【課題】平面的・空間的に分布し且つ動的な磁場の測定を実現可能とする磁気センサを提供する。
【解決手段】薄膜ホール効果素子ＴＨＤ、駆動回路ＤＶ、読出回路ＲＤ、検出制御配線ＳＬ１からＳＬｍ、検出出力配線ＲＬ１からＲＬｎで構成された複数の要素回路ＰＸ１１からＰＸｍｎをマトリクス状に配置して磁場センサ１を構成する。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_６はそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、あるいはアリール基を表し、環Ａおよび環Ｂはそれぞれ独立に、置換または未置換のチオフェン環を表し、Ｒ_１はアルキル基あるいはアリール基を表し、Ｒ_２は水素、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、あるいはアリール基を表し、Ｙ_１およびＹ_２はそれぞれ独立に、−ＣＨ＝ＣＨ−、あるいは−Ｃ≡Ｃ−を表し、ｎは０または１を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層に一般式（１）の化合物を含む有機トランジスタ。Ａ_１−（Ｂ）_ｂ−（Ｃ）_ｃ−（Ｄ）_ｄ−Ａ_２（１）〔Ａ_１は式（ａ）又は（ｂ）の基、Ａ_２はＨ、ハロゲン、アルキル基等、あるいは式（ａ）又は（ｂ）の基、Ｂ、Ｃ及びＤは、アリーレン基、−ＣＸ_１１＝ＣＸ_１２−（Ｘ_１１、Ｘ_１２は、Ｈ、ハロゲン、シアノ基）、−Ｃ≡Ｃ−で、ｂ、ｃ及びｄは０〜３の整数〕
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【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


［式中、Ａｒ_１およびＡｒ_２はそれぞれ独立に、置換または未置換のアリール基を表し、Ｘ_１およびＸ_２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、Ｒは水素原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す］ （もっと読む）

【課題】薄膜センサの出力電流に混入するノイズ電流の影響を除去できる薄膜センサ装置を提供すること。
【解決手段】光センサ２０を構成するＴＦＴ２０ａの電流出力端子の配線とＣＯＭ配線１４ａとの間にシールド配線２１を設け、電流出力配線とＣＯＭ配線１４ａとの間の電位差が時間的に変動しないように、シールド配線２１の電位を所定電位に固定しておく。これにより、光センサ２０の出力電流へのノイズ電流の混入が防止される。 （もっと読む）

【課題】リセット用ＴＦＴのゲート絶縁膜にコンタクトホールを形成せずに２Ｔｒ−１Ｃ回路を製造することができるとともに、高精度に電荷検出を行うことが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像装置は、電荷生成膜６０と、電荷収集用電極５０と、電荷検知用キャパシタ３０と、電荷検出用薄膜トランジスタ２０と、リセット用薄膜トランジスタ４０と、電荷生成膜、電荷収集用電極、電荷検知用キャパシタ、電荷検出用薄膜トランジスタ、及びリセット用薄膜トランジスタを支持する支持基板１０と、を有する。電荷収集用電極の一部５０Ａが、電荷検出用薄膜トランジスタ２０の活性層２８上に絶縁膜１８Ａを介して絶縁した状態で張り出しているとともに、電荷検出用薄膜トランジスタのゲート電極Ｇを兼ねている。好ましくは、電荷収集用電極が、リセット用薄膜トランジスタ上にも絶縁した状態で張り出している。 （もっと読む）

【課題】高機能化、高感度化が可能な有機半導体装置、検出装置および検出方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、有機半導体からなる活性層２０と、活性層２０にキャリアを注入するソース電極１６と、活性層２０からキャリアを受けるドレイン電極１８と、活性層２０の一面に設けられ、キャリアの伝導を制御するゲート電極１２と、活性層２０の前記一面と反対の面のソース電極１６とドレイン電極１８との間の領域の少なくとも一部上に設けられ、ターゲット分子に対し感応性を有する感応膜２２と、を具備する有機半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】 湿式成膜法で形成された電荷輸送性化合物及び電子受容性化合物を含む電荷輸送層及び電荷輸送層を有する電子デバイスにおいて、電子受容性化合物の隣接する層への拡散を低減させること。
【解決手段】 電荷輸送性化合物及び電子受容性化合物を含む第一の電荷輸送層及び第一の電荷輸送層に隣接して、架橋性基を有する電荷輸送性ポリマーを架橋して形成された第二の電荷輸送層を有する電子デバイスにおいて、第一の電荷輸送層及び第二の電荷輸送層はいずれも湿式成膜法で形成された層であり、第一の電荷輸送層に含まれる電荷輸送性化合物のイオン化ポテンシャルＩｐ（１）及び第二の電荷輸送層を形成する架橋性基を有する電荷輸送性ポリマーのイオン化ポテンシャルＩｐ（２）が下記式（Ｘ）を満たすことを特徴とする電子デバイス。
Ｉｐ（２）≧ Ｉｐ（１） ＋ ０．１０ｅＶ ・・・（Ｘ） （もっと読む）

【課題】溶解性に優れ、空気安定性を有する有機半導体を用いることにより、安定性の高い有機薄膜、並びに高い移動度、高いＯＮ/ＯＦＦ比を有する有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を具備する有機電界効果トランジスタにおいて、前記有機半導体層が下記一般式で示される化合物を含むことを特徴とする有機電界効果トランジスタ。
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【課題】製造工程を変更することなくＭＯＳトランジスタのドレイン電流−温度特性を制御する。
【解決手段】半導体層１に互いに間隔をもって形成されたソース１１ｓ及びドレイン１１ｄ，１３ｄと、ソース１１ｓとドレイン１１ｄ，１３ｄの間の半導体層１上にゲート絶縁膜５を介して形成されたゲート電極７とをもつＭＯＳトランジスタを備えている。ＭＯＳトランジスタで、ソース１１ｓは上方から見てゲート電極７とは間隔をもつ位置に形成されている。ドレイン１３ｄは上方から見てゲート電極７に一部重複する位置に形成されている。上方から見たソース１１ｓとゲート電極７の間の距離ＡはＭＯＳトランジスタが温度上昇に対してドレイン電流が増加するドレイン電流−温度特性をもつ寸法に設定されている。 （もっと読む）

【課題】コスト低減の図れるスイッチング素子の基本構造であるＭＩＳ積層構造体およびそれらの作製方法を提供する。
【解決手段】支持基板上に、少なくとも半導体材料層〔S〕、絶縁材料層〔I〕、および導電性酸化物材料層〔M〕(照射するレーザ光を吸収し、薄膜の少なくとも一部がアモルファス相である導電性酸化物材料層)を順次成膜してMIS積層構成体を形成する成膜工程(a)と、集光した状態のレーザ光を前記導電性酸化物材料層側から照射して該導電性酸化物材料層の一部を熱変化させると共に、MIS積層構成体内部に伝播した熱により前記半導体材料層の一部を熱変化させる熱処理工程(b)と、前記MIS積層構成体の熱変化していない部分をエッチング処理で除去するエッチング処理工程(c)とによりＭＩＳ積層構造体を作製し、これに電極を設けてスイッチング素子とする。 （もっと読む）

【課題】既知の薄膜トランジスタの性能を改良する。
【解決手段】式（Ｉ）および（ＩＩ）：


式(I) 式(II)
（式中、Ｒ_１およびＲ_２は、独立して、水素、アルキル、置換アルキル、アリール、置換アリール、およびヘテロアリールから選択され、ＸおよびＹは、独立して、共役二価部分であり、ａおよびｂは、独立して、０から１０までの整数であり、ｎは、２から５，０００までの整数である）からなる群から選択される半導体ポリマである。 （もっと読む）

【課題】有機化合物層間の剥離や劣化を抑制した有機電気デバイス、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】有機トランジスタ素子１００は、基板１０上に、ソース電極１２Ａ及びドレイン電極１２Ｂが配設されている。基板１０上に形成されたソース電極１２Ａ及びドレイン電極１２Ｂを覆って、有機半導体層１２と中間層１４Ａと絶縁層１６とが順次直接積層させる。即ち、中間層１４Ａは、有機半導体層１２と絶縁層１６との間に配設させる。そして、絶縁層１６上にゲート電極１８が配設されている。当該中間層１４Ａは、絶縁層１６（上層）を形成するための溶媒に対して溶解する有機材料と、有機半導体層１２（下層）を構成する材料を溶解する溶媒とが含まれる塗布液により形成されてなる。本中間層１４Ａは、有機トランジスタに限られず、第１有機化合物層と第２有機化合物層の２者を積層する層構成を持つ有機電気デバイスに適用される。 （もっと読む）

【課題】半導体膜からなるダイオードを適用した保護回路の性能を向上させる。
【解決手段】２つの入出力端子の間に保護回路が挿入されている。保護回路は、絶縁表面上に形成される半導体膜からなるダイオードを含む。ダイオードのＮ型不純物領域およびＰ型不純物領域を保護回路の１層目の導電膜と接続するためのコンタクトホールは、各不純物領域全体に分布して形成される。また、保護回路の１層目の導電膜と２層目の導電膜とを接続するためのコンタクトホールは、半導体膜上に存在し、かつ分散して形成される。このようにコンタクトホールを形成することで、ダイオードと端子間の配線抵抗を低減し、かつダイオードの半導体膜全体を整流素子として有効に機能させることができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜におけるリーク電流が抑止され、高い絶縁膜容量が得られ、低ゲート電圧で動作可能な有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】
基板１１上に、ゲート電極１８、ゲート絶縁膜１７、有機半導体膜１６、ドレイン電極１４、及びソース電極１５を備える有機薄膜トランジスタである。ゲート絶縁膜１７は、低誘電体膜１７ａと高誘電体膜１７ｂの二層構造を有し、低誘電体膜１７ａは高誘電体膜１７ｂと有機半導体膜１６との間に介装されているとともに、低誘電体膜１７ａは非共有電子対を有する官能基を持たず且つ分子構造内にπ電子結合を持たない有機高分子化合物を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】面積を増大させることなく、過電圧に対する耐性を高めることを課題の一つとする。
【解決手段】第１の端子部１００に設けられ、第１のｎ型不純物領域１０６と、平面視において前記第１のｎ型不純物領域１０６の内周部に設けられた第１の抵抗領域１０７と、平面視において前記第１の抵抗領域１０７の内周部に設けられた第１のｐ型不純物領域１０８と、を有する第１の半導体領域１０３と、前記第２の端子部１０１に設けられ、第２のｐ型不純物領域１０９と、平面視において前記第２のｐ型不純物領域１０９の内周部に設けられた第２の抵抗領域１１０と、前記第２の抵抗領域１１０の内周部に設けられた第２のｎ型不純物領域１１１と、を有する第２の半導体領域１０４と、有する構成である。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、隣接するＸ_１〜Ｘ_１２は互いに結合して置換または未置換のベンゼン環を形成していてもよい） （もっと読む）

【課題】スパッタ時のノジュールの発生を抑制できる酸化インジウムスパッタリングターゲット並びに酸化インジウム焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化インジウムスパッタリングターゲットを酸化インジウム相と金属相を有する酸化インジウム焼結体により構成する。また、インジウム化合物と金属微粒子を混合した粉末又はインジウム化合物と金属酸化物微粒子を混合した粉末を放電プラズマ焼結することにより、酸化インジウム相と金属相を有する酸化インジウム焼結体を製造する。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、Ｘ_１とＸ_２は互いに結合して置換または未置換のベンゼン環、あるいは置換または未置換のナフタレン環を形成していてもよい） （もっと読む）

【課題】光劣化が抑制され、長寿命であり、かつ簡単な構成のＴＦＴ光センサ及びこのＴ
ＦＴ光センサを備えた液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明の光センサは、半導体層１４Ｌ１〜１４Ｌｎとしてアモルファスシリ
コン層を用いた薄膜トランジスタからなる光センサＬＳ１〜ＬＳｎであって、前記薄膜ト
ランジスタからなる光センサＬＳ１〜ＬＳｎのチャネル領域の表面は外光の積算光量に応
じて光透過率が上昇する材料からなる層１８が形成されていることを特徴とする。この外
光の積算光量に応じて光透過率が上昇する材料からなる層１８としては、ポジ型感光性樹
脂材料からなるものを使用できる。本発明の光センサは、液晶表示装置のバックライト等
の明るさの制御に使用することができる。 （もっと読む）