【課題】正確にメインセルに流れる電流を検出することができると共に、電流検出の直線性を向上させられ、高い電圧が用いられる場合でもその影響を受け難い半導体装置を提供する。
【解決手段】センスセルの両側にメインセルを配置し、センスセルのエミッタがメインセルのエミッタに挟まれた構造にする。これにより、センスセルのエミッタに流れる電流密度とセンスセルのエミッタに流れる電流密度とを近づけることができ、ミラー比がメインセルとセンスセルそれぞれのエミッタの長手方向における長さの比に近くなる。また、センスセルのエミッタに流れる電流密度とセンスセルのエミッタに流れる電流密度とを近づけられるため、スイッチング時や大電流が流れる時に流れる単位面積当たりの電流量がメインセル側と比較してセンスセル側において大きくなることを抑制できる。このため、電流の偏りを抑制することができ、破壊耐量を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】耐久性及び半導体特性の安定性に優れた有機半導体材料として有用である熱安定性の高いジチエノゲルモール重合体、及びそれを含有する有機半導体材料より形成される有機半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ジチエノゲルモール重合体は、下記化学式（１）
【化１】


（式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して置換基を有してもよい炭素数１〜２０の炭化水素基であり、Ａｒは置換基を有してもよい２価の芳香環と、芳香環数２〜７の置換基を有してもよい２価の多核芳香環と、置換基を有してもよい２価の芳香環及び／又は芳香環数２〜７の置換基を有してもよい２価の多核芳香環を複数連結させた２価のアリーレン基とから選ばれる何れかであり、ｎは少なくとも２の正数）で示されるものである。有機半導体デバイスは、このジチエノゲルモール重合体を有機半導体層とするものである。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの出力特性のばらつきを抑制しつつ、検出精度の低下が防がれた高性能なフォトダイオードを形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】所定のゲート金属を用いて、フォトダイオード用の第１の半導体層３０ａのうち、真性半導体領域となる部分を覆うシールド部３４ａをゲート絶縁膜２９上に形成するとともに、薄膜トランジスタ用の第２〜第５の各半導体層３０ｂ〜３０ｅのうち、チャネル領域となる部分を覆う第１〜第４のゲート電極３４ｂ〜３４ｅをゲート絶縁膜２９上に形成する。その後、シールド部３４ａをマスクとして用いて、第１の半導体層３０ａにｎ型領域及びｐ型領域を形成した後、当該シールド部３４ａを除去する。 （もっと読む）

【課題】中空構造等を作製するためのエッチング工程とガラス基板等他の部材の貼り付け工程を必要としない簡単な工程で、センサー等を作製するための貼り合わせ基板を製造する方法、及び構造強度の問題となる中空構造を形成しなくとも、センサー等の作製に用いることができる多孔質領域を有する貼り合わせ基板を提供する。
【解決手段】ベース基板１の貼り合わせ面に部分的に多孔質領域３を形成する工程と、ボンド基板４の貼り合わせ面に絶縁膜２を形成する工程と、絶縁膜２を介してベース基板１とボンド基板４を貼り合わせる工程と、貼り合わせられたボンド基板４を薄膜化して薄膜層を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体層の膜厚均一性を向上させたチャネルエッチ型ＴＦＴとその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体からなるチャネル層４を形成した後、該チャネル層４の上にＩｎ、Ｚｎ、Ｇａを含む酸化物からなり、上記酸化物半導体よりもエッチングレートが速く、抵抗率が３．３８×１０⁷Ωｃｍ以下である犠牲層５を形成し、その上にソース電極６及びドレイン電極７を形成して、該ソース電極６とドレイン電極７の間に露出した犠牲層５をウェットエッチング除去することにより、半導体層膜厚の均一性を向上させ、ＴＦＴ特性とその均一性と、をより向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】光感度を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置１ａは、柔軟性を有し、可視光に対して透明な透明基板１２と、透明基板上に設けられる透明電極１４と、透明電極の透明基板と接している面の反対側の一部に設けられる有機半導体層１６と、有機半導体層の透明電極と接している面の反対側の表面の上方に設けられる反射層７１とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置、半導体装置の製造方法、電気装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、一面に、ソース電極４１ｃおよびドレイン電極４１ｄを有する第１基板３４と、一面に、ゲート電極４１ｅ、ゲート絶縁膜４１ｂおよび半導体層４１ａを有する第２基板３９と、第１基板３４および第２基板３９が互いの一面側を対向させて貼り合わされることによりこれら第１基板３４と第２基板３９との間に構成される薄膜トランジスタＴＲと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】多層基板内にＴＦＴ素子の構成要素のうちの少なくとも１つを内蔵させることによって薄膜トランジスタの高精細化を実現できる薄膜トランジスタ形成用基板、半導体装置、電気装置を提供する。
【解決手段】本発明の第１基板３０（素子基板３００）は、表面に制御トランジスタの構成要素の少なくとも一部を備え、内部には制御トランジスタの構成要素に接続される走査線６６、データ線６８、保持容量線、保持容量が埋め込まれていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】再配向エネルギーが十分に小さい有機化合物の提供。
【解決手段】式


［式中、Ａ環、Ｂ環及びＣ環は、各々独立して、芳香環を表す。Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｘ^５、Ｘ^６及びＸ^７は、各々独立して、炭素原子又は窒素原子を表す。］で表される縮合芳香族化合物、又は式（２）で表される縮合芳香族化合物から水素原子を２個除いた２価の基を繰り返し単位として有する高分子化合物。 （もっと読む）

【課題】逆方向耐圧を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】一導電型の半導体層１００と、絶縁体層１３０と、絶縁体層中に設けられた半導体層２１０と、半導体層２１０に設けられた能動素子２０と、半導体層１００の前記一主面２０１に設けられた他の導電型の半導体領域１１２と、半導体領域１１２内に設けられた他の導電型であって半導体領域１１２よりも高不純物濃度の半導体領域１１４と、絶縁体層１３０に設けられたスルーホール１４４内に半導体領域１４４に接続して設けられた導電体１５４と、絶縁体層１３０上または中に設けられた導電体２１４であって、導電体１５４の周囲に設けられ、外側端部が半導体領域１１４よりも外側にある導電体２１４と、導電体１５４と導電体２１４とを接続して設けられた導電体１９２と、半導体層１００に接続して設けられた導電体１５２，１２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電荷の漏洩による出力信号の誤出力が抑制可能な記憶装置、及び当該記憶装置を用いた表示装置を得ることを課題とする。
【解決手段】光信号を電気信号に変換する光電変換素子と、当該光電変換素子に電気的に接続され、チャネル形成領域に酸化物半導体膜を有するトランジスタと、当該トランジスタに電気的に接続され、当該電気信号を蓄積することで出力電圧を生成する保持容量とを有する記憶装置、及び当該記憶装置を用いた表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】非晶質上に低コストで高性能な半導体装置を形成する技術を提供する。
【解決手段】ＧｅがＳｉ濃度よりも高濃度に含まれた疑似Ｇｅ領域（２）を含有し、該領域のＧｅ濃度は初期ＳｉＧｅ薄膜中のＧｅ濃度よりも高濃度であり、リボン形状をした結晶粒（１）は、互いに平行で且つ直線状に配置している疑似Ｇｅ領域（２）に挟まれる構造を有し、結晶粒（１）内においてＧｅ濃度はＳｉ濃度よりも低濃度であり、且つ結晶粒（１）内のＧｅ濃度は初期ＳｉＧｅ薄膜中のＧｅ濃度よりも低濃度であり、さらに各々の結晶粒（１）は相互に同一の方位を有する結晶粒から成っていることを特徴とする非晶質上の半導体薄膜からなる半導体装置。 （もっと読む）

【課題】帯電体の接触または非接触動きを感知する薄膜帯電センサーを提供する。
【解決手段】基板と、基板上に備えられ、ゲート層、アクティブ層及びソース層／ドレイン層を備える薄膜トランジスタユニットと、ゲート層と電気的に連結された導電材料で形成された第１膜を備えるものであって、帯電体の電場に反応して入力電流を生成する薄膜アンテナユニットと、を備える薄膜帯電センサーである。これにより、簡単な薄膜層の積層過程を通じて容易に製造され、帯電体の電場を利用するため、接触状態だけでなく、非接触状態でも動きを感知できる。 （もっと読む）

【課題】半導体材料として特定の有機複素環化合物を用いて、実用的な印刷適性を有し、さらにキャリア移動度、ヒステリシスや閾値安定性などの優れた半導体特性を有し、産業上実用的な特定のトップゲート構造の電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体材料として下記式（１）で表される化合物を含有し、特定のトップゲート−ボトムコンタクト構造を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。


（式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に無置換またはハロゲノ置換Ｃ１−Ｃ３６脂肪族炭化水素基を表す。） （もっと読む）

【課題】ソース電極／ドレイン電極と有機半導体層との接触が強固なトップコンタクト構造において、有機半導体層の膜質を確保しつつチャネル領域に対するコンタクト抵抗（注入抵抗）の低減を図る。
【解決手段】基板１１上のゲート電極１３と、ゲート電極１３を覆うゲート絶縁膜１５と、ゲート電極１３の幅の範囲内でゲート絶縁膜１５を介してゲート電極１３の上部に重ねて配置された有機半導体層１７と、ゲート電極１３を幅方向に挟んだ状態で有機半導体層１７上において端部が対向配置されたソース電極１９ｓおよびドレイン電極１９ｄとを備えた半導体装置１。 （もっと読む）

【課題】
転写型に形成された絶縁膜を基板上に形成された接着膜に転写する際、接着膜の膜厚の不均一を低減する薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】
凹凸パターンが形成された転写型に半導体膜を形成する半導体膜形成ステップＳ１１と、半導体膜が形成された転写型に絶縁膜を形成する絶縁膜形成ステップＳ１２と、基板上に予め形成された電極上に接着膜を形成する接着膜形成ステップＳ０２と、接着膜を硬化させる硬化ステップＳ０３と、硬化した接着膜を介して電極上に絶縁膜および半導体膜を転写する転写ステップＳ２１とを備える。 （もっと読む）

【課題】情報保持期間が長く、任意の基板上に容易に作製できるＴＦＴを、光メモリ素子として動作させるための駆動方法と、該駆動方法で駆動される光電子装置を提供する。
【解決手段】チャネル層と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極・ドレイン電極と、を有する光電子素子の駆動方法であって、チャネル層に外部から所定の波長を有する光を照射する第１の工程と、ゲート電極とソース電極との間に所定の符号の電圧を印加する第２の工程と、を含み、第１の工程と、第２の工程とにより光電子素子の電流−電圧特性が変化し、その変化の符号が互いに逆になるように駆動することを特徴とする光電子素子の駆動方法。 （もっと読む）

【課題】導電性または半導体材料（Ｍ）の表面にレセプター分子（Ｒ）を共有グラフトさせることによって、導電性または半導体材料（Ｍ）を官能基化する方法を提供する。
【解決手段】次のステップにより官能化する。（ｉ）材料（Ｍ）の両側に配置したソース電極およびドレイン電極の端子間に、分子（Ｒ）のグラフト反応に対して材料（Ｍ）を熱活性化するのに十分な電位差を印加するステップ；ならびに（ｉｉ）こうして活性化された材料（Ｍ）を、レセプター分子（Ｒ）を含有する液体またはガス状の媒体に接するように置き、それによって、共有グラフトされたレセプター分子（Ｒ）で官能基化された材料（Ｍ）を得るステップを含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】炭素薄膜の製造方法、炭素薄膜を含んだ電子素子及び炭素薄膜を含んだ電気化学素子を提供する。
【解決手段】基板上にコーティング工程を利用し、高分子膜を形成する段階と、高分子膜上に保護膜を形成する段階と、基板を熱処理し、基板上に炭素薄膜を形成する段階と、を含む炭素薄膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】リフレッシュ動作を不要とする酸化物半導体を利用した光センサ、当該光センサを搭載した半導体装置、及び光センサを利用した光の測定方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体を用いて形成されたチャネルを含むトランジスタに、ゲート電圧をパルス状に印加することにより、一定のゲート電流が得られることを見出し、これを光センサに応用した。当該光センサはリフレッシュ動作を要さないため、少ない消費電力で、高速かつ簡易な測定手順にて光の照度を測定できる。比較的高い移動度と低いＳ値、低いオフ電流を有する酸化物半導体を利用したトランジスタにより光センサを形成できるため、少ない工程で多機能を有する半導体装置を得ることが出来る。 （もっと読む）