【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａはチエノチオフェン環を表し、環Ｂは置換または未置換のチオフェン環を表し、ｎは０または１を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ独立に、Ｈ、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、あるいはアリール基を表し、Ｒ_０およびＲ_００はそれぞれ独立に、Ｈ、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、あるいはアルコキシアルキル基を表し、Ａ、Ｂ、ＣおよびＤはそれぞれ独立に、フェニレン基、チエニレン基、あるいはチエノチエニレン基を表し、ａ、ｂ、ｃおよびｄはそれぞれ独立に１または２を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


［式中、Ｘ_１〜Ｘ_８は独立に、Ｈ、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アリール基、あるいは置換エチニル基を表し、Ｘ_１〜Ｘ_３の組み合わせ及び／又はＸ_５〜Ｘ_７の組み合わせより選ばれる隣接する２個の置換基が互いに結合して置換又は未置換のベンゼン環、あるいは置換又は未置換のチオフェン環を形成していてもよく、Ｚ_１およびＺ_２は独立に、Ｏ、Ｓ、あるいはＮ−Ｒ（ＲはＨ、アルキル基、アルコキシアルキル基、あるいはアリール基を表す）を表す］ （もっと読む）

【課題】大量生産可能の電気化学トランジスタを提供する。
【解決手段】電気化学トランジスタ装置は、ソース接点１と、ドレイン接点２と、少なくとも１つのゲート電極４と、ソース、ドレイン接点間に配置されており、それらと直接的に電気接触している電気化学的にアクティブな要素であるトランジスタ・チャネル３を含み、そのレドックス状態の変化を通じてその導電率を電気化学的に変える能力を有する有機材料からなる材料で作られている電気化学的にアクティブな要素と、電気化学的にアクティブな要素および前記少なくとも１つのゲート電極の間に介在し、それらと直接的に電気接触している凝固電解液５とを含み、電気化学的にアクティブな要素、前記ゲート電極間の電子流が阻止されるようになっている。この装置において、ソース接点およびドレイン接点間の電子の流れは、前記ゲート電極に印加された電圧によって制御可能である。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａはチエノチオフェン環を表し、環Ｂは置換または未置換のチオフェン環、置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環、あるいは置換または未置換のチエノチオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｒおよびｓはそれぞれ独立に０または１を表すが、同時に０を表すことはない） （もっと読む）

【課題】有機ゲート絶縁膜表面にダメージが入ることなくソース・ドレイン電極表面に金属酸化物膜を形成する、またはソース・ドレイン電極表面に金属酸化物膜を形成した後にダメージ層を修復することを可能にする。
【解決手段】表面が絶縁性を有する基板１１上に離間して形成されたソース・ドレイン電極１２、１３と、前記ソース・ドレイン電極１２、１３の表面に形成された金属酸化物膜１４、１５と、前記基板１１上に形成されていて前記金属酸化物膜１４、１５を被覆する有機半導体層１６と、前記有機半導体層１６上に形成されたゲート絶縁膜１７と、前記ゲート絶縁膜１７上に形成されたゲート電極１８を備えた有機半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】大量生産上、大型の基板に適している半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、チャネルを含む島状半導体層と、島状半導体層上に形成されたドレイン配線およびソース配線とを有し、島状の半導体層は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏを含み、ドレイン配線及びソース配線は島状半導体層をキャリアの移動方向と垂直に横断し、チャネルの長さはドレイン配線およびソース配線の間隔に等しいことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 チャネル層に本発明の特定の積層構成を適用することで、電気的特性に優れ、且つ、組成変動に対する特性変化が小さいＴＦＴを提供する。
【解決手段】 少なくとも半導体層と前記半導体層に対してゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを具備した電界効果型トランジスタであって、
前記半導体層は、ＺｎまたはＩｎから選択される少なくとも１つの元素を含む第１のアモルファス酸化物半導体層と、ＧｅまたはＳｉから選択される少なくとも１つの元素と、ＺｎまたはＩｎから選択される少なくとも１つの元素と、を含む第２のアモルファス酸化物半導体層を含み、前記第１のアモルファス酸化物半導体層と、前記第２のアモルファス酸化物半導体層とは組成が異なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大型の半導体装置で、高速に動作する半導体装置を提供することを目的する。
【解決手段】単結晶の半導体層を有するトップゲート型のトランジスタと、アモルファス
シリコン（またはマイクロクリスタルシリコン）の半導体層を有するボトムゲート型のト
ランジスタとを同一基板に形成する。そして、各々のトランジスタが有するゲート電極を
同じレイヤーで形成し、ソース及びドレイン電極も同じレイヤーで形成する。このように
して、製造工程を削減する。つまり、ボトムゲート型のトランジスタの製造工程に、少し
だけ工程を追加するだけで、２つのタイプのトランジスタを製造することが出来る。 （もっと読む）

【課題】電子移動度の良好な新規な化合物の提供。
【解決手段】ナフタレンの両ベンゼン環にそれぞれチオフェン環或いはセレノフェン環が結合した構造を有する化合物で、例えば、下式の反応で得られる化合物である。


該化合物は、電子移動度が良好であり、有機ＦＥＴデバイスの有機半導体材料として使用される。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ（セミコンダクタ・オン・インシュレータ）基板内の底部半導体層からの半導体デバイスについて強化された信号分離を可能とする半導体構造、これを製造する方法、およびこれを操作する方法を提供する。
【解決手段】底部半導体層１０と反対の導電性タイプを有するドープ接点領域１８は底部半導体層１０内の埋め込み絶縁体層２０の下に設ける。少なくとも１つの導電ビア構造４７，７７は、相互接続レベル金属ライン９４から、中間工程（ＭＯＬ）誘電体層８０、最上部半導体層３０内の浅いトレンチ分離構造３３、および埋め込み絶縁体層２０を通り、ドープ接点領域１８まで延びる構造とする。 （もっと読む）

【課題】Ｉon／Ｉoffを減少させることなく、有機半導体層とソース・ドレイン電極との接触抵抗を低減することを可能にする。
【解決手段】表面が絶縁性を有する基板１１の表面上に形成されたゲート電極１２と、前記基板１１上に形成されていて前記ゲート電極１２を被覆する有機絶縁膜からなるゲート絶縁膜１３と、前記ゲート絶縁膜１３上に離間して形成されていて少なくとも表面が触媒金属からなるソース・ドレイン電極１４、１５と、前記ソース・ドレイン電極１４、１５の表面に形成された炭素薄膜１６、１７と、前記ゲート絶縁膜１３上に形成されていて前記炭素薄膜１６、１７が形成された前記ソース・ドレイン電極１４、１５を被覆する有機半導体層１８を有する有機半導体装置１である。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_２０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、Ｘ_２とＸ_３は互いに結合して置換している炭素原子と共に置換または未置換のベンゼン環、あるいは置換または未置換のナフタレン環を形成していてもよい） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】下式で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（Ｘ_１〜Ｘ_１６は水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、Ｘ_１とＸ_２、あるいはＸ_３とＸ_４の少なくとも一方の組み合わせにおいて、互いに結合して置換している炭素原子と共に置換または未置換のベンゼン環を形成していてもよい） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_２０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、ｎは０または１を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】下式で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


［Ｘ_１〜Ｘ_１０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、さらに、Ｘ_２とＸ_３、あるいはＸ_８とＸ_９の少なくとも一方の組み合わせにおいて、互いに結合して置換している炭素原子と共に置換または未置換のベンゼン環、あるいは置換または未置換のナフタレン環を形成していてもよく、Ｙは酸素原子、硫黄原子、またはＮ−Ｒ（Ｒは水素原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す）を表す］ （もっと読む）

本開示は、トランジスタなどの薄膜半導体デバイスを作製する方法を提供するものであり、その方法は、ａ）第１及び第２の導電性ゾーン（１０、２０）を支持する基板（６０）を用意する工程であって、第１及び第２の導電性ゾーン（１０、２０）は、それらの間にチャネル（５０）を画定し、そのチャネル（５０）は、いずれの導電性ゾーン（１０、２０）の周囲の７５％超とも境界を画さない、工程と、ｂ）有機半導体（４０）を含有する溶液の個別のアリコートを、チャネル（５０）に隣接してあるいはチャネル（５０）上に堆積させる工程であって、溶液の大部分は、チャネル（５０）上ではなくチャネル（５０）の片側に堆積される、工程とを含む。本開示のいくつかの実施形態において、溶液は、チャネル（５０）上ではなく全体的にチャネル（５０）の片側に堆積され、更に、溶液は、チャネル長さ未満の長さを有するバンド内に堆積される。本開示は更に、トランジスタなどの薄膜半導体デバイスを提供する。
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