【課題】電界効果型トランジスタの移動度を向上させる。
【解決手段】ゲート絶縁膜２２と、活性層としてＳｎ,Ｚｎ及びＯ、又はＳｎ,Ｇａ,Ｚｎ及びＯを主たる構成元素とする酸化物半導体層１４と、ゲート絶縁膜２２と酸化物半導体層１４との間に配置され、酸化物半導体層１４よりも抵抗率が高い酸化物中間層１６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 ゲート電極の微細化が可能な電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】 本開示に係る電界効果型トランジスタは、基板１０と、基板１０上に形成され、フィン領域１３と該フィン領域１３の両端にそれぞれ形成されるソース領域１４とドレイン領域１５とを有する半導体層と、フィン領域１３の少なくとも２面の一部と接する凸部１７１を有するゲート電極１７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】開口率の高い表示装置又は素子の面積の大きい半導体装置を提供することを課題
とする。
【解決手段】隣接する画素電極（又は素子の電極）の間に設けられた配線との下方にマル
チゲート構造のＴＦＴのチャネル形成領域を設ける。そして、複数のチャネル形成領域の
チャネル幅の方向を前記画素電極の形状における長尺方向と平行な方向とする。また、チ
ャネル幅の長さをチャネル長の長さよりも長くすることでチャネル形成領域の面積を大き
くする。 （もっと読む）

【課題】電気特性の変動が生じにくく、且つ電気特性の良好な半導体装置、およびその作製方法を提供することである。
【解決手段】基板上に下地絶縁膜を形成し、下地絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成し、第１の酸化物半導体膜を形成した後、第１の加熱処理を行って第２の酸化物半導体膜を形成した後、選択的にエッチングして、第３の酸化物半導体膜を形成し、第１の絶縁膜および第３の酸化物半導体膜上に絶縁膜を形成し、第３の酸化物半導体膜の表面が露出するように絶縁膜の表面を研磨して、少なくとも第３の酸化物半導体膜の側面に接するサイドウォール絶縁膜を形成した後、サイドウォール絶縁膜および第３の酸化物半導体膜上にソース電極およびドレイン電極を形成し、ゲート絶縁膜およびゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置を提供する。または、良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体層を形成し、半導体層上に、単層でなる第１の導電層を形成し、第１の導電層上に、３６５ｎｍ以下の波長の光を用いて第１のレジストマスクを形成し、第１のレジストマスクを用いて第１の導電層をエッチングして、凹部を有する第２の導電層とし、第１のレジストマスクを縮小させて第２のレジストマスクを形成し、第２のレジストマスクを用いて第２の導電層をエッチングして、周縁に突出部を有し、且つ突出部はテーパ形状であるソース電極及びドレイン電極を形成し、ソース電極及びドレイン電極上に、半導体層の一部と接するゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上の半導体層と重畳する位置にゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いる半導体装置において、電気特性の良好な半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に酸化物半導体膜および絶縁膜を有し、酸化物半導体膜の側面は絶縁膜と接しており、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域と、チャネル形成領域を挟んで形成されたドーパントを含む領域とを含み、酸化物半導体膜上に接して形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、サイドウォール絶縁膜を有するゲート電極と、酸化物半導体膜、および絶縁膜に接して形成されたソース電極およびドレイン電極とを有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定した電気特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】ｎ型酸化物半導体膜中にｐ型酸化物半導体材料を含ませることで酸化物半導体膜中に意図せずに生じるキャリアを低減することができる。これは、ｎ型酸化物半導体膜中の意図せずに生じた電子が、ｐ型酸化物半導体材料中に生じたホールと再結合することにより、消滅するためである。従って、酸化物半導体膜中に意図せずに生じるキャリアを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに設けられるパッド部として適した構造を提供することを目的の一と
する。酸化物半導体の他、絶縁膜及び導電膜を積層して作製される各種用途の表示装置に
おいて、薄膜の剥がれに起因する不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層と、該画素電
極層に対応して設けられた画素部を有し、該画素部に酸素の含有量が異なる少なくとも二
種類の酸化物半導体層とを組み合わせて構成される逆スタガ型薄膜トランジスタが設けら
れた表示装置である。この表示装置において画素部の外側領域には、走査線、信号線を構
成する同じ材質の導電層によって、画素電極層と対向する共通電極層と電気的に接続する
パッド部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサを一体化したアクティブマトリクス型表示装置を、安価に、且つ
プロセスを複雑化せずに作製する。
【解決手段】受光マトリクス１１１には、ＴＦＴと受光部が積層されたイメージセンサが
形成される。表示マトリクス１２１には、ＴＦＴと画素電極３１２がマトリクス上に配置
され、ブラックマトリクスとして機能する電極層３０８が形成されている。受光部の下部
電極２０８は遮光膜３０８と同一の出発膜で形成される。上部電極２１２の電位を固定す
るための端子６０６、６０３、６０１はそれぞれ、信号線３０６、電極層３０８、画素電
極６０６と同一の出発膜で形成される。端子６０６、６０３、６０１はその電位が固定さ
れるため、受光部の側面のシールド電極としても機能する。 （もっと読む）

【課題】薄膜の応力を用いてしきい値電圧を制御する。
【解決手段】第１の半導体層に設けられた第１のゲート電極と、第２の半導体層に設けられた第２のゲート電極と、第１の半導体層と第２の半導体層に接して設けられた第１の絶縁層と、第１の絶縁層が設けられた第１の半導体層の一方の面の反対側に設けられた第２の絶縁層と、第１の絶縁層が設けられた第２の半導体層の一方の面の反対側に設けられた第２の絶縁層及び第３の絶縁層と、を有し、第１の半導体層には第２の絶縁層により応力が加わり、第２の半導体層には第２の絶縁層と第３の絶縁層により応力が加わることで、第１の半導体層及び第２の半導体層に加わる応力が異なる。 （もっと読む）

【課題】薄膜の応力を用いて、トランジスタのしきい値電圧を変化させる。
【解決手段】第１のチャネル形成領域を有する第１の半導体層と、第２のチャネル形成領域を有する第２の半導体層に対して、それらの上に形成された薄膜の応力を用いて、トランジスタのしきい値電圧を異ならせることができる。これらを電気的に接続することで、Ｅ／Ｄ ＭＯＳ回路を提供できる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜をチャネル形成領域に用いたトランジスタにおいて、短チャネル効果による電気特性の変動を抑制し、微細化した半導体装置を提供する。また、オン電流を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】非晶質領域である一対の第２の酸化物半導体領域と、一対の第２の酸化物半導体領域に挟まれた第１の酸化物半導体領域と、を有する酸化物半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して第１の酸化物半導体領域上に設けられるゲート電極と、を有する半導体装置において、第２の酸化物半導体領域には、窒素、リン、又は砒素など１５族元素のいずれか一以上の元素が添加されている。 （もっと読む）

【課題】高速動作可能な半導体装置を提供する。また、短チャネル効果による電気特性の変動が生じにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの半導体層に結晶性を有する酸化物半導体を用い、該半導体層にチャネル形成領域とソース領域とドレイン領域を形成する。ソース領域及びドレイン領域は、ゲート電極をマスクとして、半導体層に第１５族元素のうち一種類または複数種類の元素を添加する自己整合プロセスにより形成する。ソース領域及びドレイン領域に、ウルツ鉱型の結晶構造を付与することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜をチャネル形成領域に用いたトランジスタにおいて、短チャネル効果による電気特性の変動を抑制し、微細化した半導体装置を提供する。また、オン電流を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】非晶質領域である一対の第２の酸化物半導体領域と、一対の第２の酸化物半導体領域に挟まれた第１の酸化物半導体領域と、を有する酸化物半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して第１の酸化物半導体領域上に設けられるゲート電極と、を有する半導体装置において、第２の酸化物半導体領域には、水素または希ガスのいずれかの元素が添加されている。 （もっと読む）

【課題】高速動作可能な半導体装置を提供する。また、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの半導体層に結晶性を有する酸化物半導体を用い、該半導体層にチャネル形成領域とソース領域とドレイン領域を形成する。ソース領域及びドレイン領域の形成は、チャネル保護層をマスクとして半導体層に希ガスまたは水素のうち、一種類または複数種類の元素をイオンドーピング法またはイオンインプランテーション法により行う。 （もっと読む）

【課題】被曝量による閾値電圧のシフトを抑制するが可能なトランジスタを提供する。
【解決手段】放射線撮像装置１は、フォトダイオードとトランジスタ１１１Ｂとを含む光電変換層を有する。トランジスタ１１１Ｂは、基板１１上に、第１ゲート電極１２０Ａ、第１ゲート絶縁膜１２９、半導体層１２６、第２ゲート絶縁膜１３０および第２ゲート電極１２０Ｂをこの順に有し、第１ゲート絶縁膜１２９および第２ゲート絶縁膜１３０におけるＳｉＯ₂膜の総和が６５ｎｍ以下となっている。トランジスタが被曝すると、ゲート絶縁膜におけるＳｉＯ₂膜に正孔がチャージされ、閾値電圧がシフトし易くなるが、上記のようなＳｉＯ₂膜厚の最適化により、閾値電圧シフトが効果的に抑制される。 （もっと読む）

【課題】バックゲート電極、しきい値電圧を制御するための回路、および不純物添加法を用いずにしきい値電圧が制御されたトランジスタを作製する。該トランジスタを用いて、電気特性が良好で、信頼性が高く、消費電力の小さい半導体装置を作製する。
【解決手段】組成の制御された酸化タングステン膜を有するゲート電極を用いる。酸化タングステン膜の成膜方法によって組成などを調整され、仕事関数を制御することができる。仕事関数の制御された酸化タングステン膜をゲート電極の一部に用いることでトランジスタのしきい値を制御できる。しきい値電圧が制御されたトランジスタを用いることで、電気特性が良好で、信頼性が高く、消費電力の小さい半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】赤外光及び可視光に対する感度の高い光電変換素子を提供する。
【解決手段】第１のゲート電極と、第１のゲート電極を覆う第１のゲート絶縁層と、第１のゲート絶縁層上の結晶性半導体層と、結晶性半導体層上の非晶質半導体層と、非晶質半導体層上の不純物半導体層と、不純物半導体層に接するソース電極及びドレイン電極と、少なくともソース電極及びドレイン電極の間を覆う第２のゲート絶縁層と、第２のゲート絶縁層上の第２のゲート電極と、を有し、少なくともソース電極とドレイン電極の間に受光部が設けられ、第１のゲート電極は遮光性材料により結晶性半導体層及び非晶質半導体層のすべてと重畳し、第２のゲート電極は透光性材料により受光部と重畳し、第１のゲート電極は、ソース電極またはドレイン電極に電気的に接続されている光電変換素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】 接続用端子の数を制限しつつ、高い動作速度及び信頼性で且つ高画質な画像を取得することが可能なマトリクス基板等を提供する。
【解決手段】 画素１０１が行列状に複数配置され、駆動線１０４が列方向に複数配置され、接続用端子１１０が駆動線１０４の数よりも少ない数で設けられ、接続用端子１１０と駆動線１０４との間に配置されたデマルチプレクサ１１１が、第１多結晶半導体薄膜トランジスタ１１２と、第１制御配線１１６と、を有するマトリクス基板であって、デマルチプレクサ１１１は、一つの接続用端子１１０と２以上の駆動線１０４との間に画素を非選択状態とするための非選択電圧に駆動線１０４を維持するための第２多結晶半導体薄膜トランジスタ１１３と、第２制御配線１１５と、を更に有する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率特性、低リーク電流特性、および高絶縁破壊電圧特性に優れ、しかも、透明性が高い樹脂膜を備える半導体素子基板を提供すること。
【解決手段】バインダー樹脂（Ａ）、酸性基を有する化合物（Ｂ）、及び架橋剤（Ｃ）を含有してなる樹脂組成物からなる樹脂膜を有する半導体素子基板であって、
前記バインダー樹脂（Ａ）は、重量平均分子量（Ｍｗ）が１０，０００以上、吸水率が０．０３重量％以上であり、前記バインダー樹脂（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）に対する、前記架橋剤（Ｃ）の分子量の比率が、０．０５以下であり、前記バインダー樹脂（Ａ）１００重量部に対する、前記架橋剤（Ｃ）の含有量が２１〜１５０重量部であり、前記樹脂膜は、前記半導体素子基板に実装されている半導体素子表面、または前記半導体素子に含まれる半導体層と接触して形成されていることを特徴とする半導体素子基板を提供する。 （もっと読む）