【課題】より効率的で、より安全で、かつ／または拡張性の高いベンゾジチオフェン、半導体ポリマを製造する方法を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）の４，８−二置換ベンゾジチオフェン：


式（Ｉ）
（式中、Ｒ_１は、独立に直鎖状アルキル、分枝状アルキル、およびアリールから選択される）を製造する方法であって、ベンゾキノン−ジチオフェンを、少なくとも３５のｐＫａを有し、かつ、式Ｍ−Ｒ_１（式中、Ｍは、ＭｇＸまたはＬｉであり、Ｘはハロゲンであり、Ｒ_１は、アルキル、アリール、またはヘテロアリールである）を有する試薬と反応させる段階と、その結果として生じる中間体を還元して、式（Ｉ）の４，８−二置換ベンゾジチオフェンを形成する段階と、を含む、ベンゾジチオフェンを製造する方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体層の端面を経由するリーク電流を抑制することができる検出素子を提供する。
【解決手段】光が照射されることにより電荷が発生するｉ層６Ｂと一対の電極７との間にそれぞれ設けたｎ^＋層６Ａ、ｐ^＋層６Ｃのうちｐ^＋層６Ｃの形成面の端部をｉ層６Ｂよりも内側となるように形成した。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層とソース電極／ドレイン電極との間のコンタクト抵抗を図りながらも微細化プロセスの適用が可能でかつ良好な特性を有する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】トップコンタクト・ボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、有機半導体層１７とソース電極２１ｓ／ドレイン電極２１ｄとの間に、有機半導体材料と共にアクセプタ性材料またはドナー性材料を含有するコンタクト層１９を設けた。有機半導体層１７の導電型がｐ型である場合には、コンタクト層１９にはアクセプタ性材料が含有されている。コンタクト層１９は、有機半導体層１７と同一のパターン形状を有している。 （もっと読む）

【課題】十分に結晶化された多結晶薄膜を提供する。
【解決手段】インジウム元素及び酸素元素を含有した非晶質膜をスパッタリング装置で成膜し加熱することで、Ｘ線回折測定において２θが２５ｄｅｇ〜３５ｄｅｇの範囲に観測される（２２２）配向のロッキングカーブの半値全幅が０．４ｄｅｇ以下である多結晶薄膜を形成する。又、金属酸化物をスパッタリングによって成膜するに際し、プラズマの照射を２〜５秒間隔として成膜しその後結晶化する。 （もっと読む）

【課題】ノイズが低減でき、従来よりも遙かに優れた感度を有する試料中の被検出物質の検出方法を提供する。
【解決手段】基板１と、その基板１の上面に形成した絶縁薄膜２上に、所定の間隔をおいて対向して設けたソース電極３およびドレイン電極４を有するチャネルとを少なくとも備えたセンサーで試料中の被検出物質を検出する方法において、前記チャネルが超微細繊維で構成され、そのチャネル上に前記試料溶液を滴下した後、その試料溶液の溶媒を蒸発させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来よりも遙かに優れた感度を有する試料中の被検出物質の検出方法を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１の上面に形成した第１の絶縁薄膜２上に、所定の間隔をおいて対向して設けたソース電極３およびドレイン電極４を有するチャネルを備えたセンサーで試料中の被検出物質を検出する方法であって、チャネルが超微細繊維で構成され、基板１のチャネルとは反対側の面に第２の絶縁薄膜が形成され、第２の絶縁薄膜の外側にバックゲート電極８を設けて、第２の絶縁薄膜がヘマグルチニンで修飾され、その修飾箇所とバックゲート電極８の間に試料溶液を介在して、バックゲート電極８にゲート電圧を印加し、ソース電極３とドレイン電極４の間に流れる電流値の変化により、試料中のヘマグルチニンと相互作用する物質を検出する。 （もっと読む）

【課題】特性バラツキの少ない３端子型電子デバイスを提供する。
【解決手段】３端子型電子デバイスは、（Ａ）制御電極１４、（Ｂ）第１電極及び第２電極１６、並びに、（Ｃ）第１電極と第２電極の間であって、絶縁層１５を介して制御電極１４と対向して設けられた能動層２０を備えており、能動層２０はナノシート２１の集合体から成り、ナノシートの平均サイズをＬ_S、第１電極と第２電極の間隔をＤとしたとき、Ｌ_S／Ｄ≧１０を満足する。あるいは又、第１電極及び第２電極の長さをＬ_Eとしたとき、Ｄ×Ｌ_E≧３×１０²×Ｌ_S²を満足する。 （もっと読む）

【課題】光照射によって誘電率を変化させることが可能な膜、およびそれを用いた電子デバイスを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ２０は、ガラス基板２１、ゲート電極２２、ゲート絶縁膜２３、半導体層（活性層）２４、ソース電極２５およびドレイン電極２６を備える。ゲート電極２２、ゲート絶縁膜２３および半導体層２４は、この順序でガラス基板２１上に積層されている。ソース電極２５およびドレイン電極２６は、半導体層２４上に形成されている。ゲート絶縁膜２３は、有機重合体と、その有機重合体中に分散された化合物とを含む溶液を、ガラス基板上に形成されたゲート絶縁膜上にスピンコート法によって塗布した。その化合物は、以下の式（１）で表される化合物および以下の（２）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種の化合物である。［化学式（１）および（２）］
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【課題】平面性を失わないようにテトラベンゾポルフィリンの特性を変化させ、半導体材料として提供する。
【解決手段】２か所のメソ位が１価の有機基で置換されたテトラベンゾポルフィリンを含む、半導体材料。 （もっと読む）

【課題】ｐチャネルとｎチャネルに共通の有機半導体層とソース、ドレイン電極材料の好適な組合せにより、実用上十分に良好な伝達特性を得ることが可能な有機ＦＥＴアレイを提供する。
【解決手段】有機半導体層を用いたｐチャネル電界効果トランジスタ（ｐ型有機ＦＥＴ）と、有機半導体層を用いたｎチャネル電界効果トランジスタ（ｎ型有機ＦＥＴ）とを備えた有機ＦＥＴアレイ。有機半導体層５はｐチャネルとｎチャネルに共通の材料の有機半導体単結晶により形成される。ｐ型有機ＦＥＴのソース及びドレイン電極は、仕事関数に基づいて制御される有機半導体層中の多数キャリアが正孔になるように選択されたｐチャネル金属電極６により形成され、ｎ型有機ＦＥＴのソース及びドレイン電極は、仕事関数に基づいて制御される有機半導体層中の多数キャリアが電子になるように選択されたｎチャネル金属電極７により形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の表面に優れた光閉じ込め効果を有する凹凸形状を形成して光電変換素子の感度を向上させる。
【解決手段】多結晶半導体膜１０は、基板１上に形成されており、ラテラル結晶を含む。多結晶半導体膜の表面に自己組織化的に形成されたテクスチャ構造を有し、その表面の二乗平均粗さが４ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式(１)で表される少なくとも１種の化合物を含有してなる有機トランジスタ。


（式中、環Ａ〜環Ｄは、それぞれ独立に、置換または未置換のチオフェン環を表す。） （もっと読む）

【課題】大面積の検出器を安価に製造することができる光または放射線検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の検出器の製造方法によれば、絶縁基板に直接ではなく、第１凸版１１の表面に成膜してからこれを絶縁基板に転写することで検出器が生成される。これにより、絶縁基板１に対する工程は全て大気中で行うことが可能である。そうすれば、大型の成膜装置が必要でなくなり、絶縁基板を自由に大型化することができるうえ、検出器の製造コストを抑制することができるのである。 （もっと読む）

【課題】有機電子装置用の溶液加工性パッシベーション層を提供する。
【解決手段】本発明は、有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置用の溶液加工性パッシベーション層と、その様なパッシベーション層を含むＯＥ装置、特に、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ：ｏｒｇａｎｉｃ ｆｉｅｌｄ ｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）とに関する。 （もっと読む）

【課題】合成するのが容易であり、高い電荷移動度を有し、半導体デバイス用の薄い、大面積のフィルムを形成するために容易に加工可能である、半導体または電荷輸送材料として用いるための新規な材料を提供する。
【解決手段】本発明は、少なくとも１つの９−Ｈ，Ｈ−フルオレン基および少なくとも１つのアリーレン基を含むモノマー、オリゴマーまたはポリマーに関する。本発明はさらに、これらの製造方法、電界効果トランジスタ、エレクトロルミネセント、光起電およびセンサーデバイスを含む光学、電気光学または電子デバイスにおける半導体または電荷輸送材料としてのこれらの使用に関する。本発明はさらに、新規な材料を含む電界効果トランジスタおよび半導電性部品に関する。 （もっと読む）

【課題】レジスト残渣に起因するリーク電流の増大を生じさせることがなく、微細パターンの形成が可能であり、電極のエッジ部分の絶縁膜が薄くなることに起因するリーク電流の増大を抑制することが可能な電磁気素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に、１２(Ｃａ_xＳｒ_1-x)Ｏ・７Ａｌ₂Ｏ₃（０≦ｘ≦１）を含む絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、絶縁膜の上にアンモニウム塩アルカリ溶液を含む現像液で現像可能な第１フォトレジストを塗布し、第１フォトマスクパターンに応じて第１フォトレジストを露光する第１フォトレジストパターン形成工程と、第１フォトレジストをアンモニウム塩アルカリ溶液を含む現像液に接触させ、第１フォトレジストの可溶部分の溶解と同時に、絶縁膜をエッチングする現像・エッチング工程とを備えた電磁気素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】有機半導体材料として好適な新規化合物の提供。
【解決手段】下式で表わされる、置換ベンゾカルコゲノアセン化合物、該化合物を含む薄膜及び該薄膜を構成成分にもつ有機半導体デバイス。
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【課題】光電変換層のキャリア生成効率を上昇させることを目的とする。
【解決手段】光電変換層を複数種類の半導体を積層した構造とすることによって、広い波長範囲に渡って光を吸収することができるので、キャリア生成効率を上昇させることができる。さらに、複数種類の半導体を積層した光電変換層は膜厚比を最適化することによってキャリア生成効率を向上させることができる。具体的には、吸収係数を求め、透過光の強度式に代入し、透過光の積分強度が最小となる膜厚比を決定し、その膜厚比を膜厚となるように上記複数種類の半導体を成膜すればよい。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有するトランジスタを用いて安定した動作を行う表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】酸化物半導体層をチャネル形成領域とするトランジスタを適用して表示装置を作製するに際し、少なくとも駆動回路に適用するトランジスタの上に更なるゲート電極を配する。酸化物半導体層をチャネル形成領域とするトランジスタを作製するに際しては、酸化物半導体層に対して脱水化または脱水素化のための加熱処理を行い、上下に接して設けられるゲート絶縁層及び保護絶縁層と酸化物半導体層の界面に存在する水分などの不純物を低減する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に用いられる保護回路を効果的に機能させ、サージによる半導体装置の破壊を防ぐ。
【解決手段】端子電極と、保護回路と、集積回路と、それぞれを電気的に接続する配線を有し、保護回路は端子電極と集積回路の間に設けられ、端子電極と、保護回路と、集積回路を、配線を分岐することなく接続する半導体装置である。静電気放電による半導体装置の破壊を低減することができる。また、半導体装置の不良発生を低減することができる。 （もっと読む）