しきい値電圧がマイナス側、或いはプラス側にシフトすることがある。０Ｖからシフトする値が大きい場合には、駆動電圧の増大を招き、結果として半導体装置の消費電力を増加させてしまう。
【解決手段】酸化物半導体層を覆う第１の保護絶縁膜として平坦性のよい樹脂層を形成した後、樹脂層上に第２の保護絶縁膜としてスパッタ法またはプラズマＣＶＤ法を用いて低パワー条件で成膜される第２の保護絶縁膜を形成する。さらに、しきい値電圧を所望の値に制御するため、酸化物半導体層の上下にゲート電極を設ける。 （もっと読む）

【課題】連続発振のレーザー光の照射により形成された結晶質半導体層において、結晶欠陥の発生を抑制する。
【解決手段】絶縁基板１０に非晶質半導体膜１２を成膜する半導体膜成膜工程と、非晶質半導体膜１２を覆うようにキャップ膜１３を成膜するキャップ膜成膜工程と、キャップ膜１３を介して非晶質半導体膜１２に連続発振のレーザー光Ｂを幅方向にオーバーラップするように走査しながら照射して、結晶質半導体膜１２ａを形成する結晶質半導体膜形成工程と、結晶質半導体膜１２ａ及びキャップ膜１３の積層膜をパターニングして、結晶質半導体層１２ｂａ及びキャップ層１３ｂａを形成する結晶質半導体層形成工程とを備える半導体装置の製造方法であって、キャップ膜１３の膜厚は、１０ｎｍ〜３０ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成で画素の開口率の向上と補助容量の確保とが実現できる表示装置を提供する。
【解決手段】 ｎ行ｍ列（ｎ及びｍは、それぞれ２以上の整数を表す。）のマトリクス状に配列された画素電極と、略格子状に設けられたｎ本のソースライン及びｍ本のゲートラインとを有する薄膜トランジスタアレイ基板を備えた表示装置であって、上記ゲートラインは、奇数行の画素電極と偶数行の画素電極との間に、奇数行用のゲートライン及び偶数行用のゲートラインがともに配置され、基板面に対して法線方向から見たときに、上記奇数行用のゲートラインと上記偶数行用のゲートラインと重なる領域にシールド電極を更に有し、上記シールド電極と上記画素電極とは電気的に分離されている表示装置である。 （もっと読む）

有機薄膜トランジスタを形成する方法であって、有機半導体の堆積の前に１つ以上の結晶化部位でチャネル領域の外側の表面に種晶付けし、種晶付けされた表面、およびチャネル領域上に有機半導体の溶液を堆積させることにより、有機半導体が結晶化部位または各結晶化部位において結晶領域を形成し始めるようにして、結晶領域または各結晶領域が、その結晶化部位からチャネル領域を越えて、前進する表面蒸発前線により定まる方向に成長するようにし、エネルギーを印加して表面蒸発前線の移動の方向および速度を制御することにより、チャネル領域の外側の１つ以上の結晶化部位からの、チャネル領域を越えた結晶領域または各結晶領域の成長の方向および速度を制御することを含む方法である。 （もっと読む）

【課題】雰囲気安定性、高ＯＮ／ＯＦＦ比、高電流密度等の優れた特性を有する実用的な縦型有機半導体デバイスを提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される化合物を半導体材料として含む、縦型有機半導体デバイス。


（Ｒ_１及びＲ_２はそれぞれ独立に置換基を有してもよい芳香族基を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換の、ベンゼン環、チオフェン環、ベンゾ［ｂ］チオフェン環、チエノチオフェン環、あるいはインドール環を表し、環Ｂは置換または未置換の、チオフェン環、ベンゾ［ｂ］チオフェン環、チエノチオフェン環、あるいはインドール環を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層に下式で表される化合物を含有してなる有機トランジスタ。


（Ｘ_１〜Ｘ_２０はそれぞれ、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、あるいはアリール基を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａおよび環Ｂはそれぞれ独立に、チオフェン環、あるいはチエノチオフェン環を表す） （もっと読む）